Tgl:

Prak.: 05
TEKNIK MEKATRONIKA Kelas :
MATA PELAJARAN DASAR LISTRIK DAN ELEKTRONIKA Nama :
Koordinator Prak.(paraf) :
PRAKTEK ELEKTRONIKA ANALOG

KARAKTERISTIK KOMPONEN DASAR ELEKTRONIKA

A. Tujuan Praktikum
1. Siswa paham karakteristik dioda, dan membuat kurva karakteristik dioda.
2. Siswa paham karakteristik dioda zener, dan mengukur tegangan dan arus pada dioda
zener.
3. Siswa paham karakteristik LED, membuat kurva karakteristik LED, dan paham
penggunaan LED.
4. Siswa mampu menguji transistor bipolar PNP dan NPN.
5. Siswa paham karakteristik FET, dan membuat kurva karakteristik FET.
6. Siswa paham karakteristik SCR, dan paham penggunaan SCR
7. Siswa paham karakteristik UJT, dan paham pengoperasian UJT.
B. Dasar Teori
1. Karakteristik Dioda
Jika semikonduktor tipe-p dan tipe disatukan pada sebuah persimpangan, dioda
pn-junction akan terbentuk. Lubang dan elektron bergabung tetapi hanya untuk
wilayah sempit tepat di persimpangan. Alasan daerah sempit rekombinasi adalah
bahwa tipe p menjadi bermuatan negatif ketika lubang pindah ke plynund, tipe n
menjadi bermuatan positif saat elektron pindah ke tipe p. Daerah sempit disebut
daerah penipisan atau muatan ruang.
Gambar 3-1 (a), bagian anoda disambungkan dengan terminal positif sumber
listrik dan bagian katoda disambungkan dengan terminal negatif. Adanya tegangan
eksternal akan mengakibatkan ion-ion yang menjadi penghalang aliran listrik menjadi
tertarik ke masing-masing kutub. Ion-ion negatif akan tertarik ke sisi anoda yang
positif, dan ion-ion positif akan tertarik ke sisi katoda yang negatif. Hilangnya
penghalang-penghalang tersebut akan memungkinkan pergerakan elektron di dalam
dioda, sehingga arus listrik dapat mengalir seperti pada rangkaian tertutup.
Gambar 3-1 (b), bagian anoda disambungkan dengan terminal negatif sumber
listrik dan bagian katoda disambungkan dengan terminal positif. Adanya tegangan
eksternal akan mengakibatkan ion-ion yang menjadi penghalang aliran listrik menjadi
tertarik ke masing-masing kutub. Pemberian tegangan negatif akan membuat ion-ion
negatif tertarik ke sisi katoda (tipe N) yang diberi tegangan positif, dan ion-ion positif
tertarik ke sisi anoda (tipe P) yang diberi tegangan negatif. Pergerakan ion-ion
 tersebut searah dengan medan listrik statis yang menghalangi pergerakan elektron,
sehingga penghalang tersebut akan semakin tebal oleh ion-ion. Akibatnya, listrik
tidak dapat mengalir melalui dioda dan rangkaian diibaratkan menjadi rangkaian
terbuka.

Gambar 3-1. Dioda Kondisi Bias Maju (a) dan Bias Mundur (b)
2. Karakteristik Dioda Zener
Dioda Zener memiliki karakteristik yang akan mengalirkan arus listrik
berlawanan arah jika mendapat tegangan yang lebih besar dari tegangan tembus atau
zener (breakdown voltage) sesuai ukuran dioda zener tersebut. Besarnya tegangan
tembus atau zener ini terdiri dari berbagai jenis seperti 5 volt, 9 volt dan biasanya
besar tegangan tersebut tertera pada badan dioda zener itu sendiri.
Perbedaan dengan dioda biasa yaitu pada dioda zener yang dipasangkan dalam
posisi rangkaian reverse bias (bias mundur) akan mengalirkan arus listrik yang
berlawanan arah ketika tegangan yang diberikan melebihi batas tegangan tembus
(breakdown voltage) atau zener tersebut. Sedangkan dioda biasa hanya akan
mengalirkan arus listrik ke satu arah saja. Dioda zener sendiri jika diberikan tegangan
pada posisi rangkaian forward bias (bias maju), dioda zener akan memberi drop
voltage sekitar 0,6 volt seperti pada dioda yang dibuat dari silicon.
Dioda zener adalah salah satu jenis dioda yang memiliki sisi ekslusif pada
daerah breakdownnya, sehingga dioda ini dapat dimanfaatkan sebagai komponen
dalam rangkaian stabilizer atau pembatas tegangan. Pada dasarnya struktur dioda
zener hampir sama dengan dioda biasa pada umumnya, hanya konsentrasi doping saja
yang berbeda. Karakteristik dioda zener juga sama seperti dioda pada umumnya,
namun pada daerah breakdown dimana ketika bias mundur mencapai tegangan
tembus (breakdown voltage) maka arus dioda naik dengan cepat. Daerah breakdown
inilah yang kemudian menjadi tegangan referensi dari penerapan dioda zener tersebut.

