Bipolar Junction Transistor

(BJT)

1
Stuktur divais dan cara kerja fisik

Struktur yang Disederhanakan dan Mode Operasi

Gambar 1. Struktur sederhana transistor npn

Gambar 2. Struktur sederhana transistor pnp

2
Mode kerja BJT

Mode EBJ CBJ

Cutoff Reverse Reverse
Active Forward Reverse
Reverse Reverse Forward
Active
Saturation Forward Forward

3
Gambar 3: Model rangkaian pengganti sinyal besar untuk BJT npn yang bekerja
pada mode forward active.

4
Karakteristik Arus – Tegangan

Gambar 4: Simbol rangkaian BJT

5
Karakteristik Arus – Tegangan

Gambar 5: Polaritas tegangan dan aliran arus dalam transistor yang di bias
dalam mode aktif

6
Ringkasan hubungan arus – tegangan dari BJT pada mode aktif
iC  IS ev BE VT

iC  IS  v BE VT
iB    e
  
iC  IS  v BE VT
iE    e
  
Catatan: untuk transistor pnp, gantilah vBE dengan vEB
iE
iC  i E i B  1    i E 
 1
iC   i B i E     1 i B
 
 
 1  1

VT = tegangan termal = kT/q ≈ 25 mV pada suhu kamar 7

Contoh soal 1:

Gambar 6: Rangkaian untuk contoh soal 1

Transistor pada gambar (6.a) mempunyai β = 100 dan vBE = 0,7 V

pada iC =1mA.
Rancanglah rangkaian sehingga arus 2 mA mengalir melalui
collector dan tegangan pada collector = +5 V
8
Jawab:
VC = 5 V → CBJ reverse bias → BJT pada mode aktif
VC = 5 V → VRC = 15 – 5 = 10 V
IC = 2 mA → RC = 5 kΩ

vBE = 0,7 V pada iC = 1 mA → harga vBE pada iC = 2 mA:

2
VBE  0,7  ln   0,717 V
 1
VB = 0 V → VE = -0,717 V

β = 100 → α = 100/101 =0,99

IC 2
IE    2,02 mA
 0,99
Harga RE diperoleh dari:
VE    15 
RE 
IE
 0,717  15
  7,07 k 9
2,02
Tampilan Grafis dari Karakteristik Transistor

Gambar 7: Karakteristik iC – vBE dari sebuah transistor npn

10
 iC  IS ev BE VT

Karakteristik iC – vBE identik dengan karakteristik i – v pada dioda.

Karakteristik iE – vBE dan iB – vBE juga exponensial dengan IS yang

berbeda: IS/α untuk iE dan IS/β untuk iB.

Karena konstanta dari karakteristik ekponensial, 1/VT, cukup tinggi

(≈ 40), kurva meningkat sangat tajam.

Untuk vBE < 0,5 V, arus sangat kecil dan dapat diabaikan. Untuk
harga arus normal, vBE berkisar antara 0,6 V – 0,8 V. Untuk
perhitungan awal, vBE = 0,7 V.

Untuk transistor pnp, karakteristik iC- vBE tampak identik, hanya vBE
diganti dengan vEB.

11
Gambar 8: Model rangkaian pengganti sinyal besar dari BJT npn yang
bekerja di daerah aktif dalam konfigurasi common-emitter.

12
Karakteristik Common-Emitter

Gambar 9: Karakteristik common-emitter

13
Penguatan arus common-emitter β.

β didefinisikan sebagai perbandingan antara total arus pada

collector dan total arus pada base.
β mempunyai harga yang konstan untuk sebuah transistor, tidak
tergantung dari kondisi kerja.

Pada gambar 9, sebuah transistor bekerja pada daerah aktif di titik

Q yang mempunyai arus collector ICQ, arus base IBQ dan tegangan
collector – emitter VCEQ. Perbandingan arus collector dan arus base
adalah β sinyal besar atau dc.
ICQ
 dc 
IBQ
βdc juga dikenal sebagai hFE.

14
Pada gambar 9 terlihat, dengan tegangan vCE tetap perubahan iB
dari IBQ menjadi (IBQ + ∆iB) menghasilkan kenaikan pada iC dari ICQ
menjadi (ICQ + ∆iC)
iC
 ac 
i B v CE  kons tan

βac disebut β ‘incremental’.

