LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA

PRATEGANGAN BASIS
Dosen pengampu: Erawan Kurniadi, S.Si., M.Pd.

Oleh :
1. OKTAVIANA NUR INSAN (2102112005)
2. MUHAMMAD ADAM (2102112011)
3. SINTA KUSUMA DEWI (2102112012)

UNIVERSITAS PGRI MADIUN

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA
2023
A. Tujuan
1. Mengetahui hubungan VE terhadap IC dan IB pada rangkaian prategangan
basis
2. Mengetahui seberapa besar VCEQ (ideal) agar hubungan basis dan emiter
IC
sesuai persamaan βdc =
IB
B. Rumusan Masalah
1. Apa yang terjadi pada nilai arus kolektor dan basis jika RB diubah-ubah?
2. Berapa besar VCEQ (ideal) agar hubungan basis dan emiter sesuai
IC
persamaan βdc = ?
IB
3. Apakah persamaan matematis yang berlaku pada rangkaian prategangan
basis sesuai dengan simulasi di aplikasi EWB?
C. Hipotesis
1. Saat besar RB diubah-ubah maka nilai IC meningkat sebesar 100 IB.
2. Besar VCEQ (ideal) harus setara dengan setengah V CC (tegangan beban)
IC
agar hubungan basis dan emiter sesuai persamaan βdc = .
IB
3. Hasil perhitungan IB, IC, VCE menggunakan persamaan matematis dengan
hasil simulasi di EWB sesuai, hanya sedikit ada perbedaan pada hasil
koma jadi tidak terlalu mempengaruhi.
D. Dasar Teori
Transistor adalah suatu komponen semikonduktor yang dapat
memperbesar level sinyal keluaran sampai beberapa kali sinyal masukan.
Sinyal masukan disini dapat berupa sinyal AC ataupun DC. Prinsip dasar
transistor sebagai penguat adalah arus kecil pada basis mengontrol arus yang
lebih besar dari kolektor melewati transistor. Transistor berfungsi sebagai
penguat ketika arus basis berubah. Perubahan kecil arus basis mengontrol
perubahan besar pada arus yang mengalir dari kolektor ke emiter. Pada saat
ini transistor berfungsi sebagai penguat.
Bipolar junction transistor (BJT) adalah perangkat yang dikendalikan
arus yang sering digunakan untuk memberikan penguatan arus tinggi dan
mampu untuk megontrol arus tinggi dengan arus penggerak
rendah(Yuliantono, 2022). Jenis transistor ini terbagi menjadi 3 daerah
meliputi emiter, basis, dan colector. Transistor bipolar terdapat dua tipe
transistor yaitu transistor npn dan pnp. Pada transistor NPN arus yang besar
akan mengalir dari emiter ke kolektor, apabila ada arus kecil yang mengalir
dari emiter ke base. Pada transistor NPN arus listrik yang besar akan mengalir
dari collector ke emiter, apabila ada arus kecil yang mengalir dari base ke
emiter. Dalam hal ini transistor mirip dengan amplifier, yang mengontrol
 jumlah arus dari collector ke emiter oleh arus yang mengalir dari base.
Transistor juga mirip dengan fungsi sakelar. Transistor akan bekerja pada
posisi ON, yaitu arus akan mengalir dari collector ke emiter apabila arus
keccil mengalir dari base. Sedangkan transistor akan berada pada posisi OFF,
apabila tidak ada arus yang mengalir dari base.
Prategangan Basis
Memberi prategangan kepada suatu transistor berarti menggunakan
tegangan luar untuk menimbulkan arus kolektor yang diinginkan. Pada
gambar memperlihatkan rangkaian prategangan basis yaitu cara pemberian
prategangan paling sederhana untuk konfigurasi CE. Dari gambar hambatan
RB adalah VBB - VBE dan arus basis sama dengan:
V BB−V BE
I B=
RB
Rangkaian atau konfigurasi CE dapat dilihat pada gambar di bawah ini:

Gambar 1 Rangkaian

Pada gambar 2 menunjukkan garis beban dc yang digambarkan diatas

kurva kolektor. Perpotongan vertikal pada VCC / RC dan perpotongan
horizontal pada VCC. Perpotongan dari garis beban dc dengan arus basis yang
dihitung merupakan titik Q dari transistor.