Gambar 3-2. Kurva Karakteristik Dioda Zener

3. Karakteristik LED (Ligh miting Diode)
Dioda pemancar cahaya (LED) banyak digunakan dalam rangkaian elektronik
untuk tujuan indikasi LED bergantung pada sambungan pn semikonduktor yang
memancarkan foton sebagai hasil rekombinasi elektron-lubang dalam struktur Di
dioda S dan Ge, energi dari rekombinasi adalah dikirim ke kristal terutama sebagai
panas tetapi untuk dioda persimpangan yang terbuat dari galium arsenida (GaAs)
energi rekombinasi sebagian besar dalam bentuk foton yang dipancarkan. Panjang
gelombang yang dipancarkan oleh LED berada di wilayah yang terlihat dan
bergantung pada bahan semikonduktor yang dipilih
Karakteristik IV dari LED serupa dengan dioda pn-junction untuk keperluan
umum kecuali untuk tegangan bias maju yang lebih tinggi, sekitar 1,5VA sedikit bias
tegangan maju menyebabkan arus maju I meningkat secara eksponensial Dengan bias
tegangan balik arus balik masuk tetap konstan sampai daerah kerusakan tercapai
dimana arus balik meningkat dengan cepat dengan peningkatan tegangan
4. Karakteristik Transistor Bipolar PNP dan NPN
a. Transistor bipolar PNP
Pada dasarnya, dalam konstruksi transistor jenis ini, dua Dioda dibalik
sehubungan dengan tipe NPN yang memberikan tipe konfigurasi Positive-
Negative-Positive, dengan panah yang juga mendefinisikan terminal Emitter kali
ini yang menunjuk ke dalam simbol transistor.
Kemudian, transistor PNP memakai arus Base kecil dan tegangan Base
negatif buat mengontrol arus Emitter-Collector yg jauh lebih besar . Dengan
istilah lain untuk transistor PNP, Emitter lebih positif terhadap Base & juga
terhadap Collector.
Untuk menentukan apakah sebuah transistor merupakan tipe PNP atau tipe
NPN menggunakan menguji Resistansinya pada antara tiga yg berbeda, Emitter,
Base, dan Collector. Dengan menguji setiap pasangan transistor mengarah pada
kedua arah dengan multimeter akan menghasilkan enam tes total menggunakan
nilai resistansi yg diharapkan pada Ohm yang diberikan di bawah ini.
 Terminal Emitor ke Basis harus bertindak seperti dioda normal dan berjalan
satu arah saja.
 Terminal Kollektor-Basis bertindak seperti dioda normal dan berjalan satu arah
saja.
 Terminal Emitor-Kollektor tidak boleh berjalan di kedua arah.

Kontruksi transistor PNP terdiri berdasarkan dua bahan semikonduktor tipe-

P di kedua sisi bahan tipe-N seperti yang ditunjukkan di bawah ini.
 Gambar 3-3. Kontruksi Transistor PNP
b. Transistor bipolar NPN
Tegangan konstruksi dan terminal untuk transistor NPN bipolar Base dan
Emitter (VBE), positif di Base dan negatif di Emitter karena untuk transistor NPN,
terminal Base selalu positif sehubungan dengan Emitter. Tegangan supply
Collector juga positif sehubungan dengan Emitter (VCE). Jadi untuk transistor
NPN bipolar untuk menjalankan Collector selalu lebih positif terhadap Base dan
Emitter. Jadi pada Transistor NPN itu membawa arus negatif (elektron) melalui
daerah Basis, karena elektron ini untuk mengontrol arus pada kolektor dan emitor.
Kemudian kita bisa melihat bahwa transistor adalah perangkat yg
dioperasikan bahwa arus besar (Ic) mengalir bebas melalui antara teriminal
kolektor & terminal emitor ketika transistor diaktifkan sepenuhnya-ON. Tetapi,
ini hanya terjadi waktu arus (Ib) mengalir ke terminal Base transistor dalam saat
yang sama sehingga memungkinkan basis menjadi control input arus.

