TRANSITOR BIPOLAR

Pengertian dan Fungsi

Tipe Transistor

Konfigurasi Transistor
Bipolar
KELOMPOK 7
Tahanan pada Terminal Nabila Melia Hanum
Transistor M. Ridwan Azizi
Tomi Sadewa
Dosen: Kurnia Andini
Dr. H. Asrizal, M.Si Edja Annisa Septia
 PENGERTIAN DAN FUNGSI
TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor berasal dari kata transfer dan

resistor
Transistor yaitu transfer arus listrik dari
resistansi rendah ke resistansi tinggi
Transitor merupakan suatu piranti
semikonduktor yang digunakan untuk untuk
memperkuat atau mensaklar sinyal
elektronika
PENGERTIAN TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor bipolar merupakan suatu piranti

semikonduktor yang terdiri dari tiga
lapisan.
Tipe – tipe transistor
Transistor tipe npn terdiri terdiri dari dua
lapisan tipe n dan satu lapisan dari material.
Transistor tipe pnp terdiri dari dua lapisan
tipe p dan satu lapisan dari tipe n dari
material.
FUNGSI TRANSISTOR BIPOLAR
Fungsi dari transistor antara lain:
Transistor sebagai penguat
Transistor sebagai saklar elektronika
Transistor sebagai multivibrator
Transistor menyediakan penguatan daya,
penguatan tegangan, atau penguatan arus
 Tipe Transistor Bipolar

Tipe npn

Tipe pnp

Perbedaan antara transistor tipe npn dan pnp terletak

pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus
listrik yang selalu berlawanan. Fungsi kedua tipe
transistor ini sama yaitu sebagai pengantar arus listrik.
Suatu transistor bipolar terdiri dari 3 kaki, meliputi:
Kaki emitor untuk mengemisikan elektron dan
menginjeksikan elektron ke dalam basis
Kaki Base melewatkan sebagian besar elektron yang
diinjeksikan dari emitor ke kolektor
Kaki Kolektor untuk mengumpulkan elektron
mengumpulkan atau menangkap elektron-elektron
dari basis
 Konfigurasi Transistor

Suatu transistor bipolar adalah suatu piranti

dengan tiga terminal.
Ada tiga kemungkinan cara untuk
menghubungkan transistor bipolar dengan suatu
rangkaian elektronika dengan satu terminal
digunakan secara bersama
Masing -masing metoda dari hubungan memiliki
respon yang berbeda pada sinyal masukan dalam
suatu rangkaian sebagai karakteristik statik dari
transistor
Konfigurasi Transistor
Ada 3 konfigurasi dari transistor bipolar:
Konfigurasi Common Base memiliki penguatan
tegangan tetapi tidak ada penguatan arus
Konfigurasi Common Emitor memiliki penguatan
tegangan maupun penguatan arus
Konfigurasi Common Kolektor memiliki penguatan
arus tanpa penguatan tegangan
1. Konfigurasi Common Base

Terminal base digunakan secara bersama untuk

kedua masukan dan tegangan dari konfigurasi
Dalam konfigurasi ini terminal emitor dihubungkan ke
masukan sedangkan terminal kolektor ke bagian
keluaran, terminal base dihubungkan ke ground.
Bila base digunakan sebagai terminal bersama,
transistor akan memiliki impedansi masukan rendah,
impedansi keluaran tinggi, penguatan arus mendekati
satu, dan penguatan tegangan tinggi
Konfigurasi ini dominan digunakan dalam penguat RF
dan rangkaian frekuensi tinggi.
Konfigurasi Common Base
Secara umum karakteristik transistor menyatakan
hubungan antara arus listrik dengan tegangan bias yang
diberikan
Karakteristik transistor terdiri dari dua yaitu karakteristik
statik loop masukan dan karakteristik statik loop keluaran
Suatu rangkaian yang menggunakan konfigurasi common
base terdiri dari suatu transistor dan dua buah tahanan
Konfigurasi Common Base
Grafik hubungan antara arus emitor
dengan tegangan
Persamaan tegangan pada
loop masukan dapat
ditentukan dengan
menerapakan hukum
Kirchhoff tentang tegangan
pada suatu loop tertutup.
VEE = VBE + IERE

Arus listrik pada emitor

dapat dirumuskan dalam
𝑽𝑬𝑬 −𝑽𝑩𝑬 Karakteristik Statik Masukan
bentuk 𝑰𝑪 = Konfigurasi Common Base
𝑹𝑬
Persamaan tegangan pada loop keluaran dari
konfigurasi common base dapat dituliskan dalam
bentuk:
VCC = IC RC + VCB
Arus listrik pada kolektor dapat dirumuskan dalam
bentuk :
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑩
𝑰𝑪 =
𝑹𝑪
Grafik hubungan antara arus kolektor dengan tengan kolektor base