Gambar 2 Garis Beban DC sumber:elektronik-dasar.web.id

E. Pengujian Hipotesis
Pengujian hipotesis dilakukan dengan melalui simulasi menggunakan aplikasi
Electronics Workbench dengan pola eksperimen.
1. Alat dan Bahan
Pada praktikum ini menggunakan aplikasi simulasi yang bernama
Electronics Workbench. Dengan komponen yang digunakan ialah sebagai
berikut:
 No Alat & Bahan Jumlah
1 Tegangan DC 2
2 Resistor 2
3 Transistor NPN 1
4 Amperemeter 2
5 Voltmeter 2
Tabel 1 Alat dan bahan

2. Langkah Percobaan Prategangan Basis

1) Menginstall aplikasi electronic work bench

Gambar 3 Aplikasi EWB

2) Merangkai susunan sesuai gambar berikut: susunan prategangan

basis

Gambar 4 Rangkaian Prategangan Basis

3) Menghubungkan tegangan DC pada rangkaian dengan V CC sebesar

30 Volt dan V BB sebesar 10 Volt.
4) Mengatur RB sebesar 300 Ω dan RC sebesar 5 Ω.
5) Mengukur tegangan di VCE dengan Voltmeter yang dipasang secara
paralel.
6) Mengukur arus di IB dan IC dengan Amperemeter yang dipasang
secara seri.
7) Mengulangi langkah 4-6 dengan mengubah RB sebesar 350 Ω dan
400 Ω.
8) Mencatat hasil pengukuran pada tabel
F. Hasil dan Pembahasan
1. Hasil Eksperimen
a. Simulasi di EWB
 Percobaan 1

Gambar 5 Rangkaian Percobaan 1

 Percobaan 2

Gambar 6 Rangkaian Percobaan 2

 Percobaan 3

Gambar 7 Rangkaian Percobaan 3

b. Tabel percobaan prategangan basis

IB IC VCE
R B=300 Ω 30,06 mA = 0,03006 A 3,006 A 14,97 Volt
RC =5Ω
V BB=10 Volt
V CC =30 Volt

R B=350 Ω 25,78 mA = 0,02578 2,578 A 17,11 Volt

RC =5Ω A
V BB=10 Volt
V CC =30 Volt

R B=400Ω 22,57 mA = 0,02257 A 2,256 A 18,72 Volt

RC =5Ω
V BB=10 Volt
V CC =30 Volt
Tabel 2 percobaan prategangan basis

2. Analisis Data
 Percobaan 1
R B=300 Ω
RC =5Ω
V BB=10 Volt
V CC =30 Volt
V BE=0 , 7 Volt untuk transistor silikon

Pada gambar terlihat bahwa VBB memberi prategangan maju kepada

diode emiter. Maka besarnya arus basis adalah:

V BB−V BE 10 Volt−0 , 7 Volt

I B= = =0,031 A
RB 300 Ω
Dalam daerah aktif, arus kolektor besarnya adalah:

I C =β dc I B=100 . 0,031 A=3 ,1 A

Arus kolektor ini menimbulkan penurunan tegangan sebesar I CRC
pada hambatan kolektor, sehingga beda tegangan kolektor emiter
adalah:
V CE =V CC −I C RC =30Volt −3 , 1 A . 5 Ω=14 ,5 Volt
Berikut grafik hubungan antara VCE dan IC.
 Garis Beban DC
7
6 6
5
4
3 3.1

2
1
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35

Gambar 8 grafik hubungan antara VCE dan IC percobaan 1

Koordinat titik jenuh dinyatakan dalam IC(sat) dan VCE(sat) melalui

hubungan:
V CC −V CE 30 Volt −0 ,7 Volt
I C(sat) = = =5 , 86 A
RC 5Ω
Dalam gambar terlihat jelas bahwa titik jenuh sangat berdekatan
dengan intersep tegak. VCE(sat) umumnya hanya berharga beberapa
kali 0,1 volt sehingga dapat diabaikan, dengan demikian:
V CC 30 Volt
I C(sat) ≅ = =6 A
RC 5Ω
Arus basis yang menyebabkan kejenuhan adalah:
I ( ) 6A
I B (sat) ≅ C sat = =0 , 06 A
β dc 100
Jika arus basis melebihi IB(sat), maka arus kolektor tidak akan
bertambah (diode kolektor tidak lagi mendapat prategangan balik).
 Percobaan 2
R B=350 Ω
RC =5Ω
V BB=10 Volt
V CC =30 Volt
V BE=0 , 7 Volt untuk transistor silikon

