LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR I

TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT TEGANGAN

(COMMON EMITTER)

Disusun oleh Kelompok 8 :

Nama : Zakhia Jilan Fadhila

NIM : A1C320049

Kelas : Reguler B

Asisten Dosen : Ayu Permata Bunda (A1C319040)

LABORATORIUM PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN

UNIVERSITAS JAMBI

2021
I. Judul : Transistor Sebagai Penguat Tegangan (Common Emitter)
II. Hari / Tanggal : Rabu / 15 Desember 2021
III. Tujuan :
Adapun tujuan dari praktikum elektronika dasar pada percobaan Transistor
Sebagai Penguat Tegangan (Common Emitter) diantaranya sebagai berikut :
1. Dapat mengidentifikasi karakteristik Transistor sebagai penguat dengan benar
2. Dapat membedakan prinsip transistor sebagai penguat dengan transistor
sebagai saklar dengan benar
3. Dapat menghitung penguatan rangkaian dengan benar

IV. Landasan Teori

Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia
elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier
(penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, Penstabil sumber listrik
(stabilisator), dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian rangkaian digital,
transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga
dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori,
dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya (Dani dkk, 2016).
Transistor adalah komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor.
Transistor banyak digunakan hampir disemua rangkaian elektronika. Transistor
memiliki banyak fungsi diantaranya, digunakan dalam amplifier atau penguat,
sebagai saklar berkecapatan tinggi, stabilisasi tegangan, modulasi sinyal, maupun
dikemas dalam bentuk IC. Transistor ada dua jenis yaitu FET (Field Effect
Transistor) dan BJT (Bipolar Junction Transistor) (Perkasa dkk, 2019).
Pada beberapa rangkaian elektronik transistor sering difungsikan sebagai
elemen penguat dan saklar terkendali. Dua hal yang membedakan, bila transistor
dioperasikan sebagai penguat pemberian tegangan bias diletakkan pada daerah
aktif (linier), sedangkan apabila transistor bekerja sebagai saklar pemberian
tegangan bias berada pada daerah hantaran penuh/sumbatan penuh (non linier)
(Rugianto, 2013).
As one of the most attractive post-silicon power semiconductor devices, SiC
bipolar junction transistor (BJT) has been studied extensively and
commercialized in the past few years. However, SiC BJT has not been widely
accepted in the market partially because of high driver consumption in the on-
state, which is induced by a relatively large constant base current in order to
ensure it is fully turned on. Sebagai salah satu kekuatan pasca-silikon yang paling
menarik perangkat semikonduktor, SiC bipolar junction transistor (BJT) memiliki
telah dipelajari secara ekstensif dan dikomersialkan dalam beberapa tahun
terakhir. Namun, SiC BJT belum diterima secara luas di pasar sebagian karena
konsumsi driver yang tinggi di negara bagian, yang diinduksi oleh arus basis
konstan yang relatif besar diuntuk memastikannya menyala sepenuhnya (Liao et
al., 2017).
As one of the basic transistors, the bipolar junction transistor (BJT) still
plays an important role in the design of discrete and very-high-frequency circuits
and is used as an amplifier or switch because of its high transconductance and
output resistance compared to MOSFETs11,12. However, the traditional BJT is
modulated by internal electrical signals and lacks the direct interaction
mechanism between the external environment and electronics. Sebagai salah satu
dari transistor dasar, transistor persimpangan bipolar (BJT) masih memainkan
peran penting dalam desain diskrit dan rangkaian frekuensi sangat tinggi dan
digunakan sebagai penguat atau beralih karena transkonduktansi dan outputnya
yang tinggi resistensi dibandingkan dengan MOSFET11,12. Namun, BJT
tradisional dimodulasi oleh sinyal listrik internal dan tidak memiliki mekanisme
interaksi langsung antara lingkungan eksternal dan elektronik (Xi et al., 2018).
A new biasing scheme is proposed for transistors used in power-amplifier
applications. In the proposed biasing scheme, a constant current source is used
as the power supply for the transistor’s output terminal. A whole new family of
amplifier classes can be defined using this biasing scheme. Analytical equations
are obtained and verified for current and voltage waveforms of a current-biased
transistor for both resistive and tuned load impedances. Using the proposed
current biasing scheme, the transistor presents completely different behaviors
compared with the conventional voltage biasing scheme. These properties can be
utilized for new design concepts and can provide new possibilities in the future
designs and applications. Skema biasing baru diusulkan untuk transistor
digunakan dalam aplikasi power-amplifier. Dalam bias yang diusulkan skema,
sumber arus konstan digunakan sebagai catu daya untuk terminal keluaran
transistor. Keluarga amplifier yang benar-benar baru kelas dapat didefinisikan
menggunakan skema biasing ini. Analitis persamaan diperoleh dan diverifikasi
untuk arus dan tegangan bentuk gelombang dari transistor yang dibias arus untuk
kedua resistif dan impedansi beban disetel. Menggunakan bias arus yang
diusulkan skema, transistor menyajikan perilaku yang sama sekali berbeda
dibandingkan dengan skema bias tegangan konvensional. Ini property dapat
digunakan untuk konsep desain baru dan dapat memberikan kemungkinan baru
dalam desain dan aplikasi masa depan (Akbarpour et al., 2017).
Menurut Widodo (2002), rangkaian penguat terlihat pada gambar 4.13a
menunjukkan sebuah penguat transistor dengan konfigurasiemiter bersama
(common emiter). Untai ekuivalen ac dari penguat ini ditunjukkan oleh Gambar
4.73b. Pada untai ekuivalen ac, kapasitor kopling C1 dan C2 serta kapasitor
simpang (by pass) C3 mempunyai reaktans yang kecil pada frekuensi kerja
sehingga dapat dianggap terhubung singkat. Sedangkan pada untai ekuivalen dc
atau untai prasikap, ketiga kapasitor tersebut terbuka sehingga arus prasikap dc
tidak dapat melewati kapasitor.

