ELEKTRONIKA DASAR II - BJT DC ANALISIS (E10)

BJT DC Analisis
(E10)
Badri Gigih Setiyawan, Gusti Rana Fahlevi S, Endarko
Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Jl. Arief Rahman Hakim, Surabaya 60111
E-mail: gustirana92@gmail.com
Abstrak Telah dilakukan percobaan yang berjudul BJT DC
Analisis dengan tujuan untuk mnganalisa transistor sebagai
saklar, mencari Vvmin untuk menyalakan LED dan Imin pada
Basis (pnp dan npn) serta untuk mencari nilai hfe yaitu dan
. prinsip yang digunakan dalam percobaan ini yaitu transistor
sebagai saklar. Pada percobaan ini menggunakan dua buah
dioda yaitu BD 139 dan BD 140. Kemudian digunakan resistor
tetap sebesar 220k, dan resistor variable dalam bentuk
potensiometer 20k. fungsi resistor tetap untuk menghambat
arus yang mengalir pada led dan basis transistor sehingga arus
yang mengalir dari power supply tidak langsung menuju ke led
atau transistor. kemudian untuk potensiometer berfungsi
sebagai pembagi tegangan, agar tegangan yang keluar dari dari
input menuju basis dapat diatur besarnya. Pada percobaan
digunakan tegangan input 5V. Kemudian untuk mengukur nilai
arus dan tegangan digunakan multimeter. Dari percobaan yang
telah dilakukan diperoleh hasil bahwa pada transistor npn arus
pada basis harus dibesarkan sehingga dapat menyalakan led,
sedangkan pada transistor pnp arus pada basis harus dikecilkan
untuk menyalakan led. pada transistor npn led menyala pada
tegangan 0-5V-5V serta arus basis 1.2mA-12.44mA, sedangkan
pada transistor pnp tegangan untuk menyalakan lampu led 2V0V. nilai sebesar 1.7871534 dan sebesar 2.8822126.
Kata Kunci Arus, Hfe, LED, Saklar, Tegangan, Transistor.

I. PENDAHULUAN

aterial secara konduktivitasnya terbagi menjadi bahan

konduktor,
isolator,
dan
semikonduktor.
Semikonduktor merupakan bahan yang biasa dijumpai pada
grup 4a dalam table periodik. Pembagian jenis tersebut salah
satunya karena perbedaan nilai pita-pita energi pada bahanbahan tersebut. Bahan semikonduktor biasa digunakan dalam
komponen elektronika seperti dioda dan transistor. Prinsip
kerja dioda dan transistor sama seperti solar cell karena
bahan yang digunakan merupakan semikonduktor dalam
bentuk p-n junction.
Semikonduktor
merupakan
elemen
dasar
dari
komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC
(integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor,
karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahanbahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai
konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom
yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak
bebas.
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya
adalah Silicon (Si), Germanium (Ge) dan Galium Arsenida
(GaAs).

Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan

(junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP
maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut
disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di
tengah, di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut
transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya
tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif
mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2
dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun
1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar [1].
Transistor merupakan suatu komponen aktif dibuat dari
bahan semikonduktor. Ada dua macam transistor, yaitu
transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (fiel
effect transistor). Transistor digunakan dalam rangkaian
untuk memperkuat isyarat, artinya isyarat lemah pada
masukan diubah menjadi isayarat yang kuat pada
keluarannya.
Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan ekstrinsik
jenis p dan jenis n. ketiga bagian transistor ini disebut emitor,
basis, dan kolektor.masing-masing bagian transistor
dihubungkan ke luar transistor dengan menggunakan
konduktor sebagai kaki transistor.
Pada transitor dwikutub sambungan p-n antara emitor dan
basis diberi panjar maju sehinga arus mengalir dari emitor ke
basis. Panjar adalah tegangan dan arus dc yang harus lebih
dahulu dipasang agar rangkaian transistor bekerja [2]. Ada 2
jenis transistor yaitu PNP dan NPN. Transistor di
desain dari pemanfaatan sifat diode, arus
menghantar dari diode dapat dikontrol oleh
electron yang ditambahkan pada pertemuan PN
diode.
Dengan
penambahan
elekdiode
pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat
dianggap dua buah diode yang mempunyai
electrode bersama pada pertemuan. Junction
semacam ini disebut transistor bipolar dan dapat
digambarkan sebagai berikut

