Elektronika

Dasar

PENGUAT COMMON BASE

A. Learning Outcomes (Capaian Pembelajaran)

Mampu menganalisis rangkaian penguat tegangan, mampu merakit dan menguji coba
rangkaian penguat tegangan dengan tepat dan teliti, dan mampu membuat laporan hasil uji
coba rangkaian penguat.

B. Tujuan Pembelajaran

1. Mahasiswa mampu mengidentifikasi rangkaian penguat common base menggunakan

rangkaian pembagi tegangan.
2. Mahasiswa mampu menganalisis karakteristik input dan output pada penguat common
base.
3. Mahasiswa mampu menganalisis DC dan AC pada penguat common base.
4. Mahasiswa mampu menganalisis rangkaian penguat common base dengan rangkaian
setara.
5. Mahasiswa mampu mengidentifikasi penerapan penguat common base pada frekuensi
tinggi.
Orientasi

Gambar 1.1. Siaran televisi dari uhf

(http://kitanesia.id/tren-siaran-televisi-dari-uhf-terrestrial-ke-ku-band-via-satelit/)
Rangkaian penguat transistor dengan common base biasanya digunakan pada rangkaian
penguat frekuensi tinggi yang biasanya terdapat pada jalur UHF dan VHF. Apa itu UHF dan

1
VHF? Apa perbedaan keduanya? Bagaimana karakteristik sinyal UHF dan VHF dalam
pertelevisian di Indonesia?

C. MATERI

Penguat pada rangkaian elektronika adalah suatu rangkaian yang bertujuan untuk
meningkatkan amplitudo sinyal listrik dari catu daya. Keuntungan dari penguat adalah dapat
memperbesar tegangan, arus listrik, atau daya dari suatu sinyal listrik. Suatu penguat
menggunakan sinyal masukan yang kecil untuk menghasilkan sinyal keluaran yang lebih
besar dengan meminimalkan gangguan dari bentuk gelombang. Banyak sekali peralatan
elektronika yang menggunakan rangkaian penguat, misalnya pada komunikasi wireless,
peralatan audio, dan sebagainya.
Rangkaian penguat sederhana dapat dirancang menggunakan transistor tunggal (baik
BJT atau FET) bersama dengan beberapa komponen pasif. Penguat Transistor Tunggal untuk
BJT memiliki tiga konfigurasi. Yaitu :
i. Common Emitter Amplifier
ii. Common Collector Amplifier
iii. Common Base Amplifier
Bipolar Junction Transistor atau disingkat BJT merupakan perangkat semikonduktor
ekstrinsik tipe n dan tipe p. BJT bisa berupa tipe npn maupun tipe pnp berdasarkan
konfigurasi wilayah. Karena electron dan holes bertindak sebagai pembawa arus, maka
digunakan istilah “Bipolar”.

Gambar 1.2.transistor tipe npn dan tipe pnp

(https://www.electronicshub.org/common-base-amplifier/)
 Tiga terminal tersebut, yang sesuai dengan tiga daerah transistor disebut Emitor, Base,
dan Kolektor. Dimana setiap bagian transistor dihubungkan keluar transistor dengan
menggunakan konduktor sebagai kaki transistor.
Pada dasarnya, sebuah BJT dapat dikonfigurasi sebagai Amplifier atau sebagai Switch.
Jika BJT dikonfigurasikan sebagai Amplifier, amplitudo dari sinyal listrik yang diterapkan
pada input meningkat beberapa kali pada output.
Mengkonfigurasi BJT sebagai Sakelar adalah salah satu aplikasi Transistor yang umum
dan sering digunakan. Dengan mengoperasikan transistor di daerah cut-off dan saturasi, Anda
dapat menerapkan sakelar elektronik menggunakan Transistor. Ini akan dibahas pada materi
berikutnya.

1. Rangkaian penguat common base

Dalam rangkaian, penguat common base tipe NPN dan tipe PNP dilukiskan seperti
gambar 1.3.

RE RC RE RC

IE IC IC 
IE

IB 


IB
VEE VCC VEE VCC

Gambar 1.3. (a) rangkaian transistor common base tipe NPN

(b) rangkaian transistor common base tipe PNP
Terlepas dari jenis transistor, terminal base dalam konfigurasi common base selalu
berpotensi ditanahkan. Penguat common base adalah rangkaian penguat dengan kaki base
transistor ditanahkan, tegangan input melewati kaki emitor, dan tegangan output diambil dari
kaki kolektor. Dengan kata lain, dalam konfigurasi common base, variabel input adalah arus
emitor dan basis ke tegangan emitor . Demikian pula, variabel output adalah arus
kolektor dan basis untuk tegangan kolektor .
Dari rangkaian, terlihat bahwa arus kolektor
:
yaitu
 (1.
1)
Arus
basis
yang
mengalir
pada
rangkaia
n
penguat
ini
sebandin
g
dengan
arus
emitter,
 Sehingga, (1.2)

Parameter ini disebut dengan penguat arus untuk common base. Idealnya nilai
adalah 1 (satu), namun pada transistor nilainya hamper sama dengan satu, yaitu :
.

2. Karakteristik transistor dengan hubungan common base

Untuk menjelaskan karakteristik konfigurasi common base, kita membutuhkan 2 jenis
karakteristik, yaitu
i. Karakteristik input
ii. Karakteristik output
Karakteristik input akan menghubungkan variabel input misalnya, Arus emitor dan
basis ke tegangan emitor sedangkan variabel output dipertahankan konstan.
Sedangkan pada karakteristik output, akan menghubungkan variabel output yaitu arus
kolektor dan basis ke tegangan kolektor sedangkan variabel input arus emitor tetap
konstan.
Lengkung karakteristik transistor dengan penguat common base baik masukan maupun
keluaran ditunjukkan pada gambar 1.4 berikut.

Gambar 1.4. Karakteristik masukan dan keluaran dari penguat common

base (https://www.electronicshub.org/common-base-amplifier/)
Karakteristik keluaran seperti gambar diatas menyatakan ada tiga wilayah operasi dari
transistor yaitu Cut-off, Active dan Saturation.
Kedua kurva diatas membuat transistor dapat digunakan untuk memperkuat isyarat.
Hubungannya yaitu perubahan kecil pada oleh isyarat masukan yang kecil akan

menyebabkan perubahan pada arus emitor yang besar. Perubahan ini diteruskan menjadi
arus isyarat , yang diubah menjadi isyarat tegangan oleh , yang besarnya ,

sehingga nilai ini lebih besar daripada tegangan isyarat masukan.

3. Analisis DC dan AC pada rangkaian common base

Gambar 1.5 menunjukkan rangkaian penguat common base . Adapun kegiatan Anda
dibawah adalah untuk mendapatkan persamaan dari penguatan tegangan, hambatan masukan,
dan hambatan keluaran dengan menganalisis DC dan AC common base.

V+

R1 R
C C2
Vo
C3
RL
C1

R2 RE
RS
- AC
V
VS

Gambar 1.5. Rangkaian penguat common base

a. Analisis DC
1) Ganti kapasitor dengan rangkaian terbuka. Amati 3 terminal BJT dan buat rangkaian setara
Thevenin seperti yang ditunjukkan gambar 1.6

(1.3)

2) Buatlah hipotesis untuk . Tuliskan persamaan loop antara dan . Untuk solusi

adalah

(1.4)
3) Solusi persamaan loop untuk arus.

(1.5)
4) Buktikan bahwa untuk mode aktif.

(1.6)
VCC
RCC

VBB R
BB

VBE

REE

Gambar 1.6. rangkaian bias DC

b. Analisis AC
1) Gambar lagi rangkaian dan semua kapasitor diganti dengan hubungan

singkat seperti ditunjukkan gambar 1.7

RC
Vo

RL

RE RS
AC
VS

Gambar 1.7. rangkaian signa

2) Hitunglah dari analisis DC

(1.7)

3) Ganti rangkaian dengan model untuk mencari basis dan emitor dengan persamaan
rangkaian Thevenin seperti gambar 1.8
 RC
Vo

RL

Rie
AC
Vie

Gambar 1.8. rangkaian signal dengan rangkaian Thevenin emitor

4. Rangkaian setara transistor common base
Rangkaian setara digunakan agar Anda dapat melakukan perhitungan pada rangkaian
yang mengandung transistor. Ada beberapa macam rangkaian setara untuk transistor common
base, yaitu rangkaian setara T, Z, Y, dan rangkaian setara-h.

a. Rangkaian setara h
1) Ganti BJT pada gambar 1.8 dengan rangkaian Thevenin emitor dan rangkaian
Norton collector seperti pada gambar 1.9 berikut.

rie RC VC
ve ic

Rte
ric
AC ic(sc)
vte

Gambar 1.9. rangkaian ekivalen emitor dan collector

2) Solusi untuk

(1.8)
Dengan

3) Solusi untuk

(1.9)
4) Solusi untuk penguatan tegangan

(1.10)
5) Solusi untuk

(1.11)

6) Solusi untuk

(1.12)
b. Rangkaian setara T
1) Semua penyelesaian diatas mengasumsikan bahwa kecuali menghitung nilai

Pada kasus ini, .