Karakteristik Statik
Keluaran
Konfigurasi
Common Base
Faktor penguatan arus base ditanahkan adalah
perbandingan dari perubahan yang kecil dari arus
kolektor terhadap perubahan arus yang kecil dari arus
emiter untuk tegangan VCB konstan, dapat dirumuskan
seperti :
∆𝑰𝑪
𝜶=
∆𝑰𝑬
Untuk aplikasi praktis, besar faktor penguatan arus
base ditanahkan secara pendekatan dapat ditulis
seperti:
𝑰𝑪
𝜶≈
𝑰𝑬
2. Konfigurasi Common Emitor

Konfigurasi common emitor (CE) adalah

konfigurasi yang sering digunakan dalam
rangkaian penguat praktis karena konfigurasi ini
menyediakan penguatan tegangan, arus, dan
daya yang baik
Terminal emitor digunakan secara bersama antara
sinyal masukan maupun sinyal keluaran
Transistor memiliki beberapa keuntungan seperti
impedansi masukan sedang, impedansi keluaran
sedang, dan penguatan arus tinggi
Masukan dari konfigurasi common emitor diberikan
pada rangkaian base-emitor dan keluaran diambil dari
rangkaian kolektor-emitor membuat elemen emitor
secara bersama untuk kedua masukan dan keluaran.
Suatu rangkaian elektronika dengan konfigurasi
common emitor yang sederhana terdiri dari sebuah
transistor tipe npn, dua tahanan, dan dua legangan
dari catu daya.
Konfigurasi Common Emitor

Dengan menerapkan hukum

Kirchhoff didapatkan
persamaan tegangan pada
konfigurasi common emitor
dalam bentuk
VBB = IB RB + VBE

Arus listrik pada base

transistor dirumuskan
seperti
Karakteristik Statik Masukan
𝑽𝑩𝑩 −𝑽𝑩𝑬 Konfigurasi Common Emitor
𝑰𝑩 =
𝑹𝑩
Konfigurasi Common Emitor

Persaman tegangan pada loop keluaran untuk konfigurasi

common emitor adalah
VCC = IC RC + VCE
Arus listrik pada kolektor dapat dirumuskan dalam bentuk
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑬
𝑰𝑪 =
𝑹𝑪

Karakteristik
Statik Keluaran
Konfigurasi
Common Emitor
Konfigurasi Common Emitor

Faktor penguatan arus emitor ditanahkan adalah

perbandingan dari perubahan yang kecil dari arus
kolektor terhadap perubahan arus yang kecil dari arus
base pada suatu tegangan kolektor-emitor konstan
dilambangkan dengan 𝛽 , dapat dirumuskan sbb:
∆𝑰𝑪
𝜷=
∆𝑰 𝑩
Dalam hal praktis, secara pendekatan besamya faktor
penguatan arus emitor ditanalhkan dapat ditentukan dari
persamaan
𝑰𝑪
𝜷≈
𝑰𝑬
Konfigurasi Common Emitor

Arus listrik yang mengalir pada masing-masing terminal transistor

memenuhi hukum Kirchhoff tentang arus.
Arus listrik yang mengalir pada terminal emitor akan sama dengan
penjumlahan arus yang keluar pada teminal kolektor dan terminal
base sehingga dapat dinyatakan dalam bentuk
IE = IC + IB
Hubungan antara faktor penguatan arus α dan β seperti:
𝑰𝑪 𝑰𝑪 𝜶
= 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 =
𝜶 𝑰𝑩 𝟏−𝜶
Hubungan antara faktor penguatan arus emitor ditanahkan dengan
faktor penguatan arus base ditanahkan adalah
𝜶 𝜷
𝜷= atau 𝜶 =
𝟏−𝜶 𝟏+𝜷
Konfigurasi Common Kolektor
Perbandingan dari perubahan
dalam arus emitor terhadap
perubahan dalam arus base
disebut faktor penguatan arus,
dilambangkan dengan AI
Konfigurasi ini digunakan sebagai
pengendali arus untuk
penyesuaian impedansi. Dengan
dasar ini konfigurasi common
kelektor umumnya dikenal sebagai
pengikut emitor (emitter
follower).
3. Konfigurasi Common Kolektor