Gambar 1. Semikonduktor pada transistor

ELEKTRONIKA DASAR II - BJT DC ANALISIS (E10)

Dengan memilih electrode pengontrol dari type P
atau type N sebagai electrode persekutuan
antara dua diode, maka dihasilkan transistor
jenis PNP dan NPN.
Transistor
dapat
bekerja
apabila
diberi
tegangan, tujuan pemberian tegangan pada
transistor adalah agar transistor tersebut dapat
mencapai suatu kondisi menghantar atau
menyumbat. Baik transistor NPN maupun PNP
tegangan antara emitor dan basis adalah forward
bias, sedangkan antara basis dengan kolektor
adalah reverse bias[3].
Dalam rangkaian, transistor dapat dihubungkan dengan
tiga cara yaitu common base, common emitter, dan common
collector.

2
(kelebihan) energi ini akan diubah menjadi panas atau
cahaya. Pada Ge dan Si energi tersebut sebagian besar tidak
ada.Tetapi pada Ga As atau Ga P atau Ga As P sebagian besar
energi diubah menjadi cahaya[5].
II.METODOLOGI
Dalam percobaan digunakan alat dan bahan antara lain,
Transistor PNP dengan tipe BD 140 dan Transistor NPN tipe
BD 190, dimana fungsi transistor berfungsi sebagai saklar
pada rangkaian. Kemudian digunakan resistor tetap sebesar
220k, dan resistor variable dalam bentuk potensiometer
20k. fungsi resistor tetap untuk menghambat arus yang
mengalir pada led dan basis transistor sehingga arus yang
mengalir dari power supply tidak langsung menuju ke led
atau transistor. kemudian untuk potensiometer berfungsi
sebagai pembagi tegangan, agar tegangan yang keluar dari
dari input menuju basis dapat diatur besarnya. Kemudian
power supply digunakan untuk sumber arus dc. pada
percobaan digunakan tegangan input 5V. Alat lain yaitu kabel
penjepit dan jumper yang diguakan untuk menghubungkan
rangkaian karena project board yang digunakan terlalu kecil
sehingga diperlukan jumper untuk menhubungkannya.
Kemudian untuk mengukur nilai arus dan tegangan
digunakan multimeter.

Gambar 2 (a) common base configuration (b) common emitter

configuration dan (c) common collector configuration

Pada konfigurasi common base, faktor penguatan pada

konfigurasi basis bersama (hfe) disebut yang merupakan
perbandingan arus IC dengan arus IE.
= IC / IE .(1)
Pada konfigurasi emiter bersama, faktor penguatan pada
konfigurasi basis bersama (hfe) disebut yang merupakan
perbandingan arus IC dengan arus IB[4].
= IC / IB..(2)
Potensiometer adalah resistor tiga terminal dengan
sambungan geser yang membentuk pembagi tegangan dapat
diatur. Jika hanya dua terminal yang digunakan (salah satu
terminal tetap dan terminal geser), potensiometer berperan
sebagai resistor variabel atau Rheostat. Potensiometer
biasanya digunakan untuk mengendalikan peranti elektronik
seperti pengendali suara pada penguat. Potensiometer yang
dioperasikan oleh suatu mekanisme dapat digunakan sebagai
transduser, misalnya sebagai sensor joystick.
Sebuah potensiometer biasanya dibuat dari sebuah unsur
resistif semi-lingkar dengan sambungan geser (penyapu).
Unsur resistif, dengan terminal pada salah satu ataupun
kedua ujungnya, berbentuk datar atau menyudut, dan
biasanya dibuat dari grafit, walaupun begitu bahan lain
mungkin juga digunakan sebagai gantinya. Penyapu
disambungkan ke terminal lain[5].
LED atau Light Emiting Dioda adalah sambugan
semikonduktor P-N yang jika diberi prasikap maju akan
mengeluarkan cahaya tampak. Jika elektron bebas pada
semikonduktor tipe N terletak pada pita energi yang lebih
tinggi daripada hole didaerah semikonduktor tipe P maka jika
elektron bebas berkombinasi dengan hole perbedaan