Kontruksi transistor PNP terdiri berdasarkan dua bahan semikonduktor tipe-

P di kedua sisi bahan tipe-N seperti yang ditunjukkan di bawah ini.

Gambar 3-4. Kontruksi Transistor NPN

C. Alat dan Bahan

1. Module Linier Circuit Lab KL – 21001
2. Module Electronic Ciercuit Fundamental Experiment KL – 13007
3. Kabel/Jumper box (KL-200)
D. Langkah Kerja
1. Karakteristik Dioda
a. Siapkan modul KL - 13007 dan modul KL – 21001 dan hubungkan module KL –
21001 ke sumber tegangan 220V.
b. Pada KL – 13007 temukan blok a dan buat rangkaian seperti gambar 3-1 dan
gambar 3-2.
 Gambar. 3-1 Gambar. 3-2

c. Atur catu daya ke 10V dan hubungkan ke V+.

d. Gunakan voltmeter, ukur dan catat tegangan antar ujung terminal 1 dan kaki 3
pada VR1. EvR1 = ………………….. V
VR1 digunakan untuk mengukur tegangan yang diterapkan ke diode D1 dan R1,
dan untuk melindungi D1.
e. Putar VR1 dan ukur tegangan pada R1 untuk mendapatkan 0.1V. Untuk
mendapatkan arus maju sebesar I = 0.1mA yang melalui D1.
f. Ketika mencapai 0.1mA, ukur tegangan pada D1 dan catat sebagai V F pada table
3.1. Selasaikan pengukuran VF lainnya pada table 3.1 dengan menyusaikan VR1
untuk nilai yang ditunjukan [IF (mA)].F

Tabel. 3.1
IF (mA) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VF (V)

g. Masukkan nilai IF dan VF yang diperoleh pada gambar grafik 3-3 dibawah dengan
memberikan tanda titik. Kemudian gambar kurva halus yang melalui titik – titik
tersebut. Kurva ini adalah kurva karakteristik Dioda.

Gambar. 3-3 Kurva Karakteristik Dioda

2. Karakteristik Dioda Zener
a. Siapkan modul KL - 13007 dan modul KL – 21001 dan hubungkan module KL –
21001 ke sumber tegangan 220V.
b. Pada KL – 13007 temukan blok a dan buat rangkaian seperti gambar 3-4 dan
gambar 3-5.

Gambar. 3-4 Gambar. 3-5

c. Atur catu daya ke 15V dan berikan tegangan + ke V+.

d. Pada rangkaian Dioda zener beroperasi pada bias …………………..
e. Hubungkan Voltmeter Dc ke terminal ZD. Putar VR1 secara bertahap dari kiri kr
kanan dan amati perubahan tegangan ZD hingga tetap konstan. Catat tegangan ZD
pada table 3.2.
f. Ukur tegangan di R2. Hitung arus dengan menggunakan rumus I R = IZD = VR2/R2.
Dan catat hasilnya pada tebel 3.2.
g. Ukur tegangan input Vin antara terminal 1 dan 2 VR1 dan catat hasilnya pada table
3.2.

Tabel. 3.2
Tegangan Input
Posisi VR1 Tegangan ZD Arus ZD
(melalui VR1-2)
Reference Poin
Fully CW

h. Putar VR1 ke arah kanan dan ulangi langkah e – g.

i. Atur catu daya ke 5V danberikan teganngan – ke V+.
Pada rangkaian Dioda zener beroperasi pada bias …………………..
Putar VR1 secara bertahap dan ukut tegangan ZD.
VZD tetap pada tgangan ………………………
VZD ini disebut tegangan ……………… pada diode
3. Karakteristik LED
a. Siapkan modul KL - 13007 dan modul KL – 21001 dan hubungkan module KL –
21001 ke sumber tegangan 220V.
b. Pada KL – 13007 temukan blok a dan buat rangkaian seperti gambar 3-6 dan
gambar 3-7.

