MODUL 02 KARAKTERISTIK BJT

Muhammad Adhitya Dharmawan (13217055)

Asisten: Sayyid I. Ibad (13215068)
Tanggal Percobaan: 19/02/2019
EL2205-Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak
Pada percobaan kali ini praktikan menngamati dua transistor
yang merupakan jenis transistor BJT, transistor BJT
merupakan transistor yang terdiri dari 3 semikonduktor base,
emitter, dan koklektor. Praktikan mengamati bentuk grafik
karakteristik input serta ouput dari transistor tersebut, serta
mencari tahu early effect transistor tersebut. Praktikan juga
mencari tahu pengaruh bias dengan rangkaian diskrit dan
sumber arus konstan. Gambar 2-1 Transistor BJT NPN

Kata kunci: Transistor BJT, Emitter, Base, Kolektor.

1. PENDAHULUAN
Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)
tersusun atas tiga material semikonduktor
terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan
pn. Ketiga material tersebut dikenal sebagai emitter,
base, dan kolektor. Pada percobaan kali ini
praktikan diminta untuk mengamati 2 Transistor Gambar 2-2 Transistor BJT PNP
BJT untuk mengetahui spesifikasi, karaktersitik Terdapat suatu hubungan matematis antara
input, serta karaktersitik output dari transistor besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan arus
tersebut. Praktikan juga mencari tahu early effect emitor (IE), yaitu beta (β) = penguatan arus DC
serta pengaruh bias terhadap transistor tersebut. untuk common emitter, alpha ( )= penguatan arus
Tujuan dari praktikum ini yaitu untuk memahami untuk common basis, dengan hubungan matematis
karakteristik transistor BJT, an memahami Teknik sebagai berikut [1].
bias denganr angkaian diskrit dan sumber arus
konstan.

2. STUDI PUSTAKA

2.1 TRANSISTOR BJT sehingga

Transistor merupakan salah satu komponen

elektronika paling penting [1]. Terdapat dua jenis
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar
listriknya, yaitu bipolar dan unipolar [1]. Dalam hal
ini akan kita pelajari transistor bipolar [1]. Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh
Transistor bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung dengan pengukuran arus dan tegangan pada
susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN rangkaian dengan konfigurasi common emitter
dan PNP [1]. Simbol hubungan antara arus dan (kaki emitter terhubung dengan ground), seperti
tegangan dalam transistor ditujukkan oleh gambar ditunjukkan pada gambar berikut ini [1].
berikut ini [1].

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1

 Dalam kurva IC – VCE mode kerja transistor ini
ditunjukkan pada area-area dalam gambar berikut
ini [1].

Gambar 2-3 Rangkaian Common Emitter

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat
diukur dari rangkaia diatas, yaitu :
• Karakteristik IC - VBE
• Karakteristik IC - VCE

2.2 KURVA KARAKTERSITIK IC-VBE

Arus kolektor merupakan rungsi eksponensial dari
tegangan VBE, sesuai dnegan persamaan :
[1]. Persamaan ini
digambarkan sebagai kurva seperti
ditunjukkan pada gambar berikut ini [1].
Gambar 2-5 Kurva Karakteristik IC – VCE
dapat
yang 2.4 EARLY EFFECT TRANSISTOR
Early effect merupakan variasi dalam lebar efektif
basis dalam transistor sambungan bipolar (BJT),
karena variasi dalam tegangan basis-ke-kolektor
yang diterapkan [3]. Bias sebaliknya yang lebih
besar di persimpangan kolektor-pangkalan,
misalnya, meningkatkan lebar penipisan kolektor-
pangkalan, sehingga mengurangi lebar bagian
pembawa muatan pangkalan [3].

3. METODOLOGI

3.1 ALAT DAN KOMPONEN YANG

DIGUNAKAN

1. Multimeter Digital Rigol 3058 (1 buah)

Gambar 2-4 Kurva Karakteristik IC - VBE
2. Power Supply DC (1 buah)
Dari kurva diatas juga dapat diperoleh
3. Osiloskop GOS-6050 (1 buah)
transkonduktansi dari transistor, yang merupakan
kemiringan dari kurva di atas, yaitu 4. Generator Sinyal (1 buah)
5. Kit Penguat Transistor (1 buah)
[1]. 6. Transistor BJT (2 buah)

2.3 KURVA KARAKTERSITIK IC-VCE 7. Resistor Variabel 50KΩ (1 buah)

Arus kolektor juga bergantung pada tegangan 8. Resistor 150KΩ (1 buah)

kolektor-emitor [1. Titik kerja (mode kerja) 9. Resistor 5KΩ (1 buah)
transistor dibedaka menjadi tiga bagian, yaitu
daerah aktif, saturasi, dan cut-off [1]. Persyaratan 10. Kapasitor 10 μF (1 buah)
kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum 11. Kabel-Kabel
dalam tabel berikut ini [1].