Gambar 2.1. Rangkaian transistor npn

Gambar 2.2 Rangkaian transistor pnp

Percobaan pertama menggunakan transistor npn, awalnya

dilakukan dengan merangkai rangkaian sesuai gambarmmm
diukur tegangan input pada power supply kemudian diatur
tegangan output yang keluar dari potensiometer. pada
percobaan tegangan output yang dipakai yaitu 0V, 0.5V, 1V,

ELEKTRONIKA DASAR II - BJT DC ANALISIS (E10)

1.5V, 2V, 2.5V, 3V, 3.5V, 4V, 4.5V, dan 5V. Kemudian diukur
arus yang mengalir pada collector Ic dan arus yang mengalir
pada basis Ib. Dan dicatat nilai arus Ic dan Ib.
Kemudian percobaan kedua menggunakan transistor pnp,
percobaan yang dilakukan sama seperti percobaan pada
transistor npn, namun yang diukur yaitu arus yang melewati
collector dan arus yang mengalir pada emitter. Dengan
variasi tegangan output sama seperti pada transistor npn.

3
No
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11

Vout
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0

Ic
0.00007
0.00007
0.00007
0.0003
0.041
0.76
2.18
3.94
5.33
6.44
7.34

Ie
0.0013
0.001
0.0011
0.001
0.0034
0.58
1.78
3.1
4.5
6
7

B. Perhitungan
Dari data yang didapatkan dilakukan perhitungan nilai hfe
dan .
Berikut contoh perhitungan pada transistor NPN
= Ic/Ib
= 9.03 mA/1.2mA= 7.525
dan pada transistor PNP
= Ic/Ie
= 0.07 A/1.3A = 0.0538462
Untuk data hfe pada seluruh data disajikan dalam tabel
berikut
Tabel 3. Nilai pada transistor NPN

Gambar 2.3 Flowchart percobaan

III. ANALISA DATA DAN PEMBAHASAN

A. Analisa Data
Pada percobaan didapatkan data sebagai berikut.
Vout
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5

Ic
0
9.03
9.22
9.27
9.03
9.2
9.4
9.19
9.05
9.04
9.19

Tabel 2. Data percobaan pada transistor PNP

Vout (V) Ic (mA)

0
0
0.5
9.03
1
9.22
1.5
9.27
2
9.03
2.5
9.2
3
9.4
3.5
9.19
4
9.05
4.5
9.04
5
9.19
Rata-rata

Ib (mA)
0
1.2
1.08
2.45
3.88
5.33
6.82
8.4
10.1
11.08
12.44

7.525
8.537037
3.783673
2.327319
1.726078
1.378299
1.094047
0.896039
0.815884
0.738746
2.8822126

Tabel 4. Nilai pada transistor PNP

Tabel 1. Data percobaan pada transistor NPN

No
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11

No
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11

Ib
0
1.2
1.08
2.45
3.88
5.33
6.82
8.4
10.1
11.08
12.44

No
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11

Vout (V)
Ic (mA)
5
0.00007
4.5
0.00007
4
0.00007
3.5
0.0003
3
0.041
2.5
0.76
2
2.18
1.5
3.94
1
5.33
0.5
6.44
0
7.34
Rata-rata

Ie (mA)
0.0013
0.001
0.0011
0.001
0.0034
0.58
1.78
3.1
4.5
6
7

0.0538462
0.07
0.0636364
0.3
12.058824
1.3103448
1.2247191
1.2709677
1.1844444
1.0733333
1.0485714
1.7871534

C.Grafik
Dari perhitungan yang telah dilakukan diperoleh grafik hfe

ELEKTRONIKA DASAR II - BJT DC ANALISIS (E10)

terhadap tegangan. Berikut grafik hfe, dan terhadap V.

