TRANSISTOR SAMBUNGAN DWIKUTUB (E6) – 5001211003 – MYRA RIZKY ARDELIA
Transistor Sambungan Dwikutub (E6)
Myra Rizky Ardelia, Raditya Cakra Yudha, dan Bachtera Indarto
Departemen Fisika, Fakultas Sains Dan Analitika Data, Institut Teknologi Sepuluh Nopember (ITS)
Jl. Arief Rahman Hakim, Surabaya 60111 Indonesia
e-mail: myra.rizkykiki@gmail.com
Abstrak—Praktikum dengan judul Transistor Sambungan
Dwikutub dengan tujuan untuk mengetahui prinsip kerja
transistor sambungan dwikutub, melakukan karakterisasi
masukan transistor sambungan dwikutub melalui paramter
arus dan tegangan dan untuk mengetahui cara kerja transistor
sambungan dwikutub sebagai saklar pengendali arus. Prinsip
yang digunakan pada praktikum kali ini adalah tegangan,
arus, resistansi, semikonduktor (dioda), bipolar juction
transistor (NPN dan PNP), BJT circuit configuration, P-N
junction dan daerah operasi BJT, serta kurva karakteristik
BJT input dan output. Di praktikum ini hanya dilakukan satu
jenis pengambilan data. Ada 2 variasi V CE, yaitu 1 V dan 2 V.
Kesimpulan yang dapat diambil dari praktikum ini yaitu
prinsip kerja transistor sambungan dwikutub adalah arus
kecil pada basis akan berubah menjadi lebih besar di kolektor,
karenak ada nilai hFE atau indikator penguat. Di mana setiap
transistor mempunyai nilai hFE yang berbeda. Karakteristik
masukan pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan
antara VBE dengan IB. Untuk karakterisasi transfer berupa plot
IC terhadap IB untuk suatu harga VCE tertentu. Selain dengan
multimeter, nilai IC dan IB dapat digunakan untuk menentukan
hFE. Transistor dwikutub dapat berfungsi sebagai saklar
pengendali arus dengan diberi pemicu agar dapat mengalirkan
arus. Ketika basis dialiri arus, maka kaki emitor kolektor bisa
mengalirkan arus dan lampu dapat menyala. Faktor error
yang terjadi berasal dari suhu ruang yang mempengaruhi
kinerja komponen dalam rangkaian, seperti hambatan dan
transistor yang nilainya juga bisa berubah bergantung pada
suhu.
Kata Kunci— P-N Junction, Semikonduktor, Transistor NPN.
I. PENDAHULUAN
D alam alat elektronik saat ini terdapat sebuah sistem
penerangan atau lampu yang dilengkapi dengan
transistor. Fungsinya adalah sebagai saklar untuk LED.
Ketika LED dalam jumlah banyak dirangkai secara paralel,
dan LED dinyalakan secara langsung melalui kaki
controller, maka LED tidak akan menyala. Untuk itu perlu
di buat rangkaian Transistor sebagai saklar atau sebagai
penguat tegangan dan arus. Sebagai contohnya seperti
lampu yang dapat diatur tingkat terang cahayanya.
Konsepnya ialah ketika arus dan tegangan dinaikkan, maka
lampu akan semakin terang. Sebaliknya ketika arus dan
tegangan tidak dialirkan maka lampu akan mati. Dengan
transistor, arus atau tegangan yang melintasi lampu dapat
diperkuat maupun diputus.
Komponen elektronika yang paling sering disebut
adalah tegangan, arus dan resistansi. Tegangan listrik adalah
tegangan yang terukur pada komponen elektronika dari satu
titik ke titik lain. Tegangan listrik dapat menyebabkan
muatan negatif dalam suatu rangkaian listrik bergerak.
Satuan Internasional tegangan adalah Volt (V). Lalu terdapat
komponen arus listrik, arus listrik adalah banyaknya muatan
negatif yang melewati sebuah titik dalam selang waktu
1
tertentu. Satuan untuk arus listrik adalah Ampere (A).
