MODUL II

KARAKTERISTIK DAN RANGKAIAN-BIAS TRANSISTOR I.

I. Tujuan
Memahami karakteristik dan cara kerja tansistor.
II. Tugas Pendahuluan
1. Buat resume mengenai cara kerja transistor bipolar dan FET.
2. Pelajari data-sheet transistor BD 139.
III. Dasar Teori
A. Transistor Dasar
Transistor adalah komponen yang memiliki 3 terminal. Terdapat dua macam
transistor: BJT (Bipolar Junction Transistors) dan FET (Field Effect
Transistor). Perbedaan utama diantara keduanya adalah transistor BJT
dikontrol oleh arus sedangkan transistor FET dikontrol oleh tegangan
(Gambar 1). Misalnya untuk transistor BJT, arus pengontrolnya adalah 𝐼 dan
arus yang dikontrol adalah 𝐼 . Untuk transistor FET, tegangan pengontrol
adalah 𝑉 dan arus yang dikontrol adalah 𝐼 .

Gambar 1: Transistor BJT dan FET

B. Transistor Bipolar BJT
Transistor bipolar dapat diklasifikasikan menjadi dua macam transistor, npn
dan pnp. Gambar 2 berikut menunjukkan keduanya. Pada kondisi normal
Diode Emitter – Base diberi tegangan maju (forward bias) dan Diode
Collector – Base diberi tegangan mundur (reverse bias). Hal ini ditunjukkan
oleh Gambar 3.
 Gambar 2: Transistor PNP dan NPN

Gambar 3: Pemberian Tegangan (biasing)

C. Transistor FET
Klasifikasi transistor FET ditunjukkan oleh Gambar 4.

Gambar 4: Klasifikasi Transistor FET

 Gambar 5: Konstruksi Transistor FET
IV. Refrensi
Boylestad, R. and Nashelky, L., “Electronic Devices and Circuit Theory”, Englewood
Cliffs, New Jersey, Prentice Hall.
V. Peralatan dan komponen yang dibutuhkan
1. Circuit Construction Desk
2. Basic Electricity dan electronic kit 3. Power Supply 0-20 Volt DC variable.
3. Multimeter
4. Osiloskop
5. Resistor 100kΩ, 2.2kΩ, 22kΩ, 1kΩ, 10kΩ, 220Ω
6. Kapasitor 1 uF
7. Transistor
VI. Percobaan
A. Karakteristik Transistor Bipolar
1. Rangkaian Percobaan

Gambar 6
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 6
1. Buat rangkaiannya seperti gambar 6. Set dc variable pada 0V.
2. Hidupkan kedua power supply. Naikkan 0-20V dc variable sehingga VCE =
0.5V.
 3. Gunakan potensiometer (10k) untuk mengatur arus IB yang mengalir sesuai
dengan nilai pada tabel 1.4 yaitu 0, 10, 20, 30, 40 dan 50 μA. Catat besarnya
a rus IC untuk masing-masing nilai tersebut dan lengkapi tabel 1.1
4. Naikkan VCE menjadi 1 volt. Lakukan hal yang sama seperti pada langkah
3 diatas.
5. Lakukan hal yang sama dengan langkah no. 4 diatas untuk masing -masing
VCE 2V, 5V, dan 10V. Lengkapi tabel 2. 1 pada data percobaan.
6. Dari tabel 2.1, dapatkan plot IC thd VCE pada kurva gambar 2.1.
3. Tugas Kelompok
1. Dari tabel 2.1, dapatkan plot IC thd VCE pada kurva gambar 2.1
menggunakan excel!
2. Apa yang terjadi pada IC jika VCE lebih kecil dari 0.6 volt? Jelaskan
jawaban anda!
3. Apakah efek VCE pada IC pada saat VCE lebih besar dari 1 volt?
4. Simulasikan percobaan di atas mengguna kan Proteus atau Multisim!
B. Penguat Arus DC
1. Rangkaian Percobaan

Gambar 7
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 7
1. Rangkai komponen sehingga terbentuk rangkaian tersebut.
2. Nyalakan power supply dan naikkan tegangan sehingga didapat arus basis
30 μA.Catat arus kolektornya tabel 2.2.
3. Kemudian turunkan tegangan sehingga arus basis mencapai 20 μA. Catat
arus kolektornya pada tabel 2.2.
3. Tugas Kelompok
1. Carilah gainnya dengan rumus berikut dan catat hasilnya!