R
i'c c
vo
r'e ric
RL
ve
Rte
AC
vte

Gambar 1.10. rangkaian setara T

2) Setelah membuat rangkaian ekivalen Thevenin pada keluaran basis dan emitor, ganti BJT
dengan rangkaian setara T seperti pada gambar 1.10
3) Solusi untuk

(1.13)

(1.14)
4) Solusi untuk
 (1.15)
5) Solusi untuk penguatan tegangan

(1.16)
6) Solusi untuk

(1.17)

(1.18)
7) Solusi untuk

(1.19)
c. Rangkaian setara

1) Setelah membuat rangkaian ekivalen Thevenin pada keluaran basis dan emitor, ganti BJT
dengan rangkaian setara seperti gambar 1.11 berikut.

Gambar 1.11. Rangkaian setara hybrid

2) Solusi untuk .

(1.20)
 (1.21)

3) Solusi untuk

(1.22)
4) Solusi untuk penguatan tegangan

(1.23)
5) Solusi untuk

(1.24)

6) Solusi untuk

(1.25)

Contoh soal.
Untuk rangkaian penguat common base pada gambar 1.5 diberikan nilai

Tentukan nilai dari .

Penyelesaian.
Untuk rangkaian sinyal, tegangan dan hambatan Thevenin yang keluar dari emitor diberikan
sebagai berikut.
Hambatan Thevenin yang keluar dari basis dan kolektor yaitu

Kemudian, kita hitung .

Tegangan keluaran diberikan sebagai

Penguatan tegangan adalah

Maka, hambatan masukan dan keluaran adalah

D. Latihan

1) Transistor silikon pada rangkaian penguat common base mempunyai penguatan arus

Tentukan impedansi input dan penguatan tegangan dari rangkaian berikut.

( ).

-9V-VEE +9V+VCC

RE 4kRC
6k

AC
VBE RL
Vi 4k

Av = 108,8
2) Berikut ini adalah gambar rangkaian penguat common base .

C1 C2
RS

RC
R1
V RL
AC VS i C VCC
RE R2

Rangkailah sebuah penguat common base dengan bentuk rangkaian ekivalen hybrid л.
Kemudian temukan besar impedansi input dan output.

1
Zi 
gm

3) Perhatikan rangkaian CB dibawah ini. Dengan menggunakan rangkaian setara ac, tentukan
nilai dari penguatan tegangan .

-VEE
+VCC

iS RE
 iL

RC
AC CC CC v
VS RL L

E. Evaluasi

1) Penguat transistor common base memiliki resistansi input 20 Ω dan resistansi keluaran 100
kΩ. Beban kolektor adalah 1 kΩ. Jika sinyal 500 mV diterapkan antara emitor dan basis,
temukan amplifikasi tegangan. Asumsikan αac mendekati satu.
2) Dalam rangkaian common base, diketahui faktor amplifikasi adalah 0,9. Jika arus emitor
3) Dalam rangkaian common base, α = 0.95. Tegangan jatuh pada resistansi 2 kΩ yang
terhubung di kolektor adalah 2V. Temukan basis saat ini.
4) Basis dari transistor bipolar pnp ditanahkan. Sebuah baterai dihubungkan antara emitor dan
basis. Baterai lain dihubungkan antara basis dan kolektor. Ini dikenal dengan konfigurasi
common base.
a. Gambarkan rangkaian yang menunjukkan polaritas baterai yang akan menempatkan
transistor dalam mode aktif maju. Kemudian jelaskan mengapa memilih rangkaian
tersebut.
b. Plot kepadatan muatan minoritas dalam emitor, basis, dan kolektor yang menunjukkan
apakah electron atau lubang adalah pembawa muatan minoritas.
c. Mengapa emitor lebih banyak diolah daripada kolektor?
d. Bagaimana operator yang dipancarkan ke basis mencapai kolektor?
5) Diberikan sebuah rangkaian common base seperti gambar berikut:

E C iL


AC RL vL
B
VS

Ubahlah rangkaian tersebut menjadi rangkaian setara ac (seperti yang sudah dijelaskan
pada bagian materi). Kemudian, dari rangkaian yang Anda rancang, tentukan nilai dari (a)
penguatan arus , (b) penguatan voltage , (c) impedansi input , dan (d) impedansi
output , (e) dari nilai yang Anda peroleh, tuliskan pendapat Anda tentang rangkaian
CB ini. Tunjukkan pada rangkaian besaran (a) sampai (d) tersebut.
Dengan : .
1.
6) Dengan menganggap bahwa nilai cukup besar sehingga untuk penguat CB pada
gambar berikut.
 -VEE +VCC

RE RC
iS iL
 

CC CC
AC RL vL
VS

Tentukan persamaan penguatan arus , jika

7) Perhatikan gambar rangkaian berikut.

-VEE +VCC

RE RC
iL


CC CC
AC RL vL
VS

Menggunakan rangkaian setara parameter-h CB, tentukan (a) impedansi input , (b)

penguatan tegangan , dan (c) penguatan arus . Kemudian rancanglah rangkaian setara h
tersebut.
8) Perhatikan gambar berikut.

+VCC

R1 RC
CC CC  iL

RL vL

CB
R2RE
Pada rangkaian CB diatas, diketahui

Tentukan (a) penguatan tegangan dan (b) penguatan arus .

 PENGUAT COMMON EMITOR

A. Learning Outcomes (Capaian Pembelajaran)

Mampu menganalisis rangkaian penguat tegangan, mampu merakit dan menguji coba
rangkaian penguat tegangan dengan tepat dan teliti, dan mampu membuat laporan hasil uji
coba rangkaian penguat.

B. Tujuan Pembelajaran
1. Mahasiswa mampu mengidentifikasi rangkaian penguat common emitor menggunakan
rangkaian pembagi tegangan.
2. Mahasiswa mampu mengidentifikasi karakteristik input dan output penguat common
emitor.
3. Mahasiswa mampu menganalisis garis beban dari penguat common emitor.
4. Mahasiswa mampu menganalisis resistor emitor pada rangkaian common emitor.
5. Mahasiswa mampu menganalisis kapasitor pintas pada rangkaian common emitor.
6. Mahasiswa mampu menganalisis DC dan AC pada penguat common emitor.
7. Mahasiswa mampu mengidentifikasi penguatan tegangan dan penguatan arus pada
rangkaian common emitor.
8. Mahasiswa mampu menganalisis penerapan rangkaian penguat common emitor pada
audio elektronik (radio, televisi, dan alat pengumuman).
Orientasi
Coba lihat rangkaian dibawah ini, dengan memanfaatkan teori common emitor, bagaimana
cara kita memodifikasi rangkaian sehingga daya listrik dapat dikirim ke speaker bukannya ke
lampu?
 Gambar 1.12 Saklar transistor diaktifkan oleh suara
(http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-
emitor.html)

C. MATERI

Penguat common emitor merupakan rangkaian penguat elektronika dengan isyarat

masuk melalui basis dan keluaran diambil pada terminal kolektor. Penguat common emitor
adalah rangkaian penguat yang sangat sering untuk merancang rangkaian penguat transistor
bipolar, alasannya karena sifat utama rangkaian ini adalah isyarat masukan yang tidak terlalu
besar dan impedansi keluaran juga tidak terlalu kecil sehingga common emitor ini dapat
digandengkan dalam beberapa tahap tanpa banyak ketidaksesuian impedansi pada alih
tegangan dari satu tahap ke tahap berikutnya.

1. Rangkaian penguat common emitor

VCC

RL
R1

VB

AC
R2

Gambar 1.13 : Rangkaian Penguat Common Emitor

Rangkaian penguat common emitor yang ditunjukkan pada gambar diatas menggunakan
rangkaian pembagi tegangan untuk membiaskan basis transistor. Tegangan pada
persimpangan dua resistor bias, R1 dan R2, menahan tegangan basis transistor, VB pada
tegangan konstan dan sebanding dengan tegangan suplai, VCC. Perhatikan bahwa VB adalah
tegangan yang diukur dari pangkalan ke ground, yang merupakan penurunan tegangan
sebenarnya pada R2.
 Dari gambar, diketahui bahwa ; dimana
maka (1.26)

Dan (1.27)
Parameter adalah faktor nisbah dari transistor common emitor. Nilai antara 100 hingga
300, jika mempunyai nilai antara 0,99 dan 0,997.

2. Karakteristik transistor dengan hubungan common emitor

Gambar 1.14. kurva karakteristik input dan output

(http://ahmadyunuselektronika2055.blogspot.com/2017/05/transistor.html?m=1)
Pada kurva karakteristik input dapat dilihat hubungan bahwa diaman semakin besar
maka semakin besar dengan nilai maksimum untuk Si adalah 0,7 volt dan Ge adalah
0,3 volt. Sedangkan pada kurva karakteristik output dibagi menjadi tiga daerah operasi yaitu :
i. Daerah saturasi (saturation region) berarti output menjadi cacat.
ii. Daerah aktif (active region) berarti output tidak cacat asalkan arus masih berfluktuasi
dalam daerah aktif.
iii. Daerah cutoff berarti output akan terpotong.
3. Garis beban
Titik kerja suatu transistor dalam rangkaian penguat terletak pada garis beban. Dengan
adanya garis beban pada kurva karakteristik, maka kondisi kerja transistor dapat diketahui dan
sinyal yang ada pada penguat dapat dianalisis dengan mudah.
 Gambar 1.15(a) rangkaian penguat common emitor
Pada gambar 1.15(a) diketahui bahwa :

Atau,

(1.28)
Inilah persamaan garis beban.