Transistor sebagai penguat dibagi dalam beberapa kelas, tergantung dari

posisi titik kerja transistor (titik Q) pada suatu grafik karakteristik transistor.
Namun, penguat daya yang mempunyai efisiensi paling baik adalah jenis penguat
daya kelas A, dimana titik kerja transistor berada ditengah tengah dari garis beban
transistor. Untuk menempatkan titik kerja transistor tersebut, sangat ditentukan
oleh nilai komponen pendukung, seperti nilai tahanan dan kapasitor di sekitar
transistor tersebut (Darmana, 2017).
 According to Sodagar (2018), A voltage amplifier is an amplifier that
receives a voltage as the input signal, amplifies it, and provides the amplified
signal at the output in voltage form The two-port model for an ideal voltage
amplifier is presented in Figure 1.4,

where Av, is the gain of the amplifier, usually referred to as the voltage gain. The
input signal to an amplifier is provided by a signal source, which can be a
laboratory instrument (e.g., a waveform generator), a sensor or trans ducer
converting the quantity of interest into electrical form, or another circuit.
Whatever the signal source is, so long as the provided input signal to the
amplifier is of voltage type, the input signal source can be modeled by Thevenin's
theorem. Menurut Sodagar (2018), Penguat tegangan adalah penguat yang
menerima tegangan sebagai sinyal input, menguatkannya, dan memberikan sinyal
yang diperkuat pada output dalam bentuk tegangan Model dua port untuk penguat
tegangan ideal disajikan pada Gambar 1.4, di mana Av, adalah penguatan penguat,
biasanya disebut sebagai penguatan tegangan. Sinyal input ke amplifier
disediakan oleh sumber sinyal, yang dapat berupa instrumen laboratorium
(misalnya, generator bentuk gelombang), sensor atau transduser yang mengubah
besaran menjadi bentuk listrik, atau rangkaian lain. Apapun sumber sinyalnya,
selama sinyal input yang diberikan ke amplifier bertipe tegangan, sumber sinyal
input dapat dimodelkan dengan teorema Thevenin.
According to Amos (2013), thus we can distinguish three ways in which the
transistor may be used as an amplifier:
(a) with emitter current controlling collector current,
(b) with base current controlling collector current,
(c) with base current controlling emitter current.
It is significant that in all these modes of use, operation of the transistor is given
in terms of input and output current. This is an inevitable consequence of the
physics of the bipolar transistor: such transistors are current-controlled devices:
by contrast thermionic valves and field-effect transistors are voltage-controlled
devices. Menurut Amos (2013), dengan demikian kita dapat membedakan tiga
cara transistor dapat digunakan sebagai penguat:
(a) dengan arus kolektor yang mengendalikan arus emitor,
(b) dengan arus basis yang mengendalikan arus kolektor,
(c) dengan arus basis yang mengendalikan arus emitor.
Sangat penting bahwa dalam semua mode penggunaan ini, operasi transistor
