PERCOBAAN II

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

2.1 Tujuan Percobaan

1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT.

2.2 Tinjauan Pustaka

2.2.1 BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material
semikonduktor ter-doping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn. Ketiga
material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai emitter, base dan
kolektor (Gambar 2.1). Daerah base merupakan semikonduktor dengan sedikit
doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak)
maupun kolektor (semikonduktor ber-doping sedang). Karena strukturnya fisiknya
yang seperti itu, terdapat dua jenis BJT. Tipe pertama terdiri dari dua daerah n
yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p
yang dipisahkan oleh daerah n (pnp).
Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal
sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan
pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan
base-kolektor (base-collector junction).

(a) (b)

Gambar 2.1
Dua Jenis
Bipolar
Junction
Transistor
(BJT) PNP (a) dan
NPN (b)

2.2.2 Prinsip Kerja BJT Transistor

 Gambar 2.2 menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp
dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian,
sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-biased) sedangkan
sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-biased).

(a) (b)
Gambar 2.2 Forward-Reverse Bias pada BJT tipe NPN (a) dan PNP (b)

Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada

transistor npn (gambar 2.2). Ketika base dihubungkan dengan catu tegangan
positif dan emiter dicatu dengan tegangan negatif maka daerah depletion BE
akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi tegangan barrier internal
sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk melewati daerah sambungan
pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan mengalami rekombinasi di
daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device dibawa oleh hole
pada base (daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah tipe-n ). Karena
derajat doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar daripada base (daerah
tipe p), arus maju akan dibawa lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan
minoritas akan mampu melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse bias
tetapi pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan
dapat diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena
daerah base ber-doping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi
seluruhnya tetapi berdifusi ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu
negatif dan kolektor dicatu positif (reverse bias), maka depletion BC akan
melebar. Pada daerah depletion BC, elektron yang mengalir dari emiter ke base
akan terpampat pada daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor
terdapat muatan minoritas (ion positif) maka pada daerah sambungan BC akan
terbentuk medan listrik oleh gaya tarik menarik antara ion positif dan ion negatif
sehingga elektron tertarik kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan mengalir
melalui device.

Gambar 2.3 Prinsip Kerja npn BJT

2.2.3 Fixed bias

Fixed bias adalah pemberian tegangan dengan menggunakan tahanan
basis dan tahanan kolektor. Di tunjukan pada gambar berikut.

Gambar 2.4 Bias Model NPN

Rangkaian di atas menggunakan transistor NPN. Untuk transistor

pnp,persamaan dan perhitungan adalah serupa, tapi dengan arah arus dan
polaritas tegangan berlawanan. Untuk analisis DC, rangkaian bisa di-isolasi
(dipisahkan) dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian
terbuka (open circuit). Untuk tujuan analisis, supply tegangan VCC bisa
dipisahkan menjadi dua, masing-masing untuk input dan output. Rangkaian
pengganti DC menjadi :

Gambar 2.5 Bias Model NPN

Dalam Perhitungan Konfigurasi BJT khususnya pada Fixed Bias secara teori
menggunakan persamaan :
vcc
Ib= ………………………………………………(2.1)
Rb

vcc
Ic= ………………………………………………(2.2)
Rc

Ic
β= ………………………………………………..(2.3)
Ib

2.2.4 Voltage Divider Bias

Voltage Divider atau Pembagi Tegangan adalah suatu rangkaian
sederhana yang mengubah tegangan besar menjadi tegangan yang lebih kecil.
Fungsi dari Pembagi Tegangan ini di Rangkaian Elektronika adalah untuk
membagi Tegangan Input menjadi satu atau beberapa Tegangan Output yang
diperlukan oleh Komponen lainnya didalam Rangkaian. Hanya dengan
menggunakan dua buah Resistor atau lebih dan Tegangan Input, kita telah
mampu membuat sebuah rangkaian pembagi tegangan yang sederhana.
 Dalam Perhitungan Konfigurasi BJT khususnya pada Voltage Divider
Bias secara teori menggunakan persamaan :
vcc
Ib= ………………………………………………(2.4)
Rb

vcc
Ic= ………………………………………………(2.5)
Rc

Ic
β= ………………………………………………..(2.6)
Ib

R1 × R2
Rb= ………………………………………
R 1+ R 2
(2.7)

2.3 Daftar Kompoen dan Alat

1.Dasar Modul praktikum elektronika dasar.
2. Satu buah multimeter digital.
3. Satu buah variable Power supply.
4. Datasheet transistor yang digunakan.

