Percobaan II

Karakteristik BJT
Rahman Ecky Retnaldi (13116006)
Asisten : Wildan Abdullah(13115048)
Tanggal Percobaan : 06/10/2018
EL3102 Praktikum Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera

Dalam hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor

Abstrak— Pada praktikum modul 1 ini akan dilakukan beberapa bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang
percobaan untuk mengetahui karakteristik BJT. Dalam digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan antara
praktikum ini akan dilakukan beberapa percobaan yaitu arus dan tegangan dalam transistor ditujukkan oleh gambar
Percobaan mengenai karakteristik input transistor Ic-VBE, berikut ini
kemudian Percobaan kedua mengenai karakteristik Ic-VCE dan
early effect . Selanjutnya percobaan yang terahir mengenai
pengaruh bias pada penguat transistor dengan arus yang
berbeda beda. Setelah dilakukan percobaan diketahui bahwa
transistor akan berada pada kondisi cut-off saat arus basis yang
diberikan sebesar 25 µA, kondisi aktif saat arus basis sebesar
200µA dan berada pada keadaan staturasi saat arus basis Gambar 1. Transistor BJT NPN Gambar 2. Transistor BJT PNP
sebesar 400 µA.
Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus
Kata Kunci— BJT, Transistor, Early Effect, Ic-VBE, Ic-VCE kolektor (Ic), arus Basis (Ib), dan arus emitor (Ie), yaitu beta
(β) = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha (α)=
I. PENDAHULUAN penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan
Transistor merupakan sebuah komponen elektronika yang matematis sebagai berikut.
dapat digunakan sebagai switching, penguat , modulasi sinyal
dan kran listrik. Berdasarkan inputanya transistor terdiri atas
transistor berdasarkan arus inputannya yaitu BJT dan Sehingga
berdasarkan tegangan inputanya FET. Pada modul ini
membahas mengenai BJT.
Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan
BJT atau Bipolar Junction Transistor tersusun atas tiga material pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian dengan
doping semikonduktor. Ketiga material dikenal dalam BJT konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan
sebagai emitter , basis dan collector. BJT sendiri memiliki dua ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini..
tipe yaitu tipe npn dan tipe pnp. Pada percobaan ini akan
dilakukan percobaan menggunakan BJT tipe npn untuk
mengetahui karakteristik kurva Ic-VBE, karakteristik kurva Ic-
VBE , early effect dan dalam mengetahui pengaruh bias pada
transistor.
Percobaan ini memiliki tujuan sebagai berikut :
1. Memahami karakteristik transistor BJT.
2. Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit.
3. Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan.

II. LANDASAN TEORI Gambar 3. Rangkaian Common Emitter

A. Transistor BJT
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika Terdapat dua buah kurva karakteristik dari rangkaian diatas
paling penting. Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis yaitu :
muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar.  Karakteristik Ic-VBE
  Karakteristik Ic-VCE 1. Kit Praktikum Karakteristik Transistor & Rangkaian
B. Kurva Karakteristik Ic-VBE Bias
Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari tegangan 2. Sumber tegangan DC
VBE, sesuai dengan persamaan: Persamaan 3. Sumber arus konstan
ini dapat digambarkan sebagai kurva seperti ditunjukkan pada 4. Osiloskop
gambar berikut ini. 5. Multimeter (2 buah)

B.1 Karakteristik Input Transistor Ic-VBE

Disetting
GambarSinyal GeneratorSeri
2. Rangkaian dengan
R, L, Gelombang
C (ResonansiSegitiga
Seri) ~1KHz.
Amplituda sinyal 0,8V. Disusunlah rangkaian seperti pada gambar 6

Dihubungkan osiloskop Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik B,Probe

positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C, dan Ground osiloskop ke titik A.
Gambar 4. Kurva Karakteristik Ic-VBE

Gambar 15 Kurva Karakteristik IC - VBE Dari kurva di atas Disetting osiloskop : Skala X pada nilai 0,1V/div dengan kopling
juga dapat diperoleh transkonduktansi dari transistor, yang AC, Skala Y pada nilai 1V/div dengan kopling DC, dan tekan
tombol ‘invert’ nya. - Osiloskop pada mode X-Y.
merupakan kemiringan dari kurva di atas, yaitu :

Digambarkan plot IC (mA) - VBE (Volt)

C. Kurva Karakteristik Ic-VCE
Arus kolektor juga bergantung pada tegangan kolektor-
emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor dibedakan menjadi
tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off. Persyaratan
kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel
berikut ini.

Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini ditunjukkan Gambar 6. Rangkaian percobaan 1
pada area-area dalam gambar berikut ini.
B.2 Karakteristik Input Transistor Ic-VCE

Disetting Sinyal Generator dengan Gelombang Segitiga ~1KHz.

Amplituda sinyal 12V. Disusunlah rangkaian seperti pada gambar 7

Dihubungkan osiloskop Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik E,Probe

positif (+) Ch-2 (Y) ke titik A, dan Ground osiloskop ke titik C.
Gambar 5. Kurva Karakteristik Ic-VCE

Disetting osiloskop : Skala X pada nilai 1V/div dengan kopling AC,

Skala Y pada nilai 0.5V/div dengan kopling DC, dan tekan tombol
III. METODELOGI ‘invert’ nya. - Osiloskop pada mode X-Y.
A. Alat dan bahan
Pada percobaan modul 2 ini alat dan bahan yang
digunakan yaitu :
Digambarkan plot IC - VCE. Ubah-ubah nilai IB untuk semua nilai
keluaran sumber arus yang tersedia
 Dirubah nilai Rc menjadi nilai maksimum (sekitar 5KΩ). ulangi
langkah sebelumnya dengan ib seperti langkah sebelumnya.

Ubah nilai Ib menjadi 150µA. diatur Rc sehingga Vce terbaca 5 V.

amati gambar hasil osiloskop. tentukan titik kerja di kondisi ini

naikan amplitude input dari gensi hingga namopak distorsi pada

Gambar 7. RangkaianPercobaan 2 gelombang output

B.3 Early Effect

dinaikan amplituda apa output masih bisa membesar

Dengan menggunakan rangkaian dan setting pada percobaan
karakteristik IC - VCE sebelumnya. Dipilihlah nilai arus basis
(IB) dari sumber arus yang kemiringan kurva-nya cukup besar

Pada kurva IC-VCE itu, dipilih dua titik koordinat yang mudah
dibaca, dan masih dalam garis lurus. Baca dan dicatat nilai IC
dan VCE pada kedua titik tersebut.

Dihitung nilai tegangan Early dengan persamaan yang telah

diberikan

Dipilih nilai arus basis (IB) yang lain, dan dilakukan seperti Gambar 8. Rangkaian percobaan 4
langkah 1 s/d 3 diatas untuk mengkonfirmasi nilai tegangan
Early yang sudah didapatkan.
IV. HASIL DAN ANALISIS

A. Karakteristik Input Transistor Ic-VBE

B.4 Pengaruh Bias Pada Penguat Transistor
Disetting Sinyal Generator dengan Gelombang Segitiga ~1KHz.
Amplituda sinyal 50mV. Disusunlah rangkaian seperti pada
gambar 7
Dihubungkan osiloskop Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik
gensi,Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C, dan Ground
osiloskop ke titik C.
Pada percobaan pertama ini dilakukan untuk mengetahui
karakteristik kurva Ic-VBE mengunakan transistor 2n222 dan
BD139. Namun pada percobaan kali ini tidak berhasil
dikarenakan sinyal output pada chanel 2 ketika input tegangan
di hidupakan chanel tidak muncul. Sudah lakukan perubahan
rangkaian dan mengganti beardboard namun tetap saja. Hal ini
mungkin dikarenakan transistor yg digunkan rusak atau eror.
Sehingga dilakukan percobaan dengan simulasi multisim
diperoleh hasil berikut :

Disetting osiloskop : Skala X pada nilai 10mV/div dengan

kopling AC, Skala Y pada nilai 1V/div dengan kopling AC, dan
tekan tombol ‘invert’ nya. - Osiloskop pada mode X-Y.

set Ib=25 µA dan Rc=82Ω.dibaca dan catat tegangan Vce dan

Vbe. kemudian plot grafik. Ulangi langkah diatas untuk ib= 200
µA dan 400µA

Gambar 9. Kurva Ic-Vbe transistor 2n222

 Ketiga gambar diatas kemudian diplot menjadi satu sehinggga
diperoleh kurva Ic-Vce sebagai berikut :

