LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA

“ KARAKTERISITK TRANSISTOR “

NAMA : Arman Raditya Pramana

NIM : 022300020

Rekan Kerja : Muhammad Nurrosyid P

(022300018)
Aisya Zhavira p
(022300019)

Dosen Pengampu : Halim Hamadi M. Si

PROGRAM STUDI ELEKTRONIKA INSTRUMENSTASI

POLITEKNIK TEKNOLOGI NUKLIR INDONESIA
BADAN RISET DAN INOVASI NASIONAL
YOGYAKARTA
SEMESTER GANJIL 2023/2024
 BAB 1
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi
seperti sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya.
Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak ditemukan
dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Boleh dikatakan bahwa hampir semua perangkat
elektronik menggunakan Transistor untuk berbagai kebutuhan dalam rangkaiannya.
Perangkat-perangkat elektronik yang dimaksud tersebut seperti Televisi, Komputer, Ponsel,
Audio Amplifier, Audio Player, Video Player, konsol Game, Power Supply dan lain-lainnya.

Secara umum, Transistor dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu
Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor). Perbedaan yang
paling utama diantara dua pengelompokkan tersebut adalah terletak pada bias Input (atau
Output) yang digunakannya. Transistor Bipolar memerlukan arus (current) untuk
mengendalikan terminal lainnya sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya
menggunakan tegangan saja (tidak memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor
Bipolar memerlukan muatan pembawa (carrier) hole dan electron sedangkan FET hanya
memerlukan salah satunya.

Pada transistor dikutub sambungan P-N antara emitor dan basis. Salah satu komponen
elektronika yang perlu untuk kita ketahui dan sangat penting dalam sebuah rangkaian
elektronika adalah transistor bipolar atau transistor dengan dua kutub yakni N dan P.
Sebenarnya, transistor merupakan komponen elektronika yang terdiri dari dua dioda baik tipe
N maupun tipe P yang saat digabung, keduanya dapat berubah menjadi tipe PNP atau NPN.

Dalam rangkaian transistor pada umumnya dikenal sebagai rangkaian komponen

elektronika yang terbuat serta tersusun oleh mempunyai disimbolkan basis (B), emitor (E),
dan kolektor (K). Transistor sendiri dibagi menjadi dua jenis bahan semikonduktor yang biasa
yaitu transistor PNP dan juga transistor NPN yang membedakan kedua transistor tersebut
yaitu dapat dilihat pda tanda panah pada area emitor (E), jika anak panah kebagian dalam,
maka transistor tersebut adalah transistor PNP, sementara jika anak panah mengarah kearah
luar maka transistor NPN.
1.2 Rumusan Masalah
a. Bagaimana cara untuk menentukan kurva dan karakteristik arus IB = f (VBE)
transistor?
b. Bagaimana kurva karakteristik kontrol arus transistor?
1.3 Tujuan
a. Untuk mengetahui kurva dan karakteristik arus IB = f (VBE) transistor
b. Untuk mengetahui kurva karakteristik kontrol arus transisto
 BAB 2

DASAR TEORI

2.1 Transistor

Rangkaian transistor adalah rangkaian komponen elektronika yang terbuat serta

tersusun oleh bahan semikonduktor yang mempunyai tiga kaki yang biasa disimbolkan basis
(B), emitor (E), dan kolektor (K). Transistor mempunyai tiga kaki (elektroda) yang diberi
nama basis (b), emitor (e) dan kolektor (c). Basis khusus pada lapisan tengah dan kolektor
pada lapisan tepi. Basis sebagai pengendali. Basis yaitu dasar, basis digunakan sebagai
elektroda mengendali. Emitter/Emitor sebagai pemancar. Emitor artinya pemancar disinilah
pembawa muatan berasal. Collector/ Kolektor sebagai pengumpul. Kolektor artinya
pengumpul. Pembawa muatan yang berasal dari emitor ditampung pada collector. Daerah
emitter, basis daerah dan daerah disebut kolektor.

Transistor ada dua jenis yaitu NPN Transistor memiliki dua sambungan: NPN dan
PNP. Satu antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu,
sebuah transistor perti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu diodaemitter-
basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor basis, ataudisingkat dengan
dioda kolektor.Bagian emitter- basis dari transistor merupakan dioda, maka diodaemitter
dibias maju maka kita akan melihat grafik arusterhadap basis tegangan dioda biasa. Saat
tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (IB) akan
kecil. Ketika tegangan di oda melebihi potensi penghalangnya, basis (IB) akan naik arus
cepat.