Gambar 1.15(b). ciri keluaran dengan garis

beban (Buku Sutrisno Jilid 1,1986)
Dari gambar 1.15(b) kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu pada nilai

dan memotong sumbu .

Kemudian kita pilih titik q ditengah garis beban, yaitu :
 Dari gambar 1.15(b), dapat kita lihat ada dua keadaan yaitu keadaan jenuh dan keadaan
cutoff. Keadaan jenuh apabila dipilih dari 60 maka titik q berada di , sehingga
Keadaan ini tidak dapat digunakan pada penguat, hanya
bisa digunakan jika transistor sebagai saklar elektronika. Sedangkan keadaan cutoff(keadaan
terputus) apabila nilai (yaitu jika dilepaskan), maka titik q berada pada ,
sehingga Keadaan ini sangat pantas digunakan pada
penguat daya.
Sekarang kita pasang dengan nilai yang dapat ditentukan sebagai berikut :

Dimana nilai sehingga

Namun nilai 450 kΩ ini jika kita pasang dirangkaian belum tentu menghasilkan

karena tadi kita hanya menganggap bahwa . Untuk mengatasi masalah

ketidakpastian ini, kita dapat menggunakan resistor variabel (potensiometer) 1 MΩ untuk
dan potensiometer diatur nilainya agar . Jika keadaan seperti ini sudah

didapat, potensiometer dapat dilepas untuk diukur hambatannya, kemudian diganti dengan
hambatan tetap dengan nilainya sama dengan potensiometer.

4. Resistor emitor
VCC

RL
R1 Vout

VB

AC
R2 RE

Gambar 1.16. Rangkaian Resistansi Emitor

Rangkaian tegangan bias dapat distabilkan dengan menempatkan resistor tunggal dalam
rangkaian transistor common emitor seperti yang ditunjukkan gambar diatas. Resistansi ini
dikenal dengan resistansi emitor, RE. Penambahan resistor emitor ini berarti terminal emitor
transistor tidak lagi terhubung ke ground atau pada potensial nol volt tetapi berada pada
potensial kecil diatas nol sesuai dengan hukum Ohm : V E = IE x RE. Dimana, IE menyatakan
arus emitor.
Sekarang, jika tegangan suplai Vcc ditingkatkan, arus kolektor Ic juga meningkat
sebesar tahanan beban yang diberikan. Jika arus kolektor meningkat, arus emitor juga
meningkat yang menyebabkan turunnya tegangan yang melintasi RE, sehingga terjadi
peningkatan tegangan basis karena VB = VE + VBE.
Karena basis dijaga konstan oleh resistor pembagi R1 dan R2, maka tegangan DC pada
basis relative terhadap emitor, Vbe diturunkan sehingga mengurangi arus basis dan menjaga
arus kolektor agar tidak meningkat nilainya. Hal serupa akan terjadi jika tegangan suplai dan
arus kolektor berusaha menurun.
Dengan kata lain, penambahan hambatan emitor ini membantu mengendalikan bias
basis transistor menggunakan umpan balik negative, yang meniadakan setiap perubahan yang
terjadi pada arus kolektor dengan perubahan yang berlawanan pada tegangan bias basis dan
rangkaian cenderung distabilkan pada keadaan tetap.
Kemudian, saat tegangan suplai melintasi RE, nilainya harus sekecil mungkin sehingga
terjadi tegangan besar saat melintasi resistansi beban, RL dan ini disebut dengan keluaran.
Bagaimana pun, nilainya tidak boleh terlalu kecil atau sekali lagi akan beresiko pada
rangkaian. Maka arus yang mengalir melalui resistor emitor sebesar :

IE = = (1.29)

Secara umum, penurunan tegangan pada resistansi emitor dianggap sebagai: VB-VBE,
atau sepersepuluh (1/10) dari nilai tegangan suplai, Vcc. Angka umum untuk tegangan
resistor emitor adalah antara 1 hingga 2 volt. Nilai dari resistansi emitor, RE juga bisa
ditemukan pada penguat seperti pada penguat tegangan AC dengan persamaan : RL/RE.

5. Kapasitor pintas
Pada bagian rangkaian umpan balik basis diatas, resistor emitor, RE melakukan dua
fungsi : umpan balik negative DC untuk bias stabil dan umpan balik negative AC untuk
transkonduktansi sinyal dan isyarat penguatan tegangan. Tetapi karena hambatan emitor
adalah resistor umpan balik, ia juga akan mengurangi penguatan pada rangkaian karena
fluktuasi arus emitor IE yang disebabkan oleh sinyal input AC.
 VCC
R
R1 L Vout

VB

AC
R2 RE CE

Gambar 1.17. Rangkaian Common Emitor dengan Kapasitor Pintas

Untuk mengatasi masalah ini, sebuah kapasitor yang disebut “kapasitor pintas emitor”,
CE dihubungkan dengan hambatan emitor seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.17.
Kapasitor pintas ini menyebabkan respons frekuensi penguat putus pada frekuensi cut-off, fc,
yang ditunjuk sinyal ke ground.
Disini kapasitor berperan sebagai sirkuit terbuka untuk bias DC dan oleh karena itu,
arus dan tegangan yang telah bias tidak terpengaruh oleh penambahan kapasitor pintas.
Selama rentang operasi penguat frekuensi, X C akan sangat tinggi pada frekuensi rendah
sehingga menghasilkan efek umpan balik negative, yang dapat mengurangi penguatan.
Nilai kapasitor pintas biasanya dipilih untuk memberikan reaktansi kapasitif, paling
banyak pada sepersepuluh (1/10) dari nilai resistor emitor RE pada titik frekuensi cut-off.
Maka dengan asumsi bahwa frekuensi sinyal terendah yang akan diperkuat adalah 100 Hz.
Nilai kapasitor pintas CE dihitung sebagai:
XC = 1/10th RE at 3dB = 0.1 x 100 Ω = 10 Ω
CE = = = 160
Kemudian untuk penguat common emitor yang sederhana di atas nilai kapasitor pintas
emitor yang terhubung secara paralel dengan resistansi emitor adalah: 160μF
6. Analisis DC dan AC pada rangkaian common emitor
Gambar berikut menggambarkan sebuah penguat common emitor dengan bias pembagi
tegangan dan kapasitor coupling C1 dan C3 terletak pada input sedangkan kapasitor pintas
dari emitor ke ground.
 Gambar 1.18. rangkaian penguat common emitor
(https://www.pearsonhighered.com/assets/samplechapter/0/1/3/4/0134420101.pdf)

a. Analisis DC
Untuk menganalisis penguat pada gambar 2.7, kita tentukan nilai bias dc terlebih
dahulu. Untuk itu, rangkaian ekivalen dc diubah dengan melepas kapasitor kopling dan pintas
karena ini menjadi penyebab terhalangnya bias dc. Selain itu, bisa dengan menghilangkan
resistor beban dan isyarat sumber. Hal ini dapat kita lukiskan seperti gambar 2.8 berikut.

+12V

RC
R1
22k 1 ohm

R2
6,8k RE
560
ohm

Gambar 1.19. rangkaian ekivalen penguat DC

Dengan menggunakan rangkaian Thevenin dc dan hukum kirchoff tentang tegangan untuk
rangkaian common emitor:
b. Analisis AC
Untuk menganalisis AC rangkaian penguat, rangkaian ekivalen ac diatur menjadi
berikut :
i. Kapasitor diganti oleh nilai efektif sehingga dapat diabaikan pada frekuensi sinyal
dan dapat dianggap 0 Ω.
ii. Sumber dc di groundkan
Sumber tegangan dc memiliki resistansi internal mendekati 0 Ω, hal ini disebabkan
karena sumber tegangan dc dijaga konstan walau diberi beban, tidak ada tegangan ac yang
dapat di lewatkan sehingga seperti arus pendek ac. Inilah mengapa sumber dc disebut dengan
ac-ground.
Berikut ini adalah rangkaian ekivalen ac dari penguat common emitor yang sesuai
dengan gambar 2.7. Perhatikan bahwa dan dihubungkan dalam satu ac ground yang sama,
walaupun pada ground actual, keduanya dihubungkan dengan , yang mana disini kita
sebut dengan ac ground.

RS RC

VS R1
AC
R2

Gambar 1.20. rangkaian ekivalen penguat AC

1) Tegangan AC saat basis

Sumber tegangan ac, dapat dilihat pada gambar 2.10(b). Jika resistansi internal pada
sumber ac adalah 0 Ω, maka semua tegangan sumber muncul di terminal basis. Jika
seandainya resistansi internal sumber ac bernilai bukan nol, maka tiga faktor penting harus
ada untuk menentukan signal actual saat tegangan basis. Ketiga faktor itu ialah resistansi

sumber ( ), resistansi bias ( ), dan resistansi ac input saat transistor basisi ( ).

Berikut adalah ilustrasi pada gambar 2.10 dan disederhanakan dengan menghubungkan
 secara parallel untuk mendapatkan nilai resistansi input total ( ),
yang mana resistansi dapat terlihat dengan menghubungkan sumber ac ke input seperti yang
ada di gambar 2.10(b).