Konfigurasi common kolektor

adalah terminal kolektor
digunakan secara bersama antara
terminal masukan dan terminal
keluaran.
Sebagai terminal masukan dalam
konfigurasi ini adalah base
sedangkan sebagai terminal
keluaran adalah emitor.
Dalam konfigurasi common
kelektor masukan diberikan pada
base, keluaran diambil dari emitor.
Konfigurasi Common Kolektor

Sifat dari konfigurasi adalah impedansi masukan

tinggi, impedansi keluaran sangat rendah,
penguatan tegangan mendekati satu, dan
penguatan arus tinggi.
Dengan sifat-sifat ini rangkaian dengan
konfigurasi common kolektor sering digunakan
secara ekstensif sebagai penyangga (buffer) yang
mengkonversi impedansi, mengendalikan kabel
panjang atau keluaran dengan impedansi rendah.
 Tahanan pada Terminal
Transistor
Pada masing-masing kaki transistor terdapat tahanan yang
nilainya berbeda-beda sesuai dengan kaki transistor
tersebut.
Tahanan re merupakan hambatan isyarat kecil untuk
sambungan p-n antara emitor dan base yang mendapat
tegangan maju.
Tahanan rb merupakan hambatan yang melintang dalam
base, dengan titik b kira kira-kira di tegah base dan rb
mempunyai nilai rb ≅ 300 Ω.
Disisi lain tahanan rc, adalah hambatan isyarat untuk
sambungan p-n antara base dan kolektor yang mendapat
tegangan panjar mundur sehingga rc mempunyai nilai
yang besar yaitu rc = 1 MΩ.
Tahanan pada Terminal Transistor
Bentuk karakteristik masukan dari transistor bipolar
serupa dengan karakteristik dioda p-n dalam keadaan
bias maju,
Sambungan emitor-basis dalam keadaan bias maju
dan sambungan kolektor-basis merupakan suatu dioda
dalam keadaan bias mundur.
Karena perumusan hambatan rc didasari dengan
karakteristik dioda sambungan p-n dalam keadaan
bias maju.
Arus dioda dalam keadaan bias maju tergantung pada
tegangan bias dan temperatur. Hubungan antara arus
diode dengan tegangan maju dari dioda diberikan
dalam bentuk:
𝒒𝒗
𝑰𝒇 = 𝑰𝒔 𝒆 𝒌𝑻 −𝟏
Tahanan pada Terminal Transistor

Bila polaritas dari dioda dibalik, dengan jalan

mensubstitusikan tegangan bias V dengan (-V) didapat
karakteristik arus-tegangan mundur dari dioda:
𝒒𝒗
𝑰𝒓 = 𝑰𝒔 𝒆 − 𝒌𝑻 −𝟏
dimana:
If = arus total dioda dengan tegangan maju (forward
bias)
Ir = arus total dioda dengan tegangan mundur
(reverse bias)
V = tegangan total yang melintas lapisan
pengosongan
k = konstanta Boltzmann
T = suhu mutlak
Tahanan pada Terminal Transistor

Konduktansi listrik adalah laju perubahan arus dioda

total terhadap tegangan total yang melintas lapisan
pengosongan
Karakteristik arus-tegangan maju dapat ditentukan
konduktansi listrik dalam dioda p-n:
𝒅𝑰
𝒈= 𝑰 + 𝑰𝑺
𝒅𝑽
Pada temperatur kamar diketahui harga
𝒒
= 𝟒𝟎
𝑲𝑻
Pada kondisi ini konduktansi listrik dari dioda total
diberikan:
𝒅𝑰
𝒈= = 𝟒𝟎 𝑰 + 𝑰𝑺
𝒅𝑽
Tahanan pada Terminal Transistor

Hambatan (resistansi) merupakan kemampuan dari

bahan dalam menahan aliran listrik. Karena itu,
hambatan merupakan kebalikan dari konduktansi
listrik.
𝑰 𝟐𝟓
𝒓𝒆 = =
𝟒𝟎 𝑰+ 𝑰𝑺 𝑰+ 𝑰𝑺 𝒎𝑨
Pada umumnya penguat linear arus dioda total jauh
lebih besar dari arus jenuh balik atau I ≫ Ls,
sehingga arus IS dapat diabaikan terhadap I,
sehingga hambatan antara emitor dan basis adalah
𝑰 𝟐𝟓
: 𝒓𝒆 = =
𝟒𝟎 𝑰𝑬 (𝑨) 𝑰𝑬 (𝒎𝑨)
Pada penguat sinyal kecil hambatan re ini sangat
penting, karena hampir selalu digunakan untuk
menganalisis menganalis AC dari penguat.
HOME