Berdasarkan arah aliran listriknya arus dibagi menjadi 2,
yaitu arus searah (DC) dan arus bolak balik (AC). Arus
searah atau Directional Current (DC) adalah arus listrik
yang bergerak pada satu arah, positif atau negatif saja.
Sedangkan, arus bolak balik atau Alternating Current (AC)
adalah arus yang dapat mengalir pada arah positif dan
negatif (bolak balik). Berdasarkan jenisnya, arus listrik
dibagi menjadi 2 juga. Yang pertama arus konvensional,
yaitu arus yang bergerak dari potensial tinggi ke rendah.
Arus konvensional disebabkan oleh hole yang bergerak dari
positif ke negatif. Kemudian, hambatan listrik adalah besar
kemampuan dari suatu objek untuk menghambat aliran arus
listrik. Satuan internasional dari hambatan adalah Ohm (Ω)
[1].
Semikonduktor merupakan bahan yang memiliki sifat
isolator atau konduktor di kondisi tertentu. Elektron
berpindah dari satu atom ke atom lainnya dengan kondisi
dan perlakuan tertentu seperti pada besar tegangan, suhu
semikonduktor, dan lainnya. Semikonduktor bersifat
demikian karena ia memiliki gap (energi untuk
memindahkan elektron dari pita valensi ke pita konduktansi)
yang lebih kecil dari isolator, tetapi lebih besar dari pada
konduktor. Karena hal tersebut, elektron dari bahan
semikonduktor masih memiliki kemungkinan untuk
berpindah dari satu tempat ke tempat yang lain dalam
kondisi tertentu. Komponen utama semikonduktor adalah
silikon yang ditambahi dengan bahan dopping.
Semikonduktor tersebut akan diberi dopping berupa atom
dengan valensi tiga atau lima. Berdasarkan bahan
penyusunnya, semikonduktor terbagi menjadi dua macam.
Semikonduktor intrinsik yang komposisinya memiliki ikatan
kovalen. Seperti atom Si, Ge, C, dan sebagainya. Untuk
semikonduktor ekstrinsik komponennya terbentuk dari
semikonduktor murni yang ditambahi atom dopping.
Semikonduktor ekstrinsik terdiri atas dua tipe, yaitu Tipe-N
(yang bersifat lebih negatif) dan Tipe-P (yang bersifat lebih
positif [2].
Dioda merupakan komponen elektronika yang bersifat
semikonduktor. Ia merupakan gabungan dari Tipe-N dan
Tipe-P Serta berfungsi sebagai penyearah arus. Struktur
utama dioda adalah dua buah kutub dengan semikonduktor
silikon Tipe P dan silikon Tipe N. Pertemuan antara Sisi P
dan Sisi N (P-N Junction) akan membentuk suatu pembatas
yang biasa disebut depletion layer. Ketika diberi bias positif
(Forward Bias) maka kutub positif sumber listrik akan
dihubungkan pada sisi P, sehingga tegangan di sisi P akan
lebih tinggi daripada di sisi N. Maka elektron dari sisi N
akan bergerak untuk mengisi kekosongan di area P. Setelah
mengisi bagian P, di bagian N akan terdapat kekosongan.
Hal ini disebut aliran hole atau arus dari sisi ke P ke sisi N.
Begitu juga sebaliknya, ketika rangkaian diberi bias negatif
TRANSISTOR SAMBUNGAN DWIKUTUB (E6) – 5001211003 – MYRA RIZKY ARDELIA
Gambar 1. Skema alat untuk rangkaian pertama transistor sambungan
dwikutub.
(Reverse Bias) atau kutub positif dihubungkan ke kutub
negatif sumber listrik, maka sisi N akan mendapat potensial
yang lebih tinggi daripada sisi P. Sehingga arus akan
mengalir dari sisi N ke sisi P, dan arus dari sumber listrik di
rangkaian tidak akan bisa melalui semikonduktor [3].