RS

V R1
S R2 Rin(base)
AC

Gambar 1.21. rangkaian ekivalen basis AC

Nilai resistansi input yang tinggi diinginkan sehingga rangkaian ini tidak akan memberi
beban berlebihan pada sumber signal. Hal ini berlawanan dengan syarat untuk Q point yang
stabil, yang membutuhkan resistor yang lebih kecil. Persyaratan yang saling bertentangan
untuk resistansi input tinggi dan bias stabil hanyalah satu dari banyak trade-off yang harus
dipertimbangkan ketika memilih komponen untuk suatu rangkaian. Resistansi input total
dapat ditulis dalam bentuk persamaan berikut:

(1.30)
Seperti yang terlihat pada gambar, tegangan sumber, , dibagi oleh (resistansi

sumber) dan sehingga tegangan saat transistor basis dihitung sebagai berikut:

(1.31)

Jika , maka dimana adalah tegangan input, , untuk rangkaian

penguat.

2) Resistansi input saat basis

Untuk menurunkan persamaan resistansi input ac saat basis, gunakan rangkaian setara-r
seperti pada gambar 2.11 berikut.
 Vcc

Rc

AC

Vs r'e

Gambar 1.22. rangkaian setara-r

Reistansi input saat basis adalah

(1.32)
Tegangan basis adalah

(1.33)
Dan karena

(1.34)
Subtitusikan kedalam

Hilangkan , maka

(1.35)
3) Resistansi output
Resistnasi output pada penguat common emitor adalah resistansi yang diambil dari
kolektor dan nilainya hampir mendekati resistor kolektor.
(1.36)

Sebenarnya, , tetapi karena resistansi kolektor ac internal, biasanya

jauh lebih besar daripada , maka perkiraan nilai ini selalu valid.

4) Penguatan tegangan
 Persamaan penguatan tegangan ac untuk penguat common emitor diturunkan
menggunakan rangkaian seperti gambar (1.23) berikut.

RC

VS r'e


Gambar 1.23. Model rangkaian untuk mendapatkan penguatan tegangan ac
Penguatan adalah perbandingan antara tegangan output ac pada kolektor ( ) dengan
tegangan input basis ( .

(1.37)
Ingat pada rangkaian bahwa dan Karena itu,

Dengan menghilangkan , maka

(1.38)
Persamaan ini menyatakan besarnya penguatan tegangan dari basis ke kolektor. Untuk
mendapatkan penguatan maksimum dari tegangan sumber ke kolektor, redaman dari
rangkaian input harus dimasukkan.
Redaman adalah pengurangan tegangan sinyal saat melewati rangkaian dan merespon
saat kenaikan kurang dari 1. Sebagai contoh, jika amplitude sinyal berkurang setengahnya,
redamannya adalah 2, sehingga penguatannya 0,5 karena penguatan adalah kebalikan dari
redaman. Misalkan suatu sumber menghasilkan sinyal input 10 mV dan resistansi sumber
digabung dengan resistansi beban menghasilkan sinyal output 2 mV. Pada kasus ini, diperoleh
redaman sebesar 10mV/2mV = 5. Ini berarti, sinyal input dikurangi dengan faktor 5. Hal ini
menunjukkan bahwa penguatan sebesar 1/5=0,2.
Anggap bahwa gambar rangkaian dibawah ini mempunyai penguatan tegangan dari
basis ke kolektor, , dan redaman dari sumber ke basis sebesar . Redaman ini
dihasilkan dari resistansi sumber dan resistansi input total dari penguat yang bertindak sebagai
pembagi tegangan, sehingga dapat dinyatakan :
 (1.39)
Penguatan tegangan keseluruhan dari rangkaian, , adalah penguatan tegangan dari basis ke
kolektor, , dikalikan dengan kebalikan dari redaman .

(1.40)

Gambar 1.24. redaman rangkaian basis

https://www.pearsonhighered.com/assets/samplechapter/0/1/3/4/0134420101.pdf

7. Efek kapasitor pintas emitor terhadap penguatan tegangan

Kapasitor pintas emitor, memberikan hubungan singkat untuk sinyal ac disekitar resistor
emitor, sehingga menjaga emitor pada ac ground. Dengan adanya kapasitor pintas, penguatan

akan maksimum dan sama dengan .

Nilai kapasitor pintas harus cukup besar sehingga reaktansinya terhadap rentang
frekuensi penguatan sangat kecil (ideal 0 Ω) dibandingkan dengan . Tindakan yang baik

adalah bahwa reaktansi kapasitif, , dari kapasitor pintas setidaknya harus 10 kali lebih kecil

dari pada frekuensi minimum yang harus dioperasikan oleh penguat.

8. Efek pembebanan terhadap penguatan tegangan

Suatu beban adalah jumlah arus yang ditarik dari output suatu penguat atau rangkaian
lain melalui suatu tahanan beban. Ketika resistor, dihubungkan dengan output yang

melewati kapasitor kopel , seperti yang diperlihatkan gambar dibawah ini, itu akan
menciptakan beban di rangkaian. Resistansi kolektor pada frekuensi sinyal bernilai efektif
ketika parallel dengan . Ingat, ujung atas bernilai efektif saat ground ac. Nilai resistansi
kolektor ac total adalah

(1.41)
Ganti dengan maka penguatan tegangan
 (1.42)
Ketika karena , penguatan tegangan dikurangi. Namun, jika , maka
dan beban memberikan sedikit efek pada penguatan.

VCC

RC
R1
Vout
C3

C1

RL

R2 C2

Gambar 1.25 . rangkaian common emitor dengan beban kopel ac.

9. Penguatan arus
Penguatan arus dari basis kolektor adalah atau . Dengan demikian, penguatan
arus untuk common emitor diberikan sebagai,
(1.43)

adalah sinyal arus masukan total yang dihasilkan dari sumber, dimana sebagian

adalah arus basis ( dan sebagiannya lagi yang melewati rangkaian (

. Gambar dibawah ini memperlihatkan arus total dari sumber, atau dalam perhitungan sebagai
berikut

(1.44)

Gambar 1.26. sinyal arus

(https://www.pearsonhighered.com/assets/samplechapter/0/1/3/4/0134420101.pdf)
10. Aplikasi Rangkaian Penguat Common Emitor pada Mikrofon
Selain digunakan sebagai penguat sinyal DC dan menghasilkan tegangan output DC
dari sinyal input, transistor ternyata juga digunakan sebagai penguat AC. Gunanya adalah
untuk memprekuat sinyal tegangan dan arus bolak-balik (AC). Sekarang, kita bisa melihat
aplikasi rangkaian penguat common emitor pada mikrofon. Seperti yang dijelaskan berikut
ini.

Gambar 1.27. Saklar transistor diaktifkan oleh suara

(http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html)
Dalam rangkaian yang asli (gambar diatas), penyearah jembatan gelombang penuh
digunakan untuk mengkonversi sinyal AC dari output mikrofon menjadi tegangan DC untuk
pengendali inputan transistor. Tapi sekarang kita ingin menghasilkan sinyal AC dan
mengontrol speaker. Ini berarti kita tidak perlu menyearahkan tegangan keluaran dari
mikrofon itu lagi, karena yang kita butuhkan adalah sinyal AC terdistorsi untuk mengaktifkan
transistor. Berarti kita harus menghapus penyearah gelombang penuh tersebut dari rangkaian
dan mengganti lampu dengan speaker, serta menambahkan sebuah resistor secara seri dengan
mikrofon. Seperti pada gambar dibawah ini.

Gambar 1.28.Penguat common-emitor mengontrol speaker dengan frekuensi sinyal audio

http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html
Gambar diatas, kemudian dibuatkan simulasi nya dengan spesifikasi komponen seperti
gambar berikut :
 Gambar 1.29. Penguat audio common-emitor
http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html

Gambar 1.30.sinyal terpotong di kolektor karena kurangnya bias basis DC

http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-
an frekuensi 2000 Hz) merupakan gelombang sinus AC penuh dalam positif dan negative. Dan juga, arus dari baterai dengan
emitor.html

mengaktifkan speaker, merupakan setengah gelombang arus keluaran yang hanya satu arah.
Apa yang salah dengan sirkuit diatas? Mengapa transistor tidak bisa mereproduksi
seluruh gelombang AC dari mikrofon? Jawaban atas pertanyaan ini dapat ditemukan dengan
memeriksa transistor dengan model dioda-sumber arus. Seperti gambar dibawah ini.
 Gambar 1.30. Model transistor menjelaskan arus basis mengalir dalam satu arah
http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html
Arus kolektor ditetapkan atau diatur melalui mekanisme arus konstan yang sesuai
dengan yang ditetapkan oleh arus basis (arus yang melalui basis-emitor). Meskipun kita
berkeinginan untuk menggunakan transistor sebagai penguat AC, namun pada dasarnya
transistor adalah perangkat DC yang hanya mampu menangani arus dalam satu arah. Karena
kita memberlakukan sinyal tegangan AC antara basis dan emitor, maka elektron tidak akan
bisa mengalir saat setengah siklus, yang dimana setengah siklus itu akan menjadikan dioda
reverse bias. Oleh karena itu pada setengah siklus ini dioda akan menjadi cutoff, tapi pada
setengah siklus berikutnya, dimana aliran elektron benar, atau dalam bias maju, transistor
akan berada pada mode aktif, dengan catatan tegangan yang dihasilkan harus cukup tinggi
untuk mengatasi drop tegangan maju dari sambungan PN basis-emitor (dioda). Ingat bahwa
transistor bipolar merupakan perangkat atau device pengontrol arus, transistor mengatur arus
kolektor berdasarkan arus basis-emitor (arus basis), bukannya tegangan basis-emitor.
Salah satu cara agar transistor dapat mengalirkan arus utama, sehingga dapat
mengaktifkan speaker dengan lancar, adalah dengan menjaga agar transistor selalu berada
dalam mode aktif. Ini berarti kita harus menjaga agar arus basis selalu ada pada semua siklus
gelombang yang masuk, sehingga sambungan PN basis-emitor akan selalu dalam bias maju.
Dan hal itu dapat dicapai dengan cara menambahkan tegangan DC pada sinyal masukan.
Dengan menambahkan tegangan DC yang dihubungkan secara seri dengan sumber sinyal AC,
maka bias maju sambungan PN basis-emitor (dioda) dapat dipertahankan disepanjang siklus
gelombang. Perhatikan gambar dibawah ini.
 Gambar 1.31. Vbias membuat transistor selalu dalam mode aktif
(http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html)

