MAKALAH ELEKTRONIKA DASAR 1

TRANSISTOR BIPOLAR

Disusun Oleh :
KELOMPOK 7
Nabila Milea Hanum (18033157)
M. Ridwan Azizi (18033099)
Tomi Sadewa (15033137)
Kurnia Andini ( 18033097)
Edja Annisa Septia ( 18033060)

Dosen Pengampu : Dr. H. Asrizal, M.Si

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2019
Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

A Pengertian dan Fungsi Transistor

Pada dasarnya suatu penguat terdiri dari transistor sebagai komponen utama, letapi
jenis transistor yang digunakan dapat berbeda-beda seperti transistor dalam bipolar,
JFET, MOSFET, transistor yang sudah tergabung dalam suatu IC, dan sebagainya.
Walaupun demikian tidak berarti peran dari komponen-komponen lain seperti resistor,
kapasitor, potensiometer, catu daya diabaikan. Gabungan dari beberapa komponen
tersebut telah melahirkan penguat yang berkualitas tinggi.
Transistor dalam elektronika termasuk kedalam komponen aktif, yang berarti untuk
dapat bekerja transistor perlu diberi catu daya (diberi bias). Peranan catu daya sangat
diperlukan untuk memberikan bias terhadap transistor. Dengan demikian suatu transistor
akan dapat bekerja apabila diberi catu daya.
Transistor yang digunakan pada penguat dalam buku ini adalah transistor bipolar
yang terbuat dari persambungan p-n. Pada dasarnya transistor berasal dari dua kata yaitu
transfer dan resistor. Dari kedua kata ini dapat dikemukakan definisi dari transistor yaitu
transfer arus listrik dari resistansi rendah ke resistansi tinggi. Transistor adalah suatu
piranti semikonduktor yang umumnya digunakan untuk memperkuat atau mensaklar
sinyal elektronika. Suatu transistor dibuat dari material semikonduktor dengan tiga
terminal untuk menghubungkannya ke rangkaian eksternal.

Gambar 9.1. Transistor

Transistor bipolar merupakan suatu piranti semikonduktor yang terdiri dari tiga
lapisan. Tipe pertama transistor terdiri terdiri dari dua lapisan tipe n dan satu lapisan dari
material. Bentuk ini disebut transistor tipe npn. Tipe kedua, transistor terdiri dari dua

1 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

lapisan tipe lapisan dari tipe p dan satu lapisan dari tipe n dari material. Bentuk ini
disebut transistor tipe pnp. Karena itu, ada dua macam transistor bipolar yang digunakan
yaitu jenis pnp dan npn.
Dalam elektronika terdapat beberapa fungsi dari transistor antara lain: transistor
sebagai penguat, transistor sebagai saklar elektronika, transistor sebagai multivibrator,
dan sebagainya Transistor dapat berperan sebagai penguat. Transistor menyediakan
penguatan daya, penguatan tegangan, atau penguatan arus (Millman, H: 1972).

B Tipe Trasistor Bipolar

Suatu transistor bipolar terdiri dari tiga kaki meliputi : kaki emitor, base, dan
kolektor. Pemberian nama masing-masing kaki transistor sesuai dengan fungsinya.
Emitor didoping sangat banyak dan berfungsi untuk mengemisikan atau menginjeksikan
elektron ke dalam basis. Basis didoping sedikit dan sangat tipis yang berfungsi untuk
melewatkan sebagian besar elektron-elektron yang diinjeksikan dari emitor ke kolektor.
Tingkat doping (doping level) dari kolektor berada pada tingkat menengah, antara tingkat
doping dari emitor dan tingkat doping dari basis kolektor dinamakan demikian, karena
kolektor mengumpulkan atau menangkap elektron-elektron dari basis (Malvino: 1986)

Gambar 9.2 Kaki transistor

Pemberian nama masing-masing kaki transistor bipolar sesuai dengan fungsinya.
Kaki emitor berfungsi untuk mengemisikan elektron, kaki base berfungsi untuk
melewatkan elektron, sedangkan fungsi dari kaki kolektor untuk mengumpulkan
elektron. Elektron dipancarkan oleh emitor diteruskan ke base dan dikumpulkan pada
kolektor. Simbol skematik dári kedua jenis transistor bipolar diberikan pada Gambar 9.1

2 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

Gambar 9.3. Simbol skematik transistor, Tipe npn dan Tipe pnp
Perbedaan antara transistor tipe npn dan pnp terletak pada polaritas pemberian
tegangan bias dan arah arus listrik yang selalu berlawanan. Dari segi fungsinya kedua
tipe trausistor ini memiliki fungsi yang sama yaitu sebagai pengantar arus listrik.
Transistor dapat membatasi arus listrik yang mengalir dari kolektor ke emitor atau
sebaliknya tergantung kepada tipe transistor yang digunakan.