Pada gambar terlihat bahwa VBB memberi prategangan maju kepada

diode emiter. Maka besarnya arus basis adalah:

V BB−V BE 10 Volt−0 , 7 Volt

I B= = =0,026 A
RB 350 Ω
 Dalam daerah aktif, arus kolektor besarnya adalah:

I C =β dc I B=100 . 0,026 A=2 ,6 A

Arus kolektor ini menimbulkan penurunan tegangan sebesar I CRC

pada hambatan kolektor, sehingga beda tegangan kolektor emiter
adalah:
V CE =V CC −I C RC =30Volt −2 ,6 A . 5 Ω=17 Volt

Berikut grafik hubungan antara VCE dan IC.

Garis Beban DC
7
6 6
5
4
3
2.6
2
1
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35

Gambar 9 grafik hubungan antara VCE dan IC percobaan 2

Koordinat titik jenuh dinyatakan dalam IC(sat) dan VCE(sat) melalui

hubungan:
V CC −V CE 30 Volt −0 ,7 Volt
I C(sat) = = =5 , 86 A
RC 5Ω
Dalam gambar terlihat jelas bahwa titik jenuh sangat berdekatan
dengan intersep tegak. VCE(sat) umumnya hanya berharga beberapa
kali 0,1 volt sehingga dapat diabaikan, dengan demikian:
V CC 30 Volt
I C(sat) ≅ = =6 A
RC 5Ω
Arus basis yang menyebabkan kejenuhan adalah:
I ( ) 6A
I B (sat) ≅ C sat = =0 , 06 A
β dc 100
Jika arus basis melebihi IB(sat), maka arus kolektor tidak akan
bertambah (diode kolektor tidak lagi mendapat prategangan balik).
 Percobaan 3
R B=400Ω
RC =5Ω
 V BB=10 Volt
V CC =30 Volt
V BE=0 , 7 Volt untuk transistor silikon

Pada gambar terlihat bahwa VBB memberi prategangan maju kepada

diode emiter. Maka besarnya arus basis adalah:

V BB−V BE 10 Volt−0 , 7 Volt

I B= = =0,023 A
RB 400 Ω
Dalam daerah aktif, arus kolektor besarnya adalah:

I C =β dc I B=100 . 0,023 A=2 ,3 A

Arus kolektor ini menimbulkan penurunan tegangan sebesar I CRC

pada hambatan kolektor, sehingga beda tegangan kolektor emiter
adalah:
V CE =V CC −I C RC =30Volt −2 ,3 A . 5 Ω=18 , 5 Volt
Berikut grafik hubungan antara VCE dan IC.

Garis Beban DC
7
6 6
5
4
3
2.3
2
1
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35

Gambar 10 grafik hubungan antara VCE dan IC percobaan 3

Koordinat titik jenuh dinyatakan dalam IC(sat) dan VCE(sat) melalui

hubungan:
V CC −V CE 30 Volt −0 ,7 Volt
I C(sat) = = =5 , 86 A
RC 5Ω
Dalam gambar terlihat jelas bahwa titik jenuh sangat berdekatan
dengan intersep tegak. VCE(sat) umumnya hanya berharga beberapa
kali 0,1 volt sehingga dapat diabaikan, dengan demikian:
V CC 30 Volt
I C(sat) ≅ = =6 A
RC 5Ω
 Arus basis yang menyebabkan kejenuhan adalah:
I ( ) 6A
I B (sat) ≅ C sat = =0 , 06 A
β dc 100
Jika arus basis melebihi IB(sat), maka arus kolektor tidak akan
bertambah (diode kolektor tidak lagi mendapat prategangan balik).
 Tabel perhitungan matematis prategangan basis

IB IC VCE
Percobaan 1 0,031 A 3,1 A 14,5 Volt
Percobaan 2 0,026 A 2,6 A 17 Volt
Percobaan 3 0,023 A 2,3 A 18,5 Volt
Tabel 3 perhitungan matematis prategangan basis