Gambar 1.32. Arus output tidak terdistorsi karena Vbias

http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html
Dengan menambahkan sumber tegangan tersebut, transistor akan selalu dalam mode
aktif dan tetap mengalirkan gelombang ke speaker dalam sepanjang siklus. Perhatikan gambar
diatas, tegangan input akan berfluktuasi antara sekitar 0,8 volt dan 3,8 volt, dan tegangan
puncak ke puncak 3 volt seperti yang diharapkan (sumber tegangan = 1,5 volt). Arus output
bervariasi antara 0 sampai 300 mA.
Perhatikan gambar ilustrasi dari rangkaian dengan menampilkan semua sinyal yang
bersangkutan.
 Gambar 1.33. Osiloskop menampilkan beberapa sinyal dalam bentuk gelombang dibeberapa titik
http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html

ktor maksimum (Ic) yang mengalir melalui resistor beban ketika transistor diaktifkan sepenuhnya "ON" (saturasi), asumsika

IC (MAX) = = = 9.2 mA

VCE = 0 ( Saturasi )
Kemudian menetapkan titik "A" pada sumbu vertikal arus Kolektor dari kurva karakteristik
dan terjadi ketika Vce = 0. Ketika transistor diaktifkan sepenuhnya "OFF", tidak ada
penurunan tegangan pada resistor RE atau RL karena tidak ada arus yang mengalir melalui
mereka. Kemudian jatuh tegangan melintasi transistor, Vce sama dengan tegangan suplai,
Vcc. Ini menetapkan titik "B" pada sumbu horizontal dari kurva karakteristik.
Secara umum, titik-T diam dari penguat adalah dengan sinyal input nol diterapkan ke Base,
sehingga Kolektor duduk sekitar setengah jalan sepanjang garis beban antara volt nol dan
tegangan suplai, (Vcc / 2). Oleh karena itu, arus Kolektor pada titik-Q amplifier akan
diberikan sebagai:

Ic (Q) = = = 4.59 mA

Garis beban DC statis ini menghasilkan persamaan garis lurus yang kemiringannya diberikan
sebagai: -1 / (RL + RE) dan garis itu melintasi sumbu Ic vertikal pada titik yang sama dengan
Vcc / (RL + RE). Posisi aktual titik-Q pada garis beban DC ditentukan oleh nilai rata-rata Ib.
Sebagai arus Kolektor, Ic dari transistor juga sama dengan gain DC dari transistor (Beta), kali
arus Basis (β * Ib), jika kita mengasumsikan nilai Beta (β) untuk transistor katakanlah 100,
( seratus adalah nilai rata-rata yang masuk akal untuk transistor sinyal daya rendah) arus basis
Ib mengalir ke transistor akan diberikan sebagai:

β=

IB = = = 45.8

Alih-alih menggunakan pasokan Bias Basis yang terpisah, biasanya untuk menyediakan Bias
Tegangan dari rel catu utama (Vcc) melalui penurunan nilai resistor, R1. Resistor, R1 dan R2
sekarang dapat dipilih untuk memberikan arus Basis diam yang sesuai dari 45,8μA atau 46μA
dibulatkan ke bilangan bulat terdekat. Arus yang mengalir melalui rangkaian pembagi
potensial harus besar dibandingkan dengan arus basis aktual, Ib, sehingga rangkaian pembagi
tegangan tidak dimuat oleh aliran arus basis.
Aturan umum adalah nilai minimal 10 kali Ib mengalir melalui resistor R2. Basis Transistor /
Tegangan emitor, Vbe diperbaiki pada 0,7V (transistor silikon) maka ini memberikan nilai R2
sebagai:
R2 = = = 3.71 kΩ

Jika arus yang mengalir melalui resistor R2 adalah 10 kali nilai arus basis, maka arus yang
mengalir melalui resistor R1 dalam jaringan pembagi harus 11 kali nilai arus basis. Yaitu: IR2
+ Ib.
Dengan demikian tegangan melintasi resistor R1 sama dengan Vcc - 1.7v (VRE + 0.7 untuk
transistor silikon) yang sama dengan 10.3V, oleh karena itu R1 dapat dihitung sebagai:

R1 = = = 20.45 kΩ

Nilai resistor Emitter, RE dapat dengan mudah dihitung menggunakan Hukum Ohm. Arus
yang mengalir melalui RE adalah kombinasi dari arus Basis, Ib dan arus Kolektor Ic dan
diberikan sebagai:
IE = IC + IB = 4.58 mA + 45.8 = 4.63 mA
Resistor, RE terhubung antara terminal dan terminal Emitter transistor, dan kami katakan
sebelumnya bahwa ada penurunan tegangan 1 volt di atasnya. Dengan demikian nilai resistor
Emitter, RE dihitung sebagai:

RE = = = 216 Ω

Jadi, untuk contoh di atas, nilai yang disukai dari resistor yang dipilih untuk memberikan
toleransi 5% (E24) adalah:
R1 = 20 kΩ, R2 = 3.6 kΩ, RL = 1.2 kΩ, RE = 220 Ω
Kemudian, rangkaian Common Emitter Amplifier asli yang sudah kita hitung di atas dapat
ditulis ulang untuk memasukkan nilai-nilai komponen yang baru.

D. Latihan
1) Perhatikan rangkaian penguat BJT common emitor yang ditunjukkan pada Gambar berikut.
+VCC

R1 RC
C2
RS C1
RL vL

R2 RE CE
AC
VS

Jika VCC = 15 V, β = 150, VBE = 0.7 V,

RE = 1 k , RC = 4.7 k , R1 = 47 k , R2 = 10 k , RL = 47 k , Rs = 100 .

a) Tentukan titik-Q.
 b) Buat sketsa garis beban DC. Berapa ayunan tegangan output maksimum (puncak
ke puncak) yang tersedia di amplifier ini.
c) Gambarlah sirkuit ekivalen AC dan tentukan parameter model AC
d) Turunkan persamaan untuk Rin, Rout, Avoc, Av, Ai, G.
e) Temukan Rin, Rout, Avoc, Av, Ai, G.
f) Temukan bentuk gelombang tegangan output jika vs = 10 × 10−3 sin (2 5000t).
Buat sketsa sumber dan tegangan keluaran bentuk gelombang.
g) Tentukan apakah kliping akan terjadi jika vs = 25 × 10−3 sin (2 5000t).
2) Analisis lah rangkaian common emitor berikut dengan metoda rangkaian ekivalen hybrid л
(phi).

VCC

RC
R1 C2
RCS1

R2 RL
AC VS
RE
CE

Kemudian temukan besar impedansi masukan dan keluaran.

3) Pilihlah nilai minimum untuk kapasitor pintas emitor, C2, sesuai gambar berikut, jika
penguat harus beroperasi pada rentang frekuensi dari 200Hz hingga 10kHz.
VCC
+12V
R R C3
1 C
Vout
22k 1,0k
C1

R2
RE
6,8k 560 C2

E. Evaluasi
1) Diketahui rangkaian penguat common emitor dengan nilai komponen sebagai
berikut. Avi = -125 RS = 300 Ω RB = 10 Zi
AVS = -100 β0 = βdc = 100 VBE = 0,6
AI = -50 VRE = VRC = VCE
Rancanglah suatu rangkaian common emmiter (CE) dengan rangkaian ekivalen hybrid л,
kemudian tentukan nilai setiap komponen.
2) Untuk transistor, β = 45 dan jatuh tegangan 1kΩ yang terhubung dalam rangkaian kolektor
adalah 1 volt. Temukan arus basis untuk rangkaian common emitor.

3) Transistor terhubung dalam konfigurasi common emitor (CE) di mana sumber kolektor
adalah 8 V dan penurunan tegangan pada resistansi RC yang terhubung dalam rangkaian
kolektor adalah 0,5 V. Nilai RC = 800 Ω. Jika α = 0.96, tentukan: (i) tegangan kolektor-
emitor (ii) arus basis.

4) Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini. Tentukan nilai

22V

56k 6,8k
10mikroF
Vo
10mikroF
Vi

1,5k
8,2k 20mikroF

5) Dari gambar dibawah ini, tentukan nilai

12V

470k 3k 10mikroF
Vo
10mikroF
Vi

ro=50k

6) Dari gambar dibawah ini, tentukan nilai

20V

2,2k
470k 10mikroF Vo
C2
Vi 10mikroF 
Zo
C1

zi 0,56k

7) Tentukan tegangan kolektor total dan tegangan output total (dc dan ac ). Kemudian
gambarkan bentuk gelombang dari kedua tegangan tersebut.
 VCC +10V

R1 RC
47k 4,7k C3

C1 10mikroF
RL
10mikroF 47k

RS R2
600 10k RE1
AC
470
VS R C2
E2
10mV 470 100mikroF

8) Tentukan tegangan kolektor total dan tegangan output total (dc dan ac ). Kemudian
gambarkan bentuk gelombang dari kedua tegangan tersebut.

+20V

RC
R1 10k Vout
1,6M
RS
RL
AC
500
50k
10mVrms

RE11,5k

RE21,8k

9) Perhatikan rangkaian konfigurasi emitter berikut dan tentukan DCoperating point-nya jika

R1 RC
10k 3,6k
VCC
10V

R2 RE
1k
2,2k
 PENGUAT TERBENAM

A. Learning Outcomes (Capaian Pembelajaran)

Mampu menganalisis rangkaian penguat tegangan, mampu merakit dan menguji coba
rangkaian penguat tegangan dengan tepat dan teliti, dan mampu membuat laporan hasil uji
coba rangkaian penguat.

B. Tujuan Pembelajaran

1. Mahasiswa mampu mengidentifikasi rangkaian penguat terbenam sebagai penguat

tegangan
2. Mahasiswa mampu menganalisis efek penguat terbenam pada resistansi input
3. Mahasiswa mampu mengidentifikasi pemanfaatan penguat terbenam pada modul RF
Orientasi
Anda tentu tidak asing lagi dengan alat pembuka pintu garasi, alarm nirkabel atau
sistem pemantauan, kontrol jarak jauh industri, aplikasi sensor pintar, dan sistem otomatis
rumah nirkabel. Alat-alat tersebut sebelumnya memanfaatkan teknologi inframerah dalam
pengoperasian, namun dengan perkembangan teknologi, kini ada alat yang lebih baik yaitu
modul RF(singkatan dari Frekuensi Radio). Bagaimana RF modul ini bekerja? Apa kelebihan
dan kekurangannya dari teknologi sebelumnya?

Gambar 1. 34. Bentuk fisik dari modul RF

(https://ngapaq.wordpress.com/2010/05/24/rf-radio-frekuensi-data-transceiver-transmitter-
receiver/)
C. MATERI

Penguat terbenam adalah metode yang digunakan untuk meminimalkan efek tanpa
mengurangi kenaikan tegangan ke nilai minimumnya. Metode ini “membenami” efek pada
penguatan tegangan. Penguat terbenam, pada dasarnya, adalah kesepakatan antara memiliki
kapasitor pintas di dan tidak memiliki kapasitor pintas sama sekali. Ketika menggunakan
 Elektronika
Dasar

kapasitor pintas, reaktansinya harus kecil dibandingkan dengan hambatan emitor ac pada
frekunesi terendah dimana penguat akan digunakan.
Pada penguat terbenam, sebagian dilewati sehingga penguatan yang diinginkan
dapat dicapai, dan efek terhadap penguatan sangat berkurang atau dihilangkan. Resistansi
emitor eksternal total, , dibentuk oleh dua resistor emitor terpisah,
, seperti yang ditunjukkan gambar berikut.

VCC

RC
R1 C3
Vout
Vin C1

RE3
R2

RE2 C2

Gambar 1.35 . Penguat terbenam menggunakan resistansi emitor pintas

Salah satu resistor, , menggunakan kapasitor pintas sedangkan yang lain tidak.

Kedua resistor mempengaruhi bias dc, sementara mempengaruhi penguatan

tegangan ac.

Jika setidaknya 10 kali lebih besar daripada maka efek dari diminimalkan
dan perkiraan kenaikan tegangan untuk penguat terbenam adalah

(1.45)

1. Efek penguat terbenam pada resistansi input

Resistansi input ac, dilihat dari basis rangkaian penguat common emitor dengan ,
besarnya adalah . Ketika resistansi emitor di pintaskan sebagian, bagian yang
tidak dilewati terdeteksi oleh sinyal ac dan menghasilkan peningkatan resistansi input ac yang

41
 Elektronika
Dasar

diserikan dengan . Secara matematis:

41
 Elektronika
Dasar

(1.46)

2. Modul pemancar RF
Modul pemancar RF adalah sub-perakitan kecil yang mampu mentransmisikan
gelombang radio dan memodulasi gelombang itu untuk membawa data. Modul pemancar
biasanya diimplementasikan bersama mikrokontroler yang akan memberikan data ke modul
yang dapat ditransmisikan. Pemancar RF biasanya mengikuti persyaratan yang menentukan
output daya pemancar, getaran, dan tepi tepi maksimum yang diijinkan.

a. Modul penerima
Modul penerima RF menerima sinyal RF termodulasi, dan mendemodulasinya. Ada dua
jenis modul penerima RF: penerima superheterodyne dan penerima superregeneratif. Modul
superregeneratif biasanya berbiaya rendah dan berdaya rendah menggunakan serangkaian
amplifier untuk mengekstrak data termodulasi dari gelombang pembawa. Modul
superregeneratif umumnya tidak tepat karena frekuensi operasinya sangat bervariasi dengan
suhu dan tegangan catu daya. Penerima Superheterodyne memiliki keunggulan kinerja
dibandingkan superregeneratif; mereka menawarkan peningkatan akurasi dan stabilitas pada
rentang tegangan dan suhu yang besar. Stabilitas ini berasal dari desain kristal tetap yang
dulunya cenderung relatif lebih mahal. Namun, kemajuan dalam desain chip saat ini membuat
sedikit perbedaan harga antara modul penerima superheterodyne dan superregeneratif.

b. Modul transceiver
Modul RF transceiver menggabungkan pemancar dan penerima. Sirkuit ini biasanya
dirancang untuk operasi setengah dupleks, meskipun modul dupleks penuh tersedia, biasanya
dengan biaya lebih tinggi karena kompleksitas yang ditambahkan.

c. Modul sistem pada chip (SoC)

Modul SoC sama dengan modul transceiver, tetapi sering dibuat dengan mikrokontroler
onboard. Mikrokontroler biasanya digunakan untuk menangani paket data radio atau
mengelola protokol seperti modul yang sesuai dengan IEEE 802.15.4.
Contoh soal.
Tentukan penguatan tegangan pada rangkaian penguat terbenam dibawah ini. Anggap bahwa
kapasitor pintas diabaikan. Jika .

42
 VCC
10V

R1 RC
2,7k C3
33k Vout
C1
1mkroF
Vin
1mkroF

R2 RE1
220
10k
RE2
C2
470
100mkroF

Penyelesaian.
merupakan kapasitor pintas bagi . Maka besar penguat tegangan :

D. Latihan
1) Gambar dibawah ini menunjukkan rangkaian penguat CE.

VCC +10V

10k R1 RC
4k
CC
Cin

2,2k R2 RE 1,1k
CE

Sedangkan gambar berikut menunjukkan rangkaian penguat terbenam.

VCC
+10V
 10k R1 RC
4k
CC
Cin

210
RE1
2,2k R2
900 RE2
CE

Tentukan :
a. Impedansi input transistor basis untuk kedua rangkaian.
b. Impedansi input untuk kedua rangkaian.
2) Tentukan nilai dari penguat tegangan (Av) untuk rangkaian penguat terbenam seperti pada
gambar berikut. Kemudian tentukan berapa nilai untuk rangkaian ini.

VCC +10V

18 1,5k RC
CC
R1
Cin

300 RE1

900 RE2
CE
4,7 R2

3) Tentukan perubahan pada nilai penguat tegangan pada soal diatas jika nilai dibuat dua
kali semula.
E. Evaluasi
1) Dari gambar berikut.
VCC
+10V

47k R1 RC
4,7k C2
C1
10mikroF
10mikroF
470
RE1
AC
10k R2
SV
10 V m470 RE2
C3
100mikroF
 Tentukan :
a. Tegangan kolektor dc
b. Tegangan kolektor ac
c. Gambarkan gelombang tegangan kolektor tegangan dan gelombang tegangan
output total

2) Gambarlah rangkaian penguat terbenam dengan spesifikasi sebagai

berikut: Npn tipe 2N3904;
;

;
;
Frekuensi cutoff, .

3) Tentukan titik bias dan parameter penguat rangkaian dibawah ini. ( jika
abaikan efek awal dalam perhitungan bias).
15V

34k
1k
100mikroF
100 4,7mikroF

100k
AC

5,9k 510
 Penguat dengan JFET

A. Learning Outcomes (Capaian Pembelajaran)

Mampu menganalisis rangkaian penguat tegangan, mampu merakit dan menguji coba
rangkaian penguat tegangan dengan tepat dan teliti, dan mampu membuat laporan hasil uji
coba rangkaian penguat.