2.4 Cara Kerja

2.4.1 Testing kondisi BJT
1. Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa dioda
emiter dan dioda kolektor dari transistor.
 2. Isilah tabel 2.1.
Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

N BJT AVO Hambatan Dioda Keterangan

o No Typ Meter Basis Emiter Basis Kolektor Baik Buruk
1 BC54 NP Digital
7 N
2 BC55 PNP Digital
7

2.4.2 Konfigurasi BJT

A. Fixed bias
1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya h fe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.6
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.2

Gambar 2.6 Konfigurasi Fixed Bias

Tabel 2.2 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

1
2
 B. Voltage divider bias
1. sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.7.
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.3.

Gambar 2.7 Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.3 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

1
2
2.5 Data Hasil Percobaan
2.5.1 Testing Kondisi BJT
Pada percobaan 2.4.1 menggunakan transistor jenis NPN (BC547) dan
PNP (BC557). Hasil dari percobaan dapat dilihat pada tabel 2.4.
Tabel 2.4 Resistansi Diode BJT

No BJT AVO Hambatan Dioda Keterangan Keterangan

keadaan
 No
Type Meter Basis Emiter Basis Kolektor Baik Buruk
Seri

Karena ada
hambatan
1 BC547 NPN Digital 0,643 Ω 0,639 Ω √ -
saat
pengukuran
Karena ada
hambatan
2 BC557 PNP Digital 0,635 Ω 0,639 Ω √ -
saat
pengukuran

2.5.2 Konfigurasi BJT

A. Fixed Bias
Hasil dari percobaan fixed bias pada BJT dapat dilihat pada tabel 2.5.
Tabel 2.5 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

-5 -5
1 12x 10 A 8x 10 A 7,5 mV 0,625 V 0,666 BC 547
-5 -5
2 12x 10 A 8x 10 A 11,79 V 11,87 V 0,666 BC 557

Perhitungan BC 557 Perhitungan BC 547

vcc 12 v vcc 12 v
Ib= = 5 =12 x 10−5 A Ib= = 5 =12 x 10−5 A
Rb 10 Ω Rb 10 Ω

vcc 12 v vcc 12 v
Ic= = =8 x 10−5 A Ic= = =8 x 10−5 A
Rc 1503 Ω Rc 1503 Ω

Ic 8 x 10−5 A Ic 8 x 10−5 A
β= = =0,666 β= = =0,6
Ib 12 x 10−5 A Ib 12 x 10−5 A

B. Voltage Divider Bias

Hasil dari percobaan Voltage Devider Bias dapat dilihat pada tabel 2.6.
Tabel 2.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

1 48x10-4 A 12x10-2 A 3,027 v 0,764 v 25 BC 547
2 48x10-4 A 12x10-2 A 3,75 v 3,018 v 25 BC 557

