PERCOBAAN II

Bipolar Junction Transistor

2.1 Tujuan percobaan

1. memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT

2.2 Tunjuan Pustaka

2.2.1 Transistor
Transistor adalah salah satu komponen yang selalu ada di setiap rangkaian
elektronika seperti radio, televisi, handphone, lampu flip-flop dll. Fungsi dari
komponen ini sangatlah penting. Kebanyakan transistor digunakan untuk
kebutuhan penyambungan dan pemutusan (switching), seperti halnya saklar.
Yaitu untuk memutus atau menyambungkan arus listrik, penggunaan tersebut
bertujuan mendapatkan system kerja yang di inginkan dari suatu sirkit elektronik.
Selain dari pada itu, transistor juga berfungsi sebagai penguat (amplifier ),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal, dan banyak lagi. Keinginan kita untuk
merubah fungsi transistor ini adalah dari pemilihan jenis transistor atau dengan
cara perangkaian sirkit transistor itu sendiri. Dengan banyaknya fungsi itu,
komponen transistor banyak sekali digunakan di dalam rangkaian elektronika.
Jenis-jenis transistor dibedakan berdasarkan arus input-nya (BJT) (Bipolar
Junction Transistor ) atau tegangan inputnya (FET) (Field Effect Transistor ). Yang
membedakan transistor dengan komponen lain, adalah memiliki 3 kaki utama,
yaitu Base (B),Collector , (C) dan Emitter (E). dimana base terdapat arus yang
sangat kecil, berguna untuk mengatur arus dan tegangan yang ada pada
Emitor, pada keluaran arus Kolektor. Sehingga apabila terdapat arus pada basis,
tegangan yang besar pada kolektor akan mengalir menuju emitor
Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain Germanium,
Silikon, Galium Arsenide. Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri biasanya
terbuat dari Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga beberapa transistor yang
dikemas dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit).
Contoh penggunaan transistor dalam rangkaian analog, adalah digunakan
untuk fungsi amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara,
sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguatsinyal radio. Dalam rangkaian-
rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi
sebagai logic gate, memoridan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.

2.2.2 BJT (Bipolar Junction Transistor)

Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis transistor yang memiliki tiga
kaki, yaitu (Basis, Kolektor,dan Emitor) dan di pisah menjadi dua arah aliran, positif
dan negatif. Aliran positif dan negatif diantara Basis dan Emitor terdapat tegangan
dari 0v sampai 6v tergantung pada besar tegangan sumber yang dipakai. Dan
besar tegangan tersebut merupakan parameter utama transistor jenis BJT. Tidak
seperti Field Effect transistor (FET), arus yang dialirkan hanya terdapat pada satu
jenis pembawaan (Elektron atau Holes). Di BJT, arus dialirkan dari dua tipe
pembawaan (Elektron dan Holes), hal tersebut yang dinamakan dengan Bipolar.
Ada dua jenis tipe transistor BJT, yaitu tipe PNP dan NPN. Dimana NPN,
terdapat dua daerah negative yang dipisah dengan satu daerah positif. Dan PNP,
terdapat dua daerah positif yang dipisah dengan daerah negatif.

Gambar 2.1 Contoh PNP dan NPN

2.2.3 NPN dan PNP

A. NPN
Pada transistor jenis NPN terdapat arah arus aliran yang berbeda dengan
transistor jenis PNP, dimana NPN mengalir arus dari kolektor ke emitor. Dan
pada NPN, untuk mengalirkan arus tersebut dibutuhkan sambungan ke sumber
positif (+) pada kaki basis.
Cara kerja NPN adalah ketika tegangan yang mengenaikaki basis, hingga
dititik saturasi, maka akan menginduksi arus dari kaki kolektor ke emitor. Dan
transistor akan berlogika 1 (aktif). Dan apabila arus yang melalui basis berkurang,
maka arus yangmengalir pada kolektor ke emitor akan berkurang, hingga titik cut
off. Penurunan ini sangatlah cepat karena perbandingan penguatan yang terjadi
antara basis dan kolektor melebihi 200 kali.