C Konfigurasi Transistor

Suatu transistor bipolar adalah suatu piranti dengan tiga terminal sehingga ada tiga
kemungkinan cara untuk menghubungkannya dengan suatu rangkaian elektronika dengan
satu terminal digunakan secara bersama. Masing -masing metoda dari hubungan
memiliki respon yang berbeda pada sinyal masukan dalam suatu rangkaian sebagai
karakteristik statik dari transistor. Secara umum ada tiga konfigurasi dari transistor
bipolar yaitu konfigurasi common base memiliki penguatan tegangan tetapi tidak ada
penguatan arus, konfigurasi common emitor memiliki penguatan tegangan maupun
penguatan arus, dan konfigurasi common kolektor memiliki penguatan arus tanpa
penguatan tegangan.

Gambar 9.4. Konfigurasi transistor

3 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

1. Konfigurasi Common Base

Istilah common base diturunkan dari kenyataan bahwa terminal base digunakan
secara bersama untuk kedua masukan dan tegangan dari konfigurasi Dalam
konfigurasi ini, terminal emitor dihubungkan ke masukan sedangkan terminal
kolektor dihubungkan ke bagian keluaran. Dalam konfigurasi ini terminal base
dihubungkan ke ground. Bila base digunakan sebagai terminal bersama, maka
transistor akan memiliki impedansi masukan rendah, impedansi keluaran tinggi,
penguatan arus mendekati satu, dan penguatan tegangan tinggi. Konfigurasi ini
dominan digunakan dalam penguat RF dan rangkaian frekuensi tinggi.
Secara umum karakteristik transistor menyatakan hubungan antara arus listrik
dengan tegangan bias yang diberikan. Karena suatu konfigurasi transistor terdiri dari
dua bagian yaitu loop masukan dan loop keluaran sehingga karakteristik transistor
juga terdiri dari dua yaitu karakteristik statik loop masukan dan karakteristik statik
loop keluaran. Suatu rangkaian yang menggunakan konfigurasi common base terdiri
dari suatu transistor dan dua buah tahanan. Tahanan RE dipasang pada bagian
masukan sedangkan tahanan Rc dipasang pada bagian keluaran. Pada bagian
masukan dihubungkan dengan catu daya VEE sedangkan pada bagian keluaran
dihubungan dengan catu daya Vcc seperti paa pada Gambar 9.5

Gambar 9.5. Rangkaian Konfigurasi Common Base

Persamaan tegangan pada loop masukan dapat ditentukan dengan menerapakan
hokum Kirchhoff tentang tegangan pada suatu loop tertutup.
VEE = VBE + IERE (9.1)
Arus listrik pada emitor dapat dirumuskan dalam bentuk
𝑉𝐸𝐸 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 = (9.2)
𝑅𝐸

Arus listrik pada emitor dipengarulhi oleh tegangan bias antara base dan emitor.
Karakteristik statik masukan untuk konfigurasi commoa base menyatakan hubungan

4 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

antara arus emitor dengan tegangan bias emitor-base. Grafik hubungan antara arus
emitor IE dengan tegangan VEB diperlihatkan pada Gambar 9.3

Gambar 9.6. Karakteristik Statik Masukan Konfigurasi Common Base (Robert L. B: 1999)
Pada Gambar 9.6, untuk suatu tegangan VBC, bila tegangan VBE kecil tidak ada
arus emitor dan arus mulai ada pada tegangan sekitar 0,6 Volt. Pada tegangan di atas
0,6 Volt arus emitor naik dengan cepat. Karakteristik ini mirip dengan karakteristik
dioda dalam keadaan bias maju. Untuk nilai tegangan Ve lebih kecil kelengkungan
arus emitor bergeser kearah kanan.
Persamaan tegangan pada loop keluaran dari konfigurasi common base S dapat
dituliskan dalam bentuk:
VCC = IC RC + VCB (9.3)
Arus listrik pada kolektor dapat dirumuskan dalam bentuk :
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐵
𝐼𝐶 = (9.4)
𝑅𝐶
Pada Persamaan (9.4) dapat dijelaskan arus kolektor dipengaruhi oleh tegangan
bias kolektor-base. Karakteristik statik keluaran untuk konfigurasi common base
menyatakan hubungan antara anus kolektor IC dengan tegangan kolektor-base VCB
Hubungan ini diperlihatkan pada Gambar 9.7