Transistor sambungan dwikutub (Bipolar Junction
Transistor) adalah salah satu jenis dari transistor.
Komponen ini merupakan peralatan dengan tiga jalur aliran
listrik yang tersusun dari bahan semikonduktor dan dopping
nya. Dijuluki dwikutub karena dalam cara kerjanya yang
menggumnakan arus elektron dan arus dari hole. Berbeda
dengan transistor satu kutub seperti FET yang hanya
menggunakan salah satu arus. Hampir semua arus pada
transistor merupakan pembawa minoritas, karenanya BJT
diklasifikasikan untuk komponen pembawa minoritas. NPN
merupakan satu dari dua tipe BJT, huruf N dan P
menunjukkan makna untuk pembawa muatan mayoritas
pada daerah yang ada di dalam transistor. N untuk elektron
dan P untuk hole. Hampir seluruh BJT di pasaran saat ini
adalah NPN. Penyebabnya adalah pergerakan elektron
dalam semikonduktor jauh lebih tinggi dari pada pergerakan
hole, hal ini memungkinkan pengaliran arus yang lebih
efektif dan berkecepatan tinggi. Transistor NPN terdiri dari
semikonduktor tipe P yang di himpit dengan dua lapisan tipe
N. Arus kecil yang memasuki basis pada kaki emitor
diteguhkan pada keluaran kolektor. Simple-nya, transistor
NPN mulai aktif ketika tegangan basis bertambah tinggi dari
pada di emitor. Tanda panah pada simbol kaki emitor
menunjukkan keluar (arah arus konvensional ketika kondisi
bias maju). Selain NPN ada juga tipe transistor PNP.
Transistor PNP terdiri dari sebuah semikonduktor tipe N
yang dihimpit oleh dua semikonduktor tipe P. Arus kecil
yang mengalir dari basis pada moda tunggal emitor,
diteguhkan pada keluaran pada kolektor. Sederhananya,
transistor PNP akan aktif ketika arus pada basis lebih rendah
dari arus di emitor. Terdapat tanda panah pada simbol
emitor dan mengarah kedalam [3].
Yang dimaksud dengan Konfigurasi Common Base (CB)
atau Basis Bersama adalah konfigurasi dimana kaki Basis-
nya di-ground-kan dan digunakan bersama untuk input
maupun output. Pada Konfigurasi Common Base, sinyal
input diarahkan ke Emitor dan sinyal output didapatkan dari
Kolektor, sedangkan kaki Basisnya di-ground-kan. Oleh
karena itu Common Base juga disebut dengan “Grounded
Base”. Konfigurasi Common Base dapat menghasilkan
penguatan tegangan sinyal input dan sinyal output, namun
tidak dapat melakukan penguatan pada arus. Selanjutnya ada
konfigurasi Common Collector (CC) atau Kolektor
Bersama, konfigurasi ini memiliki sifat dan fungsi yang
berkebalikan dengan Common Base (Basis Bersama). Pada
2
Common Base menghasilkan penguatan tegangan tanpa
memperkuat Arus, sedangkan Common Collector dapat
melakukan penguatan arus namun tidak bisa menguatkan
tegangan. Pada konfigurasi Common Collector, input
diberikan pada Basis sedangkan output-nya didapatkan dari
Emitor sedangkan Kolektor di-ground-kan dan digunakan
bersama untuk input maupun output. Konfigurasi Kolektor
bersama (Common Collector) ini disebut juga dengan
Pengikut Emitor (Emitter Follower) karena tegangan sinyal
output pada Emitor hampir sama dengan tegangan output
basis. Terakhir ada konfigurasi Common Emitter (CE) atau
Emitor Bersama merupakan konfigurasi transistor yang
paling sering digunakan, terutama pada proses penguatan
yang membutuhkan penguatan tegangan dan arus secara
bersamaan. Hal ini dikarenakan konfigurasi transistor pada
Common Emitter ini dapat menghasilkan penguatan
tegangan dan arus antara sinyal input dan sinyal output.