Gambar 2.2 simbol BJT jenis NPN

B. PNP
Pada PNP, terjadi hal sebaliknya ketika arus mengalir pada kaki basis,
maka transistor berlogika 0 (off).Arus akan mengalir apabila kaki basis diberi
sambungan ke ground (-) hal ini akan menginduksi arus pada kaki emitor ke
kolektor, hal yang berbeda dengan NPN, yaitu arus mengalir pada kolektor ke
emitor. Penggunaan transistor jenis ini mulai jarang digunakan. Dibanding dengan
NPN, transistor jenis PNP mulai sulit ditemukan dipasaran

Gambar 2.3 simbol BJT jenis PNP

2.2.4 Karakteristik BJT

1. Kurva Kolektor
Karakteristik kolektor yang terlihat dari pengamatan kurva kolektor dibawah
ini merelasikan antara IC , VBE, dan IB sebagai sumber parameter. Dari kurva
kolektor tersebut, tampak disana ada 4 daerah yaitu daerah aktif, daerah
saturation (jenuh), daerah cuf-off (putus), dan daerah breakdown (dadal).
 Gambar 2.4 kurva kolektor

Daerah Aktif
Daerah antara tegangan (knee), VK dan tegangan dadal (breakdown),
VBR serta diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor diberi bias
maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor
sebanding dengan arus basis ( IC = IB).

Gambar 2.5 NPN dan PNP pada daerah aktif

Daerah Saturation (jenuh)

Daerah dengan VCE lebih kecil dari tegangan lutut (VK). Daerah saturasi
terjadi bila sambungan emitor dan basis sama-sama diberi bias maju. Pada daerah
saturasi, arus kolektor (IC) tidak tergantung pada arus basis (IB).
1. Nilai VCE (sat) transistor silikon = 0,2 volt
2. Nilai VCE (sat) transistor germanium = 0,1 volt
Gambar 2.6 PNP dan NPN pada daerah saturation

Daerah Cut-Off
Daerah yang terletak di bawah IB = ICO. Daerah cut-off terjadi bila
sambungan kolektor dan emitor sama-sama diberi bias balik. Pada daerah cut-off,
IE = 0 ; IC =ICO = IB.

Gambar 2.7 PNP dan NPN pada daerah cut-off

Daerah Breakdown
Daerah yang terletak di atas batas tegangan maksimum kolektor-emitor
(VCE) suatu transistor. VCE maksimum pada beberapa jeni transistor adalah
berbeda-beda. Pada kurva kolektor diatas terlihat, daerah breakdown terjadi
setelah VCE transistor mencapai diatas ± 10 volt. Transistor tidak boleh bekerja
pada daerah ini, karena transistor dapat menjadi rusak.

Keterangan:
VK = tegangan lutut (knee)
IB = Arus basis
ICO = Arus cut-off
VCE = Tegangan kolektor-emitor
VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi
 2. Kurva Basis
Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis (IB) dan tegangan
basis-emitor (VBE) dengan tegangan kolektor-emitor (VCE) sebagai
parameternya.

Gambar 2.8 Kurva karakteristik basis

Kurva basis diatas dapat terlihat pada alat ukur yang bernama osiloskop dengan
cara menghubung singkatkan kolektor-emitor (VCE = 0) dan emitor diberi bias
maju.
Dengan bertambahnya VCE pada VBE yang konstan (tetap), maka lebar
daerah deplesi di sambungan kolektor bertambah dan mengakibatkan lebar basis
efektif berkurang. Dengan berkurangnya lebar basis, maka arus basis (IB)
rekombinasi juga berkurang.
3. Kurva Beta
Kurva beta menunjukkan bahwa nilai β akan berubah dengan dipengaruhi
oleh suhu (T) dan arus kolektor (IC). Berikut karakteristiknya:
1. Nilai β bertambah jika suhu (T) naik.
2. Nilai β bertambah jika arus kolektor (IC) naik.
3. Nilai β turun jika arus kolektor (IC) naik di luar nilai tertentu.
Gambar 2.9 Kurva beta (β)
2.3 Daftar Komponen dan Alat
1. Modul praktikum Elektronika Dasar.
2. Satu Buah Multimeter Digital.
3. Satu buah variable Power supply
4. Datasheet transistor yang digunakan

2.4 Cara Kerja

2.4.1 Testing kondisi BJT
1. Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa dioda
emiter dan dioda kolektor dari transistor.
2. isilah tabel 2.1.

Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

Hambatan
BJT Keterangan
Dioda
Avo
No Basis Basis keterangan
No Meter
Type Emiter kolektor baik buruk
Seri
(Ω) (Ω)

1 BC547 NPN Digital

2 BC557 PNP Digital

2.4.2 Fixed bias

1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.7
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar
transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.5
 Gambar 2.10 Konfigurasi Fixed Bias

Tabel 2.5 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed bias

No IB (A) IC (A) VCE (V) VBE (V) Β Keterangan

2.4.3 Voltage divider bias

1. sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.8
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar
transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.6
 Gambar 2.8 Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

2
2.5 Data Hasil Percobaan
2.5.1 Testing kondisi BJT
Dari percobaan testing kondisi BJT di dapat hasi sebagai berikut:

Tabel 2.7 Resistansi diode BJT

Hambatan
BJT Keterangan
Dioda
Avo
No Basis Basis keterangan
No Meter
Type Emiter kolektor Baik buruk
Seri
(Ω) (Ω)
Karena
1 BC547 NPN Digital 0,643 0,640  adanya nilai
hambatan
Karena
2 BC557 PNP Digital 0,635 0,640  adanya nilai
hambatan

2.5.2 Konfigurasi BJT

A. Fixed bias
Dari percobaan konfigurasi fixed bias didapat hasil sebagai berikut:

Tabel 2.8 Hasil pengamatan konfigurasi Fixed Bias

No IB (A) IC (A) VCE (V) VBE (V) Β Keterangan

1 0,00012 0,00008 11,85 11,92 0,666 Transistor BC 557

2 0,00012 0,00008 0,0074 0,622 0,666 Transistor BC 547

B.Voltage divider bias

Dari percobaan konfigurasi Voltage Divider Bias didapat hasil sebagai
berikut:
Tabel 2.9 Hasil pengamatan konfigurasi Voltage Divider bias

No IB (A) IC (A) VCE (Ω) VBE (Ω) β Keterangan

1 0,0048 0,12 0,375 2,97 25 Transistor BC 557

2 0,0048 0,12 3,109 0,755 25 Transistor BC 547

2.6 Analisa Data Percobaan
2.6.1 Testing kondisi BJT
Seperti yang diperlihatkan pada tabel 2.10 dapat dijelaskan bahwa sebuah
transistor jika dalam kondisi baik akan mempunyai sebuah nilai hambatan dengan
nilai nol, sebaliknya bila tidak dapat dihitung maka dalam keadaan rusak. Pada
percobaan kali ini kami menggunakan transistor jenis dan type NPN (BC547) dan
PNP (BC557), untuk hasi percobaan dapat dilihat pada table 2.8 berikut ini.

Tabel 2.10 Hasil pengukuran resistansi diode BJT

Hambatan
BJT Keterangan
Dioda
Avo
No Basis Basis keterangan
No Meter
Type Emiter kolektor baik buruk
Seri
(Ω) (Ω)
Karena
1 BC547 NPN Digital 0,643 0,640  adanya nilai
hambatan
Karena
2 BC557 PNP Digital 0,635 0,640  adanya nilai
hambatan

Pada testing kondisi BJT tipe NPN (BC547) yang kami periksa adalah
kondisi transistor, dengan cara memeriksa hambatan (resistansi) pada emitter dan
kolektor dari transistor tersebut. Pada percobaan yang kami lakukan, alat yang
digunakan untuk testing kondisi BJT adalah multimeter digital dimana probe pada
multimeter digital diletakan pada kaki emitter dan kolektor untuk probe bermuatan
positif diletakan pada kaki emitter dan probe negative diletakan pada kaki kolektor
Dari hasil percobaan didapat nilai hambatan pada kaki emitter dan kolektor
ketika testing kondisi BJT tipe NPN (BC457) didapat 0,643 Ω untuk basis emitter
dan 0,640 Ω untuk basis kolektor. Seperti yang telah dikatakan pada teori
sebelumnya jika transistor dalam keadaan baik maka nilai hambatan bernilai nol
dan bila dalam keadaan buruk nilai hambatan dapat dihitung. Dari hasil percobaan
kami didapat transistor BJT yang digunakan memiliki nilai hambatan yang kecil
yaitu sebesar 0,643 Ω pada basis emitter dan 0,640 Ω pada basis kolektor, dari
hasi tersebut dapat dikatakan transistor dalam keadaan baik dan dapat
disimpulkan percobaan yang kami lakukan sudah sesuai teori.
Selanjutnya percobaan testing kondisi BJT tipe PNP (BC547) yang
diperiksa adalah kondisi transistor, dengan cara memerikasa hambatan
(resistansi) pada kaki emitter dan kaki kolektor dari transistor tersebut. Pada
percobaan yang kami lakukan hanya menggunakan alat ukur multimeter digital
yang dimana probe pada multimeter digital diletakan pada kaki emitter dan
kolektor. Untuk probe bermuatan positif diletakkan pada kaki emitter dan probe
negative pada kaki kolektor.
Dari hasil percobaan didapatkan nilai hambatan pada kaki emitter dan
kolektor ketika testing BJT type PNP (BC557) yaitu 0,635 Ω pada emitter dan 0,640
Ω pada kolektor. Dapat kami simpulkan bahwa transistor tersebut dalam keadaan
baik Karena menurut teori dikatakan bahwa transistor dalam kondisi baik maka
nilai hambatannya adalah nol. Dari hasi percobaan yang kami lakukan sudah
sesuai dengan teori