βac dan βdc biasanya berbeda kira-kira 10% – 20%.
βac disebut juga β sinyal kecil yang dikenal juga dengan hfe.
β sinyal kecil didefinisikan dan diukur pada vCE konstan, artinya
tidak ada komponen sinyal antara collector dan emitter, sehingga
dikenal juga sebagai penguatan arus hubung singkat common-
emitter

15
BJT sebagai Penguat dan sebagai Saklar
Pemakaian BJT:
– sebagai penguat:
• BJT bekerja pada mode aktif.
• BJT berperan sebagai sebuah sumber arus yang
dikendalikan oleh tegangan (VCCS).
• Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan
menyebabkan perubahan pada arus collector, iC.
• BJT dipakai untuk membuat sebuah penguatan
transkonduktansi.
• Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus
collector ke sebuah resistansi, RC.
• Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi
bias, dan sinyal akan ditumpangkan pada tegangan bias dan
sinyal yang akan diperkuat harus dijaga tetap kecil
– sebagai saklar
• BJT bekerja pada mode cutoff dan mode jenuh
16
 Cara kerja sinyal besar – Karakteristik Transfer

Gambar 10. (a) Rangkaian dasar penguat common – emitter

(b) Karakteristik transfer dari rangkaian (a)

17
Rangkaian dasar penguat common-emitter terlihat pada gambar 10.
– Tegangan masukan total vI (bias + sinyal) dipasang di antara base dan
emitter (ground)
– Tegangan keluaran total vO (bias + sinyal) diambil di antara collector dan
emitter (ground)
– Resistor RC mempunyai 2 fungsi:
• Untuk menentukan bias yang diinginkan pada collector
• Mengubah arus collector, iC, menjadi tegangan keluaran vOC atau vO
– Tegangan catu VCC diperlukan untuk memberi bias pada BJT dan untuk
mencatu daya yang diperlukan untuk kerja penguat.

Karakteristik transfer tegangan dari rangkaian CE terlihat pada gambar

10(b).

vO = vCE = VCC – RCiC

18
 vI = vBE < 0,5 V → transistor cutoff.
0 < vI < 0,5 V, iC kecil sekali, dan vO akan sama dengan tegangan
catu VCC (segmen XY pada kurva)

• vI > 0,5 V → transistor mulai aktif, iC naik, vO turun.

• Nilai awal vO tinggi, BJT bekerja pada mode aktif yang
menyebabkan penurunan yang tajam pada kurva karakteristik
transfer tegangan (segmen YZ), Pada segmen ini:
iC  IS ev EB VT

 IS e v I VT

v O  VCC  RCIS ev I VT

19
Mode aktif berakhir ketika vO = vCE turun sampai 0,4 V di bawah
tegangan base (vBE atau vI) → CBJ ‘on’ dan transistor memasuki
mode jenuh (lihat titik Z pada kurva).
Pada daerah jenuh kenaikan vBE menyebabkan vCE turun sedikit saja.
vCE = VCEsat berkisar antara 0,1 – 0,2 V. ICsat juga konstan pada harga:
VCC  VCEsat
ICsat 
RC

Pada daerah jenuh, BJT menunjukkan resistansi yang rendah,

RCEsat antara collector dan emitter. Jadi ada jalur yang mempunyai
resistansi rendah antara collector dan ground, sehingga dapat
dianggap sebagai saklar tertutup.

Sedangkan ketika BJT dalam keadaan cut off, arus sangat kecil
(idealnya nol), jadi beraksi seperti saklar terbuka, memutus
hubungan antara collector dan ground.
Jadi keadaan saklar ditentukan oleh harga tegangan kendali vBE.
20
Penguatan Penguat.

Agar BJT bekerja sebagai penguat, maka harus diberi bias pada daerah
aktif yang ditentukan oleh tegangan dc base – emitter VBE dan tegangan dc
collector – emitter VCE. Arus collector IC pada keadaan ini:

IC  IS eVBE VT

VCE  VCC  RCIC

Jika sinyal vi akan diperkuat, sinyal ini ditumpangkan pada VBE dan
harus dijaga kecil (lihat gambar 10(b)) agar tetap pada segmen
yang linier dari kurva transfer di sekitar titik bias Q.
Koefiesin arah dari segmen linier ini sama dengan penguatan
tegangan dari penguat untuk sinyal kecil di sekitar titik Q.

21
 Penguatan sinyal kecil Av:
v O  VCC  RCIS ev i VT

dv O
Av 
dv I v I VBE

1
Av   IS eVBE VT
RC
VT
IC RC V
Av     RC
VT VT
VRC  VCC  VCE

Perhatikan:
• penguat CE: inverting, artinya sinyal keluaran berbeda 180°
dengan sinyal masukan.
• peguatan tegangan dari penguat CE adalah perbandingan antara
penurunan tegangan pada RC dengan tegangan termal VT.
• untuk memaksimumkan penguatan tegangan, penurunan
tegangan pada RC harus sebesar mungkin, artinya untuk harga VCC
tertentu penguatan harus bekerja pada VCE yang lebih rendah.
22
Contoh soal 2
Sebuah rangkaian CE menggunakan sebuah BJT yang mempunyai IS =
10-15 A, sebuah resistansi collector RC = 6,8 kΩ dan catu daya
VCC = 10 V.
a. Tentukan harga tegangan bias VBE yang diperlukan untuk
mengoperasikan transistor pada VCE = 3,2 V. Berapakah harga IC
nya?
b. Carilah penguatan tegangan Av pada titik bias. Jika sebuah
sinyal masukan sinusoida dengan amplitudo 5 mV
ditumpangkan pada VBE, carilah amplitudo sinyal keluaran
sinusoida.
c. Carilah kenaikan positif vBE (di atas VBE) yang mendorong
transistor ke daerah jenuh, dimana vCE= 0,3 V.
d. Carilah kenaikan negatif vBE yang mendorong transistor ke
daerah 1% cut off (vO = 0,99 VCC)

