PERCOBAAN IV

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

A. Tujuan

1. Mengetahui perilaku transistor bila digunakan sebagai saklar.

2. Mengetahui cara mengatur titik operasi.
3. Mengetahui perilaku sirkuit emitor umum tanpa umpan balik.
4. Mengetahui perilaku sirkuit emitor umum dengan umpan balik tegangan
negatif.

B. Alat dan Bahan

1. Komputer
2. Uni Train Interface SO4203-2A
3. Uni Train Experimenter SO4203-2B
4. Uni Train Extended Supply SO4203-2D
5. Uni Train Power Supply SO4203-2A
6. Uni Train Basic Transistor Card SO4203-7E
7. Uni Train Set of Cables SO5146-1L
8. Uni Train Connection Plugs SO5124-7B
9. Multimeter

C. Dasar Teori

 Struktur Transistor

BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material

semikonduktor terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn. Ketiga
material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai emitter, base dan
kolektor (Gambar 1). Daerah base merupakan semikonduktor dengan sedikit
doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling
banyak) maupun kolektor (semikonduktor berdoping sedang). Karena
strukturnya fisiknya yang seperti itu, terdapat dua jenis BJT. Tipe pertama
terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya
terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn
yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan
base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan pn yang
 menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan base-
kolektor (base-collector junction).

Gambar 1. Dua Jenis Bipolar Junction Transistor (BJT)

Gambar 1 menunjukkan simbol skematik untuk bipolar junction transistor

tipe npn dan pnp. Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan hole
sebagai muatan pembawa (carriers) didalam struktur transistor.

Transistor secara umum dibagi menjadi 2 mavam yaitu PNP dan NPN

 Transistor NPN
Pada transistor PNP arus listrik akan mengalir dari emitor menuju kolektor
saat basis diberi arus negative. Oleh karena itu pada transistor PNP
ditandai dengan tanda panah masuk kedalam pada kaki emitor.

 Transistor PNP
Pada transistor NPN arus listrik akan mengalir dari kaki kolektor menuju
emitor ketika basis diberi arus positif dan ditandai dengan tanda panah
keluar.

 Prinsip Kerja Transistor

 Gambar 2. Forward-Reverse Bias pada BJT

Gambar 2 menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp

dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian,
sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-biased) sedangkan sambungan
base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-biased). Sebagai gambaran dan
ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada transistor npn (gambar 2). Ketika
base dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan
tegangan negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan
mengurangi tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu
untuk melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan
mengalami rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui
device dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter
(daerah tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar
daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih banyak oleh elektron.
Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati sambungan pn sebagai
kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun
sangat kecil dan dapat diabaikan.

Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena daerah
base berdoping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya
tetapi berdifusi ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu negatif dan
kolektor dicatu positif (reverse bias), maka depletion BC akan melebar. Pada
daerah depletion BC, elektron yang mengalir dari emiter ke base akan terpampat
pada daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor terdapat muatan minoritas
(ion positif) maka pada daerah sambungan BC akan terbentuk medan listrik oleh
gaya tarik menarik antara ion positif dan ion negatif sehingga elektron tertarik
kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan mengalir melalui device.

 Karakteristik DC

Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa

muatan melewati sambungan dan ke basis. Dengan sambungan emitor berpanjar
maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal,
 pengoperasian di daerah aktif), gerakan pembawa muatan pada transistor n-p-n
seperti diskemakan pada gambar 9.4. melewati penurunan tegangan potensial (Vo

VEB ) ke sambungan emitor-basis. Efisiensi emitor () berharga mendekati satu

sehingga arus hampir terdiri atas semua elektron yang terinjeksi dari emitor.
Komponen lain adalah aliran lubang dari basis yang juga difasilitasi oleh
penurunan tegangan penghalang. Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih
rendah dibandingkan daerah emitor, sehingga arus lubang relatif lebih rendah.
Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui
sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab
i) tidak ada tegangan yang melawannya,

ii) hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis)dan

iii) hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga

tidak banyak elektron yang tertangkap lubang dan hilang, yaitu
dengan proses rekombinasi.