Gambar 9.7. Karakteristik Statik Keluaran Konfigurasi Common Base (Robert L.B: 1999)

5 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

Pada Gambar 9.7 dapat dikemukakan bahwa untuk tegangan kolektor-base

rendah arus kolektor naik dengan cepat untuk suatu setting arus emitor. Kemudian
arus kolektor hampir konstan meskipun tegangan kolektor-base ditambah. Untuk
setting arus emitor yang lebih besar, arus kolektor yang dihasilkan lebih besar tapi
dengan pola kelengkungan yang sama.
Faktor penguatan arus untuk konfigurasi common base dapat didefinisikan
sebagai perbandingan dari perubahan yang kecil dari arus kolektor terhadap
perubahan arus yang kecil dari arus emiter untuk tegangan VCB konstan dan disebut
dengan faktor penguatan arus base ditanahkan. Dari definisi faktor penguatan arus
base ditanahkan dapat dituliskan dalam hentuk:
∆𝐼𝐶
𝛼= (9.5)
∆𝐼𝐸

Untuk aplikasi praktis, besar faktor pengaatan arus base ditanahkan secara
pendekatan dapat ditulis seperti:
𝐼𝐶
𝛼≈ (9.6)
𝐼𝐸

Dari persamaan (9.6) dapat dijelaskan bahwa faktor penguatan arus bace
ditanahkan tidak dapat didefenisikan sebagai perbandingan arus kolektor dengan
arus emitor. Namun nilainya secara pendekatan dapat ditentukan dari arus kolektor
dan arus emitor.
2. Konfigurasi Common Emitor
Dalam konfigurasi common emitor terminal emitor digunakan secara bersama
antara sinyal masukan maupun sinyal keluaran. Dengan menggunakan cara ini
transistor memiliki beberapa keuntungan seperti impedansi masukan sedang,
impedansi keluaran sedang, dan penguatan arus tinggi. Konfigurasi common emitor
(CE) adalah konfigurasi yang sering digunakan dalam rangkaian penguat praktis
karena konfigurasi ini menyediakan penguatan tegangan, arus, dan daya yang baik,
Masukan dari konfigurasi common emitor diberikan pada rangkaian base-emitor dan
keluaran diambil dari rangkaian kolektor-emitor membuat elemen emitor secara
bersama untuk kedua masukan dan keluaran.

6 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

Suatu rangkaian elektronika dengan konfigurasi common emitor yang sederhana

terdiri dari sebuah transistor tipe npn, dua tahanan, dan dua tegangan dari catu daya.
Bagian masukan dipasang tahanan RB dan pada bagian keluaran dipasang tahanan RC
seperti pada Gambar 9.5

Gambar 9.8. Rangkaian dengan Konfigurasi Common Emitor

Dengan menerapkan hukum Kirchhoff tontang tegangan pada suatu loop
tertutup didapatkan persamaan tegangan pada konfigurasi common emitor dalam
bentuk
VBB = IB RB + VBE (9.7)
Arus listrik pada base transistor dirumuskan seperti
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (9.8)
𝑅𝐵
Arus listrik pada base tergantung kepada tegangan bias base-emitor.
Karakteristik statik masukan untuk konfigurasi common emitor menyatakan
hubungan antara arus base ln dengan tegangan bias base-emitor Var. Kurva
karakteristik statik untuk konfigurasi common emnitor diperlihatkan pada Gambar
9.8

Gambar 9.8. Karakteristik Statik Masukan Konfigurasi Common Emitor (Robert L. B: 1999)