2.6.2 Konfigurasi BJT Fixed Bias

Fixed bias adalah pemberian tegangan dengan menggunakan tahanan
basis dan tahanan kolektor.

Gambar 2.9 Konfigurasi BJT PNP dan NPN Fixed Bias

Berdasarkan rangkaian gambar 2.7 tersebut pada BJT PNP (BC 557) dan
BJT NPN (BC547), dengan input DC yang dilakukan saat percobaan maka
kapasitor diganti dengan rangkaian terbuka (open circuit). Dalam perhitungan
secara teori dapat menggunakan persamaan 2.1 , 2.2 , dan 2.3 berikut
 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = …………………..……………………2.1
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = ……………..……………………..…2.2
𝑅𝐶
𝐼𝐶
𝛽= …………………………………………2.3
𝐼𝐵

1. Pada BJT PNP (BC557)

Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1
𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IB = = = 0,00012 𝐴
𝑅𝐵 100000 Ω

Untuk menari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IC = 𝑅𝐶
= 150000 Ω = 0,0000 8 𝐴

Untuk mencari nilai 𝛽, menggunakan persamaan 2.3

IC 0,00008
β= = = 0,666
IB 0,00012

2. Pada BJT NPN (BC547)

Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1
𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IB = = = 0,00012 𝐴
𝑅𝐵 100000 Ω

Untuk menari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IC = = = 0,0000 8 𝐴
𝑅𝐶 150000 Ω

Untuk mencari nilai 𝛽, menggunakan persamaan 2.3

IC 0,00008
β = IB = 0,00012 = 0,666

Untuk hasil keseluruhan dapat dilihat pada tabel 2.8 berikut

Tabel 2.11 hasil pengamatan konfigurasi Fixed Bias BJT

No IB (A) IC (A) VCE (V) VBE (V) Β Keterangan

1 0,00012 0,00008 11,85 11,92 0,666 Transistor BC 557

2 0,00012 0,00008 0,0074 0,622 0,666 Transistor BC 547

Berdasarkan hasil pengukuran diatas untuk transistor BC 557 yaitu jenis

PNP dapat diperoleh IB 0.00012 A, IC 0.00008 A, VCE 11.85 V, VBE 11.92 V β 0.666
dan untuk transistor BC 547 jenis NPN dapat diperoleh IB 0.00012 A, IC 0.00008
A, VCE 0.0074 V, VBE 0.622 V, β 0.666. percobaan kali ini dapat kita simpulkan
untuk perhitungan IB,IC, dan β bernilai sama akan tetapi pada tegangan colektor
emitor dan basis emitor berbeda.

2.6.3 Konfigurasi BJT Voltage Divider Bias

Voltage divider bias atau bias pembagi tegangan merupakan dengan
pembagi tegangan (R1 dan R2) yang terhubung di kaki basis. Rangkaian pembagi
tegangan biasanya digunakan untuk membuat suatu tegangan referensi dari
sumber tegangan yang lebih besar, titik tegangan referensi pada sensor, untuk
memberikan bias pada rangkaian penguat atau untuk memberi bias pada
komponen aktif. Pada transistor jenis NPN tegangan basis dan kolektornya positif
terhadap emitor, sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan kolektornya
negatif terhadap tegangan emitor. Seperti pada gambar 2.8 berikut

Gambar 2.10 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Berdasarkan rangkaian pada gambar 2.8 yaitu BJT PNP (BC557) dan BJT
NPN (BC547),dengan input DC yang dilakukan saat percobaan maka kapasitor
diganti dengan rangkaian terbuka (open circuit). Dalam perhitungan secara teori
dapat menggunakan persamaan 2.1, 2.2, 2.3, dan 2.4 berikut
𝑅𝐵 = 𝑅𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑅1 + 𝑅2………….………..2.4
1. Pada NPN BC 557
Untuk mencari RB menggunakan persamaan 2.4
R1 X R2 10000 X 3300
RB = = = 2481,2 Ω
R1+R2 10000+3300

Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1

 𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IB = 𝑅𝐵
= 2481,2 Ω = 0,0048 𝐴

Untuk mencari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IC = = = 0,12 𝐴
𝑅𝐶 100 Ω

Untuk mencari nilai 𝛽 menggunakan persamaan 2.3

IC 0,12
β = IB = 0,0048 = 25

2. Pada PNP BC 557

Untuk mencari RB menggunakan persamaan 2.4
R1 X R2 10000 X 3300
RB = R1+R2
= 10000+3300
= 2481,2 Ω

Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1

𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IB = = = 0,0048 𝐴
𝑅𝐵 2481,2 Ω

Untuk mencari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
IC = 𝑅𝐶
= 100 Ω = 0,12 𝐴

Untuk mencari nilai 𝛽 menggunakan persamaan 2.3

IC 0,12
β= = = 25
IB 0,0048

Untuk hasil keseluruhan dapat dilihat pada tabel 2.9 berikut

Tabel 2.12 Hasil pengamatan konfigurasi Voltage Divider Bias BJT

No IB (A) IC (A) VCE (Ω) VBE (Ω) β Keterangan

1 0,0048 0,12 0,375 2,97 25 Transistor BC 557

2 0,0048 0,12 3,109 0,755 25 Transistor BC 547

Berdasarkan hasil pengukuran diatas untuk transistor BC 557 yaitu jenis

NPN dapat diperoleh IB 0.0048 A, IC 0.12 A, VCE 0.375 V, VBE 2.97 V, β 25 dan
untuk transistor BC 547 jenis PNP dapat diperoleh IB 0.0048 A, IC 0.12 A, VCE 3.109
V, VBE 0.755 V, β 25. percobaan kali ini dapat kita simpulkan untuk perhitungan
IB,IC, dan β bernilai sama akan tetapi pada tegangan kolektor emitor dan basis
emitor berbeda.
2.7 Jawaban Pertanyaan
2.7.1 Pertanyaan
1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan saturasi?
2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah grafik,
a. IC terhadap VCE
b. VBE terhadap IB
c. hFE terhadap IC.
3. Tentukan titik Q pada BJT, pada tiap konfigurasi!
4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja
BJT!
5. Sebutkan kegunaan dari BJT serta aplikasinya?
6. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off, aktif
dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan!
7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil (pergeseran
titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!
8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?
9. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah
disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut
data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya!
10. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri
kesimpulannya
11. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan
kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.
2.7.2 Jawaban
1. Daerah cut-off
Daerah cut-off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan
transistor menyumbat pada hubungan kolektor dan emitor. Daerah cut-off sering
dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat
mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut-off transistor dapat
dianalogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor dan emitor.
Daerah aktif
Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai penguat
sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor selelu
mengalirkan arus dari kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses penguatan
sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat.
Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (cut-off).
Daerah saturasi
Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor
mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor
tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor dan emitor. Pada daerah ini
transistor dikatakan menghantar maksimum.

3. A.Bias Tetap
Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum dan berpotongan
dengan Vce saturasi.
B. Bias Emiter Terstabilkan
Titik Q point terjadi pada perpotongan garis Ibo dan garis yang
menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re.
C. Bias Pembagi Tegangan
Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge.

4. Cara kerja BJT

Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif
atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal.Ketiga terminal tersebut
adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B). Perubahan arus listrik dalam jumlah
kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah
besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor
sebagai penguat elektronik.

5. Kegunaan dari BJT

Diantaranya berfungsi sebagai saklar. Satu contoh di mana transistor
dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika digital. Dalam
elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan, yaitu voltase ada dan
voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off.
Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong. Membangun
sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil kapasitor penggandeng
dan bypass kapasitor serta manghubungkan keluaran tiap tingkatan langsung
pada input dari tingkatan berikutnya. dengan cara ini tegangan dc digandeng,
seperti tegengan ac. Rangkaian yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan
dengan penguat dc. Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah drift
yaitu, pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir dihasilkan dengan
perubahan kecil pada tegangan catu, parameter transistor, dan variasi suhu.

6. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor

kecil, maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. Titik cut-off
menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam rangkaian.
VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V, yaitu tengangan catu kolektor.
Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang
menghasilkan gain arusnya 10. Karena di sana lebih dari cukup arus basis untuk
menjenuhkan transistor.
Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier (IC = B *
IB). Beta adalah salah satu dari parameter transistor, bagian dari base transistor.
Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200, tapi bisa

7. asd

8. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan
yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan
pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Reverse Bias adalah hubungan
yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif
baterai dihubungkan dengan sisi-n.