Common Emitter adalah konfigurasi transistor dimana kaki
Emitor di-ground-kan dan dipergunakan bersama untuk
input dan output. Pada konfigurasi Common Emitter ini,
sinyal input dialirkan ke Basis dan sinyal output diperoleh
dari kaki Kolektor [4].
Daerah kerja transistor, normalnya ada pada daerah aktif,
yaitu ketika arus IC konstan terhadap berapapun nilai VCE.
Daerah kerjanya biasa juga disebut daerah linear (linear
region). Daerah saturasi adalah mulai dari V CE =0 Volt
Sampai kira-kira 0.7 Volt (untuk transistor silikon). Ini
diakibatkan oleh efek P-N junction kolektor-basis yang
membutuhkan tegangan dengan besar tertentu agar mampu
mengalirkan elektron seperti pada dioda. Untuk Cut-off,
transistor menjadi “fully-off” dan I C =0 . Daerah dengan
tegangan VCE cukup kecil sehingga arus I C =0 atau I B=0.
Untuk transistor dalam kondisi off adalah daerah
breakdown. Dari kurva kolektor (pada datasheet), terlihat
jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC akan meningkat
dengan cepat. Transistor pada daerah ini akan berada pada
daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja
pada daerah ini, karena dapat merusak transistor. Untuk
berbagai jenis transistor, nilai tegangan VCE maksimal yang
diperboleh sebelum breakdown cukup bervariasi [5].
Kurva karakteristik input untuk konfigurasi basis bersama
(CB), menjelaskan hubungan antara arus input IE dengan
tegangan input VBE untuk tegangan output VCB yang
bervariasi. Tegangan VCB dapat dijadikan sebagai parameter.
Bentuk kurvanya hampir sama dengan kurva dioda ketika
diberi bias maju. Yang terjadi pada transistor juga sama, hal
ini dikarenakan sambungan emitor-basis transistor diberi
bias maju. Pada saat tegangan VBE berada di sekitar 0,7 Volt
(tegangan cut-in) arus IE akan meningkat dengan cepat.
Untuk kurva output-nya sendiri menggambarkan hubungan
antara arus output IC dengan tegangan output VCB untuk
berbagai variasi arus input IE. Dalam hal ini arus IE berperan
sebagai parameter. Selanjutnya ada kurva untuk
karakteristik input pada konfigurasi emitor bersama (CE)
untuk transistor NPN bahan silikon. Kurvanya
mengimplementasikan hubungan antara arus input IB dengan
tegangan input VBE dengan beberapa variasi tegangan output
VCE. Di sini VCE berperan sebagai parameter. Bentuk
kurvanya ini mirip dengan kurva input pada CB. Untuk
kurva output-nya, menunjukkan hubungan antara arus
TRANSISTOR SAMBUNGAN DWIKUTUB (E6) – 5001211003 – MYRA RIZKY ARDELIA
output IC dengan tegangan output VCE dengan variasi besar
arus IB. Terakhir, ada kurva untuk emitor bersama di mana
ia menggambarkan hubungan antara arus output IC dengan
tegangan input VBE. Transistor silikon akan mati (cut-off)
apabila tegangan V BE=0 Volt (basis dalam kondisi
hubungan singkat dengan emitor). Dalam keadaan ini aka
nada arus bocor yang mengalir di kolektor sebesar I CES. Jika
basis terbuka atau I B=0 dan V BE=0,06 Volt, maka arus
bocor yang mengalir pada kolektor adalah sebesar I CEO.
Besar arus di kolektor ketika VBE belum mencapai tegangan
cut-in sangat kecil. Setelah VBE mencapai tegangan cut-in
transistor masuk ke daerah aktif di mana arus I C mulai naik
dengan cepat. Tegangan VBE lebih besar dari 0,8 Volt
menyebabkan transistor masuk daerah jenuh (saturasi)[5].