Gambar 10. Kurva Ic-Vbe Transistor BD139

Berdasarkan kedua gambar diatas kurva pada transistor

2n222 dan Bd139 membentuk kurva yang sama dengan
karakteristik Ic-Vbe. Bedanya pada transistor BD139
terlihat ada dua garis dalam kurva , hal ini menunjukan
bahwa dengan frekuensi 1kHz pada transistor 2n222 sudah
dapat memunculkan kurva Ic-Vbe yang baik. Sedangkan
pada transistor BD139 frekuensi yg dibutuhkan masih
kurang besar. Sehingga untuk membentuk kurva Ic-Vbe
yang baik pada transistor BD139 perlu dinaikan lagi nilai
frekuensinya. Meskipun demikian kedua kurva diatas
memiliki bentuk yang menyerupai fungsi eksponen yaitu
Ic= Is 𝑒 𝑉𝑏𝑒/𝑉𝑡 . Sehingga percobaan dengan simulasi ini
sesuai dengan teori.
B. Karakteristik Input Transistor Ic-VCE
Pada percobaan kedua ini dilakukan dengan menggunakan
cara yang sama seperti percobaan satu namun pada percoban ini
digunakan tiga arus yang berbeda yaitu 24 µA, 240 µA, dan
428 µA. diperoleh hasil sebagai berikut :
Gambar 14. Kurva Ic-Vce
Hasil dari percobaan dengan arus yang berbeda beda ketika
dilihat seperti tidak ada perbedaan diantara ketiganya namun
ketika di plot menjadi satu terlihat seperti gambar 14. Meskipun
begitu hasil yang di peroleh ini sudah menyerupai kurva Ic-Vce.
Dimana pada saat niali arus Ib semakin kecil maka nilainya
akan semakin kecil juga bahkan mendekati 0 sehingga
transistor dalam keadaan cut-off. Kemudian pada kurva kedua
secara tidak langsung memperlihatkan bentuk yang hampir
linier dan tidak dipengaruhi Vce sehingga daerah ini dinamakan
daerah aktif transistor. Kumudian pada kurva paling atas
menunjukan bentuk yang hampir linier sehingga daerah
tersebut dinamakan daera staturasi transistor. Hal ini
menunjukan bahwa nilai Ib berbanding lurus dengan nilai arus
pada colector ,dimana ketika arus basis transistor yang
diberikan semakin besar maka arus colectornya juga besar.
C. Early Effect
Pada percobaan ini dilakukan penghitungan untuk
mengetahui nilai tegangan input. Perhitungan ini dilakukan
dengan mengambil sampel pada kurva Ic-VCE percobaan
sebelumnya. Pada percobaan sebelumnya diambil sampel pada
ib=240 µA dan 428 µA. diperoleh hasil sebagai berikut

Ib=240µA Ib=428µA
No
Gambar 11. Kurva Ic-Vbe 24 µA Vce(V) Ic(mA) Vce(V) Ic(mA)
1 -0,76 -2 -8 0
2 6 8 5.840 6
Tabel 1. Nilai Vce dan Ic

 Va untuk Ib=240µA
(6)(8) − (−0,76)(−2)
𝑉𝑒 = = 4,64 𝑉
8 − (−2)
Gambar 12. Kurva Ic-Vbe 240 µA  Va untuk Ib=428µA

(5.840)(6) − (−8)(0)
𝑉𝑒 = = 5,84 𝑉
6−0
Dari kedua perhitungan diatas diketahui pada saat Ib=240µA
nilai Va=4,64 V dan pada saat Ib=428µA nilai Va=5,84 V. dari
kedua hasil ini menunjukan bahwa nilai keduanya berbeda. Hal
ini ini tidak sesuai dengan teori pada tegangan early yang akan