 Operasi Bipolar Junction Transistor

Transistor BIPOLAR memiliki empat daerah operasi berbeda, 
didefinisikan oleh Bias BJT Junction. Maju-Aktif (Forward-Active) Transistor
beroperasi sebagai penguat dan Ic = β * Ib Persimpangan Emitor maju ke depan
dan persimpangan Basis-Kolektor terbalik. Transistor bipolar dirancang untuk
menghasilkan gain arus Emitor terbesar, βF, dalam maju-aktif. Arus Kolektor-
Emitor sebanding dengan arus Basis,  Terbalik-Aktif (Reverse-Active) Dengan
membalik kondisi bias dari daerah maju-maju, transistor bipolar masuk ke mode
Reverse-Aktif. Mode ini, wilayah emitor dan kolektor beralih peran. Di rancang
untuk memaksimalkan penguatan arus dalam mode aktif-maju, βF dalam mode
terbalik beberapa kali lebih kecil untuk transistor Germanium. Mode Transistor
ini jarang digunakan, hanya dipertimbangkan untuk kondisi failsafe dan
beberapa tipe logika bipolar. Tegangan bias bias terbalik ke basis mungkin
merupakan urutan besarnya lebih rendah di wilayah ini.

 Transistor sebagai saklar.

Transistor Sebagai saklar adalah salah satu fungsi dari transistor itu
sendiri. Sifat saturasi dan cut off pada transistor membuat nya memiliki
karatersistik sebagai switch electric. Ketika Transistor berada dalam kondisi
saturasi maka tegangan dari Collector akan di lewatkan ke Emitor, Namun
 sebalik nya, jika Transistor berada dalam kondisi cut off maka Tegangan tidak
akan di lewatkan dari dari collector ke emitter. Pemicu kondisi transistor
berada pada kondisi saturasi maupun cut off di tentukan oleh trigger pada kaki
basis Transistor.

Sebagai contoh pada transistor NPN, kondisi saturasi ketika pada basis
ada tegangan, dan sebalik nya, jika tidak ada tegangan maka transistor akan
berada pada kondisi cut – off. Transistor jenis NPN ini berkebalikan dengan
Transistor tipe PNP. Pada PNP akan terjadi Saturasi jika tidak ada tegangan
pada basisi, atau dengan kata lain basisi di hubungkan ke GND. Sebalik nya,
kondisi cut off jika ada nya tegangan pada basis.

 Transistor Sebagai Penguat

Transistor adalah suatu monokristal semikonduktor dimana terjadi dua

pertemuan P-N, dari sini dapat dibuat dua rangkaian yaitu P-N-P dan N-P-N.
Dalam keadaan kerja normal, transistor harus diberi polaritas sebagai berikut:

1. Pertemuan Emitter-Basis diberi polaritas dari arah maju.

2. Pertemuan Basis-kolektor diberi polaritas dalam arah mundur.
Transistor adalah suatu komponen yang dapat memperbesar level sinyal
keluaran sampai beberapa kali sinyal masukan. Sinyal masukan disini dapat
berupa sinyal AC ataupun DC. Prinsip dasar transistor sebagai penguat adalah
arus kecil pada basis mengontrol arus yang lebih besar dari kolektor melewati
transistor. Transistor berfungsi sebagai penguat ketika arus basis berubah.
Perubahan kecil arus basis mengontrol perubahan besar pada arus yang
mengalir dari kolektor ke emitter. Pada saat ini transistor berfungsi sebagai
penguat. Dan dalam pemakiannya transistor juga bisa berfungsi sebagai saklar
dengan memanfaatkan daerah penjenuhan (saturasi) dan daerah penyumbatan
(cut-off). Pada daerah penjenuhan nilai resistansi penyambungan kolektor
emitter secara ideal sama dengan nol atau kolektor terhubung langsung (short).
Ini menyebabkan tegangan kolektor emitter Vce = 0 pada keadaan ideal. Dan
pada daerah cut off, nilai resistansi persambungan kolektor emitter secara ideal
sama dengan tak terhingga atau terminal kolektor dan emitter terbuka yang
menyebabkan tegangan Vce sama dengan tegangan sumber Vcc. Salah
satu fungsi utama transistor adalah sebagai penguat sinyal. Dalam hal ini
transistor bisa dikonfigurasikan sebagai penguat tegangan, penguat arus
maupun sebagai penguat daya. Berdasarkan sistem pertanahan transistor
(grounding) penguat transistor dibagi menjadi tiga jenis, yaitu :

1. Penguat Common Base (grounded-base)

 Penguat Common Base adalah penguat yang kaki basis transistor
di groundkan, lalu input di masukkan ke emitor dan output diambil pada
kaki kolektor. Penguat Common Base mempunyai karakter sebagai
penguat tegangan. Penguat Common Base Penguat Common
base mempunyai karakter sebagai berikut : Adanya isolasi yang tinggi dari
output ke input sehingga meminimalkan efek umpan balik. Mempunyai
impedansi input yang relatif tinggi sehingga cocok untuk penguat sinyal
kecil (pre amplifier). Sering dipakai pada penguat frekuensi tinggi pada
jalur VHF dan UHF. Bisa juga dipakai sebagai buffer atau penyangga.