Perhitungan BC557 Perhitungan BC547

R 1 x R 2 103 x 3,33 R 1 x R 2 103 x 3,33
Rb= = =2481,2 Ω Rb= = =2481,2 Ω
R 1+ R 2 103 x 3,33 R 1+ R 2 103 x 3,33

vcc 12 v vcc 12 v
Ib= = =48 x 10− 4 A Ib= = =48 x 10− 4 A
Rb 2481,2Ω Rb 2481,2Ω

vcc 12 v vcc 12 v
Ic= = =12 x 10−1 A Ic= = =12 x 10−1 A
Rc 10 Ω Rc 10 Ω

Ic 12 x 10−1 A Ic 12 x 10−1 A
β= = =25 β= = =25
Ib 48 x 10−4 A Ib 48 x 10−4 A

2.6 Analisa Pembahasan Data Hasil Percobaan

2.6.1 Testing Kondisi BJT
Sebuah Transistor mempunyai prinsip yaitu apabila transistor dalam
kondisi baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan mendekati nol, tetapi
jika tidak dapat dihitung maka dalam keadaan rusak. Dalam percobaan ini kita
menggunakan transistor berjenis NPN (BC547) dan PNP (BC557) terlihat dari
data tabel berikut:
Tabel 2.7 Resistansi Diode BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO
No No Keterangan
Type Meter Basis Emiter Basis Kolektor Baik Buruk
Seri

Karena ada
hambatan
1 BC547 NPN Digital 0,643 Ω 0,639 Ω √ -
saat
pengukuran
Karena ada
hambatan
2 BC557 PNP Digital 0,635 Ω 0,639 Ω √ -
saat
pengukuran

A. Testing kondisi BJT tipe NPN (BC547)

Kita bisa mengetahui kondisi BJT apakah masih baik atau sudah rusak
menggunakan multimeter analog maupun digital. Disini kami menggunakan
multimeter digital sebagai alat ukurnya. Pada BJT tipe NPN, kita hubungkan
probe merah (positif) pada kaki basis, dan probe hitam (negatif) pada kaki
emitter. Kemudian atur multimeter pada skala ohmmeter. Setelah mendapatkan
nilai hambatan, pindahkan probe hitam yang tadinya berada pada emitter ke
kolektor.
Dari hasil percobaan didapatkan nilai hambatan pada basis emitter dan
basis kolektor ketika testing kondisi BJT NPN (BC547), yaitu 0,643Ω dan 0,639Ω.
Berdasarkan prinsip transistor bahwa apabila transistor dalam kondisi baik maka
akan mempunyai suatu nilai hambatan mendekati nol, tetapi jika tidak dapat
dihitung maka dalam keadaan rusak. Dari hasil percobaan tersebut dapat
dikatakan bahwa transistor dalam kondisi baik.
B. Testing kondisi BJT tipe PNP (BC557)
Kita bisa mengetahui kondisi BJT apakah masih baik atau sudah rusak
menggunakan multimeter analog maupun digital. Disini kami menggunakan
multimeter digital sebagai alat ukurnya. Pada BJT tipe PNP, kita hubungkan
probe hitam (negatif) pada kaki basis, dan probe merah (positif) pada kaki
emitter. Kemudian atur multimeter pada skala ohmmeter. Setelah mendapatkan
nilai hambatan, pindahkan probe merah yang tadinya berada pada emitter ke
kolektor.
Dari hasil percobaan didapatkan nilai hambatan pada basis emitter dan
basis kolektor ketika testing kondisi BJT PNP (BC557), yaitu 0,635Ω dan 0,639Ω.
Berdasarkan prinsip transistor, bahwa sebuah transistor apabila dalam kondisi
baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan nol, dan bila tidak dapat
dihitung maka dalam keadaan rusak. Dari hasil percobaan tersebut jelas bahwa
transistor tersebut dalam kondisi baik karena nilainya kecil.
.
2.6.2 Konfigurasi BJT Fixed bias
Fixed bias adalah pemberian tegangan dengan menggunakan tahanan
basis dan tahanan kolektor.