II. METODOLOGI
A. Alat dan Bahan
Terdapat beberapa alat dan bahan yang digunakan pada
praktikum ini. Pertama multimeter digital sebanyak tiga
buah yang digunakan untuk mengukur arus dan tegangan.
Kedua, sebuah project board sebagai tempat merangkai
rangkaian listrik. Ketiga kabel jumper secukupnya dengan
spesifikasi male-to-male berfungsi sebagai penghubung
natar komponen dalam rangkaian. Keempat, dua buah DC
generator sebagai sumber listrik searah. Kelima resistor
dengan hambatan sebesar 220, 1K, dan 100K Ω sebanyak
enam buah untuk menghambat arus. Keenam dua buah LED
sebagai indikator uji transistor dan komponen yang akan
diamati. Ketujuh Transistor NPN spesifikasi BC547
sebanyak dua buah sebagai switching dan stabilisasi
tegangan pada rangkaian.
B. Skema Rangkaian
Skema rangkaian untuk praktikum ini ada dua macam,
3
sambungan untuk rangkaian satu pada Gambar 2 dan
rangkaian 2 pada Gambar 3 di atas.
C. Langkah Kerja
Pada praktikum ini ada beberapa langkah kerja yang perlu
dilakukan. Pertama alat dan bahan yang akan dirangkai
disiapkan, transistor dan komponen-komponen yang lain
dikelompokkan supaya tidak tertukar. Pada praktikum ini
hanya dilakukan percobaan karakterisasi masukan transistor
sambungan dwikutub. Berikutnya alat dan bahan dirangkai
sesuai skema alat. Untuk karakterisasi masukan, tegangan
VCE ditetapkan dengan mengatur VCC ke konfigurasi tertentu
(nilai VCE diambil 1V, nilai VCE selalu diperhatikan dengan
multimeter). Lalu, nilai VBB diubah dari 0 hingga 10V,
dengan selisih tiap kenaikan sebesar 1V. Apabila nilai
tegangan VCE berubah, atur kembali VCC agar nilai VCE
konstan. Langkah berikutnya dalam waktu yang bersamaan,
tegangan yang muncul pada kaki-kaki resistor R B dan
tegangan VBE diukur. Di ukur pula besarnya I B, atau bisa
didapatkan dengan hukum ohm (membagi tegangan pada
kaki-kaki resistor RB dengan resistansinya). Terakhir,
langkah-langkah diulangi untuk tegangan VCE sebesar 2V.
Untuk menemukan nilai hFE, multimeter di hubungkan
untuk mengukur besarnya IB, lalu IB disesuaikan dengan
datasheet multimeter. Untuk menemukan nilai hFE dapat
dilakukan dengan mengatur VBB. Pada percobaan transistor
sambungan dwikutub sebagai saklar, langkah yang perlu
dilakukan adalah alat dan bahan dirangkai sesuai skema
rangkaian. Lalu, VBB diatur pada 5V. Kemudian, VBB
diturunkan secara perlahan hingga LED menyala. Pada saat
LED tepat menyala, VBB berhenti diturunkan dan tegangan
antara kaki basis dan kaki kolektor pada transistor dicatat.
Selanjutnya, VBB kembali diputar dengan prosedur yang
sama. Terakhir, hasil percobaan didiskusikan dengan
asisten.
TRANSISTOR SAMBUNGAN DWIKUTUB (E6) – 5001211003 – MYRA RIZKY ARDELIA 4

Tabel 3. Nilai hFE dari perhitungan dengan nilai I C dan I B yang terukur
0.3
pada multimeter dengan tegangan V CE sebesar 1V
0.25
Kenaikan
Tegangan I B (mA) I C m(A) hFE ( β ) 0.2

Ic (mA)
(VBB)
1 0,01 0,056 5,60 0.15
2 0,02 0,073 3,65 0.1
3 0,03 0,089 2,97
4 0,04 0,112 2,80 0.05
5 0,05 0,129 2,58
6 0,06 0,148 2,47
-4.16333634234434E-17
0.95 1.45 1.95 2.45 2.95
7 0,07 0,169 2,41
8 0,08 0,188 2,35 Vce (V)
9 0,09 0,212 2,36
10 0,10 0,232 2,32
Gambar 4. Grafik hubungan antara IC dan VCE = 1V pada praktikum
Tabel 4. Nilai hFE dari perhitungan dengan nilai I C dan I B yang terukur hFE menggunakan data di tabel pertama ketika VBB bernilai
3V.