D.Pembahasan
Pada percobaan yang telah dilakukan digunakan tegangan
input pada power supply sebesar 5.03V yang kemudian diberi
pembagi tegangan yang menghasilkan Vout pada basis
transistor. Transistor yang digunakan tipe pnp menggunakan
jenis BD140 sedangkan pada tipe npn menggunakan jenis
BD139.
Pada transistor terdapat tiga kondisi yaitu kondisi saturasi,
kondisi cutoff, dan kondisi aktif. Pada fungsi transistor
sebagai saklar untuk dapat mengalirkan arus dari collector ke
emitter yaitu pada kondisi saturasi sehingga pada percobaan
lampu led dapat menyala, sedangkan pada kondisi cutoff
lampu led tidak menyala karena arus yang mengalir pada
collector terlalu kecil untuk dapat menyalakan lampu led.
Pada data yang didapatkan untuk transistor npn dapat
menyalakan lampu pada Vout sebesar 0.5V-4.94V atau pada
arus Ic sebesar 9.03mA-9.19mA. Sedangkan pada transistor
pnp dapat menyalakan lampu led pada Vout sebesar 2V-0V
atau pada arus Ic sebesar 2.18mA-7.34mA. Jadi I minimum
untuk mneyalakan lampu led sebesar 9.03mA pada transistor
npn dan 2.18mA pada transistor pnp.
Transistor dapat menyalakan lampu led karena transistor
dapat berfungsi sebagai saklar pada rangkaian listrik. Pada
transistor npn, basis akan merupakan kutub negative
semikonduktor, kemudian pada emitter dan collector
merupakan kutub positif semikonduktor. Karena transistor
terbuat dari semikonduktor maka antara tiap tipe
semikonduktor (tipe p dan n) terdapat daerah deplesi yang
menyebabkan terdapatnya arus minimum untuk dapat
mengalirkan electron dari tipe n ke tipe p. Untuk basis pada
transistor ini harus mengalirkan tegangan yang lebih besar
dari pada potensial penghalang sehingga arus dapat mengalir
ke emitor. Jika tegangan cukup maka arus dari collector dapat
mengalir ke emitter sehingga dapat menyalakan lampu led
yang terhubung di collector. berbeda dengan tipe pnp, arus
yang mengalir pada basis harus kecil atau sehingga arus akan
terfokus pada emitter dan collector yang kemudian dapat
menyalakan lampu led.
Kemudian dari perhitungan yang telah dilakukan diperoleh
didapatkan nilai hfe atau faktor penguat. Pada tipe npn yang
menggunakan konfigurasi emitter bersama maka yang dicari
nilai hfe berupa yang merupakan perbandingan Ic dan Ib.
sedangkan pada tipe pnp yang digunkan yaitu konfigurasi
basis bersama yang dicari yaitu nilai hfe berupa yang
merupakan perbandingan Ic dan Ie.
IV. KESIMPULAN
Dari percobaan yang telah dilakukan diperoleh hasil bahwa
pada transistor npn arus pada basis harus dibesarkan
sehingga dapat menyalakan led, sedangkan pada transistor
pnp arus pada basis harus dikecilkan untuk menyalakan led.
pada transistor npn led menyala pada tegangan 0-5V-5V serta
arus basis 1.2mA-12.44mA, sedangkan pada transistor pnp
tegangan untuk menyalakan lampu led 2V-0V. nilai sebesar
1.7871534 dan sebesar 2.8822126.

4
UCAPAN TERIMA KASIH
Penulis Badri Gigih Setiyawan mengucapkan terima kasih
kepada asisten laboratorium yang membimbing jalannya
percobaan ini, Gusti Rana Fahlevi S.
DAFTAR PUSTAKA
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]

Oklikas, Ahmad F.2007. Elektronika Dasar. Palembang : Universitas

Sriwijaya
Ahmad Abtokhi.2009.Perancangan Alat Pengaman Motor dengan
Memanfaatkan Sensor Getar dan Gelombang Radio FM. Jurnal Neutrino
Vol 2.
Ahmad, Jayadin.2007.Eldas. Jakarta : Universitas Gunadarma.

Millman. 1995. Integrated Circuits. New York : Prentice Hal

Fauzi, Ahmad. Perancangan Alat Olahraga Untuk Melatih Otot Lengan
Trisep. Surabaya : Politeknik Elektronika Surabaya.
Jumadi.Operasi, jenis & fungsi dioda. Yogyakarta : Universitas Negeri
Yogyakarta.