Secara umum, terdapat 2 tipe dasar transistor, yaitu bipolar Junction Transistor (BJT)
sebagai 2 pembawa muatan (hole dan elektron) dan Field Effect Transistor (FET) – sebagai 1
pembawa muatan (hole atau elektron). Berdasarkan maksimum kapasitas daya, Transistor
dibagi menjadi 3 jenis, di antaranya Low Power, Medium Power, dan High Power. Sedangkan
menurut maksimum frekuensi kerjanya, transistor dibedakan menjadi 2 jenis. Yang pertama
adalah Low frequency di bawah 100 kHz yang digunakan untuk aplikasi-aplikasi frekuensi
radio. Dan yang kedua adalah High Frequency di atas 100 kHz yang digunakan untuk
aplikasi-aplikasi frekuensi radio.
 Gambar 1. Jenis-jenis transistor

2.2 Konsep Transistor

a. Transistor sebagai penghubung (saklar): transistor akan mengalami Putus hubungan

arus yang melalui basis sangat kecil sekali sehinga kolektor dan emitor akan seperti
kawat yang terbuka, dan transistor akan mengalami kondisi jenuh arus yang melalui
basis terlalu besar sehingga antara kolektor dan emitor bagaikan kawat terhubung
dengan begitu tegangan antara kolektor dan emitor VCE.
b. Transistor tidak akan ada arus antara kolektor dan emitor hubungan pada basis tidak
diberi tegangan muka atau bias. Bias pada basis ini biasanya diikuti dengan sinyal-
sinyal atau pulsa listrik yang akan dikuatkan, sehingga pada kolektor, sinyal yang di
inputkan pada kaki basis telah dikuatkan. Kedua jenis transistor baik NPN maupun
PNP memiliki prinsip kerja sama.
c. Transistor dapat dibayangkan sebanding dengan prinsip kran air, mengairnya air pada
saluran kran tergantung pada pengaturan yang dikenakan pada tutup kran air. Prinsip
juga penguat (amplifier): artinya transistor bekerja pada wilayah antara titik transistor
sebagai jenuh dan kondisi terbuka (terputus), tetapi tidak pada kondisi kelelahan.

Terdapat dua macam transistor yang diproduksi oleh masing-masing pabrik,

yaitu jenis NPN atau N-channel dan PNP atau P-channel. Kode yang digunakan untuk
membedakan kedua jenis transistor tersebut akan berbeda antara pabrik yang satu
dengan yang lainnya. Kode-kode tersebut dapat dilihat dari katalog. Begitu juga
mengenai spesifikasi detail dari suatu transistor misal VCE max, Ic max dan suhu
max yang diperbolehkan dapat diketahui dari katalog.
 Gambar 2. Symbol transistor NPN dan PNP
2.2.1 Alfa DC

Lebih dari 95 persen elektron-elektron yang diinjeksikan mencapai kolektor ( arus

kolektor sama dengan arus emitor). Alfa dc dari sebuah transistor menunjukkan bagaimana
dekatnya harga kedua harga tersebut, alfa dc didefinisikan sebagai :

α = IC/IE………………………………………………………………………… (1)

Semakin tipis dan semakin sedikit basis didope, semakin tinggi αdc. Idealnya, jika
semua elektron yang diinjeksikan pergi ke kolektor, αdc akan sama dengan satu. Banyak
transistor mempunyai αdc > 0,99 dan hampir semua mempunyai αdc > 0,95.

2.2.2 Beta DC

Kita telah menghubungkan antara arus kolektor dan arus emitor dengan menggunakan
βdc. Kita dapat juga menghubungkan arus kolektor dengan arus basis dengan mendefinisikan
beta dc dari sebuah transistor sebagai :

β = IC/IB…………………………………………………………………..(2)

Hampir pada semua transistor, kurang dari 5 persen elektron yang diinjeksikan emitor
berekombinasi dengan lubang basis untuk menghasilkan IB; karena itu βdc hampir semuanya
lebih besar dari 20. Biasanya di antara 50 dan 300. Dan ada beberapa transistor mempunyai
dc sampai 1000.