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 2

3.2 MEMULAI PERCOBAAN
Nyalakan komputer, lalu
sambungkan USB Power Atlas DCA
Pro dengan komputer.
Sambungkan kabel Atlas DCA Pro
dengan kaki-kaki transistor BJT
secara bebas.
Buka aplikasi DCA Pro yang tersedia
di komputer, lalu pastikan DCA Pro
connectec pada pojok kiri bawah layar.
Tekan tombol test pada DCA Pro, lalu
perhatikan spesikasi dan konfigurasi
kaki-kaki BJT yang terbaca.
Gambar 3-1 Memulai Percobaan
3.3 KARAKTERISTIK INPUT TRANSISTOR
IC-VBE
Buka tab Graph BJT IC/VBE, atur
pengaturan tracing VCE 0-10V point
11, VBE 0-1V point 11. Klik Start
Amati grafik yang terbentuk, catat di
BCL dan lakukan analisis.
Simpan data tabulasi hasil sampling
kedalam file *.txt, buka file tersebut
dan copy seluruh data kedalam
spreadsheet. Lakukan analisis
Ulangi ketiga langkah diatas untuk
transistor BJT ke-2.
Gambar 3-2 Karakteristik Input Transistor IC-VBE
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
3.4 KARAKTERISTIK OUTPUT
TRANSISTOR IC-VCE
Buka tab Graph BJT IC/VBE, atur
pengaturan tracing VCE 0-12V point
26, IB 0-10μA point 11. Klik Start
Amati grafik yang terbentuk, catat di
BCL dan lakukan analisis.
Simpan data tabulasi hasil sampling
kedalam file *.txt, buka file tersebut
dan copy seluruh data kedalam
spreadsheet. Lakukan analisis
Ulangi ketiga langkah diatas untuk
transistor BJT ke-2.
Gambar 3-3 Karakteristik Input Transistor IC-VCE
3.5 EARLY EFFECT
Gunakan hasil pengamatan grafik
sebelumnya. Pilihlah nilai arus basis
(IB) dari grafik tersebut dengan
kemiringan yang cukup besar.
Pada kurva tersebut pilihlah 2 titik
koordinat yang mudah dibaca dan
masih dalam garis lurus. Baca dan
catat nilai IC dan VCE nya
Hitung niai tegangan early dengan
persamaan pada modul percobaan.
Catat kedalam BCL anda
Pilihlah 2 nilai arus basis (IB) yang
lain, dan lakukan kembali ketiga
langkah diatas.
Gambar 3-5 Early Effect
3
3.6 PENGARUH BIAS PADA PENGUAT 4.1 KARAKTERISTIK INPUT TRANSISTOR
TRANSISTOR IC-VBE

Bentuk rangkaian seperti pada gambar 21 dari

buku panduan praktikum. Gunakan generator
sinyal gelombang sinusoid f 1KHz, Amplituda
20 mVpp

Hubungkan osiloskop dengan rangkaian, Ch1

ke generator sinyal, dan Ch2 ke titik C. Ground
Osiloskop ke titik E. Setting skala Ch1
10mV/div, Ch2 1V/div, coupling AC, time
500μs/div.

Gambar 4-1 Karaktersitik Input Transistor IC - VBE 331

Gunakan multimeter digital pada mode Volt-
DC untuk mengukur VCE serta mode arus-DC
untuk mengukur IB.

Atur tegangan VCE menjadi 8V, dengan

memutar knob. pada Rvar. Baca dan catat arus
IB kemudian gambarkan bentuk gelombang
Voutput. Amati adanya distorsi

Gambar 4-2 Karaktersitik Input Transistor IC - VBE B20

Analisa mengapa dapat terjadi distorsi, lalu Dari data diatas kita dapat melihat bahwa grafik IC
ulangi langkah diatas dengan nilai-nilai VCE =
– VBE yang didapatkan pada saat pengamatan sama
2V dan 5V.
dengan gambar grafik karaktersitik input transistor
pada studi pustaka. Pada kedua gambar grafik
diatas kurva naik pada saat VBE = 0.5V. Dan kedua
Dengan setting terakhir sat VCE 5V, lakukan gambar grafik tersebut juga memiliki asimtot di VBE
pengukuran IC, IB, dan IE. Lakukan juga = 0.7V sama seperti yang ada pada studi pustaka.
pengukuran RB.
4.2 KARAKTERISTIK OUTPUT
TRANSISTOR IC-VCE
Amati dan gambar bentuk tengangan yang
terlihat pada osiloskop, naikkan amplituda
input hingga tampak terjadi distorsi, catat
besar amplituda inout dan gambarkan bentuk
gelombangnya.