3. Pembahasan
Pada kegiatan praktikum kali ini mengenai prategangan basis,
dimana diketahui prategangan basis adalah prategangan yang
penggunaan utamanya sebagai piranti rangkaian digital yang
transistornya digunakan sebagai switch diantara keadaan putus dan
keadaan jenuh.
Pada simulasi menggunakan aplikasi EWB untuk percobaan 1
dengan RB sebesar 300 Ω didapat IB sebesar 0,03006 A, IC sebesar
3,006 A, dan VCE sebesar 14,97 V. Pada percobaan 2 dengan R B
sebesar 350 Ω didapat IB sebesar 0,02578 A, IC sebesar 2,578 A, dan
VCE sebesar 17,11 V. pada percobaan 3 dengan R B sebesar 400 Ω
didapat IB sebesar 0,02257 A, IC sebesar 2,257 A, dan VCE sebesar
18,71 V.
Pada perhitungan menggunakan persamaan sistematis untuk
percobaan pertama dengan RB sebesar 300 Ω didapat IB sebesar 0,031
A, IC sebesar 3,1 A, VCE sebesar 14,5 V. Pada percobaan kedua
dengan RB sebesar 350 Ω didapat IB sebesar 0,026 A, IC sebesar 2,6
A, VCE sebesar 17 V. Pada percobaan ketiga dengan R B sebeasar 400
Ω didapat IB sebesar 0,023 A, IC sebesar 2,3 A, VCE sebesar 18,5 V.
Pada ketiga percobaan didapat juga IC(sat) sebesar 5,86 A atau
mendekati 6 A serta IB(sat) sebesar 0,006 A.
Dari data percobaan menunjukkan bahwa semakin besar nilai R B,
maka arus pada basis, arus pada kolektor semakin kecil. Arus pada
basis yang semakin mengecil ini sesuai dengan hukum ohm dimana
semakin besar resistor yang digunakan maka arus yang dihasilkan
akan semakin kecil. Arus pada kolektor juga mengecil dikarenakan
pengaruh arus dari basis. Kita ketahui bahwa arus basis dan kolektor
memiliki hubungan berbanding lurus. Jadi ketika arus basis mengecil
 maka arus kolektor ikut mengecil pula. Perubahan arus listrik dalam
jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus
listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.Prinsip inilah yang
mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.Rasio
antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya
dilambangkandengan βDC atau h FE. β biasanya berkisar sekitar 100
untuk transistor-transisor BJT(Anonim 1, 2011).
Namun untuk VCE berlaku sebaliknya yaitu semakin besar. Nilai
VCE yang membesar disebabkan karena ketika resistor pada basis
membesar maka tegangan input 10 V akan banyak terkumpul pada
resistor sehingga tegangan emmiter mengecil. Tegangan emmiter yang
mengecil membuat beda tegangan kolektro –emmiter (V CE) membesar.
Semakin besar VCE atau semakin mendekati nilai V CC maka persamaan
IC
βdc = disini berlaku. Dimana dalam percobaan diketahui βdc
IB
tercapai (sekitar 100 untuk trasistor npn ideal ) jika V CEQ setara atau
mendekati setengah VCC (tegangan beban). Percobaan ini
menunjukkan bahwa semakin kecil arus yang lewat pada I B maka VCE
semakin besar sehingga transistor akan mendekati kondisi cutoff.
Namun selama masih ada arus pada I B, transistor akan berada pada
kondisi saturasi.
Pada hasil simulasi dan perhitungan sistematis didapat bahwa ada
sedikit perbedaan hasil rata-rata disetiap perhitungan sebesar 0,1. Hal
ini dikarenakan transistor merupakan piranti rangkaian non linier yang
terdiri dari 2 dioda dimana selalu mengalami perubahan sesuai dengan
besar arus yang mengalir didalamnya. Meskipun terdapat perbedaan
tetapi tidak besar sehingga baik hasil simulasi dengan perhitungan
sistematis memiliki kesesuaian.
G. Kesimpulan
1. Saat besar RB diubah-ubah maka nilai IC meningkat sebesar 100 IB.
2. Besar VCEQ (ideal) harus setara dengan setengah VCC (tegangan
IC
beban) agar hubungan basis dan emiter sesuai persamaan βdc = .
IB
3. Hasil perhitungan IB, IC, VCE menggunakan persamaan matematis
dengan hasil simulasi di EWB sesuai, hanya sedikit ada perbedaan
pada hasil koma jadi tidak terlalu mempengaruhi.

H. Daftar Pustaka
panduanteknisi.com, Pengertian dan Fungsi Transistor, (online),
(https://panduanteknisi.com/pengertian-dan-fungsi-transistor.html),
diakses pada 16 Oktober 2023

Fernando, Y. (2022). Bipolar Junction Transistor (E5). Researchgate.Net.

https://www.researchgate.net/publication/359199357_BJT_Bipolar_Juncti
on_Transistor