2. Simulasikan percobaan di atas mengguna kan Proteus atau Multisim!

C. Penguat Arus AC
1. Rangkaian Percobaan
 Gambar 8
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 8
1. Buat rangkaiannya seperti pada gambar 8.
2. Hubungkan dengan function generator dan power supply (12 volt).
3. Hidupkan supply 12 Volt.
4. Hidupkan function generator dan set keluaran function generator bernilai
nol.
5. Atur potensiometer sehingga tegangan pada collector menjadi 6 Volt.
6. Nyalakan osiloskop dan set agar nilai Y1 dan Y2 ditampilkan (dual).
7. Sekarang, atur function generator hingga Y1 (tegangan kolektor) bernilai 6
Volt (peak-to-peak). Set frekuensi pada 1kHz. Sket sinyal tersebut pada
gambar 2.2 pada data percobaan! Dapatkan tegangan peak-to-peak nya.
8. Hubungkan Y2 ke titik B pada gambar, didapatkan sinyal (tegangan) pada
basis, sket sinyal tersebut pada gambar 2.3. Dapatkan tegangan peak-to-peak
nya.
9. Dapatkan sinyal tegangan antara titik A dan titik B. Sket sinyal tersebut p
ada gambar 2.4. Dapatkan tegangan peak-to-peak nya.
10. Dapatkan sinyal tegangan pada beban (RL). Gambarkan sinyal tersebut pada
gambar 2.5. Dapatkan tegangan peak-to-peak nya.
11. Dapatkan I B dan I C (Arus Gain dan Colector).
12. Dapatkan gainnya.
3. Tugas Kelompok
1. Hitunglah penguatan tegangan dengan cara membagi tegangan kolektor
(peak-to-peak) dengan tegangan basis (peak-to-peak).
2. Carilah nilai arus basis dengan cara membagi tegangan antara titik A dan B
(peak-to-peak) dengan resistor basis (hasil pengukuran).
3. Carilah nilai arus kolektor dengan cara membagi tegangan pada beban
(peakto-peak) dengan resistor kolektor (hasil pengukuran).
4. Hitunglah penguatan arus dengan cara membagi arus kolektor dengan arus
basis.
5. Apa fungsi masing-masing capasitor pada bagian input dan output?
6. Lakukan simulasi untuk rangkaian gambar 10 dengan Proteus atau
Multisim. Plot tegangan pada basis dan kolektor, bandingkan dengan hasil
percoabaan anda.
 TUGAS PENDAHULUAN
1. Buat resume mengenai cara kerja transistor bipolar dan FET.
BJT atau Bipolar Junction Transistor merupakan transistor bipolar yang
terdiri dari tiga terminal bahan semikonduktor. Ketiga terminal tersebut
adalah basis, emitor, dan kolektor. Transistor membatasi jumlah arus yang
mengalir dan memerlukan arus input. Prinsip kerjanya yaitu pada komponen
aktif pada tiga terminal semikonduktor akan berperan sebagai konduktor
atau isolator dengan menggunakan tegangan dan sinyal yang kecil.
Biasanya transistor ini digunakan untuk penguatan sinyal listrik. Kemudian
FET atau Field Effect Transistors merupakan transistor yang menggunakan
tegangan pada terminal inputnya sehingga dapat mengatur tegangan yang
mengalir. Transistor ini memiliki tiga kaki terminal semikonduktor yang
searah dan dapat mengonsumsi daya yang lebih kecil dengan disipasi daya
yang rendah sehingga cocok digunakan pada rangkaian logika digital.
2. Pelajari data sheet transistor BD 139.
 DASAR TEORI
Pada modul 2 Praktikum Rangkaian Elektronika ini melakukan percobaan
mengenai karakteristik dan rangkaian bias transistor. Transistor merupakan
komponen semikonduktor yang memiliki berbagai fungsi seperti sebagai penguat,
pengendali, osilator, maupun modulator. Transistor ini merupakan komponen yang
paling umum dijumpai di peralatan elektronik seperti televisi, komputer, dan power
supply. Transistor memiliki berbagai fungsi, seperti dapat digunakan sebagai
penguat amplifier, sebagai pengatur stabilitas tegangan, sebagai pemutus dan
penyambung (switch), dapat menahan sebagian arus yang mengalir maupun dapat
menguatkan arus pada rangkaian. Semakin beragam fungsi transistor, bentuk dari
transistor juga telah banyak berubah seperti adanya transistor dengan ukuran sangat
kecil dan hanya dalam ukuran nano mikron. Transistor memiliki tiga kaki elektroda,
yaitu basis, kolektor, dan emitor. Emitor berfungsi untuk menimbulkan elektron,
kemudian kolektor berfungsi menyalurkan elektron – elektron tersebut keluar dari
transistor, sedangkan basis mengatur gerakan elektron dari emitor yang keluar dari
kaki kolektor. Transistor dibagi menjadi dua jenis, yaitu Bipolar Junction Transistor
atau BJT dan Field Effect Transistor atau FET. BJT bekerja berdasarkan arus