pada multimeter dengan tegangan V CE sebesar 2V
Diketahui: IC = 0,089 mA
Kenaikan IB = 0,03 mA
Tegangan I B (mA) I C (mA) hFE ( β )
(VBB) Ditanya: β ?
1 0,01 0,059 5,90 Jawab:
2 0,03 0,077 2,57
3 0,05 0,096 1,92
IC
4 0,06 0,116 1,93
β=
5 0,07 0,135 1,93
IB
6 0,08 0,179 2,24 0,089 mA
7 0,09 0,180 2,00 β=
8 0,09 0,200 2,22 0,03 mA
D.
9
Flowchart
0,10 0,220 2,20 β=2,97
Dengan cara perhitungan yang sama, dapat dihitung nilai
Dari langkah kerja yang ada di atas dapat dibuat sebuah
hFE transistor dari data-data yang lain. Cara perhitungan
flowchart atau diagram alir sederhana yang dapat dilihat di
untuk memperoleh hasilnya sama dengan contoh
bagian lampiran pada Lampiran 1.
perhitungan pada bagian perhitungan. Hasil perhitungan ini
E. Persamaan nantinya akan dibandingkan dengan hasil pengukuran
Persamaan yang digunakan dalam praktikum ini adalah menggunakan multimeter. Pada pengukuran dengan
persamaan untuk menentukan nilai hFE atau dari transistor multimeter didapatkan nilai hFE sebesar 3. Hasil dari
dwikutub di rangkaian pertama. Nilai hFE dapat dicari perhitungan hFE dapat dilihat dalam Tabel 3 dan Tabel 4.
dengan membagi nilai IC dan IB. Berikut ini adalah C. Grafik
persamaannya.
Dari data yang telah diperoleh pada saat praktikum
IC Transistor Sambungan Dwikutub, dapat dibuat sebuah grafik
β= (1)
IB sebagai pengimplementasian data-data yang telah diperoleh.
Di mana β adalah nilai hFE, IC adalah arus pada kolektor, Grafik antara IC dan VCE dapat dilihat pada Gambar 4 dan
dan IB adalah arus pada basis. Dari persamaan ini dapat Gambar 5. Ketika ditarik garis dari titik dasar ke titik-titik
dilakukan perhitungan untuk menentukan besarnya nilai tersebut, akan didapatkan grafik yang menyerupai Gambar
hFE yang nantinya akan dibandingkan dengan nilai hFE dari 1, bagian kanan.
pengukuran dengan multimeter. D. Pembahasan
Telah dilakukan praktikum dengan judlul Transistor
III. ANALISIS DATA DAN PEMBAHASAN Sambungan Dwikutub, dengan tujuan untuk mengetahui
prinsip kerja transistor sambungan dwikutub, melakukan
A. Analisis Data
karakterisasi masukan dan keluaran transistor sambungan
Setelah dilakukan praktikum dengan Transistor dwikutub melalui parameter arus dan tegangan (I-V),
Dwikutub, didapatkan data dari IC dan IB dengan kenaikan mengetahui karakteristik transfer transistor sambungan
VBB yang telah ditentukan. Alat ukur yang digunakan dalam dwikutub melalui parameter arus dan tegangan (I-V), dan
praktikum ini adalah multimeter. Terdapat dua variasi nilai untuk mengetahui cara kerja transistor sambungan dwikutub
VBB yang digunakan dalam praktikum ini. Sehingga sebagai saklar terkendali arus (current driven switch).
