KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Rekan Kerja :
1. Kuntum Khairunnisa
1.2 Tujuan
a. Dapat mengetahui karakteristik transistor.
b. Dapat mengetahui karakteristik kontrol FET.
c. Dapat mengetahui karakteristik keluaran FET.
d. Mampu mendemonstrasikan tegangan peak - point dari UJT.
e. Dapat menggunakan UJT sebagai generator sawtooth.
BAB II
DASAR TEORI
Transistor yang beroperasi pada arus input disebut transistor persimpangan bipolar BJT
(Bipolar Junction Transistor), dan transistor yang beroperasi pada tegangan input disebut
transistor efek medan FET (Field Effect Transistor). Berikut merupakan perbedaan cara kerja
dari transistor BJT dan transistor FET :
1. Transistor BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) merupakan komponen aktif semi konduktor yang
bekerja menggunakan dua polaritas pembawa muatan untuk mengalirkan arus di jalur
produksi. Di dalam transistor persimpangan bipolar (BJT) ada juga lapisan pembatas,
yang disebut depletion zone, di mana arus pada akhirnya akan mengalir melalui
penghalang dan dibagi oleh depletion zone ini.
2. Transistor FET
FET (Field Effect Transistor) merupakan komponen aktif semi konduktor yang
bekerja pada pengontrolan arus dengan pengaruh medan listrik. Efek transistor (FET)
sedikit berbeda dari transistor bipolar. Efek transistor (FET), di sisi lain, hanya
menggunakan satu jenis polaritas atau pembawa muatan arus. Ini sangat berbeda dari
transistor bipolar, yang memiliki dua polaritas pembawa muatan. Transistor efek
(FET) tidak membagi arus input menjadi dua arus seperti transistor bipolar. Hal ini
karena posisi depletion zone resistensi efektif tidak di tengah tetapi di kedua sisi.
Prosedur :
1. Bangun rangkaian seperti gambar rangkaian di atas.
2. Pilih arus basis IB sesuai dengan harga yang diberikan dalam tabel 4.2 dan ukur arus
kolektor IC. Hitung penguatan arus 𝛽 dan catat hasilnya.
3. Gambar grafik arus kolektor IC sebagai fungsi arus basis IB sedangkan tegangan kolektor
emitor tetap pada 12 Volt.
4. Tentukan 𝛽 (current transfer ratio) oleh slope pada karakteristik kontrol arus.
Percobaan 3. Karakteristik keluaran transistor
Prosedur :
1. Bangun rangkaian seperti gambar di atas
2. Atur arus basis Ib 0,3 mA dengan memutar R2. Pilih tegangan kolektor-emitor Vce sesuai
dengan harga yang diberikan dalam tabel dan ukur arus kolektor Ic. Ulangi pengukuran
dengan arus basis Ib = 0,6 mA, 0,9 mA, 1,2 mA. Catat hasilnya Perhatian : Arus basis Ib
harus selalu dalam keadaan tetap.
3. Gambar grafik arus kolektor Ic sebagai fungsi tegangan kolektor-emitor Vce pada arus
basis tetap Ib = 0 mA, Ib = 0,3 mA, Ib = 0,6 mA, Ib = 0,9 mA dan Ib = 1,2 mA
4. Buatlah garis beban dc pada grafik tersebut.
BAB IV
ANALISIS DATA DAN PEMBAHASAN
VBE (V) 0,575 0,6 0,65 0,7 0,725 0,75 0,8 0,85 1
4.2 Pembahasan
Transistor merupakan komponen elektronika, dan karena jenisnya yang banyak dengan
karakteristik dan spesifikasi yang berbeda, penggunaannya disesuaikan dengan kebutuhan
desain (Handoko, 2015:1). Transistor memiliki beberapa fungsi, yaitu sebagai penyearah,
penguat tegangan dan daya, stabilisasi tegangan, mixer, osilator dan switch (pemutus dan
penyambung sirkuit).
Transistor memiliki tiga jenis :
1. Transistor FET
FET (Field Effect Transistor) merupakan komponen aktif semi konduktor yang bekerja pada
pengontrolan arus dengan pengaruh medan listrik. Efek transistor (FET) sedikit berbeda dari
transistor bipolar. Efek transistor (FET), di sisi lain, hanya menggunakan satu jenis polaritas
atau pembawa muatan arus. Ini sangat berbeda dari transistor bipolar, yang memiliki dua
polaritas pembawa muatan. Transistor efek (FET) tidak membagi arus input menjadi dua arus
seperti transistor bipolar. Hal ini karena posisi depletion zone resistensi efektif tidak di tengah
tetapi di kedua sisi.
2. Transistor BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) merupakan komponen aktif semi konduktor yang bekerja
menggunakan dua polaritas pembawa muatan untuk mengalirkan arus di jalur produksi. Di
dalam transistor persimpangan bipolar (BJT) ada juga lapisan pembatas, yang disebut
depletion zone, di mana arus pada akhirnya akan mengalir melalui penghalang dan dibagi
oleh depletion zone ini.
3. Transistor UJT
Transistor UJT (Unijunction Transistor) memiliki tiga terminal dan hanya satu koneksi.
Transistor ini umumnya digunakan sebagai saklar elektronik dan generator sinyal pulsa.
Seperti namanya, transistor unijunction atau UJT juga diklasifikasikan sebagai anggota
keluarga transistor, tetapi tidak seperti transistor junction bipolar umum, transistor
unijunction atau UJT ini tidak memiliki elektroda terminal/kolektor. Transistor ini memiliki
tiga terminal terdiri dari satu terminal emitor (E) dan dua terminal basis (B1 dan B2). Oleh
karena itu transistor UJT ini sering disebut dioda double-base.
Setelah mendapatkan data yang diperlukan, maka kita dapat membuat grafik dari hasil data
yang telah kita dapatkan tadi. Memasukan data ke dalam bentuk grafik agar memudahkan
kita dalam membaca data. Berikut merupakan grafik dari masing-masing data :
MASUKAN TRANSISTOR
25
20
15
10
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Keluaran Transistor
100
80 82.5
75 77.5
70 72.5 72.5
67.5
60
45
40
20
0 0 0.1
0 0.2
0 0.3
0 0.4
0 0.5
0 1
0 2
0 3
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Muhammad, R. D., & Herman, H. R. (2019). Characteristic Test Of Transistor Based Multisim
Software. PROtek: Jurnal Ilmiah Teknik Elektro, 6(2), 63-67.
Nurhasanah, N., Harijanto, A., & Maryani, M. (2018). ALAT PERAGA KARAKTERISTIK TRANSISTOR
MENGGUNAKAN PAPAN ARDUINO DAN LAPTOP SEBAGAI MEDIA PEMBELAJARAN
ELEKTRONIKA DASAR. FKIP e-PROCEEDING, 3(1), 158-161.
Indrapraja, A. R., & Murdani, A. (2013). RANCANG BANGUN SIMULASI KARAKTERISTIK
TRANSISTOR MENGGUNAKAN PROTEUS VSM. Program Studi Pendidikan Fisika Fakultas
Keguruan dan Ilmu Pendidikan Universitas Ahmad Dahlan Yogyakarta, 02 Juni 2013, 32.
Darmana, T., & Koerniawan, T. (2017). Perancangan Rangkaian Penguat Daya dengan
Transistor. Jurnal Sutet Vol, 7(2).
Sumirat, I., & Tugonggo, R. (2014). Aplikasi Sel Surya Sebagai Energi Alternatif Untuk Mobile
Charger. Jurnal Teknik Elektro dan Sains, 1(2), 18.
LAMPIRAN