inputnya sedangkan FET bekerja berdasarkan tegangan inputnya. Dimensi dari
transistor bipolar relatif lebih kecil dan disipasi dayanya lebih kecil sehingga dapat
bekerja di suhu yang lebih dingin. Pada transistor bipolar terdapat 2 junction yang
dapat disebut juga dengan penggabungan 2 buah dioda. Yang pertama adalah
emitter-base junction dan yang kedua adalah base-collector junction, maka dari itu
dinamakan dengan Bipolar Junction Transistor. Arus akan mengalir jika diberi bias
positif. Dalam transistor bipolar, terdapat 3 lapisan material semikonduktor yang
terdiri dari dua lapisan inti, yaitu lapisan PNP dan lapisan NPN. Prinsip kerja
transistor PNP dan NPN sama persis dengan perbedaan pada biasnya dan polaritas
catu daya untuk masing – masing jenis. Transistor ini juga memiliki tiga kaki yaitu
base (B), kolektor (K), dan emiter (E). Dua dioda pada terminal positif dan negatif
selalu berdempet. Transistor bipolar atau BJT memiliki kemampuan untuk
beroperasi dalam tiga daerah dan juga menjadi prinsip cara kerja transistor BJT.
Yang pertama adalah daerah aktif dimana transistor bekerja sebagai penguat.
Kemudian daerah saturasi dimana transistor sepenuhnya ON beroperasi sebagai
saklar, dan yang terakhir adalah daerah cut – off dimana transistor sepenuhnya OFF
dan beroperasi sebagai saklar. Pada transistor NPN, junction base – emitter diberi
bias positif sedangkan base – collector mendapat bias negatif. Karena base – emiter
mendapat bias positif maka elektron akan mengalir dari emiter menuju base.
Kolektor pada rangkaian NPN lebih positif karena mendapat tegangan positif. Jika
tidak ada kolektor maka elektron seluruhnya akan menuju base. Karena lebar base
sangat tipis, maka hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang
ada pada base. Jika tegangan base-emitor dibali, maka tidak ada aliran elektron dari
emitor ke kolektor. Jika base diberi bias maju secara perlahan maka elektron akan
mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang
diberikan. Arus pada base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter
menuju kolektor. Dalam transistor BJT, aliran arus listrik utamanya harus melewati
satu daerah lapisan pembatas dan ketebalan dari lapisan ini bisa diatur dengan
kecepatan tinggi. Selanjutnya adalah FET atau Field Effect Transistor. Transistor
ini hanya memakai satu jenis pembawa muatan, tergantung dari tipe FET nya.
Dalam FET, arus listrik utamanya mengalir dalam satu kanal konduksi sempit.
Kemudian ketebalan dari daerah perbatasannya dapat diubah dengan perubahan
tegangan yang diberikan. Transistor ini memiliki 3 kaki terminal yang diberi nama
drain (D), source (S), dan gate (G). Cara kerja transistor ini pada tegangan yang
terdapat pada input gerbangnya. Perbedaan antara transistor FET dengan BJT
adalah pada pengendalian arus outputnya. Pada transistor BJT, arus output
dikendalikan oleh arus input. Sedangkan pada FET arus outputnya dikendalikan
oleh tegangan input. Terdapat berbagai jenis FET. Yang pertama adalah Junction
FET. Besarnya arus listrik pada FET jenis ini tergantung pada tinggi rendahnya
tegangan yang diberikan pada terminal gerbangnya. Fluktuasi tegangan pada
terminal gate akan menyebabkan perubahan pada arus listrik yang melewati saluran
source atau drain. Fluktuasi kecil pun dapat menyebabkan variasi yang cukup besar
pada arus aliran pembawa muatan yang melalui JFET. JFET memiliki 2 jenis
berdasarkan tipe bahan semikonduktor yang digunakan pada salurannya. JFET N-
channel dibuat dari bahan semikonduktor tipe N dan JFET P-channel dibuat dari
bahan semikonduktor tipe P. Pada JFET N-channel ini salah satu ujungnya adalah
source dan satunya lagi adalah drain. Mayoritas pembawa muatan pada JFET N-
channel adalah elektron. Gerbang atau gate pada JFET jenis ini terdiri dari bahan
semikonduktor tipe P. Selain gerbang, pada JFET N-channel ini terdapat sebuah
bagian yang disebut substrate atau bagian yang membentuk batas di sisi saluran
berlawanan dari gerbang yang terdiri dari bahan semikonduktor tipe P juga.
Kemudian pada JFET P-channel terbuat dari semikonduktor tipe P, tetapi bagian
gerbang dan substratenya terbuat dari bahan semikonduktor tipe N. mayoritas
pembawa muatan pada JFET P-channel ini adalah hole. Pada JFET jenis ini,
semakin positif tegangan gerbangnya, maka semakin sempit saluran yang akan