2. Penguat Common Emitor

Penguat Common Emitor adalah penguat yang kaki emitor

transistor di groundkan, lalu input di masukkan ke basis dan output
diambil pada kaki kolektor. Penguat Common Emitor juga mempunyai
karakter sebagai penguat tegangan. Penguat Common Emitor Penguat
Common Emitor mempunyai karakteristik sebagai berikut : Sinyal
outputnya berbalik fasa 180 derajat terhadap sinyal input. Sangat mungkin
terjadi osilasi karena adanya umpan balik positif, sehingga sering dipasang
 umpan balik negatif untuk mencegahnya. Sering dipakai pada penguat
frekuensi rendah (terutama pada sinyal audio). Mempunyai stabilitas
penguatan yang rendah karena bergantung pada kestabilan suhu dan bias
transistor.

3. Penguat Common Collector

Penguat Common Collector adalah penguat yang kaki kolektor

transistor di groundkan, lalu input di masukkan ke basis dan output
diambil pada kaki emitor. Penguat Common Collector juga mempunyai
karakter sebagai penguat arus .Penguat Common Collector Penguat
Common Collector mempunyai karakteristik sebagai berikut : Sinyal
outputnya sefasa dengan sinyal input (jadi tidak membalik fasa seperti
Common Emitor) Mempunyai penguatan tegangan sama dengan 1.
Mempunyai penguatan arus samadengan HFE transistor. Cocok dipakai
untuk penguat penyangga (buffer) karena mempunyai impedansi input
tinggi dan mempunyai impedansi output yang rendah.

Berdasarkan titik kerjanya penguat transistor ada tiga jenis, yaitu:

1. Penguat Kelas A

Penguat kelas A adalah penguat yang titik kerja efektifnya

setengah dari tagangan VCC penguat. Untuk bekerja penguat kelas A
memerlukan bias awal yang menyebabkan penguat dalam kondisi siap
untuk menerima sinyal. Karena hal ini maka penguat kelas A menjadi
penguat dengan efisiensi terendah namun dengan tingkat distorsi (cacat
sinyal) terkecil. Penguat Kelas A sistem bias penguat kelas A yang
populer adalah sistem bias pembagi tegangan dan sistem bias umpan
balik kolektor. Melalui perhitungan tegangan bias yang tepat maka kita
akan mendapatkan titik kerja transistor tepat pada setengah dari
 tegangan VCC penguat. Penguat kelas A cocok dipakai pada penguat
awal (pre amplifier) karena mempunyai distorsi yang kecil.

2. Penguat Kelas B

Penguat kelas B adalah penguat yang bekerja berdasarkan tegangan

bias dari sinyal input yang masuk. Titik kerja penguat kelas B berada
dititik cut-off transistor. Dalam kondisi tidak ada sinyal input maka
penguat kelas B berada dalam kondisi OFF dan baru bekerja jika ada
sinyal input dengan level diatas 0.6Volt (batas tegangan bias transistor).

Penguat kelas B mempunyai efisiensi yang tinggi karena baru

bekerja jika ada sinyal input. Namun karena ada batasan tegangan 0.6
Volt maka penguat kelas B tidak bekerja jika level sinyal input dibawah
0.6Volt. Hal ini menyebabkan distorsi (cacat sinyal) yang disebut
distorsi cross over, yaitu cacat pada persimpangan sinyal sinus bagian
atas dan bagian bawah. Penguat Kelas B Push-Pul penguat kelas B
cocok dipakai pada penguat akhir sinyal audio karena bekerja pada
level tegangan yang relatif tinggi (diatas 1 Volt). Dalam aplikasinya,
penguat kelas B menggunakan sistem konfigusi push-pull yang
dibangun oleh dua transistor.