diberikan dalam hal arus input dan output. Ini adalah konsekuensi yang tak
terhindarkan dari fisika transistor bipolar: transistor semacam itu adalah perangkat
yang dikendalikan arus: sebaliknya katup termionik dan transistor efek medan
adalah perangkat yang dikendalikan tegangan.
Menurut Mujadi (2018), dengan mengacu pada transistor sebagai penguat
arus hFE(β) untuk sebuah transistor, maka penguatan β dapatdilipatkan menjadi
lebih besar jika menggunakan lebih dari sebuah transistor. Dengan cara
memasangkan dua buah transistor yang masing-masing memiliki β1dan β2 ,
pasangan tersebut akan mempunyai penguatan total hFE (β) = β1 β2 Pasangan
transistor demikian ini dinamakan rangkaian/ pasangan Darlington Dalam
rangkaian Darlington makin tinggi β, makin tinggi impedansi input dari basis
gambar di bawah ini menunjukkan rangkaian Darlington dari transistor NPN dan
PNP.
 Menurut Putri (2021), penguat common emitter adalah penguat yang kaki
emitor transistor di-ground- kan, kemudian input pada kaki basis dan output pada
kaki kolektor. Penguat common emitter juga mempunyai karakteristik sebagai
penguat tegangan. Karakteristiknya antara lain:
1. Sinyal output-nya berbalik fasa 180° terhadap sinyal input.
2. Sangat mungkin terjadi osilasi karena adanya umpan balik positif, sehingga
sering dipasang umpan balik negatif untuk mencegahnya.
3. Sering digunakan sebagai penguat frekuensi rendah (terutama pada sinyal
audio).
4. Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah, karena bergantung pada
kestabilan suhu dan bias transistor.
Pada rangkaian penguat common emitter (CE) kaki emitter diground-kan,
input dimasukkan kedalam base dan output diambil dari kaki collector. Tegangan
VBB akan menyebabkan forward bias hubungan base dan emitter pada transistor.
Dengan mengatur VBB dan RB kita dapat mengatur arus yang masuk pada base.
Penentuan besar kecilnya nilai arus yang masuk pada base akan mempengaruhi
arus yang dihasilkan pada collector. Untuk dapat mengalirkan arus, beda potensial
pada collector harus lebih positif dari pada bagian emiter. Penguat CE memiliki
karakter sebagai penguat tegangan. Output dari kaki collector akan mempunyai
beda fasa 180º atau berbalik fasa sebesar 180º terhadap sinyal input (Syafira dkk,
2019).
Prinsip dasar transistor sebagai penguat adalah arus kecil pada basis
mengontrol arus yang lebih besar dari kolektor melewati transistor. Transistor
berfungsi sebagai penguat ketika arus basis berubah. Perubahan kecil arus basis
mengontrol perubahan besar pada arus yang mengalir dari kolektor ke emitter.
Pada saat ini transistor berfungsi sebagai penguat (Zikri dkk, 2017).
V. Alat dan Bahan
Adapun alat-alat yang diperlukan dalam praktikum diantaranya sebagai
berikut :
V.1.Alat :
1. Kit Komponen (Toolbox)
2. Multimeter Digital = 1 unit
3. Osiloskop = 1 unit
4. Power Supply = 1 unit
5. Signal Generator = 1 unit
6. Project Board = 1 Unit
7. Kabel Jumper = 1 meter

