PERCOBAAN 6

KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITTER

1. TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi Common Emitter
2. Mempelajari karakteristik output transistor dalam konfigurasi Common Emitter
3. Mempelajari ciri-ciri harga dari resistansi input, resistansi output, dan penguatan arus
transistor dalam konfigurasi Common Emitor

2. DASAR TEORI
Konfigurasi transistor emiter dapat dilihat dalam Gambar 1. Dalam konfigurasi CE,
Emittor dihubungkan ke tanah.

Gambar 1 Konfigurasi Transistor Emiter

Gambar 2 memperlihatkan konfigurasi Common Emitter. Hal terpenting dari hubungan

transistor common emitter (CE) adalah bagaimana menemukan kurva karakteristik dari input
dan outputnya. Input karakteristik dapat direncanakan dengan perubahan arus basis IB dan
tegangan basis – emitter VBE pada tegangan VCE yang konstan.
IB = f (VBE); VCE = konstan

|1
 Gambar 2. Rangkaian Common Emitter

Apabila dimasukan ke dalam persamaan

IE = IC+IB
Maka diperoleh
α
β =
(α + 1)
β
α =
(β + 1)
Dengan memasukan arus bocor ICBO ke dalam perhitungan, maka besarnya arus IC
dalam kaitannya dengan α adalah IC = αIE + ICBO.

(a) (b)
Gambar 3.Kurva Karakteristik CE (a) Kurva Karakteristik Input, (b) Kurva Karakteristik Output

Dalam Gambar 3(a) pada daerah (kurva) linier dioda basis-emitor mendapatkan bias
maju, oleh karena itu karakteristik pada daerah ini menyerupai dioda yang mendapat bias maju.
Jadi untuk mengoperasikan dioda emitor-basis pada konfigurasi CE ini hanya memerlukan arus
yang relatif kecil dan tahanan dinamis dioda tersebut jauh lebih besar dari tahanan dioda
kolektor-basis. Jika basis-kolektor diberikan bias mundur, kurva karakteristik inputnya akan
bergeser ke kanan.
|2
 Untuk mengoperasikan transistor pada daerah linier dioda kolektor-basis harus
mendapatkan bias mundur dan output karakteristiknya diperlihatkan pada Gambar 3(b). Setiap
kurva karakteristik output digambarkan dengan perubahan VCEdan IC untuk beberapa harga IB
yang tetap.
IC = f (VCE); IB= konstan
Pada IB = 0 (basis terbuka) terjadi arus IC. Hal ini disebabkan oleh adanya arus bocor pala
kolektor-emitor. Arus bocor ini dituliskan sebagai ICEO. Jika IB bertambah, IC bertambah pula
dan perubahan arus IC jauh lebih besar dari IB-nya. βdc disebut penguatan DC, yaitu merupakan
perbandingan dari arus kolektor IC dan arus basis IB dimana transistor beroperasi.
𝐼𝐶
β𝐷𝐶 =
𝐼𝐵
Contoh : Pada IB = 20µA (pada titik Q) IC =2mA
Maka βDC = IC / IB = 2mA/ 20μA = 100 kali
βDC sangat bergantung pada VCE.
Output karakteristik CE dapat dibagi menjadi 3 bagian (Gambar 4):
1. Adalah daerah jenuh dimana IC maksimum pada VCE yang kecil saja.
2. Merupakan bagian linier yaitu daerah operasi normal dari transistor.
3. Daerah mati (cut off) dimana IC mendekati 0 (nol) untuk berbagai VCE.

Gambar 4. Karakteristik Common Emitter

Resistansi dinamik dari output dapat dicari dengan menggunakan Gambar 2. Resistansi
dinamik pada suatu titik merupakan perbandingan dari perubahan VEB dengan perubahan arus
IB di sekitar titik tersebut. Jadi resistansi dinamik, RD:
𝑽𝑬𝑩
𝑹𝑫 =
𝑰𝑩
Penguatan arus didefinisikan sebagai perbandingan arus output dan arus input

|3
 𝑰𝑪
𝑨𝒊 = 𝛃 =
𝑰𝑩
Yang perlu diperhatikan bahwa β tergantung dari besarnya VCE. Penguatan arus CE ada
hubungannya dengan penguatan arus pada CB (α).
Dimana,
𝛃
𝛂 =
(𝛃 + 𝟏)
Resistansi output Rout merupakan perbandingan dari tegangan output VCE dan arus output IC.
𝐕𝑪𝑬
𝐑 𝒐𝒖𝒕 =
𝐈𝑪

3. ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN

1. DC Power Supply : 1 buah
2. Multimeter Analog : 1 buah
3. Multimeter Digital : 1 buah
4. Resistor 10 kΩ : 1 buah
5. Resistor 1 kΩ : 1 buah
6. Transistor NPN BC 107 : 1 buah
7. Project board : 1 buah
8. Kabel-kabel penghubung

4. LANGKAH PERCOBAAN
4.1 Karakteristik Input

Gambar 5 Rangkaian Common Emittor untuk Mencari Karakteristik Input

|4
 1. Menghubungkan rangkaian seperti pada Gambar 5.
2. Mengatur VCC sehingga VCE = 0 V. Kemudian mengatur VBB= 0.5 V. Mengukur IB
dan VBE. Mencatat hasilnya pada Tabel 1.
3. Mengubah VCE = 2 V. Kemudian mengukur ulang IB dan VBE
4. Mengulang pengukuran untuk harga VCE dan VBE yang lain.

4.2 Karakteristik Output

Gambar 6 Rangkaian Common Emitter untuk Mencari Karakteristik Output

1. Menghubungkan rangkaian seperti Gambar 6.

2. Mengatur VCC sehingga VCE = 0V.
3. Mengatur VBB sehingga IB= 0µA. Mengukur IC dan mencatat hasilnya pada Tabel 2.
4. Mengubah VCE = 10 V. Mengulangi langkah 3.
5. Mengulang pengukuran ini untuk harga VCE dan IC yang lain.

|5
5. DATA HASIL PERCOBAAN
Tabel 1. Karakteristik Input
VBB VCE = 0V VCE = 2V VCE = 4V VCE = 6V VCE = 8V
(V) IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE
(µA) (V) (µA) (V) (µA) (V) (µA) (V) (µA) (V)
0,5
0,75
1,0
2,0
4,0
6,0

Tabel 2. Karakteristik Output

VCE IB = 0 µA IB = 10 µA IB = 20 µA IB = 30 µA IB = 40 µA
(V) IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA)
0
2
4
6
8

6. ANALISIS
1. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik input transistor konfigurasi common
emiter dari data Tabel 1.
2. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik output transistor konfigurasi
common emiter dari data Tabel 2.
3. Hitunglah harga resistansi input dari data tabel 1.
4. Hitunglah harga resistansi output dan penguatan arus dari Tabel 2.
5. Jelaskan karakteristik rangkaian transistor dengan konfigurasi Common Emitter.

|6
7. KESIMPULAN

|7