3. Penguat kelas AB

Penguat kelas AB merupakan penggabungan dari penguat kelas A

dan penguat kelas B. Penguat kelas AB diperoleh dengan sedikit
menggeser titik kerja transistor sehingga distorsi cross over dapat
diminimalkan.  Titik kerja transistor tidak lagi di garis cut-off namun
berada sedikit diatasnya. Penguat Kelas B penguat kelas AB merupakan
kompromi antar efisiensi dan fidelitas penguat. Dalam aplikasinya
penguat kelas AB banyak menjadi pilihan sebagai penguat audio.

4. Penguat kelas C

Penguat kelas C mirip dengan penguat kelas B, yaitu titik kerjanya

berada di daerah cut-off transistor. Bedanya adalah penguat kelas C
hanya perlu satu transistor untuk bekerja normal tidak seperti kelas B
yang harus menggunakan dua transistor (sistem push-pull). Hal ini
karena penguat kelas C khusus dipakai untuk menguatkan sinyal pada
satu sisi atau bahkan hanya puncak-puncak sinyal saja. Penguat Kelas C
penguat kelas C tidak memerlukan fidelitas, yang dibutuhkan adalah
frekuensi kerja sinyal sehingga tidak memperhatikan bentuk sinyal.
Penguat kelas C dipakai pada penguat frekuensi tinggi. Pada penguat
 kelas C sering ditambahkan sebuah rangkaian resonator LC untuk
membantu kerja penguat. Penguat kelas C mempunyai efisiensi yang
tinggi sampai 100 % namun dengan fidelitas yang rendah.

 Perbedaan BJT dan FET

  Adapun tugas atau fungsi kaki-kaki transistor tersebut ialah :
– Emitor, bertugas menimbulkan elektron-elektron.
– Kolektor, berfungsi menyalurkan elektron-elektron tersebut tersebut keluar dari
transistor.
– Basis, mengatur gerakan elektron dari emitor yang keluar melalui tep/kaki kolektor.

 Perbedaan Alfa dan Beta

a) Alpha DC (αdc)
Alpa (α) adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus
emitor. Idealnya besar αdc adalah : 1 (satu) namun umumnya transistor
yang ada di pasaran memiliki αdc kurang lebih antara <0,95 sampai
<0,99.

b) Beta DC (βdc)
Beta dc transistor didefinisikan sebagai rasio arus kolektor DC
denga arus basis DC. Beta dc juga dikenal sebagai gain arus (penguat
arus) karena arus pada basis yang kecil dapat menghasilkan arus
kolektor yang jauh lebih besar.

 Karakteristik Kurva
 Kurva Kolektor
Karakteristik kolektor yang terlihat dari pengamatan kurva
kolektor dibawah ini merelasikan antara IC , VBE, dan IB sebagai sumber
parameter. Dari kurva kolektor tersebut, tampak disana ada 4 daerah
yaitu daerah aktif, daerah saturation (jenuh), daerah cuf-off (putus), dan
daerah breakdown (dadal).
 Gambar 1. Kurva kolektor
 Daerah aktif
Daerah antara tegangan lutut (knee), VK dan tegangan dadal
(breakdown), VBR serta diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila
sambungan emitor diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias
balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis ( IC
= IB).

Tabel 1.

 Daerah saturation (jenuh)

Daerah dengan VCE lebih kecil dari tegangan lutut (V K). Daerah
saturasi terjadi bila sambungan emitor dan basis sama-sama diberi bias
maju. Pada daerah saturasi, arus kolektor (IC) tidak tergantung pada arus
basis (IB).

 Nilai VCE (sat) transistor silikon = 0,2 volt

 Nilai VCE (sat) transistor germanium = 0,1 volt

Tabel 2.
 Daerah cut-off (putus)
Daerah yang terletak di bawah IB = ICO. Daerah cut-off terjadi
bila sambungan kolektor dan emitor sama-sama diberi bias balik. Pada
daerah cut-off, IE = 0 ; IC =ICO = IB.
Tabel 3.

 Daerah breakdown (dadal)

Daerah yang terletak di atas batas tegangan maksimum
kolektor-emitor (VCE) suatu transistor. VCE maksimum pada beberapa
jeni transistor adalah berbeda-beda. Pada kurva kolektor diatas terlihat,
daerah breakdown terjadi setelah VCE transistor mencapai diatas ± 10
volt. Transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena transistor
dapat menjadi rusak.