Gambar 2.8 Konfigurasi BJT Fixed Bias Tipe PNP dan NPN

Suatu transistor BJT terdiri atas dua buah dioda yang disatukan. Agar
transistor dapat bekerja, kepada kaki-kakinya harus diberikan tegangan,
tegangan ini dinamakan bias voltage. Basis emitor diberikan forward voltage,
sedangkan basis kolektor diberikan reverse voltage. Sifat transistor adalah
bahwa antara kolektor dan emitor akan ada arus (transistor akan menghantar)
bila ada arus basis. Makin besar arus basis makin besar penghatarannya. Untuk
dapat bekerja, sebuah transistor membutuhkan tegangan bias pada basisnya.
Kebutuhan tegangan bias ini berkisar antara 0.5 sampai 0.7 Volt tergantung jenis
dan bahan semikonduktor yang digunakan.
 Pada percobaan ini awalnya kita merangkai modul seperti yang terlihat
pada gambar 2.8 kemudian kita dapat mengukur arus pada basis, arus pada
kolektor, tegangan pada basis-emitter dan tegangan pada kolektor-emitter.
Setelah diperoleh hasil pengukuran, bandingkan hasil pengukuran dan
teori, dimana untuk perhitungan secara teori dapat dilakukan perhitungan seperti
berikut :

BC 557 BC 547
vcc 12 v vcc 12 v
Ib= = =12 x 10−5 A Ib= = =12 x 10−5 A
Rb 10 5 Ω Rb 10 5 Ω
vcc 12 v vcc 12 v
Ic= = =8 x 10−5 A Ic= = =8 x 10−5 A
Rc 150 Ω3
Rc 150 Ω3

Ic 8 x 10−5 A Ic 8 x 10−5 A
β= = =0,666 β= = =0,666
Ib 12 x 10−5 A Ib 12 x 10−5 A

Sehinggga hasilnya dapat dimasukan ke tabel 2.8.

Tabel 2.8 Hasil Perhitungan BJT Fixed Bias.

No IB IC VCE VBE β Keterangan

-5 -5
1 12x 10 A 8x 10 A 7,5 mV 0,625 V 0,666 BC 547
2 12x 10-5 A 8x 10-5 A 11,79 V 11,87 V 0,666 BC 557

Berdasarkan hasil pengukuran diatas persamaan dan perhitungan antara

transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju pada emitter
sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor. Pada BJT PNP (BC547)
diperoleh arus pada basis sebesar 12 x 10-5 A dan arus pada kolektor sebesar 8
x 10-5A, serta tegangan pada basis sebesar 0,625 V dan tegangan pada kolektor
sebesar 7,5 mV. Pada BJT NPN (BC557) diperoleh arus pada basis 12 x 10 -5 A
dan arus pada kolektor sebesar 8 x 10-5A , serta tegangan pada basis sebesar
11,87 V dan tegangan pada kolektor sebesar 11,79 V.
2.6.3 Konfigurasi BJT Voltage Divider Bias
Voltage Divider Bias adalah pembagi tegangan. Pembagi tegangan
merupakan rangkaian sederhana yang dapat mengubah tegangan yang tinggi
menjadi tegangan yang lebih rendah. Rangkaian pembagi tegangan berfungsi
membagi tegangan input menjadi beberapa bagian tegangan output.

Gambar 2.9 Konfigurasi BJT Voltage Divider Bias Tipe PNP dan NPN

Pada percobaan ini awalnya kita merangkai modul seperti yang terlihat
pada gambar 2.9 kemudian kita dapat mengukur arus pada basis, arus pada
kolektor, tegangan pada basis dan tegangan pada kolektor.
Setelah diperoleh hasil pengukuran bandingkan hasil pengukuran dan
teori, dimana untuk perhitungan secara teori dapat dilakukan dengan perhitungan
sebagai berikut :
Perhitungan BC557
vcc 12 v
Ib= = =48 x 10− 4 A
Rb 2481,2Ω

vcc 12 v
Ic= = =12 x 10−1 A
Rc 10 Ω

Ic 12 x 10−1 A
β= = =25
Ib 48 x 10−4 A

Perhitungan BC547
vcc 12 v
Ib= = =48 x 10− 4 A
Rb 2481,2Ω
 vcc 12 v
Ic= = =12 x 10−1 A
Rc 10 Ω

Ic 12 x 10−1 A
β= = =25
Ib 48 x 10−4 A

Sehinggga hasilnya dapat dimasukan ke tabel 2.9.