Gambar 13. Kurva Ic-Vbe 480 µA

memiliki nilai sama pada kurva x yang di Tarik garis lurus. Hal
ini kemungkinan disebabkan beberapa factor yaitu ketidak
telitian praktikan saat menghitung nilai grafik, rangkaian arus
Dc mengalami short, dan juga transistor yang mengalami
kerusakan akibat panas karena digunakan berkali kali. Oleh
karena itu dengan adanya factor tersebut menyebabkan nilai Ic
dan Vce yang di ukur tidak sesuai.
D. Pengaruh Bias Pada Penguat Transistor
Pada percobaan ini dilakuan percobaan untuk mengetahui
pengaruh bias terhadap penguat transistor. Percobaan ini tidak
terselesaikan saat praktikum sehingga di gunakan hasil simuasi
menggunakan multisim sesuai dengan rangkaian pada gambar
8. Seteleh dilakukan simulasi diperoleh hasil sebagai berikut :
agar didapatkan nilai arus dan tegangan yang konstan. Sehingga
dapat di tentukan daerah kerja pada transistor.
Kemudian seperti dapat dilihat pada nilai tegangan Vce dan
Vbe dari gambar diatas. Ketika arus basis sebesar 24 µA Vbe
bernilai kurang dari 0,7 V pad Rc= 82 ohm maka transistor
dalam keadaan cut-off. Pada saat arus basis sebesar Ib=240 µA
nilai tegangan Vbe dengan Rc=82 berkisar 0,7 sehingga
transistor diindikasikan dalam keadaan aktif . kemudian pada
saat arus basis besarnya Ib=428 µA niai Vbe pada Rc=82
nilainya mendekati 0,7 dan Vcenya mendekati 5V hal ini
menunjukan pada saat arus basis sebesar 428 µA transistor
dalam keadaan staturasi.
Kemudian pada percobaan untuk Ib = 150 µA diperlukan nilai
Rc sebesar 2,5K ohm untuk memperoleh nilai Vce= 5V. Berikut
adalah sinyal keluaran yang dihasilkan :

No Rc=82 Rc=5K

1
Ib= 24 µA
Ib= 24 µA
VBE : 598.49 mV
VBE : 651.66 mV
VCE : 5.652 V
VCE : 8.56 V
Gambar 15. Ib=150 µA

Hasil diatas menunjukan bahwa transistor berada dalam

keadaan aktif. Karena tegangan Vce=5 V. kemudian untuk
melihat ditorsi pada gelombang tegangan puncak dinaikan
2 sebesar 1 Vp sehingga diperoleh hasil berikut :
Ib=240 µA Ib=240 µA
VBE : 726.7 mV VBE : 617.72 mV
VCE : 5.28 V VCE : 4.39 V

3
Ib=428 µA Ib=428 µA
VBE : 730.776 mV VBE : 626.73 mV
VCE : 4.997 V VCE : 3.85 V

Tabel 2. Hasil Vbe dan Vce

Gambar 16. Sinyal kurva distorsi 1 Vp

Berdasarkan hasil simulasi diatas dapat dilihat bahwa ketika
arus basis diperbesar maka tegangan pada collector-emitor
menjadi semakin kecil. Kemudian terlihat pada kurva bahwa
ketika mencapai tegangan 9 V kurva seperti terpotong. Hal ini
dikarenakan adanya penambahan bias tegangan Dc pada
rangkaian sebesar 9 V. Pemberian tegangan ini dengan tujuan
Dari gambar diatas dengan membaca skala chanel b sebesar 5
v/div terlihat bahwa ditorsi pada saat amplitudanya -9 V dan
pada ujung sinyal seperti terpotong. Hal tersebut terjadi karena
tegangan input DC yang diberikan nilainya 9V, sehingga batas
maksimum dari ditorsinya adalah 9 V.
 V. SIMPULAN

 Karakteristik transistor BJT terdpat pada input arusnya.

Dimana arus kolektor dengan tegangan base-emittor (VBE)
menunjukan bahwa kolektor merupakan fungsi eksponen.
Kemudian untuk mengetahui transkonduktansi pada
transistor dapat diketahui dengan mengukur gradient pada
kurva Ic-VCE.
 Tegangan early effect dapat diketahui dengan menarik
garis semu sepanjang sumbu x dari kemiringan pada
masing masing kurva Ic-VCE.
 Pada percobaan ini arus Ib mempengaruhi bias dari
transistor, sehingga diketahui kondisi-kondisi transistor.
Dimana pada saat arus Ib sebesar 25µA transistor berada
pada keadaan cut-off, saat arus Ib sebesar 200 µA transistor
berada pada keadaan aktif. Dan pada saat arus Ib sebesar
400 µA transistor pada keadaan staturasi.
 Bias pada penguat transistor menyebabkan rangkaian
transistor mengalami distorsi. Pada percobaan ini distorsi
terjadi pada saat nilai teganganya ≥6,3 V dan ≤ 9V. batas
maksimum 9V ini disebabkan oleh tegangan DC pada
rangkaian besarnya 9V.

REFERENSI

[1]. Adel S. Sedra and Kennet C. Smith, Microelectronic

Circuits,Oxford University Press, USA, 2004.
[2]. Kananda,kiki,dkk. Praktikum Elektronika. Laboratorium
Dasar Teknik Elektro ITERA, Lampung, 2018
[3]. Widodo, Thomas Sri. Elektronika Dasar. Selemba
Teknika.2002