BAB III

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

III.1. TUJUAN
Setelah selesai percobaan praktikan diharapkan dapat :
a. Menggambarkan karakteristik transistor
b. Menampilkan karakteristik input dan output dengan osiloskop
c. Memanfaatkan rangkaian–rangkaian transistor dan prinsip dasarnya dalam
dunia elektronik.

III.2. DASAR TEORI

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran elektron sebagai
prinsip kerjanya. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP, konstruksi
transistor dapat dilihat pada Gambar 3.1.

Gambar 3.1 Konstruksi transistor tipe NPN dan PNP

Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik rangkaian

dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground),
seperti ditunjukkan pada Gambar 3.2.

Laboratorium Elektronika Semester III 1

 Gambar 3.2 Rangkaian pengukuran karakteristik transistor

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian
Gambar 3.2, yaitu :
1. Karakteristik input transistor, arus basis IB sebagai fungsi VBE.

Gambar 3.3 Grafik IB fungsi VBE pada transistor NPN

Grafik diatas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan
dioda emitter-basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter
menurut tegangan emitter ke basis akan serupa dengan karakteristik
maju dari dioda hubungan p-n.
Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier- nya,
maka arus basis (IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial
barrier-nya, arus basis (IB) akan naik secara cepat.

Laboratorium Elektronika Semester III 2

 2. Karakteristik output transistor, arus IC sebagai fungsi VCE

Gambar 3.4 Grafik IC fungsi VCE pada transistor NPN

Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja
transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah
aktif dan seterusnya daerah breakdown.

Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC
konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC
hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah
linear (linear region). Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus
diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC - IC R C
Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
PD = VCE.IC
Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur
transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui
spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum
yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor
bekerja melebihi kapasitas daya PDmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

Laboratorium Elektronika Semester III 3

 Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base karena tegangan VCE
belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. Daerah Cut-Off.
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE
tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja
transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu
menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada sistem digital yang hanya
mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status
transistor OFF dan ON.
Aplikasi transistor tidak dibatasi sebagai rangkaian penguat signal saja,
transistor juga dapat dimanfaatkan sebagai saklar elektronik untuk komputer dan
aplikasi kontrol.

III.3. DAFTAR PERALATAN

1. Power supply DC
2. Power supply AC
3. Multimeter
4. Dioda Silikon
5. Potensiometer 10kΩ; 1kΩ; 470kΩ
6. Resistor 33kΩ; 100Ω; 3k3Ω; 10Ω
7. Transistor NPN dan PNP
8. Osiloskop

Laboratorium Elektronika Semester III 4

III.4. PROSEDUR PERCOBAAN
1. Rangkailah Gambar 3.5, buatlah agar VCE tetap 5 volt. Ubahlah nilai IB mulai
𝐼𝐼
dari 10 µA – 100 µA. Ukurlah nilai IC dan VBE. Hitunglah HFE = 𝐶𝐶 . Catat
𝐼𝐼 𝐵𝐵

hasil pengukuran dan perhitungan pada Tabel 1.

Gambar 3.5 Rangkaian transistor NPN

2. Perhatikan cara mengukur parameter dengan menggunakan satu multimeter

sebagai berikut:
• Titik-titik pengukuran arus harus di hubung singkat pada saat
multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
• Titik-titik pengukuran tegangan harus dibiarkan terbuka pada saat
multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
3. Masih dengan gambar yang sama Gambar 3.5, ubahlah VCE mulai dari 0,1V
sampai 5V dan ubahlah nilai IB. Ukurlah nilai IC . Catat hasil pengukuran pada
Tabel 2.
4. Ulangi langkah 1,2,3 untuk rangkaian Gambar 3.6. Catat hasil pengukuran
pada Tabel 3 dan 4.
Perhatikan : polaritas pada multimeter harus disesuaikan.

Gambar 3.6 Rangkaian transistor PNP

5. Rangkailah Gambar 3.7, ubahlah VCE mulai dari 0,1V sampai 5V dan
ubahlah nilai IB. Ukurlah nilai IC. Catat hasil pengukuran pada Tabel 5.
Laboratorium Elektronika Semester III 5
 Ch1

Ch2

Gambar 3.7 Skema Rangkaian transistor NPN untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi V CE (karakteristik output)

6. Untuk menampilkan karakteristik, ubahlah format YT menjadi XY.

Gambarkanlah grafik yang tampak pada layar osiloskop di kertas milimeter
blok.
7. Ulangi langkah 5 dan 6 untuk rangkaian Gambar 5.8 dan catat hasil
pengukuran pada Tabel 6.

Ch1

Ch2

Gambar 3.8 Skema Rangkaian transistor PNP untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi VCE (karakteristik output)

Laboratorium Elektronika Semester III 6

III.5. DATA
Tabel 1 Transistor NPN dengan VCE = 5 Volt Tetap
IB (µA) IC (mA) HFE (IC/IB) VBE (volt)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

Tabel 2 Transistor NPN dengan sumber DC

VCE IC (mA)
(volt) IB = µA IB = µA IB = µA IB = µA

Tabel 3 Transistor PNP dengan VCE = 5 Volt Tetap

IB (µA) IC (mA) HFE (IC/IB) VBE (volt)
10
20
30
40
50
60

Laboratorium Elektronika Semester III 7

 70
80
90
100

Tabel 4 Transistor PNP dengan sumber DC

VCE IC (mA)
(volt) IB = µA IB = µA IB = µA IB = µA

Tabel 5 Transistor NPN dengan sumber AC

VCE IC (mA)
(volt) IB = µA IB = µA IB = µA IB = µA

Tabel 6 Transistor PNP dengan sumber AC

VCE IC (mA)
(volt) IB = µA IB = µA IB = µA IB = µA

Laboratorium Elektronika Semester III 8

III.6. ANALISA
(Ditulis pada kertas A4)

III.7. KESIMPULAN
(Ditulis pada kertas A4)

III.8. TUGAS DAN PERTANYAAN

1. Berdasarkan Tabel 1, buatlah grafik karakteristik :
IC = f (IB)
IB = f (VBE)
IC = f (VCE)
2. Apa yang dimaksud dengan karakteristik input dan karakteristik output
pada rangkaian transistor!
3. Mengapa Kurva karakteristik output transistor IC = f (VCE) mempunyai
beda panjang?
4. Apa yang dimaksud dengan disipasi daya? Pada grafik IC = f (VCE),
gambarkanlah daerah kerja transistor yang diperbolehkan jika PDmax=100
mW!
5. Jelaskan bagaimana menentukan baik tidaknya transistor dan
menentukan jenis NPN/PNP transistor!
6. Buatlah rangkaian transistor untuk menghidupkan lampu dan jelaskan
cara kerjanya!
(Dijawab pada kertas A4)

Laboratorium Elektronika Semester III 9