Keterangan:
VK = tegangan lutut (knee)
IB = Arus basis
ICO = Arus cut-off
VCE = Tegangan kolektor-emitor
VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi

 Kurva Basis
kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan
tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter VCE
sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut.
 Gambar tersebut menunjukkan grafik yang mirip dioda,
karena bagian emiter – basis dari transistor merupakan dioda. Karena
bertambah lebarnya lapisan pengosongan dengan bertambahnya
tegangan kolektor, arus basis berkurang sedikit karena lapisan
pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron basis.

 Kurva Beta

Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan

suhu dan arus kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β
juga bertambah dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik
diluar nilai tertentu β akan turun.
D. Langkah Percobaan

D.1 Transistor Sebagai Sebuah Switch

1. Mengatur percobaan berikut menggunakanSO4203-7E yang "sirkuit

Transistor" kartu:

2. Animasiberikut menggambarkancara mengaturpercobaan:

3. Membuka Fungsi Generatorinstrumen virtualdengan memilih Instrumen

Sumber Tegangan Fungsi Generator dari menu atau dengan mengklik
pada diagram dibawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang ditunjukkan
pada tabel berikut. Kemudian beralih instrumen menggunakan tombol
POWER.
 Settings for the Function Generator
Amplitude at 1:10 0%
Frequency:  0 Hz
Waveform: DC POS

4. Membuka instrumen virtual Oscilloscope dengan memilih Instrumen

Measuring Instruments Oscilloscope dari menu atau dengan mengklik
pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang ditunjukkan
pada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 500 mV / div
Channel B 5 V / div
Time base: 1 s / div
Operating mode: X/T DC
Trigger: B, falling edge, 7.5 V
 Pretrg:  50% single

5. Mengatur rasio tegangan generator fungsi untuk 1:10, sehingga tegangan

basis maksimum adalah 1 V. Mulailah dengan 0% tegangan dan
menaikkan tegangan di secepat mungkin untuk 100%. Jika semua
pengaturan telah dibuat seperti yang ditunjukkan, osiloskop harus memicu
sinyal pemicu dan menampilkan jejak kurva. Tarik jejak osiloskop yang
Anda peroleh sebagai berikut placeholder grafis.

Seberapa tinggi UO tegangan output ketika tegangan basis pada 0%?

UO = V
Seberapa tinggi UO tegangan output ketika tegangan basis pada maksimum?
UO = V (Tegangan keluaran dari generator fungsi sekarang di 100%.)

Di mana basis tegangan UB apakah tegangan output UO berubah?

UB = mV

6. Di dasar mana tegangan UB apakah tegangan keluaran UO berubah?

Settings for the Function Generator

Amplitude at 1:10 100 %
Frequency:  1 Hz
Waveform: Triangular

7. Mengubah pengaturan untuk instrumen virtual Oscilloscope seperti yang

ditunjuk kanpada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 0.5 V / div
Channel B 5 V / div
Time base: 200 ms / div
Operating mode: X/T
Trigger: B, falling edge, 7.5 V
 PRETRG: 25% single

8. Mengatur basis waktu osiloskop untuk 200ms dan klik pada tombol
DAYA dari generator fungsi lagi. Kemudian merekam kurva tegangan
dengan osiloskop. Tarik jejak kurva ke jaringan di bawah ini.
D.2 Transistor Sebagai Penguat

D.2.1 Mengatur Titik Operasi

1. Mengatur percobaan berikut menggunakan SO4203-7E yang"sirkuit

Transistor" kartu:

2. Animasi berikut menggambarkan cara mengatur percobaan:

 3. Membuka instrumen virtual Voltmeter B untuk menampilkan tegangan
output UO dengan memilih Instrumen Measuring Instruments Voltmeter
B dari menuatau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih
pengaturan seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut.

Settings for Voltmeter B (UO)

Measurement range: 20 V DC
Operating mode: AV

4. Menentukan tegangan output maksimumUOmaxdengan memutar

potensiometer

5. Mengatur titik operasi dari transistor dengan memutar potensiometer

sehingga tegangan pada kolektor transistor kira-kira sama dengan
setengah tegangan suplai. Perhatikan bahwa bahkan gerakan kecil dari
potensiome terdapat mengubah tegangan output dengan jumlah yang
cukup. Prosedur ini karenanya harus dilakukan dengan hati-hati

Seberapa tinggi tegangan output UO setelah pengaturan titik operasi?

