24/09/2019
Simbol Bias
Contoh 6.2
Untuk transistor b 100
dan iC 1mA pada vBE
0,7V, rancang rangkaian
agar arus kolektor 2mA
dan tegangan kolektor
5V
24/09/2019
Contoh 6.2
Resistor di kolektor
VCC VC 15 10
RC 5k
IC 2m
Dari informasi transistor
IC 2
VBE VBE 07 VT ln 0,7 0,025 ln
I C 07 1
VBE 0,717V
Dari rangkaian
VE VBE 0,717V
b 1 100 1
IE IC 2 2,02mA
b 100
VE VEE 0,717 15
RE 7,07 k
24/09/2019 IE 2,02m
Model Grafis Mode Aktif
Fungsi eksponensial Fungsi temperatur
tegangan – Kurva tegangan basis-
emitor bergeser ke kiri
iC I S evBE /VT 2mV/oC
Efek Early
Kurva iC-vCE daerah aktif naik mendekati linier terhadap vCE
Penyebab modulasi lebar basis (W) akibat vCE naik dengan vBE
relatif tetap
VA tegangan Early
Pemodelan Efek Early
Arus kolektor Pendekatan
v BE / VT vCE VA
iC I S e 1 ro
VA IC '
Resistansi dinamik dimana IC’ adalah arus
kolektor-emitor kolektor yang efek
1
i Earlynya kecil
ro C (diabaikan)
vCE
vBE tetap
vBE
VA VCE IC ' I S e VT
ro
IC
Model rangkaian dengan ro
Penguatann arus
I Csat
b forced b forced b
IB
b forced
Overdrive b
Model Rangkaian Saturasi
Model dengan resitansi Model lebih
kolektor-emitor disederhanakan
Contoh 6.3
Untuk b 50 dan VBE aktif
0,7V, tentukan VBB agar
transistor memiliki
a) Tegangan VCE=5V
b) Tegangan pada batas
saturasi
c) Penguatan arus
bforced=10
Contoh 6.3
Tegangan VCE=5V
VCE VCC I C RC
VCC VCE 10 5
IC 5mA
RC 1k
IC 5m
IB 0,1mA
b 50
IC 9,7m
IB 0,194 mA
b 50
IC 9,8m
IB 0,98mA
b 10