Gambar 3-5 Pengaruh Bias pada Penguat Transistor

4. HASIL DAN ANALISIS

Pada modul percobaan kali ini praktikan
mendapatkan hasil sebagai berikut.

Gambar 4-3 Karaktersitik Output Transistor IC – VCE 331

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 4

 diatas, dari nilai-nilai tersebut kita dapat
memastikan bahwa nilai tegangan early untuk
transistor pertama 250<VA<280 dan untuk
transistor kedua 260<VA<320.

4.4 PENGARUH BIAS PADA PENGUAT

TRANSISTOR

Tabel 4-3 Nilai Hasil Pengukuran

Vin Vout

Gambar 4-4 Karaktersitik Output Transistor IC – VCE B20 Daerah

Cutoff
Dari gambar dua grafik diatas, dapat kita lihat
bahwa grafik yang didapatkan selama pengamatan IB = 1,6
memiliki bentuk yang sama dengan grafik μA
karaktersitik output yang ada pada studi pustaka. IC = 0,4
Pada grafik pertama dimana Transistor BJT 331 mA
memiliki daearah cut-off yang sama dengan
Transistor BJT B20, serta memiliki daerah saturasi VCE = 8
yang sama pula yaitu sebelum VCE bernilai 0V, dan V
memiliki daerah aktif setelah VCE bernilai lebih dari VBE =
0V. 0,56 V

4.3 EARLY EFFECT Daerah

Aktif
Tabel 4-1 Nilai Hasil Pengukuran Transistor 331
IB = 1,7
IC1 IC2 VC1 (V) VA (V) μA
VC2 (V)
(mA) (mA) IC =
1,04
1,7833 1,8496 1,21185 10,7751 256,015 mA

1,6042 1,6627 1,3309 10,9007 261,09 VCE =

5,1 V
1,4239 1,4736 1,4511 11,0239 271,165 VBE =
0,586 V
Tabel 4-2 Nilai Hasil Pengukuran Transistor B20
Daerah
IC1 (mA) IC2 (mA) VC1 (V) VC2 (V) VA (V) Saturas
i
2,4932 2,5776 1,2155 10,2865 266,74 IB = 6,6
μA
2,2399 2,3145 1,3861 10,4688 271,33
IC =
1,9869 2,0445 1,5528 10,6437 312,036 1,53
mA
VCE = 2
Dari data diatas, kita dapat lihat bahwa data V
tersebut didapatkan dari grafik karaktersitik VBE =
output transistor, dimana nilai VA kita dapatkan 0,59 V
dengan menggunakan rumus sebagai berikut.
𝑉𝐶1∗𝐼𝐶2−𝑉𝐶2∗𝐼𝐶1
VA =
𝐼𝐶2−𝐼𝐶1

Dengan menggunakan rumus diatas, kita dapatkan

nilai tegangan early (VA) seperti pada dua tabel
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 5
 Gambar 4-5 Kurva VOutput Saat Amplituda 25mV

Dari tabel diatas kita meilihat perbedaan kurva

yang terjadi pada daerah-daerah aktif, cut-off, dan
saturasi pada transistor, pada saat transistor berada
pada daerah cut-off, besar Vout lebih memiliki nilai
yang lebih kecil dari besar Vin dan pada saat
transistor berada pada daerah aktif, besar Vin dan
Vout hampir sama, dan pada saat dearah saturasi,
terjadi distorsi pada gelombang Vout.
Pada percobaan selanjutnya kita dapatkan nilai
IC = 1,04 mA, IB = 1,7μA, IE = 1,02 mA. Dan nilai RB
= 9,08 kΩ. Dengan data-data tersebut kita mencoba
mengubah amplituda dari Vin dan didapatkan
bahwa terjadi distorsi pada saat Amplituda = 25
mV. Hal ini dikarenakan dengan gelombang input
pada amplituda itu, rangkaian memiliki daerah
saturasi pada saat V = 5V.

5. KESIMPULAN
Berdasarkan kelima percobaan diatas praktikan
dapat menyimpulkan :
• Karakteristik Input Transistor memiliki
asimtot pada VBE = 0.7V dan gradien mulai
naik pada saat VBE = 0.5V.
• Karakteristik Output Transistor memiliki
nilai cut-off saat IB = 0 μA. Dan daerah
saturasi pada saat VCE < 2V, dan daerah
aktif saat VCE > 2V.
• Pengaruh bias pada rangkaian adalah saat
semakin tinggi amplitude dari gelombang
sinyal, maka gelombang output akan
menjadi terdistorsi dengan asumsi VCE
tetap

DAFTAR PUSTAKA
[1] Hutabarat, T Mervin, Praktikum Elektronika,
Hal. 25-32, Laboratorium Dasar Teknik
Elektro, Bandung, 2019
[2] Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 1997.
[3] https://en.wikipedia.org/wiki/Early_effect,
20 Februari 2019, Pukul 18:02.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 6