UO = V

6. Membuka Fungsi Generator instrumen virtual dengan memilih Instrumen

Sumber Tegangan Fungsi Generator dari menuatau dengan mengklik
pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang ditunjukkan
pada tabel berikut. Kemudian beralih instrumen menggunakan tombol
POWER.

Settings for the Function Generator

Amplitude at 1:100 20 %
Frequency:  1 kHz
Waveform: Sine

7. Menutup Voltmeter B, dan membukai nstrumen virtual Oscilloscope

dengan memilih Instrumen|Measuring Instruments Oscilloscope dari
menuatau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih
pengaturan seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 20 mV AC / div
Channel B 2 V AC / div
Time base: 500 µs / div
Operating mode: X/T
Trigger: B

8. Menggunakan fungsi generator untuk memberi makan sinyal sinusoidal

amplitudo 40m Vpp (20% untukrasio1: 100) dan frekuensi 1 kHz ke
dasar transistor melalui kapasitor C1, dan mencatat hal inidi Channel A
dari osiloskop. Catat output di Channel B.Tarik jejak kurva ke jaringan di
bawah ini.
 9. Menentukan nilai puncak ke puncak tegangan output UO.

UOpp = V

10. Dari nilai yang ditentukan untuk tegangan output adalah mungkin untuk
menghitung gain AU. Menghitung ini dengan membagi tegangan output UO
dengan tegangan inputUI.

AU = UO / UI = V/ mV =

11. Dari nilai yang ditentukan untuk tegangan output,adalah mungkin untuk
menghitung gain AU. Menghitung ini dengan beralih Fungsi Generator
instrumen virtual off lagi dan menutup instrumen virtual Oscilloscope.

12. Membuka instrumen virtual Voltmeter Buntuk menampilkan tegangan

output UO lagi dengan memilih Instrumen Measuring Instruments
Voltmeter B dari menu atau dengan mengklik pada diagram di bawah ini,
dan pilih pengaturan yang digunakan sebelumnya seperti yang di
tunjukkan pada tabel berikut.

Settings for Voltmeter B (UO)

Measurement range: 20 V DC
Operating mode: AV
13. Mengatur titik operasi dari transistor dengan memutar potensiometer
sehingga tegangan pada kolektor transistor +2,8V.

14. MenutupVoltmeter B, dan membuka instrumen virtua lOscilloscope lagi

dengan memilih Instrumen Measuring Instruments Oscilloscopedari
menu atau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih
pengaturan yang di gunakan sebelumnya seperti yang di tunjukkan pada
tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 20 mV AC / div
Channel B 2 V AC / div
Time base: 500 µs / div
Operating mode: X/T
Trigger: B

15. Mengalihkan Fungsi Generator instrumen virtual lagi dan terus makan
sinyal sinusoidal amplitudo 40mVpp (20% untukrasio1: 100) dan
frekuensi1kHzke basist ransistor rmelalui kapasitor C1. Catat ini di
Channel A dari osiloskop. Catat outputdi Channel B. Tarik jejak kurva ke
jaringan di bawah ini.

Menafsirkan jejak osiloskop, dan pilih yang mana dari pernyataan berikut
adalah benar.

Sinyal output tidak berubah setelah menggeser titik operasi.

Sinyal output bergeser ke arah 0V.
Sinyal output bergeser ke arah+UB.
 Sinyal output terdistorsi.
Positif setengah gelombang sinyal output sebagian telah
terputus.
Negatif setengah gelombang sinyal output sebagian telah
terputus.

Akhirnya, memilih pernyataan secara fundamental berlaku untuk sirkuit ini.

Sinyal outputter balik terhadap sinyal masukan.

Sinyal output dalam fase dengan sinyal input.

D.2.2 Rangkaian Common Emitter Tanpa Feedback

1. Mengaturtitik operasisetengah daritegangan suplaiseperti yang Anda

lakukandalam latihan sebelumnya.

2. MengaturpercobaanberikutmenggunakanSO4203-7Eyang"sirkuit
Transistor" kartu:

3. Animasi berikut menggambarkan cara mengatur percobaan:

4. Menetapkan titik operasi, buka Fungsi Generator instrumen virtual
dengan memilih Instrumen Sumber Tegangan Fungsi Generator dari
menu atau dengan mengklik pada diagram di bawah ini, danpilih
pengaturan seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. Kemudian
beralih instrumen menggunakan tombol POWER.