2.2.3 Hubungan dc dan dc

Hukum Kirchhoff untuk arus menyatakan

IE = IC + IB…………………………………………………………………(3)
 Arus emitor (IE) merupakan penjumlahan dari arus kolektor (IC) dan arus basis (IB).
Arus emitor merupakan terbesar dari ketiga arus tersebut, arus kolektor hampir sama besar
dengan arus emitor, dan arus basis jauh lebih kecil. Bila persamaan di atas dibagi dengan IC,
akan memberikan :

βdc = αdc/1- αdc……………………………………………………………….(4)

αdc = βdc/ βdc+1……………………………………………………………….(5)

2.2.4 Karakteristik Transistor

Salah satu cara untuk membayangkan bagaimana sebuah transistor bekerja, yaitu
dengan membuat grafik yang menghubungkan arus dan tegangan transistor.

Gambar 3. Rangkaian untuk mengatur arus tegangan kolektor dan Kurva kolektor

Jika VCE = 0, dioda kolektor tidak terbias balik, karena itu arus kolektor sangat
kecil.Untuk VCE antara 0 dan mendekati 1 V, arus kolektor naik dengan cepat dan kemudian
menjadi hampir konstan. Jika kita menaikkan VCE terlalu besar, dioda kolektor akan rusak
dan kerja transistor yang normal akan hilang. Kemudian transistor tidak lagi berfungsi
sebagai sumber arus.
 Gambar 4. Kurva kolektor dengan bermacam-macam harga IB

Jika kita mengukur IC dan VCE untuk IB yang berbeda-beda kita dapatkan kurva
kolektor seperti gambar 4 di atas. Untuk arus basis IB = 0, arus kolektor kecil karena adanya
arus bocor dari dioda kolektor. Untuk transistor silikon arus bocor biasanya cukup kecil
sehingga dapat diabaikan pada sebagian besar aplikasi.

2.2.5 Kurva Basis

Pada tegangan kolektor yang lebih tinggi, kolektor menangkap sedikit lebih banyak
elektron, ini mengurangi arus basis. Karena bagian basis-emitor dari transistor merupakan
sebuah dioda, sehingga grafiknya mirip dengan sebuah kurva dioda.

Gambar 5. Kurva Basis

2.2.6 Cutt Off dan Breakdown

Pada kurva kolektor gambar 5, kurva yang terendah adalah untuk arus basis nol.
Keadaan IB = 0 ekivalen dengan membuka kawat penghubung basis. Arus kolektor dengan
kawat penghubung basis terbuka ditandai dengan ICEO di mana subkrip CEO berarti
kolektor ke emitor dengan basis terbuka. ICEO disebabkan sebagian oleh panas yang
dihasilkan pembawa muatan dan sebagian lagi oleh arus bocor permukaan. Gambar tersebut
menunjukkan kurva IB = 0.

Dengan tegangan yang cukup besar, kita dapat mencapai tegangan breakdown, yang
dinamakan BVCEO, dimana subkrip berarti kolektor ke emitor dengan basisterbuka. Agar
transistor bekerja normal, kita harus menjada agar VCE lebih kecil dari pada BVCEO.
Sebagain besar lembar data transistor menulis nilai BVCEO di antara rating maksimumnya.
Tegangan breakdown ini dapat kurang dari 20 V atau lebih dari 200V, tergantung pada jenis
transistor.
 Gambar 6. Arus cut off dan tegangan breakdown

2.2.7 Garis Bebas DC

Garis beban dapat digambarkan pada kurva kolektor untuk memberikan pandangan
yang lebih banyak bagaimana transistor bekerja dan daerah mana dia beroperasi. Gambar
berikut menunjukkan tegangan sumber VCC membias balik dioda kolektor melalui RC.
Tegangan pada tahanan ini adalah VCC – VCE.

Gambar 7. Bias Basis dan Garis beban

2.2.8 Field Efect Transistor (FET)

FET ( Field Effect Transistor ) merupakan komponen aktif semikonduktor yang

bekerja berdasarkan pengontrolan arus dengan pengaruh medan listrik. Arus yang dimaksud
adalah arus yang mengalir dalam FET, dan besarnya bergantung medan listrik yang
ditimbulkan akibat pemberian bias pada FET tersebut. FET mempunyai 3 terminal Source,
Gate dan Drain, dalam hal khusus ada yang mempunyai 4 terminal, terminal yang satu
dihubungkan pada logam selubungnya. Menurut struktur bahan pembuatannya, FET terdiri
dari 2 type : FET saluran- n dan FET saluran –p. Perilaku FET saluran-p adalah komplemen
dari FET saluran-n, sehingga semua tegangan dan arus dibalik Gambar 3.3 berikut adalah
FET saluran-n dan simbolnya.
Prategangan pada FET