7 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

Pada Gambar 9.8, dapat dijelaskan bahwa untuk tegangan VBE kecil tidak ada
ans mengalir pada base transistor. Arus mulai ada pada seat tegangan mendekati
tegangan potong. Bila tegangan diperbesar di atas legangan potong maka arus base
akan naik dengan cepat untuk suatu selting tegangan VCE. Karakteristik in mirip
dengan karakterisitik diode dalam keadaan bias maju. Bila tegangan VCE diperbesar
terlihat kurva arus base bergeser kearah kanan
Dengan cara yang sama dapat pula ditentukan persamaan tegangan pada loop
keluaran dengan menerapkan hukum Kirchhoff tentang tegangan. Persaman
tegangan pada loop keluaran untuk konfigurasi common emitor adalah
VCC = IC RC + VCE (9.9)
Arus listrik pada kolektor dapat dirumuskan dalam bentuk
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = (9.10)
𝑅𝐶

Arus listrik pada kolektor sebagai fungsi dari tegangan bias kolektor-base
Karakteristik statik keluaran untuk konfigurasi common emitor menyatakan
Iubungan antara arus kolektor IC dengan tegangan VCE. Kurva karakteristik statik
keluaran untuk konfigurasi ini dapat diperhatikan pada Gambar 9.9

Gambar 9.9. Karakteristik Statik Keluaran Konfigurasi Common Emitor

(Robert L. B: 1999)
Untuk satu nilai arus base IB. pada tegangan bias VCE rendah arus kolektor IC
naik dengan cepat. Bila tegangan bias VCE ditambah, arus kolektor naik dengan
lambat sampai menuju saturasi. Untuk nilai arus base yang lebih besar kurva

8 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

karakteristik yang dihasilkan lebih tinggi, tetapi dengan pola kemiringan yang
hampir sama.
Untuk konfigurasi common emitor perbandingan dari perubahan yang kecil
dari arus kolektor terhadap perubahan arus yang kecil dari arus base pada suatu
tegangan kolektor-emitor konstan disebut faktor penguatan arus emitor ditanahkan
dan dilambangkan dengan 𝛽. Berdasarkan definisi, faktor penguatan arus emitor
ditanahkan dapat dituliskan dalam bentuk
∆𝐼𝐶
𝛽= (9.11)
∆𝐼𝐵

Dalam hal praktis, secara pendekatan besamya faktor penguatan arus emitor
ditanalhkan dapat ditentukan dari persamaan
𝐼𝐶
𝛽≈ (9.12)
𝐼𝐸

Pendekatan faktor penguatan arus ini disamping dapat digunakan untuk

menentukan besarnya faktor penguatan arus dapat pula digunakan untuk menentukan
hubungan anus kolektor dengan arus base. Pertambahan arus kolektor sebanding
dengan pertambahan arus base.
Arus listrik yang mengalir pada masing-masing terminal transistor memenuhi
hukum Kirchhoff tentang arus. Sebagai contoh utuk transistor tipe npn, arus dari
emitor masuk pada titik percabangan.dan keluar pada terminal kolektor dan terminal
base. Dengan kata lain, arus listrik yang mengalir pada terminal emitor akan sama
dengan penjumlahan arus yang keluar pada teminal kolektor dan terminal base
sehingga dapat dinyatakan dalam bentuk
IE = IC + IB (9.13)
Berdasarkan Persamaan (9.6) dan (9.12) dapat ditentukan bubungan antara faktor
penguatan arus α dan β seperti:
𝐼𝐶
= 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (9.14)
𝛼
𝐼𝐶 𝛼
= (9.15)
𝐼𝐵 1−𝛼

Perbandingan antara arus kolektor dengan arus base secara pendekatan adalah faktor
penguatan arus emitor ditanahkan. Karena itu, hubungan antara faktor penguatan
arus emitor ditanahkan dengan faktor penguatan arus base ditanahkan adalah
𝛼
𝛽= (9.16)
1−𝛼

9 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

Sebaliknya hubungan antara faktor penguatan arus a dan p diekspresikan

dalam bentuk persamaan
𝛽
𝛼= (9.17)
1+𝛽

Dalam hal praktis faktor penguatan arus dari β suatu transistor dapat
ditentukan dari percobaan atau diukur secara langsung dengan menggunakan
multimeter digital. Sementara itu faktor penguatan arus α dapat ditentukan apabila
nilai β diketahui. Sebagai contoh untuk β = 100 dilapatkan nila α = 0,990 sedangkan
β = 150 didapatkan nilai α = 0,993. Biasanya nilai faktor penguatan arus β dari suatu
transistor besar dalam range sekitar 80 sampai 300. Karena itu nilai faktor penguatan
arus α bernilai sekitar 1.
3. Konfigurasi Common Kolektor
Konfigurasi common kolektor adalah terminal kolektor digunakan secara
bersama antara terminal masukan dan terminal keluaran. Sebagai terminal masukan
dalam konfigurasi ini adalah base sedangkan sebagai terminal keluaran adalah
emitor. Dalam konfigurasi common kelektor masukan diberikan pada base keluaran
diambil dari emitor, dan kolektor adalah elemen yang digunakan secara bersama
untuk kedua masukan dan keluaran.