V.2.Bahan :
1. Resistor 1k = 1 pcs
2. Resistor 100 Ω = 2 pcs
3. Resistor 470 Ω = 1 pcs
4. Transistor NPN = 1 pcs
5. Kabel Jumper = 1 meter

VI. Prosedur Kerja

VI.1.Prosedur Percobaan
Adapun prosedur kerja dari praktikum ini diantaranya sebagai berikut :
1. Dipersiapkan semua alat dan bahan yang diperlukan saat melaksankan
percobaan.
2. Diperiksa semua bahan dan peralatan pastikan semua dalam keadaan baik.
3. Dibuatlah rangkaian common emmiter seperti pada gambar
4. Diberikan tegangan Vcc sebesar 12 volt. Dengan cara menghubungkan kaki
R1 dan R3 ke sumber tegangan (+) dan kaki R1 dan R4 ke sumber tegangan
(-). Pastikam arus pada kaki kolektor sudah terhubung dengan emitter dengan
cara pasang multimeter (+) kekaki R2 dan multimeter (-) ke ground. Setelah
dipastikan terhubung lepaskan kembali multimeter.
5. Dihubungkan AFG kekai Basis dan Emitrtor. Pastikan arus pada kaki Basis
dan emitter sudah terhung. Dengan cara mengukur tegangan pada kaki R2.
Pasang multimeter (+) kekaki R2 dan multimeter (-) ke ground. Setelah
dipastikan terhubung lepaskan ke,bali multimeter.
6. Dicarilah nilai Ib dan Ic.
7. Untuk mencari nilai Ib lepas salah satu sumber tegangan lalu pasang
multimeter (+) ke sumber tegangan (+) dan multimeter (-) ke kaki basis.
Dicatat nilainya
8. Untuk mencari nilai Ic pasang multimeter (+) kekaki kolektor dan multimeter
(-) ke ground.catat nilailnya
9. Dicarilah nilai Vin. Dengan cara atur multimer kearah tegangan DC. Lalu
pasang multimeter (+) ke kaki antar R! dab R3 dan multimeter (-) ke kaki
basis. Dicatat nilai nya.
10. Dicarilah Vour dengan cara pasang multimeter (+) ke kaki basis dan
multimeter (-) ke ground. Dicatat hasilnya.
 DAFTAR PUSTAKA

Akbarpour, M., Ghannouchi, F. M., & Helaoui, M. 2017. Current-Biasing of Power-

Amplifier Transistors and Its Application for Ultra-Wideband High Efficiency at
Power Back-Off. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,
65(4), 1257–1271. https://doi.org/10.1109/TMTT.2016.2645149
Amos, S.,W. 2013. Principle of Transistor Circuits. London : Elsevier Science
Dani, A. W., Adriansyah, A., & Hermawan, D. 2016. Perancangan Aplikasi Voice
Command Recognition Berbasis Android dan Arduino Uno. Jurnal Teknologi
Elektro Universitas Mercu Buana, 7(1), 11–19.
Darmana, T., & Koerniawan, T. 2017. Perancangan Rangkaian Penguat Daya Dengan
Transistor. Jurnal Sutet, 7(2), 88–92.
Liao, L., Wang, J., Tang, S., Shuai, Z., Yin, X., & Shen, Z. J. 2017. A New
Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor. IEEE
Transactions on Power Electronics, 32(6), 4600–4606.
https://doi.org/10.1109/TPEL.2016.2597139
Mujadi. 2018. Rangkaian Darlington Dalam Pembuatan Chart Elektronik. Studi
Eksperimen Guru-Guru Fisika Se-KAbupaten Tanggerang, 25, 468-476
Perkasa, D. B., Andromeda, T., & Riyadi, M. A. 2019. Perancangan Perangkat Lunak
Alat Uji Bipolar Junction Transistor Berbasis Mikrokontroler. Transient, 21(1),
19. https://doi.org/10.14710/transmisi.21.1.19-24
Putri, H., & Novianti, A. 2021. Mahir Elektronika Telekomunikasi. Jawa Timur :
Uwais Inspirasi Indonesia.
Rugianto. 2013. Teknik Dasar Elektronika Komunikasi. Malang : Kementerian
Pendidikan dan Kebudayaan.
Sodagar, A., M. 2018. Analysis of Bipolar and CMOS Amplifiers. London : CRC Press.
Syafira, N. W., Darlis, D., & Darlis, A. R. 2019. Perancangan Dan Implementasi
Underwater Visible Light Communication (UVLC) Untuk Pengiriman Data
Digital Menggunakan Filter Warna. e-Proceeding Of Applied Science, 5(1), 319-
333.
Widodo, T. S. D. 2002. Elektronika Dasar. Salemba Teknika
Xi, F., Pang, Y., Li, W., Bu, T., Zhao, J., Liu, G., Guo, T., Liu, W., & Zhang, C. 2018.
Tribotronic bipolar junction transistor for mechanical frequency monitoring and
use as touch switch. Microsystems and Nanoengineering, 4(1), 1–8.
https://doi.org/10.1038/s41378-018-0026-1
Zikri, F., Salahuddin, & Jannah, M. 2017. Rancang Bangun Sistem Keamanan Sepeda
Motor Dengan Sensor Sidik Jari. Bina Teknika, 13(2), 223.
LAMPIRAN LITERATUR