Catu daya VDD yang dipasang di antara drain dan source menimbulkan aliran

Elektron bebas dari source ke drain. Karena elektron harus mengalir melalui saluran, sehingga
arus drain tergantung pada lebar saluran (gate). Catu negatif VGG dipasang antara gate dan source
menimbulkan lapisan pengosongan di sekitar daerah p, yang mengakibatkan saluran penghantar
menjadi menyempit. Jadi semakin negatif VGG, saluran menjadi makin sempit karena lapisan
pengosongan makin dekat satu sama lain. Pada tegangan tertentu, lapisan pengosongan saling
bersentuhan yang mengakibatkan saluran penghantar terputus, atau arus drain putus. Tegangan gate
yang menimbulkan keadaan putus ini dilambangkan sebagai VP. Kurva daerah aktif (active region)
berada diantara tegangan minimum VP dan tegangan maksimum VDS(max). VP minimum disebut
pinchoff voltage dan tegangan maksimum VDS(max) disebut breakdown voltage.
 Gambar kurva untuk VGS=0 (Short Gate) Gambar Kurva Drain

Gambar 3.5 adalah kurva drain untuk FET dengan IDSS pada 10 mA, untuk VGS= 0V. VP =
4 V dan VDS(max) = 30 V. Kurva berikutnya untuk VGS = -1 V, VGS = -2V dst. Untuk kurva yang
paling bawah, yaitu untuk VGS = -4V menurunkan arus drain ID  0, tegangan saat ini disebut source
cutoff volatge VGS(off) (Gambar 3.6).

Jika pada data sheet hanya diketahui VGS(off) maka harga tersebut juga menunjukkan harga
VP, yaitu

VGS(off) = -Vp

Tegangan pinchoff adalah tegangan pada daerah perubahan dari kurva drain vertikal tertinggi
ke kurva horizontal. Daerah pada tegangan ini disebut ohmic region, disini sangat penting karena pada
saat ini terjadi perubahan menuju daerah aktif. Ohmic region sama dengan daerah jenuh (saturation
region) pada transistor. Pada saat ini tahanan FET adalah :

Vp
RDS =
I DSS
BAB 3

METODOLOGI PERCOBAAN

3.1 Alat dan Bahan

1. Transistor BD135
2. Transistor BF245
3. Resistor 2K
4. Resistor 100 Ω
5. Resistor 6,8K
6. Resistor 1K
7. Resistor 680 Ω
8. Potensinometer 5k
9. Kapasitor 100 μF
10. Dioda 1N4007
11. Multimeter
12. Power Supply DC
13. Project Board
14. Kabel Jumper
15. Kabel Banana

3.2 Langkah Kerja

3.2.1 Karakter BJT

 Karakteristik Kontrol Arus BJT

1. Buat rangkaian seperti Gambar 3.12 2.

2. Pilih arus basis IB sesuai dengan harga yang diberikan dalam tabel 3.1 dan ukur arus
kolektor IC.
3. Hitung penguatan arus  dan catat hasilnya 3. Gambar grafik arus kolektor IC sebagai fungsi
arus basis IB sedangkan tegangan kolektor emitor tetap pada 12 Volt.
4. Tentukan  (current transfer ratio) oleh slope pada karakteristik kontrol arus.

 Karakteristik Keluaran Transistor BJT

1. Buat rangkaian seperti gambar di atas

2. Atur arus basis IB 0,3 mA dengan memutar R2. Pilih tegangan kolektor-emitor VCE
sesuai dengan harga yang diberikan dalam tabel dan ukur arus kolektor Ic. Ulangi
pengukuran dengan arus basis IB = 0,6 mA, 0,9 mA, 1,2 mA. Catat hasilnya
Perhatian : Arus basis IB harus selalu dalam keadaan tetap .
3. Gambar grafik arus kolektor Ic sebagai fungsi tegangan kolektor-emitor VCE pada
arus basis tetap IB = 0 mA, IB = 0,3 mA, IB = 0,6 mA, IB = 0,9 mA dan IB = 1,2 mA
4. Buatlah garis beban dc pada grafik tersebut.
 BAB 4
ANALISA DATA DAN PEMBAHASAN