Tabel 2.9 Perhitungan Voltage Divider Bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

1 48x10-4 A 12x10-2 A 3,027 v 0,764 v 25 BC 547
-4 -2
2 48x10 A 12x10 A 3,75 v 3,018 v 25 BC 557

Berdasarkan hasil pengukuran diatas persamaan dan perhitungan antara

transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju pada emitter
sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor. Pada BJT PNP (BC547)
diperoleh arus pada basis sebesar 48 x 10-4 A dan arus pada kolektor sebesar 12
x 10-2A, serta tegangan pada basis sebesar 0,764 V dan tegangan pada kolektor
sebesar 3,027 V. Pada BJT NPN (BC557) diperoleh arus pada basis 48 x 10 -4 A
dan arus pada kolektor sebesar 12 x 10 -2A , serta tegangan pada basis sebesar
3,018 V dan tegangan pada kolektor sebesar 3,57 V.

2.7 Pertanyaan dan Jawaban

1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan
saturasi?
 Jawaban :
Yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan saturasi adalah:
a. Daerah cut-off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan
transistor menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut
off sering dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah
kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke
emitor. Pada daerah cut-off transistor dapat di analogikan sebagai
saklar terbuka pada hubungan kolektor – emitor.
b. Daerah aktif, pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan
sebagai penguat sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada daerah
aktif karena transistor selalu mengalirkan arus dari kolektor keemitor
walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini ditujukan
untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif
terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off).
c. Daerah saturasi atau daerah jenuh, daerah kerja transistor saat
jenuh adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara
maksimum dari kolektor keemitor sehingga transistor tersebut
seolah-olah short pada hubungan kolektor – emitor. Padadaerahini
transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE
terhubung maksimum).
2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah
grafik,
a. IC terhadap VCE
b. VBE terhadap IB
c. hFE terhadap IC.
Jawaban :
3. Tentukan titik Q pada BJT pada tiap konfigurasi!
Jawaban :
a. Fixed Bias
Titik Q point terjadi saat Ics aturasi mencapai maximum dan
berpotongan dengan Vce saturasi.
b. Voltage Divider Bias
Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge.
4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara
kerja BJT!
Jawaban :
Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal
positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal.Ketiga
terminal tersebut adalah emitter (E), kolektor (C), dan basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat
menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada
terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan
transistor sebagai penguat elektronik.
5. Sebutkan kegunaan dari BJT serta aplikasinya?
Jawaban :
Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebaga isaklar. Satu
contoh di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam
rangkaian elektronika digital. Dalam elektronika digital biasanya
hanya terdapat dua keadaan, yaitu voltase ada dan voltase nol atau
dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off.
6. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off,
aktif dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan!
Jawaban :
Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor
kecil, maka titik cut-off hampir menyentuh ujung bawah garis beban.
Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang
mungkin dalam rangkaian. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15
V, yaitu tengangan catu kolektor.
Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan
basis yang menghasilkan gain arusnya 10. Karena di sana lebih dari
cukup arus basis untuk menjenuhkan transistor.
Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier
( IC = B * IB). Beta adalah salah satu dari parameter transistor, bagian
dari base transistor. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200, tapi bisa
juga sampai 800. Berada pada daerah aktif VBE = 0.6 – 0.7 V .
7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil
(pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!
 Jawaban :
Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias
pembagi tegangan. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter
disebut dengan bias pembagi teganyan. Kita dapat mengenalinya
dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis.
8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?
Jawaban :
Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah
hubungan yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan
dengan beban tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban
tipe-p. Reverse Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat
negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai
dihubungkan dengan sisi-n.
9. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah
disebabkan oleh kerusakan transistor? Jelaskan jawaban anda
menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya!
Jawaban :
Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan
oleh rusaknya transistor. Karena kurangnya perawatan atau mungkin
umur alat yang sudah lama. Kerusakan transistor bisa saja terjadi
karena transistor telah melewati daerah breakdown.
10. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan
beri kesimpulannya!
Jawaban :
Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan
memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan
teori yang ada. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan
didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter.
11. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaandan berikan
kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.
Jawaban :
a. Kondisi BJT
BJT dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau
hambatan diodenya dapat dihitung.
 b. Konfigurasi BJT Fixed Bias
Nilai IB, IC, dan β pada BJT PNP maupun NPN memiliki nilai yang
sama, karenanilai VCC, RB, dan RC yang diketahui sama.
Sedangkan pada tegangan kolektor dan tegangan basis memiliki
nilai yang berbeda. Pada BJT tipe PNP, tegangan pada kolektor
maupun basis memiliki nilai yang lebih besar dari pada tegangan
kolektor dan basis pada BJT tipe NPN.
c. Konfigurasi BJT Voltage Divider Bias
Nilai IB, IC, dan β pada BJT PNP maupun NPN memiliki nilai yang
sama, karenanilai VCC, RB, danRC yang diketahui sama.
Sedangkan pada tegangan kolektor dan tegangan basis memiliki
nilai yang berbeda. Pada BJT tipe PNP, tegangan pada kolektor
maupun basis memiliki nilai yang lebih kecil dari pada tegangan
kolektor dan basis pada BJT tipe NPN.

