OLEH:
KELOMPOK VI
IDA ROYANI (A1K1 18 011)
SAGUSTINA BANGGAI (A1K1 18 021)
ASMIN (A1K1 18 043)
FERAWATI (A1K1 18 055)
ARDILA (A1K1 18 061)
AYU VERONITA SUREN (A1K1 18 067)
NILA SARNI (A1K1 18 097)
A. PENDAHULUAN
1) Latar belakang
2) Tujuan percobaan
Tujuan percobaan yang akan dicapai dalam percobaan kali ini yaitu
sebagai berikut:
a. Memahami cara kerja rangkaian bias transistor common emitter.
b. Memahami besar penguat transistor pada rangkaian common emitter.
B. KAJIAN TEORI
Transistor adalah suatu komponen aktif dibuat dari semi konduktor.
Ada dua macam transistor, yaitu transistor dwi kutub (bipolar) dan transistor
efek medan (Field effect transistor Fet). Transistor juga bisa berfungsi sebagai
penguat ataupun saklar. Daerah saturasi pada transistor dimulai dari VCE=0
volt sampai kira-kira 0,7 volt, yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang
mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran
elektron. Jika kemudian tegangan VCC dinaikan perlahan-lahan sampai
tegangan VCE. Jika kemudian tegangan VCC dinaikan perlahan-lahan sampai
tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Jika transistor berada
pada titik saturasi, transistor tersebut seperti saklar yang tertutup dari kolektor
ke emitter. Jika transistor cut off maka transistor akan seperti saklar terbuka.
Pada rangkaian tersebut merupakan penjumlahan tegangan disekitar loop
input, sehingga diperoleh persamaan:
B R B V BC V BB 0............................................................................2.1
VBE VBB
..........................................................................................2.2
RB
jika arus basis lebih besar atau sama besar dengan IB titik kerja Q berada pada
ujung atas pada garis beban dapat dilihat pada Gambar 2.1.
Gambar 2.1 Transistor Sebagai Penguat.
.................................................................................................2.5
1
.................................................................................................2.6
1
C. METODE PERCOBAAN
1. Alat dan bahan
Alat dan bahan yang digunakan pada percobaan Transistor sebagai
penguat dapat dilihat pada Tabel 2.1 berikut.
Tabel 2.1 Alat dan Bahan Percobaan Transistor sebagai Penguat.
b. Common emmiter
1) Menyiapkan alat dan bahan yang akan digunakan
Ga
mb
ar
2.5
8
Keterangan : R1 = 104 10
3
R2 = 12 10
R3 = 21,51
b. Analisis Data
Analisis data pada percobaan Tansistor sebagai Pengaut adalah
sebagai berikut.
1) Menentukan tegangan Basic
R2
V B VCC
R1 R 2
12 105
5 5
6
104 10 12 10
(1,115384 10 6 ) 6
6,923307 10 6 volt
R2
V B VCC
R1 R 2
12 105
5 5
9
104 10 12 10
(1,115384 10 6 ) 9
1,0384 10 5 volt
2) Menentukan tegangan emitter
V E V B 0,7 v
6,92307 10 6 0,7
0,069999 volt
V E V B 0,7 v
1,03846 10 5 0,7
0,069999 volt
3) Menentukan kuat arus Emitter
VE
E
RC
0,6999
21,51
0,032538
VE
E
RC
0,6999
21,51
0,032538
4) Menentukan Besar Penguatan
V In
VOut
0,0467
0,1612
0,2897 kali
2. Pembahsan
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai
penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung , Stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor memiliki 3
terminal yaitu basis, kolektor dan emitter. Terdapat dua jenis transistor
berdasarkan jenis muatan penghantar istriknya yaitu bipolar dan unipolar.
Sesuai dengan susunan bahan yang digunakan, transistor bipolar terdiri
dari dua tipe yaitu NPN dan PNP. Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian
bias untuk mengoperasikan transistor yaitu rangkaian bias common base,
rangkaian bias common emitter dan rangkaian bias common collector.
Rangkaian yang sering digunakan sebagai penguat adalah rangkaian bias
common emitter karena dapat menguatkan arus dan tegangan secara
bersamaan.
Percobaan transistor sebagai penguat menggunakan rangkaian
bias common emitter. Percobaan ini dilakukan dengan dua pengamatan
yaitu pengukuran kuat arus dan tegangan dalam rangkaian umum emitter
dengan besar tegangan sumber bervariasi sebesar 6 volt dan 9 volt. Serta
pengamatan grafik keluaran transistor pada rangkaian common emitter
dengan osiloskop. Pengamatan pertama yaitu mengukur kuat arus dan
tegangan dengan menggunakan multimeter untuk tegangan sumber 6 volt
dan 9 volt diperoleh bahwa tegangan sumber berbanding lurus dengan
tegangan pada basis, emitter dan kolektor serta arus dalam rangkaian.
Dimana semakin besar tegangan sumber maka tegangan pada kaki basis,
emitter dan kolektor serta arus yang mengalir semakin besar. Hal ini dapat
dilihat padaTabel 2.2. Berdasarkan analysis data diperoleh tegangan basis,
emitter dan arus yang mengalir dalam rangkaian. Pada tegangan basis
untuk tegangan sumber bervariasi diperoleh berturut-turut sebesar6,92307
x 10-6 volt dan 1,03846 x 10-5 volt. Untuk tegangan emitter diperoleh
berturut-turut sebesar -0,6999 volt dan -0,6999 volt. Kemudian untuk kuat
arus yang mengalir diperoleh nilai yang sama untuk tegangan sumber
berbeda sebesar -0,032538 A. Hasil analisis yang diperoleh memiliki
perbedaan yang cukup signifikan dengan nilai yang terukur pada
multimeter. Perbedaan ini dapat dipengaruhi oleh adanya kebocoran arus
listrik dalam rangkaian.
Pengamatan kedua yaitu mengamati ciri keluaran transistor
rangkaian bias common emitter pada osiloskop. Berdasarkan pengamatan
diperoleh bahwa sinyal keluaran yang dihasilkan lebih besar dari sinyal
masukkan. Hal ini dapat dilihat pada Gambar 2.8. Pada gambar juga
terlihat bahwa sinyal masukkan berbeda fase 180o dengan sinyal keluaran.
Dari pengukuran menggunakan multimeter juga diperoleh tegangan input
sebesar 0,0467 volt dan tegangan output sebesar 0,1612 volt. Berdasarkan
perbandingan nilai tegangan output dan input diperoleh diperoleh besar
penguatan sebesar 3,45182 kali. Besar penguatan menunjukkan bahwa
sinyal masukkan atau input akan diperkuat sebesar 3,45182 kali sehingga
sinyal keluaran akan lebih besar dari sinyal masukkan. Namun pada
tegangan keluaran memiliki catat karena dipengaruhi adanya kebocoran
listrik dalam rangkaian. Perbedaan fase pada rangkain bias common
emitter terjadi karena rangkaian bias common emitter tidak hanya
menguatkan tegangan tetapi juga menguatkan arus.
2. Saran
DAFTAR PUSTAKA
Amin, M, 2019, Perancangan Rangkaian Booster pada Masa Pelajaran
Elektronika di SMKN 2 Tanjung. Riau Journal Of Computer Science. Vol
3(2).
Debataraja,M,dkk, 2011, Studi Awal MEMS Pada Mikrofabrikasi Diviasi
Transistor Bipolar NPN, journal ilmiah elite elektro. Vol 2(2).
Muda, I, 2013 Elektronika Dasar. Malang. Gunung Samudra