didapatkan dua macam data seperti yang ada pada Tabel 1 Prinsip kerja yang digunakan disini adalah, tegangan, arus,
dan Tabel 2. resistansi, dioda atau bahan semikonduktor, bipolar juction
B. Perhitungan transistor (NPN dan PNP), BJT circuit configuration, P-N
Pada perhitungan kali ini digunakan persamaan (1) yang junction dan daerah operasi BJT, serta kurva karakteristik
menghitung nilai hFE atau nilai penguat arus. Nilai ini dapat BJT untuk input dan output.
ditentukan dengan membagi nilai IC dan nilai IB. Dibawah Pada praktikum kali ini terdapat satu macam karakteristik
ini adalah satu contoh perhitungan untuk menentukan nilai transistor yang diamati, yaitu karakteristik masukan
transistor sambungan dwikutub. Karakteristik masukan
TRANSISTOR SAMBUNGAN DWIKUTUB (E6) – 5001211003 – MYRA RIZKY ARDELIA 5

adalah hubungan antara arus dan tegangan yang bentuknya akan berpengaruh pada nilai β .
dapat digambarkan dengan data dari karakteristik transfer.
Pada rangkaian ini, komponen yang diukur adalah IC, IB,
dengan mengubah nilai VBE dari 0 sampai 10V, dengan IV. KESIMPULAN
kenaikan tegangan 1v. sedangkan nilai V CE dibuat konstan Dari percobaan transistor sambungan dwikutub yang telah
dengan 2 variasi. Yaitu 1V dan 2V. Berdasarkan data yang dilakukan, diperoleh kesimpulan sebagai berikut:
diperoleh pada Tabel 1 dan 2, saat V CE bernilai 1V dan VBB  Prinsip kerja transistor sambungan dwikutub yaitu arus
dinaikkan, maka IC dan IB yang terukur pada multimeter juga bernilai kecil pada basis akan menjadi lebih besar pada
akan naik. Begitu pula pada variasi VCE dengan nilai 2V. kolektor. Penyebabnya, di transistor terdapat indikator
Setelah didapatkan data IC dan IB yang terukur, maka dapat hFE dan setiap transistor memiliki nilai hFE yang
dilakukan analisa perhitungan untuk menentukan hFE atau berbeda.
β.  Untuk karakterisasi masukan transistor sambungan
Karakteristik masukan pada transistor konfigurasi basis dwikutub adalah hubungan antara VBE dengan IB. Arus
bersama, menjelaskan hubungan antara VBE dengan IE. Pada yang masuk ke transistor akan selalu lebih kecil dari
konfigurasi emitor bersama, didapatkan hubungan antara arus yang keluar.
VBE dengan IE. Karena sambungan emitor basis seperti dioda  Untuk karakterisasi transfer berupa plot IC terhadap IB
dalam kondisi forward bias, maka tegangan kolektor basis untuk suatu nilai VCE tertentu. Nilai dari β didapatkan
pada karakteristik masukan rangkaian ini terlihat cukup dari I C =β I B .
kecil. Untuk konfigurasi emitor bersama digunakan sebagai
 Transistor sambungan dwikutub bisa digunakan sebagai
penguat arus. Transistor dapat beroperasi sebagai sakelar
saklar pengendali arus dan memerlukan sebuah pemicu
apabila terdapat tegangan pada terminal Basis. Ketika
agar dapat mengalirkan arus. Pemicu tersebut adalah
tegangan yang (VMasuk > 0,7V) diberikan antara kaki basis
arus pada basis. Saat basis dialiri arus minimal (sesuai
dan emitor dengan tegangan kolektor ke emitor mendekati 0
datasheet) maka kaki emitor kolektor akan menjadi
V. Oleh karena itu, Transistor bertindak sebagai
saklar tertutup dan dapat mengalirkan arus. Saat itulah
penghubung (saklar tertutup). Arus kolektor akan mengalir
lampu LED dapat menyala.
melalui Transistor. Ketika tidak ada tegangan pada input,
Transistor akan beroperasi di area cut-off dan bersifat seperti
rangkaian terbuka. Dengan koneksi switching, LED LAMPIRAN
diposisikan terhubung ke output switching. Sehingga ketika
transistor dinyalakan, arus akan mengalir dari sumber
tegangan menuju ke ground melalui resistor.
