Unit 7.

Karakteristik BJT

UNIT 7

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR, BJT)

A. Tujuan
1. Memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar,
2. Membedakan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik
transfer arus konstan dari transistor bipolar,
3. Menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar.

B. Alat dan Bahan

1. Power Supply 12 Vdc, 2 buah
2. Voltmeter 0 – 10 Vdc, 1 buah
3. Amperemeter 0 – 1 Adc, 1 buah
4. Transistor Bipolar NPN, 1 buah
5. Resistor, 2 buah
6. Kabel penghubung.

C. Metodologi Dasar
Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari bahan
semikonduktor. Ada dua macam transistor, yaitu transistor dwikutub (bipolar)
dan transistor efek medan (Field Effect Transistor-FET). Transistor bipolar (BJT)
baik tipe npn maupun pnp adalah sebuah perangkat yang dikontrol oleh arus di
mana keduanya, arus elektron dan hole, berkonstribusi. Karakteristik dari
transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang digambarkan dalam
suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan pada
Laboratorium Fisika FMIPA UNM
Unit Elektronika & Instrumentasi 39
 Unit 7. Karakteristik BJT

transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam

mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu
rangkaian. Ada tiga karakteristik yang sangat penting dari suatu transistor, yaitu:
karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik transfer arus konstan.
1. Persiapan Perangkat dan Prosedur kerja.
a. Rangkai dan pelajari kit percobaan Common Emitter (CE) berikut.

RC
IC

+C
RB B
 +
VR1 IB VR2 VCC
VCE
_
_ E

Gunakan : VCC = 12 Vdc, RB = 240 k dan RC = 2,2 k

b. Pengukuran karakteristik input menyatakan bagaimana arus base IB

bervariasi dengan tegangan base – emitter VBE ketika tegangan collector –
emitter VCE dibuat konstan. Pertama, tegangan VCE dibuat konstan dengan
suatu nilai tertentu lalu variasikan VBE dan IB akan meningkat dalam setiap
rentang nilai. Catat nilai-nilai tersebut. Selanjutnya, prosedur ini diulangi
untuk nilai VCE yang lebih besar.
c. Pengukuran karakteristik Output menunjukkan bagaimana arus collector IC
bervariasi dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan. Pertama, IB diset
pada suatu nilai yang konstan lalu VCE divariasikan secara linier, IC akan
menunjukkan nilai tertentu dan catat nilai ini. Selanjutnya, VCE
dikembalikan ke keadaan nol dan IB diset pada nilai yang lain dan
seterusnya.
d. Pengukuran karakteristik ciri alih atau transfer arus konstan menunjukkan
bagaimana IC bervariasi dengan perubahan IB dengan VCE dibuat konstan.

Laboratorium Fisika FMIPA UNM

Unit Elektronika & Instrumentasi 40
 Unit 7. Karakteristik BJT

2. Sumber Pustaka
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (1989). Electronic Devices and Circuit Theory,
Fourth Edition. Delhi : Prentice Hall of India.
Malvino, A.P. (2003). Prinsip-Prinsip Elektronika, Buku 1, Jakarta : Salemba
Teknika.

D. Analisis Data dan Grafik

Langkah-langkah analisis hasil pengukuran sebagai berikut :
1. Buatlah grafik hubungan antara Arus basis (IB) sebagai fungsi dari tegangan
Basis – Emitter (VBE).
2. Buatlah grafik hubungan antara Arus Collector (IC) sebagai fungsi dari
tegangan Collector – Emitter (VCE) untuk setiap nilai IB.
3. Tentukan garis beban dan titik kerja – Q transistor bipolar yang Anda gunakan
berdasarkan kurva karakteristik yang diperoleh pada bagian (2).
4. Tentukan besar ac dan dc dari kurva yang Anda peroleh pada bagian (2).
Bandingkan dengan hasil yang Anda peroleh dengan menggunakan Curve
Tracer.
5. Buat pula grafik hubugan antara Arus Collector (IC) sebagai fungsi dari Arus
Basis (IB) kemudian tentukan besar kemiringannya.
6. Berikan interpretasi dari ketiga grafik yang anda buat.

Laboratorium Fisika FMIPA UNM

Unit Elektronika & Instrumentasi 41
 Unit 7. Karakteristik BJT

HASIL PENGAMATAN DAN PENGUKURAN

Unit Percobaan : Karakteristik Transistor Bipolar (BJT).

Nama/NIM :

Kelas/Kelompok :

Nama Anggota Kelompok :

1. 2.

3. 4.

Tabel 1. Hasil Pengukuran Karakteristik Input.

Nilai IB (mA) untuk VCE :

No. VBE (volt)
0V 2V 4V 6V 8V 10 V

Laboratorium Fisika FMIPA UNM

Unit Elektronika & Instrumentasi 42
 Unit 7. Karakteristik BJT

Tabel 2. Hasil Pengukuran Karakteristik Output

Nilai IC (mA) untuk IB :

No. VCE (volt)
0 A 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A

Laboratorium Fisika FMIPA UNM

Unit Elektronika & Instrumentasi 43
 Unit 7. Karakteristik BJT

Tabel 3. Hasil Pengukuran Karakteristik Transfer

VCE = 10 V
No. IB (A) IC (mA)

Makassar, 2020

Pembimbing, Praktikan,

Laboratorium Fisika FMIPA UNM

Unit Elektronika & Instrumentasi 44