Settings for the Function Generator

Amplitude at 1:100 10 %
Frequency:  1 kHz
Waveform: Sine

5. Membuka instrumen virtual Oscilloscope dengan memilih Instrumen

Measuring Instruments Oscilloscope dari menuatau dengan mengklik
pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang di
tunjukkan pada tabel berikut.

Settings for the Oscilloscope

Channel A 20 mV / div
Channel B 2 V / div
Time base: 200 µs / div
Operating mode: X/T AC

6. Menggunakan fungsi generator untuk menerapkan sinyal sinusoidal 20m

Vpp frekuensi 1kHz ke inputdari rangkaian dan mencatat hal ini di
Channel A dari osiloskop. Catat tegangan output di Channel B osiloskop.
Meningkatkan tegangandenganfungsi generator, dan perhatikan titik di
 mana sinyal output mulai menjadi terdistorsi. Putuskan sendiri titik di
mana sinyal tidak lagi memiliki bentuk sinusoidal. Tarik osiloskop jejak
yang Anda peroleh dengan

7. Karena panas transistor dengan napas atau sumber lain panas. (Jangan
gunakan api telanjang.) Transfer jejak osiloskop yang kemudian Anda
mendapatkan untuk input dan output saluran sebagai berikut place holder
grafis lagi.

Manakah dari pernyataan berikut sesuai pengamatan Anda selama pemanasan?

Positif setengah gelombang sinyal output
terpotong.
Sinyal output tetap tidak berubah.
Negatif setengah gelombang sinyal output
terpotong.
 Apa penyebab pengamatan Anda?

Titik operasi bergeser ke arah +UB.

Titik operasi tetap tidak berubah.

Titik operasi di geser ke tanah.

(Pikirkan kembali percobaan di mana Anda mengatur titik operasi.)

Manakah dari penjelasan yang benar?

Perilaku transistor tidak tergantung pada suhu.

Pemanasan menyebabkan transistor untuk melakukan lebih baik
danp erlawanan dari jalur mengumpulkan emitor jatuh.
Pemanasan menyebabkan transistor untuk melakukan lebih baik dan
perlawanan dari jalur mengumpulkan emitor naik.

D.2.3 Rangkaian Common Emitter Dengan Feedback Tegangan Negatif

1. Mengatur percobaan berikut menggunakan SO4203-7E "sirkuit Transistor"

kartu. 

2. Animasi berikut menggambarkan cara mengatur percobaan:

3. Menyesuaikan P1, menentukan tegangan kolektor maksimum yang dapat
diperoleh tanpa menerapkan tegangan input. Kemudian mengatur titik
operasi setengah dari tegangan kolektor maksimum ini.

4. Menetapkan titik operasi, buka Fungsi Generator instrumen virtualdengan

memilih Instrumen Sumber Tegangan Fungsi Generator dari menu atau
dengan mengklik pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti
yang di tunjukkan pada tabel berikut. Kemudian beralih instrumen
menggunakan tombol POWER.

Settings for the Function Generator

Amplitude at 1:100 10 %
Frequency:  1 kHz
Waveform: Sine

5. Membuka instrumen virtual Oscilloscope dengan memilih Instrumen

Measuring Instruments Oscilloscope dari menuatau dengan mengklik
pada diagram di bawah ini, dan pilih pengaturan seperti yang di
tunjukkan pada tabel berikut.
 Settings for the Cscilloscope
Channel A 50 mV / div
Channel B 1 V / div
Time base: 500 µs / div
Operating mode: X/T AC
Trigger: B, rising edge

6. Menggunakan fungsi generator untuk menerapkan sinyal sinusoidal

20mVpp frekuensi 1kHz ke input dari rangkaian, dan mencatathal inidi
Channel A dari osiloskop. Catat tegangan output di Channel B osiloskop.
Meningkatkan tegangan dengan fungsi generator, dan perhatikan titik di
mana sinyal output mulai menjadi terdistorsi. Putuskan sendiri titik di
mana sinyal tidak lagi memiliki bentuk sinusoidal. Tarik jejak osiloskop
yang Anda peroleh sebagai berikut place holder grafis.

7. Menghitung gain dengan menentukan input dan output tegangan.

AU =

8. Menghangatkan transistor dengan napas atau sumber lain panas (tidak

menggunakan api telanjang). Mentransfer jejak osiloskop yang kemudian
Anda mendapatkan untuk input dan output saluran sebagai berikut place
holder grafis lagi.