B. Tujuan Pembelajaran

1. Mahasiswa mampu menganalisis struktur JFET

2. Mahasiswa mampu mengidentifikasi karakteristik drain
3. Mahasiswa mampu mengidentifikasi kurva karakteristik timbal balik atau transfer dan
penggunannya
4. Mahasiswa mampu mengidentifikasi karakteristik amplifikasi
5. Mahasiswa mampu menganalisis hubungan antara
6. Mahasiswa mampu menganalisis rangkaian dasar mixer audio dengan FET
Orientasi
Pada perangkat sound sistem, kita sering menjumpai rangkaian dasar mixer audio dengan
FET. Bagaimana kerja FET dalam rangkaian mixer audio ini?

C1
+9V
R2
R1

C2 C3

R3 R4 R5

Gambar 1.36.Rangkaian dasar mixer audio dengan FET

C. MATERI

Field-Effect Transistor (JFET) adalah transistor yang dioperasikan oleh medan listrik
(tegangan), dikembangkan setara semikonduktor dari perangkat tabung vakum, disebut
dengan pentode. FET dibagi menjadi dua tipe :
1. Junction Field Effect Transistor (JFET)
2. Metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET atau MOST)
1. Struktur JFET
Gambar dibawah ini menunjukkan struktur JFET kanal N. Seperti yang terlihat digambar,
JFET kanal N terdiri dari daerah N silicon dimana dua daerah tersebar. Daerah N disebut
juga kanal N karena memungkinkan arus mengalir seperti pada saluran konduktor. Ujung dari
kanal adalah metal dan timah eksternal untuk membentuk terminal source (S) dan Drain (D)
dari FET. Dua daerah biasanya disingkat bersama untuk membentuk terminal gerbang.
Perlu kita perhatikan bersama bahwa setelah daerah menyebar ke kanal N, lapisan
penipisan terbentuk disekitar daerah . Lebih jelasnya, amati gambar 1.37.

Gambar 1.37. Struktur JFET

https://study.adsanjaya.com/2019/04/PREFET.html
Untuk selanjutnya, kita teruskan bias antara sumber dan gerbang ( dan cadangan
bias antara gerbang dan saluran pembuangan ( . Akibat adanya bias maju antara
sumber dan gerbang, lapisan penipisan wilayah ini tipis. Namun, karena adanya bias balik,
mncul lapisan penipisan yang lebih besar antara gerbang dan saluran pembuangan.
Sekarang, biarkan tegangan suplai meningkat secara bertahap, katakanlah, 1 volt
masing-masingnya. Kita temukan bahwa ketika tegangan drain-source meningkat, drain
tersebut akan menarik lebih banyak electron, dan bertambah seiring bertambahnya
electron. Dengan meningkatnya , menghasilkan peningkatan bias balik antara gate dan
drain. Kami menemukan bahwa lapisan penipisan antara gate dan drain semakin luas, hal ini
karena bias cadangan meningkat.
2. Karakteristik drain
Gambar 1.38 menunjukkan karakteristik drain, plot antara tegangan source-drain
dan arus drain , dengan tegangan gate-source tetap konstan. Awalnya, kita perbaiki
nilai pada 0 V, dan memvariasikan nilai pertahap masing-masing kenaikan kita beri 1 volt,
seperti yang telah dijelaskan sebelumnya, dan perhatikan nilai yang sesuai. Nilai yang
dihasilkan ditabulasikan, menggunakan nilai yang ditabulasikan, maka karakteristik untuk
= 0 diplot sesperti gambar 1.38.
Amati wilayah OA dalam grafik dibawah ini. Kita melihat bahwa meningkat secara
linear dengan . Hal ini disebabkan oleh kenyataan bahwa semakin meningkat maka
semakin banyak electron yang tertarik oleh drain sehingga menghasilkan peningkatan
Disini dapat kita lihat bahwa dengan bertambahnya nilai membuat penipisan yang terjadi
antara drain dan gate mala melebar. Nilai terus meningkat sampai tercapai titik A, pada
titik itu, semua electron yang dipancarkan dari source tertarik oleh drain dan mencapai nilai
maksimumnya. Pada titik A, nilai maksimum menghasilkan penurunan maksimum pada
kanal, yang pada gilirannya menghasilkan bias balik maksimum antara terminal drain dan
gate. Ini menghasilkan kanal yang pinched-off.

Gambar 1.38. Karakteristik drain JFET

https://ebookpdf.com/basic-classification-of-field-effect-transistors
Pada keadaan pinch-off, kanal tidak dapat sepenuhnya ditutup, karena jika kanal tertutup,
aliran arus akan sepenuhnya berhenti. Namun, jika aliran benar-benar berhenti, maka
seluruh lapisan penipisan akan hilang. Dengan begini, maka akan membuka kanal dan akan
mengalir lagi. Hal ini menguatkan pernyataan bahwa kanal tidak bisa sepenuhnya terjepit
(pinched-off).
 Gambar 1.39. kanal pinhed-off
https://ebookpdf.com/basic-classification-of-field-effect-transistors
Arus maksimum saat pinched-off, seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.39. Hal
ini serupa dengan situasi di sungai dimana terjadi penyempitan di jalur sungai yang dapat
menghalangi aliran air. Perlu kita ingat, bahwa untuk memaksimalkan aliran arus yang
melewati penyempitan, kecepatan aliran arus harus ditingkatkan secara proporsional. Hal ini
juga berlaku pada FET. Dengan demikian, kita menemukan bahwa saat kecepatan meningkat,
jumalh electron yang terlepas juga meningkat untuk memaksimalkan aliran arus drain saat ini.
Aliran drain ini disebut dengan saturasi arus drain dan disimbolkan dengan .
Pada wilayah AB dari karakteristik yang ditunjukkan pada gambar 1.38, arus tetap
kurang lebih konstan. Ini karena pada titik A itu sendiri, semua electron yang dipancarkan
dari sumber akan mencapai saluran, dan arus menjadi maksimum. Meskipun begitu, selama

meningkat, nilai tidak dapat meningkat.

Sekarang kita merujuk ke titik B dalam kurva. Pada titik ini, tegangan cadangan sangat
tinggi sehingga kerusakan avalanche akan terjadi. Pada titik ini, arus akan bernilai maksimum
secara tiba-tiba, yang mana jika dibatasi oleh resistor yang sesuai, akan menghancurkan
perangkat. Wilayah ini ditandai sebagai wilayah BC pada gambar 1.39.
Mari kita tukar nilai menjadi 2 Volt. Percobaan diulang dengan memvariasikan

dan mencatat nilai-nilai yang sesuai, seperti hal sebelumnya. Dengan menerapkan bias
balik eksternal antara gate dan source, daerah penipisan dibuat antara drain dan gerbang.
Daerah penipisan ini hanya tergantung pada tegangan gate-supply dan sangat independen dari
aliran arus drain.
Sekarang, jika kita menerapkan , seperti sebelumnya, maka akan kembali lagi
mengalir, dan penjelasan diatas akan terjadi berulang-ulang. Maka, kita dapa menemukan
bahwa kurva sampai = - 2 volt serupa, dan hamper parallel sampai = 0 volt.
Namun, arus dalam keadaan ini tidak lebih dari keadaan sebelumnya. Ini karena daerah
 Elektronika
Dasar

penipisan sudah terbentuk sebagai akibat dari bias balik antara gate dan source, yang
mengurangi lebar kanal.
Percobaan diulang untuk berbagai nilai . Hasilnya ditabulasi dan karakteristik
digambarkan seperti yang ditujukkan pada gambar 4.2. Kita temukan bahwa, ketika
meningkat ke arah negative, misalnya -2 V, -4 V, dst, arus drain berkurang secara konstan.
Pada akhirnya, saat mencapai nilai negative terbesar, kanal akan terputus yang
menyebabkan tidak ada arus yang mengalir. Keadaan ini dinamakan peristiwa cut-off. Kanal
cut-off lengkap dapat mungkin terjadi, karena dalam hal ini, tegangan source-gate eksternal
membawa kanal cut-off, bukan arus drain seperti kasus saat .
3. Karakteristik timbal balik atau transfer
Kurva transfer diplot dengan menjaga nilai konstan, misalnya 5 V, dengan
memvariasikan dan mencatat setiap nilai yang muncul. Seperti yang ditunjukkan pada
gambar, kita mendapatkan kurva linier. Kita juga temukan bahwa , kanal
dilengkapi dengan cut-off atau pinched-off. Untuk tipe JFET, seperti BWF 10,

Gambar 1.40. karakteristik timbal balik atau transfer JFET

(https://ebookpdf.com/basic-classification-of-field-effect-transistors)
Kemiringan kurva transfer disebut konduktansi timbal balik dan didefinisikan sebagai

(1.48)

4. Karakteristik amplifikasi
Kita juga dapat memplot karakteristik amplifikasi JFET, yang merupakan plot
antara dan , dengan tetap konstan. Hal ini ditunjukkan pada gambar 1.41.
Kemiringan kurva dikenal sebagai factor amplifikasi JFET. Secara matematis, factor
amplifikasi dapat dirumuskan sebagai

(1.53)
50
 Tanda negative dalam persamaan menunjukkan bahwa variasi dalam berlawanan
dengan variasi dalam . Factor amplifikasi mewakili jumlah maksimum amplifikasi yang
mampu diproduksi perangkat.