9. Jika hasil yang didapat setelah percobaan tak sesuai dengan teori, dapat
dikarenakan oleh karena rusaknya transistor. Kerusakan ini diakibatkan oleh
kurangnya perawatan yang baik atau mungkin kerusakan ini disebabkan oleh
faktor umur alat yang sudah lama. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena
transistor telah melewati daerah breakdown.

10. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan
memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori yang
ada. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam pembacaaan skala
pada alat ukur multimeter.

11. A. Testing kondisi BJT

BJT dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan diodenya
dapat dihitung
B. Konfigurasi BJT
Nilai IB, Ic, VBE, dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu akan tetapi
pada VCE dan VBE mengalami perubahan nilai
2.8 Kesimpulan
1. BJT atau Bipolar Junction Transistor adalah komponen elektronika
semikonduktor yang didoping dan terpisah oleh dua sambungan pn. BJT
mempunyai tiga kaki yang diantaranya : emitter, basis, dan kolektor. Pada
daerah basis merupakan daerah yang sangat tipis dibanding dengan
kolektor dan emitor Karena pada daerah ini sangat dikit doping. Sedangkan
untuk emitter mempunyai tingkat doping yang tinggi dan kolektor mempunyai
tingkat doping yang rendah. Terdapat 2 jenis BJT atau Bipolar Junction
Transistor yaitu jenis NPN yang dimana terdiri dari daerah N dan dipisahkan
oleh daerah P. selanjutnya jenis PNP yang diamana terdiri dari daerah P dan
dipisahkan oleh daerah N.
2. Pada pengujian pertama tentang kondisi BJT yang dimana digunakan arus
maju agar arus listrik dapat mengalir. Sedangkan saat arus mundur arus
listrik tidak dapat mengalir. Pada pengujian karakteristik BJT ini kedua
transistor dalam keadaan baik, yang dimana dapat dibuktikan pada
pengujian tipe NPN diberikan arus maju sehingga arus akan mengalir dari P
ke N atau dengan kata lain arus mengalir dari basis ke kolektor dan basis ke
emitor. Sedangkan pada tipe PNP saat diberikan arus maju arus listrik tidak
dapat mengalir dari basis ke emittor dan dari basis ke kolektor, akan tetapi
pada saat transistor ini diberi arus mundur arus listrik dapat mengalir
3. transistor BJT atau Bipolar Junction Transistor terdiri dari dua diode yang
disatukan. Agar transistor BJT dapat bekerja maka pada kaki – kakinya diberi
tenganan yang dimana tegangan ini dinamakan bias voltage. Pada
percobaan kali ini basis emittor diberikan tegangan maju sedangkan basis
kolektor diberi tegangan mundur. Seperti yang diketahui sifat transistor
adalah antara emittor dan kolektor aka nada arus bila pada basis ada arus
yang menghantar. Makin besar arus pada basis maka transistor makin jenuh
/ on dan tegangan di kolektor emittor makin rendah. Untuk dapat bekerja
transistor memerlukan tegangan pada basisnya. Kebutuhan tegangan
berbeda – beda tergantung pada jenis bahan semikonduktornya tegangan
basis bias berkisar antara 0.5-0.7 V
4. Voltage divider bias / teganan pembagi merupakan tegangan pembagi
antara R1 dan R2 yang terhubung pada kaki basis. Voltage divider bias
biasanya digunakan untuk refrensi sumber tegangan yang lebih besar, titik
tegangan refrensi pada sensor, memberikan bias pada rangkaian penguat /
memberi bias pada komponen aktif. Pada transistor jenis NPN
teganganbasis dan kolektornya positif terhadap emittor. Sedangkan pada
BJT jenis PNP tegangan basis dan kolektornya negative terhadap tegangan
emittor
2.9 Daftar Pustaka
1. http://mohamadramdhani.staff.telkomuniversity.ac.id/files/2015/03/Bab-4-
Bipolar-Junction-Transistor.ppt diakses pada 14 maret 2017
2. https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-
bjt/ diakses pada 14 maret 2017
3. http://tiyaranofitasari.blogspot.co.id/2013/05/bjt-dan-fet.html diakses pada
14 maret 2017
4. http://www.elektronikabersama.web.id/2012/04/beberapa-perbadaan-
transistor-bjt-dan.html diakses pada 14 maret 2017
5. https://djukarna.wordpress.com/tag/transistor-bjt/ diakses pada 14 maret
2017