Gambar 9.10. Rangkaian konfigurasi common kolektor

Dalam konfigurasi common kolektor arus masukan adalah arus base dan arus
keluaran adalah arus emitor. Perbandingan dari perubahan dalam arus emitor
terhadap perubahan dalam arus base disebut faktor penguatan arus. Konfigurasi ini
digunakan sebagai pengendali arus untuk penyesuaian impedansi. Dengan dasar ini

10 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

konfigurasi common kelektor umumnya dikenal sebagai pengikut emitor (emitter

follower). Pada konfigurasi ini sinyal masukan diberikan pada base dan keluar
melalui emitor terjadi sedikit kehilangan. Sifat dari konfigurasi adalah impedansi
masukan tinggi, impedansi keluaran sangat rendah, penguatan tegangan mendekati
satu, dan penguatan arus tinggi. Dengan sifat-sifat ini rangkaian dengan konfigurasi
common kolektor sering digunakan secara ekstensif sebagai penyangga (buffer) yang
mengkonversi impedansi, mengendalikan kabel panjang atau keluaran dengan
impedansi rendah.
Konfigurasi rangkaian seperti ini disebut konfigurasi common-kolektor karena
kedua sumber sinyal dan beban menjadikan kolektor sebagai titik atau terminal
koneksi common. beban resistor pada circuit penguat (amplifier) common-kolektor
menerima kedua arus, yaitu arus basis dan arus kolektor. Ini berarti beban akan
menerima arus emitor, dimana arus emitor itu merupakan penjumlahan arus basis
dan arus kolektor. Jadi amplifier common-kolektor ini memiliki keuntungan dalam
jumlah arus, yaitu arus yang lebih besar bila dibandingkan dengan konfigurasi
penguat transistor yang lainnya.
Berbeda dengan penguat common-emitor, dimana tegangan output berbanding
terbalik dengan meningkatnya tegangan input. Pada penguat common-kolektor,
tegangan output tersebut berbanding lurus dengan tegangan input. Dengan kata lain,
tegangan output akan meningkat saat tegangan input meningkat. Selain itu tegangan
output hampir sama dengan tegangan input, hanya berbeda sekitar 0,7 volt.
Inilah uniknya dari penguat common-kolektor, yaitu tegagan output hampir
sama dengan tegangan input. Penguat (amplifier) ini memiliki keuntungan tegangan
yang hampir persis kesatuan (1), atau 0 dB. Hal ini berlaku untuk transistor dengan
semua nilai β dan resistor beban dengan semua nilai resistansi.
Pada penguat (amplifier) dengan konfigurasi seperti ini tidak akan memperoleh
penambahan tegangan, melainkan hanya penguatan arus. Jika pada konfigurasi
penguat common-emitor memiliki penguatan arus yang sama dengan nilai β
transistor, yang dimana β merupakan rasio beberapa kali penguatan dari arus basis
(arus pengendali), atau dengan kata lain β merupakan rasio perbandingan antara arus
kolektor dan arus basis. Pada konfigurasi penguat common-kolektor, beban terletak
seri dengan emitor, sehingga besarnya penguatan arus sama dengan besarnya arus

11 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

emitor. Dan besarnya arus emitor sama dengan arus kolektor yang ditambah dengan
arus basis (β ditambah 1).