Gambar. 3-6 Gambar. 3-7

c. Atur catu daya ke 10V dan berikan tegangan + ke V+.
d. Putar VR1 dan amati pergerakan display milliampere hinnga mancapai 1mA.
Nilai arus ini adalah arus maju pada LED.
e. Hubungkan voltmeter DC ke terminal LED, ukur dan catat tegangan maju yang
melalui Ve dan LED pada table 3.3.
Table 3.3
IF (mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VF (V)

f. Ulangi langkad d dan e untuk melengkapi table 3.3 dengan menyesuaikan nila IF.
g. Masukkan lai IF dan VF dati table 3.3 ke gambar 3-8 grafik kurva dengan
memberi tanda titik. Ini adalah kurva arus pada LED.

Gambar. 3-8
h. Membalik polaritas catu daya, dan mengukur tegangan antaran terminal LED.
Apakah LED menyala atau mati ? ………………………….
 4. Karakteristik Transistor
a. Siapkan modul KL - 13007 dan modul KL – 21001 dan hubungkan module KL –
21001 cari TR1 (NPN) dan TR2 (PNP) pada lokasi C.
b. Setel saklar pemilih multimeter ke posisi x100. Hubungkan probe hitam ke
terminal B dari TR1 dan probe merah ke terminal E, ukur dan catat resistansi
maju Rf. Kemudian pindahkan probe merah ke terminal C, ukur dan catat
resistansi maju Rf pada table 3.4.
c. Setel saklar pemilih multimeter ke posisi x10K. Hubungkan probe hitam ke
terminal B dari TR1 dan probe merah ke terminal E, ukur dan catat resistansi
maju Rf. Kemudian pindahkan probe merah ke terminal C, ukur dan catat
resistansi balik Rr pada table 3.4.
d. Ulangi langkah c dan d untuk TR2
Tabel 3.4
Resistansi Rf Rf Rr Rr
Transistor B-E B-C B-E B-C
TR 1
TR 2

e. Pada KL – 13007 temukan blok c dan buat rangkaian seperti gambar 3-8 dan
gambar 3-9.

Gambar. 3-8 Gambar. 3-9

f. Atur catu daya ke 15V dan berikan tegangan + ke V+.

VR2 digunakan untuk mengatur arus basis IB dari TR1.
g. Setel VR2 pada posisi tengah. Perlahan putar VR3 ke arah kanan, dan ukur
penurunan tegangan pada R6 sampai mendapat tegangan 0.1V yang ditunjukan
oleh voltmeter.
Dengan menggunakan rumus IB = VR6/R6, hitung arus yang melalui basis.
 h. Hubungkan voltmeter ke terminal C dan E. Perlahan putar VR3 untuk mendapat
VCE = 1V.
i. Ukur penurunan tegangan pada R7. Dengan menggunakan rumus hukum ohm,
hitung arus collector dan catat hasilnya pada table 3.5.
Tabel. 3.5
IB = 10 µA
VCE (V) 1 2 3 4 5 6
IC (mA)

j. Ulangi langkah h dan i untuk nilai lain VCE dan selesaikan table 3.5.
k. Atur arus basis IB = 20µA dengan memutar VR2 kearah kanan untuk
mendapatkan VR6 = 0.2 V.
l. Putar VR3 untuk VCE = 1V
m. Ukur penurunan tegangan pada R7. Dengan menggunakan hukum ohm, hitung
arus colektor. Dan catat hasisnya pada table 3.6.
Tabel. 3.6

IB = 20 µA
VCE (V) 1 2 3 4 5 6
IC (mA)

n. Ulangi langkah h dan i untuk nilai lain VCE dan selesaikan table 3.6.
o. Atur arus basis IB = 30µA dengan memutar VR2 kearah kanan untuk
mendapatkan VR6 = 0.3 V.
p. Putar VR3 untuk VCE = 1V
q. Ukur penurunan tegangan pada R7. Dengan menggunakan hukum ohm, hitung
arus colektor. Dan catat hasisnya pada table 3.6.
Tabel. 3.7

IB = 30 µA
VCE (V) 1 2 3 4 5 6
IC (mA)
r. Masukkan nilai pada table 3.5 ke gambar 3-10 grafik kurva dengan memberi
tanda titik. Kurva ini adalah kurva karakteristik IC VS VCE. Untuk IB = 10 µA.
s. Ulangi langkah r untuk kurva pada table 3.6 (IB = 20 µA dan table 3.7 (IB = 30 µA).

E. Kesimpulan
1. Karakteristik Dioda
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
 …………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………….
2. Karakteristik Dioda Zener
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………….
3. Karakteristik LED
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………….
4. Karakteristik Transistor
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………….