23
Analisis Grafis

Gambar 11 Rangkaian yang akan dianalisa secara grafis

24
Perhatikan gambar 11 yang mirip dengan rangkaian terdahulu
hanya ada tambahan resitansi pada base, RB.

Gambar 12. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc base pada

rangkaian di gambar 11
Analisis grafis dilakukan sebagai berikut:
1. Tentukan titik bias dc; set vi = 0 dan gunakan cara seperti pada
gambar 12 untuk menentukan arus dc pada base IB.
2. Gunakan karakteristik iC–vCE seperti yang terlihat pada gambar
13. Titik kerja akan terletak pada kurva iC–vCE yang mempunyai
arus base yang diperoleh (iB = IB)
25
Gambar 13. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc collector IC dan
tegangan collector–emitter VCE pada rangkaian pada gambar 11
vCE = VCC – iCRC
VCC 1
iC   v CE
RC RC

Hubungan di atas adalah hubungan linier yang digambarkan

dengan sebuah garis lurus seperti pada gambar 12. Garis ini
dikenal dengan garis beban. 26
Gambar 14 (a). Penentuan grafis komponen sinyal vbe dan ib ketika
komponen sinyal vi ditumpangkan pada tegangan dc VBB.
27
Gambar 14 (b). Penentuan grafis komponen sinyal vce dan ic ketika
komponen sinyal vi ditumpangkan pada tegangan dc VBB.

28
Cara kerja sebagai saklar.

BJT bekerja sebagai saklar: gunakan mode cut off dan mode jenuh.

Gambar 16: Rangkaian sederhana yang digunakan untuk menunjukkan

mode operasi yang berbeda dari BJT.

29
Harga masukan vI bervariasi.
vI < 0,5 V → iB = 0, iC = 0 dan vC = VCC → simpul C terputus dari
ground → saklar dalam keadaan terbuka.
vI > 0,5 V → transistor ‘on’. Pada kenyataannya agar arus
mengalir, vBE harus sama dengan 0,7 V, dan vI harus lebih tinggi

Arus base akan menjadi:

v I  VBE
iB 
RB

Dan arus collector menjadi:

iC = βiB

30
Persamaan ini hanya berlaku untuk daerah aktif artinya CBJ tidak
forward bias atau vC > vB – 0,4 V.

vC = VCC – RCiC

Jika vI naik, iB akan naik, dan iC akan naik juga, Akibatnya vCE akan
turun. Jika vCE turun sampai vB– 0,4V, transistor akan meninggalkan
daerah aktif dan memasuki daerah jenuh. Titik ‘edge-of-saturation’
(EOS) ini didefinisikan:
V  0,3
IC ( EOS )  CC
RC

Dengan asumsi VBE ≈ 0,7 V dan

IC ( EOS )
IB ( EOS ) 


31
Harga vI yang diperlukan untuk mendorong transistor ke EOS dapat
ditentukan dengan persamaan:

VI(EOS) = IB(EOS)RB + VBE

Menaikkan vI > VI(EOS) → menaikkan arus base yang akan

mendorong transistor ke daerah jenuh yang semakin dalam. VCE
akan sedikit menurun.
Asumsikan untuk transistor dalam keadaan jenuh, VCEsat ≈ 0,2 V.
Arus collector akan tetap konstan pada ICsat

VCC  VCEsat
ICsat 
RC

32
Memaksakan lebih banyak arus pada base mempunyai pengaruh
yang kecil pada ICEsat dan VCEsat. Pada keadaan ini saklar tertutup
dengan resistansi RCEsat yang rendah dan tegangan offset VCEsat
yang rendah.

Pada keadaan jenuh, transistor dapat dipaksa bekerja pada harga β

yang diinginkan.yang lebih rendah harga normal.

ICEsat
 forced 
IB

Perbandingan antara IB dan IB(EOS) disebut faktor ‘overdrive’

33
 Contoh soal 3:
Transistor pada gambar 17 mempunyai β berkisar antara 50 – 150.
Carilah harga RB yang menyebabkan transistor pada keadaan
jenuh dengan faktor ‘overdrive’ lebih besar dari 10.

Gambar 17

Jawab:
Transistor dalam keadaan jenuh, tegangan collector:
VC = VCEsat ≈ 0,2 V

Arus collector:  10  0,2

ICsat   9,8 mA
1 34
Untuk membuat transistor jenuh dengan β yang paling rendah,
diperlukan arus base paling sedikit:
I 9,8
IB ( EOS )  Csat   0,196 mA
min 50

Untuk faktor ‘overdrive’ = 10, arus base harus:

IB = 10 x 0,196 = 1,96 mA

Jadi RB yang diperlukan:

 5  0,7
 1,96
RB
4,3
RB   2,2 k
1,94

35
Contoh soal 4:

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus pada semua
cabang. Asumsikan β = 100

Gambar 18
36
Gambar 18
37