Akbarpour, M., Ghannouchi, F. M., & Helaoui, M. (2017). Current-Biasing of

Power-Amplifier Transistors and Its Application for Ultra-Wideband High
Efficiency at Power Back-Off. IEEE Transactions on Microwave Theory
and Techniques, 65(4), 1257–1271.
https://doi.org/10.1109/TMTT.2016.2645149

Amos, S.,W. (2013). Principle of Transistor Circuits. London : Elsevier Science

Dani, A. W., Adriansyah, A., & Hermawan, D. (2016). Perancangan Aplikasi

Voice Command Recognition Berbasis Android dan Arduino Uno. Jurnal
Teknologi Elektro Universitas Mercu Buana, 7(1), 11–19.
Darmana, T., & Koerniawan, T. 2017. Perancangan Rangkaian Penguat Daya
Dengan Transistor. Jurnal Sutet, 7(2), 88–92.

Liao, L., Wang, J., Tang, S., Shuai, Z., Yin, X., & Shen, Z. J. (2017). A New
Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor.
IEEE Transactions on Power Electronics, 32(6), 4600–4606.
https://doi.org/10.1109/TPEL.2016.2597139

Mujadi. 2018. Rangkaian Darlington Dalam Pembuatan Chart Elektronik. Studi

Eksperimen Guru-Guru Fisika Se-KAbupaten Tanggerang, 25, 468-476
Perkasa, D. B., Andromeda, T., & Riyadi, M. A. (2019). Perancangan Perangkat
Lunak Alat Uji Bipolar Junction Transistor Berbasis Mikrokontroler.
Transient, 21(1), 19. https://doi.org/10.14710/transmisi.21.1.19-24

Putri, H., & Novianti, A. 2021. Mahir Elektronika Telekomunikasi. Jawa Timur :
Uwais Inspirasi Indonesia.

Rugianto. 2013. Teknik Dasar Elektronika Komunikasi. Malang : Kementerian

Pendidikan dan Kebudayaan.
Sodagar, A., M. 2018. Analysis of Bipolar and CMOS Amplifiers. London : CRC
Press.

Syafira, N. W., Darlis, D., & Darlis, A. R. 2019. Perancangan Dan Implementasi
Underwater Visible Light Communication (UVLC) Untuk Pengiriman
Data Digital Menggunakan Filter Warna. e-Proceeding Of Applied
Science, 5(1), 319-333.

Widodo, T. S. D. 2002. Elektronika Dasar. Salemba Teknika

Xi, F., Pang, Y., Li, W., Bu, T., Zhao, J., Liu, G., Guo, T., Liu, W., & Zhang, C.
(2018). Tribotronic bipolar junction transistor for mechanical frequency
monitoring and use as touch switch. Microsystems and Nanoengineering,
4(1), 1–8. https://doi.org/10.1038/s41378-018-0026-1

Zikri, F., Salahuddin, & Jannah, M. 2017. Rancang Bangun Sistem Keamanan
Sepeda Motor Dengan Sensor Sidik Jari. Bina Teknika, 13(2), 223