Prinsipnya cara kerja transistor PNP dan NPN ialah
dengan pemanfaatan gerakan hole dan elektron. Keduanya
di kondisikan sedemikian rupa, sehingga dapat
menghasilkan transistor jenis tertentu. Ditinjau dari
fungsinya, transistor PNP dan NPN tidak ada bedanya.
Keduanya sama-sama berfungsi sebagai penguat arus dan
memiliki kemampuan switching. Pada transistor PNP,
pembawa muatan mayoritas adalah hole. Sementara pada
transistor NPN pembawa muatan mayoritas adalah elektron.
Apabila transistor NPN diberi bias maju, arus konvensional
mengalir dari kutub positif sumber menuju ke basis (P) dan
keluar di emitor (N) serta kolektor (N). Sedangkan untuk
elektron, ia akan bergerak dari kutub negatif sumber menuju
ke emitor (N) dan kolektor (N). Setelah menumpuk di kedua
sisi tersebut, elektron-elektron akan bergerak untuk mengisi
hole pada sisi basis (P). setelah itu elektron akan bergerak
meninggalkan basis menuju ke kutub positif baterai.
Pada percobaan kali ini didapatkan nilai β dari
Lampiran 1. Flowchart / Diagram Alir Transistor Sambungan Dwikutub
pengukuran dengan multimeter sebesar 3. Sedangkan nilai β
yang didapatkan dari perhitungan IC dan IB berbeda dengan
data yang didapatkan dari pengukuran dengan multimeter. UCAPAN TERIMA KASIH
Hal ini dapat terjadi karena adanya error. Faktor error yang Dalam penulisan laporan praktikum ini, penulis M. A.
terjadi pada praktikum transistor sambungan dwikutub ini mengucapkan terima kasih kepada Tuhan YME karena-Nya
berasal dari suhu ruang yang mempengaruhi kinerja laporan praktikum ini dapat terselesaikan dengan tepat
komponen dalam rangkaian. Seperti hambatan yang nilai waktu. Kemudian kepada Bapak Bachtera Indarto selaku
resistansinya akan berubah seiring dengan perubahan suhu. Dosen Elektronika A dan Mas Raditya Cakra Yudha selaku
Sama dengan resistor, transistor yang merupakan bahan Asisten Laboratorium pada Praktikum Elektronika I ini yang
semikonduktor juga terpengaruhi dengan suhu. Ketika telah membantu dan memfasilitasi serta membimbing
semikonduktor semakin meningkat, maka kemampuan selama pelaksanaan praktikum ini.
untuk menghantarkan listriknya. Pada transistor, temperatur
TRANSISTOR SAMBUNGAN DWIKUTUB (E6) – 5001211003 – MYRA RIZKY ARDELIA 6

DAFTAR PUSTAKA
[1] J. D. Cutnell and K. W. Johnson, PHYSICS 8TH EDITION, 8th
ed. United States of America: JOHN WILEY & SONS, INC.,
2009.
[2] Sutikno, Pengantar Fisika dan Teknologi Semikonduktor.
Yogyakarta: Penerbit Cerdas Ulet Kreatif, 2010.
[3] C. K. Alexander and M. N. O. Sadiku, Fundamentals of Electric
Circuits Fifth Edition, vol. 51, no. 2. 2013.
[4] G. Rizzoni, Principle and Applications of Electrical Engineering.
United State of America: McGraw-Hill Companies Inc, 2000.
[5] H. D. Surjono, Elektronika : Teori dan Penerapan, no.
Elektronika. Jember: Penerbit Cerdas Ulet Kreatif, 2007.