2.8 Kesimpulan
 Dari hasil percobaan yang telah dilakukan didapat beberapa kesimpulan
sebagai berikut :
1. BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material
semikonduktor ter-doping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn.
Ketiga material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai
emitter, base dan kolektor. Karena strukturnya fisiknya, terdapat dua jenis
BJT. Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah
p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh
daerah n (pnp).
2. BJT dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan
diodenya dapat dihitung transistor atau mempunyai suatu nilai hambatan
mendekati nol, tetapi jika tidak dapat dihitung maka dalam keadaan rusak.
3. Pada konfigurasi BJT Fixed Bias nilai IB, IC, dan β pada BJT PNP maupun
NPN memiliki nilai yang sama, karena nilai V CC, RB, dan RC yang diketahui
sama. Sedangkan pada tegangan kolektor dan tegangan basis memiliki
nilai yang berbeda. Pada BJT tipe PNP, tegangan pada kolektor maupun
basis memiliki nilai yang lebih besar dari pada tegangan kolektor dan
basis pada BJT tipe NPN.
4. Pada konfigurasi BJT Voltage Divider Bias nilai IB, IC, dan β pada BJT
PNP maupun NPN memiliki nilai yang sama, karena nilai VCC, RB, dan RC
yang diketahui sama. Sedangkan pada tegangan kolektor dan tegangan
basis memiliki nilai yang berbeda. Pada BJT tipe PNP, tegangan pada
kolektor maupun basis memiliki nilai yang lebih kecil daripada tegangan
kolektor dan basis pada BJT tipe NPN.

Daftar Pustaka
Tanoto Information Centre, 2010,
https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-
bjt/
Diakses 25 Februari 2017

Ramadhon, Risqi, 2014. Pembagi Tegangan,

http://bebekjenius.blogspot.co.id/2014/06/pembagi-tegangan.html
Diakses 2 Maret 2017

Angga, Rida, 2015. Cara Kerja Transistor, http://skemaku.com/cara-kerja-

transistor/
Diakses 2 Maret 2017

Sabrina, Abi, 2004. Prinsip Kerja Rangkaian Pembagi Tegangan,

https://abisabrina.wordpress.com/2013/11/22/prinsip-kerja-rangkaian-
pembagi-tegangan/
Diakses 4 Maret 2017

Multicomp, Datasheet BC557,http://www.farnell.com/datasheets/296678.pdf

Diakses 6 Maret 2017

Fairchild. Datasheet BC547,

htpps://www.sparkfun.com/datasheet/Components/BC547.pdf
Diakses 7 Maret 2017
LAMPIRAN