D Tahanan Pada Terminal Transistor

Pada masing-masing kaki transistor terdapat tahanan yang nilainya berbeda-

beda sesuai dengan kaki transistor tersebut. Tahanan re merupakan hambatan
isyarat kecil untuk sambungan p-n antara emitor dan base yang mendapat tegangan
maju. Tahanan rb merupakan hambatan yang melintang dalam base, dengan titik b
kira kira-kira di tegah base dan rb mempunyai nilai rb ≅ 300 Ω. Disisi lain tahanan rc,
adalah hambatan isyarat untuk sambungan p-n antara base dan kolektor yang
mendapat tegangan panjar mundur sehingga rc mempunyai nilai yang besar yaitu
rc = 1 MΩ.
Bentuk karakteristik masukan dari transistor bipolar serupa dengan
karakteristik dioda p-n dalam keadaan bias maju. Hal ini tidak mengherankan karena
sambungan emitor-basis merupakan suatu dioda dengan bias maju, sedangkan
sambungan kolektor-basis tidak lain merupakan suatu dioda dalam keadaan bias
mundur. Karena itu dalam perumusan hambatan rc didasari dengan karakteristik
dioda sambungan p-a dalam keadaan bias maju. Karakteristik dioda merupakan
hubungan antara arus dioda dan tegangan antara kedua ujung diode.
Arus dioda dalam keadaan bias maju tergantung pada tegangan bias dan
temperatur. Hubungan antara anus diode dengan tegangan tegangan maju dari dioda
diberikan dalam bentuk:
𝑞𝑣
𝐼𝑓 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑘𝑇 − 1) (9.18)

Bila polaritas dari dioda dibalik, dengan jalan mensiubstitusikan tegangan bias V
dengan (-V) didapat karakteristik arus-tegangan mundur dari dioda:
𝑞𝑣
𝐼𝑟 = 𝐼𝑠 (𝑒 − 𝑘𝑇 − 1) (9.19)

dimana:
If = arus total dioda dengan tegangan maju (forward bias)
Ir = arus total dioda dengan tegangan mundur (reverse bias)
V = tegangan total yang melintas lapisan pengosongan
k = konstanta Boltzmann

12 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

T = suhu mutlak
Kedua Persamasan (9.18) dan (9.19) disebut dengan persamaan diode.
Konduktansi listrik merupakan kemampuan bahan dalam menghantarkan arus
listrik. Dalam hal ini konduktansi listrik dapat didefinisikan sebagai laju perubahan
arus dioda total terhadap tegangan total yang melintas lapisan pengosongan.
Berdasarkan definisi yang telah dikemukakan untuk karakteristik arus-tegangan
maju dapat ditentukan konduktansi listrik dalam dioda p-n:
𝑑𝐼
𝑔= (𝐼 + 𝐼𝑆 ) (9.20a)
𝑑𝑉
Pada temperatur kamar diketahui harga
𝑞
= 40 (9.20b)
𝐾𝑇
Pada kondisi ini konduktansi listrik dari dioda total diberikan:
𝑑𝐼
𝑔= = 40(𝐼 + 𝐼𝑆 ) (9.21)
𝑑𝑉
Di sisi lain hambatan (resistansi) merupakan kemampuan dari bahan dalam
menahan aliran listrik. Karena itu, hambatan merupakan kebalikan dari
konduktansi listrik.
𝐼 25
𝑟𝑒 = = (9.22a)
40 (𝐼+ 𝐼𝑆 ) (𝐼+ 𝐼𝑆 )𝑚𝐴

Disini pemberian indeks e pada persamaan hanya untuk menjelaskan hambatan

yang terdapat antara emitor dan basis. Pada umumnya penguat linear arus diods
total jauh lebih besar dari arus jenuh balik atau I ≫ lS, sehingga dalam hal praktis
arus IS dapat diabaikan terhadap I. Untuk itu harga praktis untuk hambatan antara
emitor dan basis ditulis dalam bentuk:
𝐼 25
𝑟𝑒 = = (9.22b)
40 𝐼𝐸 (𝐴) 𝐼𝐸 (𝑚𝐴)

Pada penguat sinyal kecil hambatan re ini sangat penting, karena hampir selalu
digunakan untuk menganalisis menganalis AC dari penguat. Pemahaman yang
bailk terhadap hambatan re akan membantu dalam menganalisis rangkaian setara
dari berbagai macam penguat sinyal kecil.

13 Strategi Pembelajaran Fisika

Buku Ajar Strategi Pembelajaran Fisika

DAFTAR PUSTAKA

Asrizal. 2013. Elektronika Dasar 2. Padang : Universitas Negeri Padang

Malvino, Albert Paul. 1984. Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta; Erlangga

Malvino. 1986. Semiconductor circuit approximations, Fourth Edition. McGraw-Hill:

United States of America

Millman, Jacob & Cristos C. Jalkias. 1986. Elektronika Terpadu. Jakarta; Erlangga

Yohandri dan Asrizal. 2014. Elektronika Dasar 1. Padang : Universitas Negeri Padang

14 Strategi Pembelajaran Fisika