5.1 Analisa Data dan Perhitungan

a. Karakteristik Kontrol Arus Transistor
IB
0 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4
(mA)
IC
0 15 15 25 30 35 45 50
(mA)

Ic
β= 0 150 100 125 120 116,6 128,57 125
Ib

b. Karakteristik Keluaran Transistor

IB=tetap VCE 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 1 2 3
IB=0 IC 0 1,5 4 5,5 7,5 8 20 40 75
(mA)
IB=0,3 IC 0 0,5 0,9 2,35 4 5 16 30 30
mA (mA)
IB=0,6 IC 0 25 55 60 60 65 65 65 65
mA (mA)
IB=0,9 IC 0 40 70 85 85 85 90 95 95
mA (mA)
IB=1,2 IC 0 35 75 95 100 110 120 120 130
mA (mA)
 BAB 5
PEMBAHASAN
Pembahasan
a. Percobaan Karakteristik Masukan Transistor
Pada percobaan kali ini, kita akan membahas hasil praktikum mengenai
karakteristik masukan transistor. Prinsip dari transistor adalah sebagai penguat (amplifier)
yang selalu aktif mengalirkan arus dari collector ke emiter. Untuk melakukan percobaan
ini, kita terlebih dahulu mengukur karakteristik input dari transistor dwi kutub dengan
aturan bahwa arus collector bervariasi dengan tegangan collector-emiter saat tegangan arus
base dibuat konstan. Hasil data pada tabel 1 menunjukkan bahwa semakin tinggi tegangan
VBE maka kuat arus IB semakin besar.

Gambar

a. Percobaan Karakteristik Kontrol Arus Transistor

Pada percobaan kali ini, kita akan membahas hasil praktikum mengenai karakteristik
kontrol transistor. Karakteristik transfer dilakukan dengan menghubungkan IB dengan kuat
arus IC, apabila semakin besar nilai IB maka semakin besar pula nilai IC, dengan β adalah
hasil dari IC/IB. Untuk melakukan percobaan ini, kita terlebih dahulu mengukur VCE sebesar
12 V. Kemudian mengetahui karakteristik input dari transistor dwi kutub dengan aturan
bahwa arus collector bervariasi dengan tegangan collector-emiter saat tegangan arus base
dibuat konstan
Gambar
Berdasarkan grafik di atas dapat dilihat bahwa IC berhubungan
dengan arus IB Umumnya, perubahan nilai pada IB menyebabkan perubahan
yang diperkuat pada arus IC dalam keadaan konstan. Grafik 2 meyatakan Hal
ini menyatakan bahwa semakin besar IB, maka semakin besar pula IC nya.
 BAB 6
KESIMPULAN DAN SARAN
6.1 KESIMPULAN

Dari hasil praktikum pada percobaan di atas, dapat diambil kesimpulan sebagai
berikut:
a. Rangkaian transistor adalah rangkaian komponen elektronika yang terbuat
serta tersusun oleh bahan semikonduktor yang mempunyai tiga kaki.
b. Transistor mempunyai tiga kaki (elektroda) yang diberi nama basis (b),
emitor (e) dan kolektor (c).
c. Transistor adalah suatu komponen aktif yang dibuat dari bahan
semikonduktor ada dua macam yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan
transistor efek medan.
d. Kurva atau grafik karakteristik masukan transistor menyerupai kurva dioda
pada rangkaian bias maju (forward biasa).
e. Grafik karakteristik keluaran transistor menunjukkan adanya hubungan
antara arus output IC dengan tegangan output VCE untuk harga arus IB
selalu dalam keadaan konstan. Di mana terdapat daerah operasi transistor.
Grafik karakteristik kontrol arus transistor menunjukkan bahwa terdapat
perbandingan antara IB dan IC.
f. Nilai βDC pada percobaan kali ini menunjukkan relasi antara IB dan IC, di
mana transistor mampu bekerja sebagai penguat arus.
6.2 SARAN

a. Sebelum melakukan praktikum di laboratorium, hendaknya praktikan membaca

dan memahami petunjuk praktikum yang akan dilaksanakan agar
meminimalisir kesalahan dalam praktikum.
b. Praktikan harap memiliki ketelitian dalam membuat rangkaian dan
membaca multimeter, agar tidak terjadi kesalahan dalam
menganalisis data.
c. Perlunya dilakukan pemeriksaan alat bahan sebelum pelaksanaan praktikum.
DAFTAR PUSTAKA
LAMPIRAN