JOB 1

KARAKTERISTIK BJT

Oleh :

 Nama : Alfido Prabu Alam

 Npm : 062130321066
 Kelas : 3EN
 Partner :
 Nama : Djaya Lukmana
 Npm : 062130321070
 Kelas : 3EN
 Kelompok :7

TEKNIK ELEKTRO
D3 TEKNIK ELEKTRONIKA
POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA
2022
 Karakteristik BJT

Tujuan
a. Memahami karakteristik transistor BJT

b. Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan

Dasar Teori
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting. Terdapat dua jenis transistor
berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam hal ini akan dipelajari
transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang digunakan, yaitu
jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan antara arus dan tegangan dalam transistor ditunjukan oleh gambar
berikut ini.

Gambar 1. Transistor BJT NPN Gambar 2. Transistor BJT PNP

Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (IC), arus basis (IB), dan arus
emiter (IE), yaitu beta (β) = penguatan arus dc untuk common emiter, alpha (α)= penguatan arus untuk
common basis, dengan hubungan matematis sebagai berikut.

IC IC
b= dan a = a
b
a= b=
IB b 1-a
sehingga +
1
I

E
Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan pengukuran arus dan tegangan pada
rangkaian dengan konfigurasi common emiter (kaki emiter terhubung dengan ground), seperti
ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Gambar 3. Rangkaian Common Emiter

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian diatas, yaitu:

Karakteristik IC - VBE

Karakterinstik IC - VCE

Kurva Karakteristik IC - VBE

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari tegangan VBE. Dapat digambarkan sebagai kurva
seperti
C
ditunjukkan
ES
pada gambar berikut ini.

Gambar 4. Kurva Karakteristik IC - VBE

Dari kurva di atas juga dapat diperoleh transkonduktansi dari transistor, yang merupakan
kemiringan dari kurva di atas,
yaitu ΔIC
gm =
ΔVBE
Kurva Karakteristik IC – VCE
Arus kolektor juga bergantung pada tegangan kolektor-emiter. Titik kerja (mode kerja) transistor
dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off. Persyaratan kondisi ketiga
mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel berikut ini.

Mode Kerja IC VCE VBE VCB Bias B-C Bias B-E

Aktif = b.IB =VBE +VCB 0.7V 0 Reverse Forward

Saturasi Max 0V 0.7V -0.7V<VCE<0 Forward Forward

Cut-Off 0A =VBE +VCB 0V 0V - -

Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini ditunjukkan pada area-area dalam gambar berikut ini.

Gambar 5. Kurva Karakteristik IC – VCE

Alat dan Komponen yang Digunakan

 Sumber tegangan DC
 Generator Sinyal
 Penguat Transistor
 Sumber arus konstan
 Multimeter (3 buah)
 Kabel-kabel
 Osiloskop

Pengaruh Bias pada Penguat Transistor

1. Ubah seting sinyal generator sehingga mengeluarkan sbb (pastikan dengan
menyambungkannya ke osiloskop):
a. Gelombang sinusoid ~1KHz.
b. Amplitudo sinyal 20 mVpp (tarik tombol amplitudo agar didapat nilai yang kecil).
c. Gunakan T konektor pada terminal output.
2. Susunlah rangkaian seperti pada gambar dibawah ini.

10 V

Gambar 6. Rangkaian Bias Penguat Transistor

3. Hubungkan osiloskop ke rangkaian:

-Ch-1 (X) ke generator sinyal dengan kabel koaksial konektor BNC-BNC,

-Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,

-Ground osiloskop ke titik E.

4. Gunakan seting osiloskop :

5. Skala Ch-1 pada nilai 10mV/div dengan kopling AC,
6. Skala Ch-2 pada nilai 1V/div dengan kopling AC,
7. Osiloskop pada mode waktu dengan skala horizontal 500µS/div.
8. Titik nol Ch-1 dan titik nol Ch-2 pada garis tengah layar.
9. Gunakan multimeter digital pada mode Volt-DC untuk mengukur tegangan dari VCE dan
multimeter digital pada mode Arus-DC untuk mengukur arus dari IB.
10. Atur tegangan VCE menjadi 8 volt, dengan memutar knob pada Rvar secara perlahan

11. Baca dan catat arus IB kemudian gambarkan bentuk gelombang tegangan output VCE yang
ditunjukkan osiloskop. Amati adanya distorsi pada bentuk gelombang output.
12. Dari nilai IB dan VCE yang terbaca, tentukan letak titik kerja kondisi ini pada plot grafik IC-
VCE yang telah dibuat sebelumnya. Dengan memperhatikan titik kerja ini, jelaskan
mengapa distorsi pada langkah-7 terjadi.
13. Ulangi langkah 6-8. Untuk nilai-nilai VCE: 2V dan 5V.

14. Dengan seting terakhir (VCE = 5V), lakukan pengukuran arus kolektor (IC), arus basis (IB),
dan arus emiter (IE). Catat nilai arus ini.
15. Lakukan juga pengukuran nilai resistansi bias RB. Catat nilai resistansi ini.
16. Amati dan gambar bentuk tegangan yang terlihat di osiloskop, naikan amplitudo input (dari
generator sinyal) hingga tampak terjadi distorsi pada gelombang tegangan output (VCE).
Catat besar amplitudo input dan gambarkan bentuk gelombang outputnya.

Tabel Data Pengamatan

Tabel 1. Pengaruh Bias pada Kerja Transistor

Keadaan Vin Vout

Daerah cut-off
IB = ………mA
IC =............mA
VCE =..........V
VBE =………V

Daerah aktif
IB =……….mA
IC =............mA
VCE =..........V
VBE =………V

Daerah saturasi
IB =……….mA
IC =............mA
VCE =..........V
VBE =………V