Gambar 1.41.Karakteristik Amplifier

(https://ebookpdf.com/basic-classification-of-field-effect-transistors)

5. Hubungan antara
Dari pengertian yang sudah ada, kita menemukan bahwa ada hubungan yang pasti antara
parameter JFET . Berdasarkan eksperimen, kita temukan bahwa
(1.50)
Dimana kita sudah menggunakan nilai total sesaat dari arus drain, tegangan source-
drain, dan tegangan source-gate. Dengan nilai total sesaat, yang kami maksud adalah nilai DC
variabel. Seperti yang dicontohkan, dapat di ungkapakan bahwa
(1.51)
Dimana adalah variabel DC, murni DC, dan murni AC. Dengan
menggunakan ekspansi Taylor, maka

( resistansi drain )

( konduktansi transfer )
Menggunakan persamaan diatas, kita dapatkan

(1.52)
Kemudian diferensial persamaan diatas, kita peroleh

Karena karena . Sehingga

Ini berarti bahwa perubahan nilai DV variabel sama dengan variasi nilai AC
variabel. Karena adalah variabel, maka kita simpulkan
 Elektronika
Dasar

6. Rangkaian dasar mixer audio dengan FET

Rangkaian dasar mixer audio ini merupakan mixer audio sederhana dengan penguat
sinyal tegangan berupa transistor JFET. Rangkaian ini berguna untuk mencampur ( mixing ) 2
kanal sinyal audio menjadi satu output sinyal audio.

C1
+9V
R2
R1

C2 C3

R3 R4 R5

Gambar 1.42.Rangkaian dasar mixer audio dengan FET

Gambar Rangkaian Dasar Mixer Audio Dengan FET ini merupakan contoh untuk 1
kanal output saja. Rangkaian ini dapat mencampur sinyal audio lebih dari 2 kanal, yaitu
dengan menambahkan rangkaian bagian input.
Rangkaian Dasar Mixer Audio Dengan FET pada gambar diatas merupakan dasar
teknik pencampuran sinyal audio dari beberapa sumber input yang berbeda.
Daftar komponen rangkaian dasar mixer audio dengan FET :
i. R1, R3 = VR 10K
ii. R2, R4 = 100K
iii. R5 = 6,8K
iv. C1, C2, C3 = 0,1uF
v. Q1 = 2N3819 JFET
Contoh soal.
Perhatikan gambar berikut.

52
 30V

1M 4,7k

100k

AC
10k
1mV

1M 7,5k

Bila , berapa tegangan keluar ac?

Penyelesaian.
Bati tegangan tanpa beban adalah

Impedansi masuk penguat adalah

Dengan demikian, kita dapat membayangkan rangkaian ac seperti ditunjukkan pada gambar
berikut.

100k

1mV
AC
500k

4,7k

1-
9,4Vin
AC
30k

Pembagi tegangan masuk mengurangi sinyal pada gerbang menjadi

Tegangan keluaran Thevenin adalah

Ini adalah keluaran tanpa beban. Keluaran yang sebenarnya adalah yang muncul melintasi
tahanan 10 kΩ.

Perhatikan betapa kecilnya bati tegangan keseluruhan dengan penguat JFET. Ini adalah khas;
JFET memberikan bati tegangan yang jauh lebih kecil daripada bipolar.

D. Latihan

1) Dari contoh soal, jika digunakan tahanan pembenam 1 kΩ, berapa tegangan keluarannya?

2) Gambar berikut memperlihatkan lengkungan transkonduktansi ( karakteristik transfer ) dari

2N5457.

Bila JFET ini digunakan dalam rangkaian prategangan-diri, berapa arus dan tegangan
tenang untuk sebesar 100Ω? Berapa bila ? Berapa harga resistansi sumber yang
anda dapatkan melalui persamaan ?

3) Arus gate diabaikan pada JFET kanal-p seperti yang ditunjukkan gambar berikut. Jika

tentukan (a) dan (b) .

 VDD

RD

CC
CC

RG
Vo
Vi
VGG RS

4) Temukan kesetaraan dari dua JFET kanal-n identik yang terhubung secara paralel seperti
gambar dibawah ini.

.
5) Rangkaian penguat JFET common-gate ditunjukkan pada gambar dibawah ini. Jika
10kΩ,
tentukan (a) (b) , dan (c) . Asumsi bahwa .
CC CC

RD
R1
Vi RS Vo
VDD
R2

E. Evaluasi

1) Identifikasi terminal transistor berikut yang berfungsi sebagai source dan drain dari kedua
rangkaian JFET berikut.
 Jelaskan alasannya, mengingat fakta bahwa secara fisik kedua JFET dari gambar tidak ada
perbedaan.

2) Ketika tegangan balik-bias diterapkan antara gate dan kanal JFET, wilayah penipisan
semakin luas. Semakin besar tegangan balik-bias, semakin luas pula daerah penipisan.
Dengan memberikan cukup nilai maka ekspansi ini akan memotong kanal JFET,
sehingga mencegah arus sumber drain.

Efek tidak langsung adalah bahwa pembentukan daerah penipisan yang diperlukan untuk
JFET cut-off juga dipengaruhi oleh penurunan tegangan drain-source.
Rload

20V

4V

Jika kita hubungkan tegangan gate-source yang cukup besar untuk memaksa transistor ke
mode cutoff, kanal JFET akan bertindak sebagai hambatan. Jika kita perhatikan dengan
seksama voltase yang diukur dengan mengacu ke ground, kita akan melihat bahwa lebar
daerah deplesi harus bervariasi di dalam kanal JFET. Sketsa dari lebar yang bervariasi ini
dapat dibuat, mengingat voltase yang ditunjukkan dalam ilustrasi berikut:
 Sesuatu yang menrik terjadi jika kita membalikkan polaritas sumber 20 volt : hubungan
antara drain dan source berubah, dan begitu pula dengan bentuk wilayah penipisan.
Buatlah sketsa dari derah penipisan dengan variasi lebar baru pada sumber 20 volt, dan
tuliskan setiap yang anda amati.

3) Rangkaian berikut memilki masalah yang tidak biasa. Saat sakelar terbuka, LED menyala.
Saat sakelar tertutup, LED mati. Namun ketika sakelar dibuka lagi, LED sering tidak
menyala lagi hingga beberapa kali. Keadaan lainnya, kadang-kadang LED hidup dan mati
hanya dengan melambaikan tangan didekatnya, dengan sakelar pada posisi terbuka.

Jelaskan apa yang terjadi disini, dan juga berikan solusi untuk menghilangkan
ketidakpastian ketika sakelar terbuka.
4) Berikut adalah rangkaian sakelar sinyal audio JFET.
Q1
Audio signal input Audio signal output

+V
R1

R2

R3
Vcontrol
Q2

-V

Sinyal apa yang diperlukan pada untuk memungkinkan sinyal audio melewati
JFET? Dan sinyal apa yang membuat JFET off? Juga, jelaskan tujuan masing-masing
komponen ini dalam rangkaian switching audio:
 Diode D1
 Resistor R1
 Resistor R2
 Resistor R3

5) Pada rangkaian JFET yang ditunjukkan gambar, dan .

a. Tentukan nilai ketika mulai pinch-off.
b. Ketika gate di tanahkan, berapa nilai untuk ketika diatas pinch-off.

RD

12V
5V

6) Tentukan nilai yang dibutuhkan untuk self-bias JFET kanal n dengan

dan transkonduktansinya gm.

7) Tentukan nilai point-Q dc pada penguat yang ditunjukkan gambar dan gambarkan garis
beban dc. Diberikan masing-masing 20 mA dan -4,0 V.
20V

RD1k
C2 Vout
C1

Vin
AC RG

-1,5V
 8) Gambar dibawah ini menunjukkan self-bias yang memungkinkan impedansi masukan
tinggi bahkan jika diperlukan nilai tegangan source-gate yang rendah. Tentukan tegangan
ekivalen Thevenin dan resistansi dari rangkaian sebelah kiri a,b.
+VDD

R2
CC

R3
Vi
AC
R1 RS

eperti gambar dibawah ini menggunakan salah satu metode self-bias. (a) anggap bahwa kebocoran arus gate diabaikan (), d

RD

RG
RS
 Daftar Pustaka
Sutrisno. 1987. Elektronika Teori dan Penerapannya. Jilid 1, ITB Bandung, Bandung.

https://www.electronicshub.org/common-base-amplifier/
https://www.researchgate.net/figure/Common-base-configuration-Consider-a-transistor-
either-NPN-or-PNP-in-a-common-base_fig2_325603857
http://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/penguat-common-emitor.html
https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/emitter-resistance.html
http://ahmadyunuselektronika2055.blogspot.com/2017/05/transistor.html?m=1
http://jaenalefendy.blogspot.com/2013/04/rangkaian-mixser-audio-dengan-fet.html
https://ebookpdf.com/basic-classification-of-field-effect-transistors
https://www.pearsonhighered.com/assets/samplechapter/0/1/3/4/0134420101.pdf
https://id.wikipedia.org/wiki/Frekuensi_ultra_tinggi