mengakibatkan dengan semakin kecilnya arus pada output JFET. Jika dilihat dari
simbolnya, anak panah pada JFET N-channel menghadap ke dalam sedangkan anak
panah pada JFET P-channel menghadap keluar. Kemudian terdapat jenis MOSFET.
MOSFET atau Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor merupakan
sebuah perangkat semikonduktor yang umumnya digunakan sebagai switch dan
sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah
IC (integrated circuit) yang didesain dengan single chip karena ukurannya sangat
kecil. MOSFET memiliki 4 gerbang terminal, yaitu source (S), gate (G), drain (D),
dan body (B). cara kerja MOSFET adalah dengan memvariasikan jalur pembawa
muatan. Muatan masuk melalui saluran pada source dan keluar melalui drain. Lebar
saluran dikendalikan oleh tegangan pada elektroda yang disebut dengan gate atau
gerbang yang terletak diantara source dan drain. MOSFET memiliki dua mode,
yaitu depletion mode dan enhancement mode. Depletion mode adalah ketika tidak
ada tegangan pada gate maka saluran akan berada pada kondisi maksimum.
Kemudian enhancement mode adalah ketika tidak ada tegangan pada gate,
MOSFET tidak akan bersifat konduksi. Jika tegangan meningkat pada gate, maka
sifat konduksi pada saluran akan semakin baik. Cara kerja MOSFET adalah
mengontrol tegangan dan arus melalui source dan drain. Kerja MOSFET
bergantung pada kapasitas MOS. Selain itu, MOSFET juga mempunyai impedansi
input lebih tinggi dibandingkan dengan JFET. Pada enhancement mode, N-channel
MOSFET akan memutus terminal souce dan drain ketika nilai tegangan pada gate
sama dengan nol. Sedangkan pada depletion mode, N-channel MOSFET akan
menghubungkan terminal source dan drain jika nilai tegangan pada gatenya sama
dengan nol. Kemudian pada enhancement mode, P-channel MOSFET akan
memutus terminal source dan drain ketika nilai tegangan pada gate nya sama
dengan nol. Sedangkan pada depletion mode P-channel MOSFET akan
menghubungkan terminal source dan drain ketika nilai tegangan pada gerbangnya
sama dengan nol. Kegunaan MOSFET dalam dunia elektronika adalah sebagai
penguat karena mempunyai impedansi input yang sangat tinggi sehingga risiko
terjadinya hilang sinyal pun akan teratasi dengan sangat baik. Kemudian dapat
digunakan sebagai pembangkit sinyal pada pemancar radio, dapat digunakan
sebagai saklar. Dengan menggunakan MOSFET sebagai saklar, maka rangkaian
elektronik tersebut akan terhubung dengan semua jenis gerbang logika. Jika ingin
membuat MOSFET sebagai saklar, maka hanya harus mengkonfigurasikannya
dalam kondisi saturasi (on) dan cutoff (off). Yang terakhir adalah dapat digunakan
sebagai pencampur dua macam atau lebih tegangan bolak balik yang memiliki
frekuensi berbeda. MOSFET pada umumnya juga digunakan untuk driver
pengendali kecepatan motor. Kelebihan dari FET adalah dapat bekerja dengan baik
di rangkaian elektronika yang memiliki sinyal rendah seperti pada perangkat
komunikasi dan alat – alat penerima (receiver). FET juga biasanya digunakan pada
rangkaian elektronika yang perlu impedansi tinggi. FET pun lebih stabil terhadap
suhu, memiliki noise yang kecil karena pembawa muatan pada FET tidak melewati
channel-p dan n sama sekali, dan juga densitas FET sangat tinggi sehingga dapat
dibentuk rangkaian integrasi yang lebih padat. Kelemahan dari FET adalah tidak
dapat digunakan pada perangkat elektronik yang bekerja untuk penguatan daya
tinggi seperti pada perangkat komunikasi berdaya tinggi dan alat pemancar
(transmitter), kecepatannya saat switching lebih lambat. Sedangkan pada BJT dapat
digunakan untuk penguatan daya pada perangkat dengan daya tinggi seperti pada
alat transmitter. Kelebihan dari BJT yang lainnya adalah dapat beroperasi pada
kecepatan yang tinggi, kemudian dapat dihidupkan dan dimatikan dari terminal
base yang membuat mereka cocok untuk menjadi sirkuit inverter berkomutasi
sendiri, memiliki kapabilitas penanganan power yang baik dan memiliki penurunan
tegangan konduksi forward yang rendah. Kelemahan dari BJT adalah dianggap
kurang kokoh dan kurang toleran sehingga terjadi overload, tidak mentolerir reverse
tegangan, memiliki waktu switching yang relatif lambat, dan mempunyai
persyaratan driver gate terkontrol arus yang kompleks.