Dasar-dasar

TRANSISTOR

Dosen Pengampu: Nini Firmawati, M.Sc

Penulis : Drs. Wildian, M.Si
Lab. Elektronika dan Instrumentasi
Program Studi Fisika

Universitas Andalas
1. VARIASI NILAI PENGUATAN ARUS
Meskipun tipe, label (merek), dan pabriknya sama, penguatan arus
(current gain) pada transistor yang satu boleh jadi berbeda dengan
transistor yang lain. Itulah sebabnya, pada data sheet suatu merek
transistor dicantumkan nilai penguatan arusnya dalam rentang tertentu.
Contoh:
Pada data sheet transistor 2N3904 dicantumkan nilai hFE minimum 100
dan hFE maksimum 300. [Catatan: hFE = bdc]

Ada dua atau lebih faktor yang mempengaruhi penguatan arus:

1. Nilai arus kolektornya
2. Temperatur sambungan (the junction temperature)
 2. GARIS BEBAN
Garis beban (load line) adalah garis yang digambarkan melintasi kurva-kurva
kolektor untuk memperlihatkan masing-masing dan setiap titik kerja yang
mungkin untuk digunakan dari suatu transistor.
Garis beban diperoleh dengan menghubungkan titik saturasi dan titik cut-off.
Contoh rangkaian dan garis bebannya ditunjukkan pada Gambar 1.

Gambar 1
Wildian, Fisika Unand
 Titik Saturasi

Titik saturasi (the saturation point)—alias titik jenuh—adalah titik

di mana garis beban berpotongan dengan daerah saturasi kurva-
kurva kolektor.
Oleh karena VCE di daerah saturasi sangat kecil, maka titik saturasi
ini dapat dianggap identik dengan ujung atas garis beban.
Titik saturasi menyatakan nilai arus kolektor maksimum yang
mungkin dapat dicapai suatu rangkaian penguat transistor.
Titik saturasi diperoleh dari hubungan:
VCC = ICRC + VCE
dengan VCE = 0, sehingga diperoleh: VCC
I C (sat ) 
RC
Wildian, Fisika Unand
 Titik Cut-off
Titik cut-off (titik putus) adalah titik di mana garis beban
berpotongan dengan daerah cut-off kurva-kurva kolektor.
Oleh karena arus kolektor di daerah cut-off sangat kecil,
maka titik cut-off dapat dianggap identik dengan ujung
bawah garis beban.
Titik cut-off menyatakan nilai maksimum yang mungkin
untuk tegangan VCE. Ini terjadi ketika IC = 0.
Titik cut-off diperoleh dari hubungan:
VCC = ICRC + VCE
dengan IC = 0, sehingga diperoleh: VCE (cut )  VCC
CONTOH SOAL

Tentukanlah titik saturasi dan titik cut-off rangkaian di atas, dan gambarkanlah garis
bebannya.
 Gambar garis bebannya:
SOLUSI:
 Titik saturasi:

VCC 30 V
I C (sat )    10 mA
RC 3 k

 Titik cut-off :

VCE (cut )  VCC  30 V

Wildian, Fisika Unand

3. TITIK KERJA, Q
Titik kerja (the operating point)—lazim disebut titik Q (quiescent
point)—adalah titik yang menggambarkan posisi nilai arus kolektor
(IC) dan tegangan kolektor-emitor (VCE) suatu rangkaian transistor
pada garis bebannya.
Titik Q berubah dengan berubahnya nilai penguatan arus b, namun
tetap berada di sepanjang garis beban.
Oleh karena b bergantung pada arus basis IB (ingat: b = IC/IB), maka
titik Q akan berubah dengan berubahnya nilai IB.
Rumus-rumus untuk menghitung titik Q: V  VBE
I B  BB
RB
Posisi Titik Q = {VCE, IC} I C   dc I B

VCE  VCC  I C RC
 CONTOH SOAL

Transistor yang digunakan pada rangkaian di atas memiliki penguatan arus

sebesar 100 kali. Anggap transistor tersebut ideal.
(a) Tentukanlah arus saturasi, tegangan cut-off , dan titik kerja rangkaian tsb.
(b) Gambarkanlah garis beban rangkaian dan plot-lah titik kerjanya pada
garis beban tersebut.
 Solusi
a. Menggambarkan garis beban:
VCC 15 V
I C (sat )    5 mA
RC 3 k
VCE (cut )  VCC  15 V
b. Mem-plot titik Q:
Transistor ideal  VBE = 0
VBB  VBE 15 V - 0
IB    30 A
RB 500 k
I C   dc I B  (100)(30 A)  3 mA

VCE  VCC  I C RC  15 V - (3 mA)(3 k)  6 V

Posisi titik Q = (VCE, IC) = (6 V, 3 mA)

Pengaruh b terhadap titik Q
Ke arah manakah titik Q bergeser di sepanjang garis
beban jika penguatan arus (b) berubah? Dengan
menggunakan rangkaian yang sama seperti pada
contoh sebelumnya, tentukan dan plot-lah titik-titik Q
untuk nilai b = 50 dan b = 150.

 Berdasarkan gambar yang anda peroleh tersebut,

apa yang dapat anda simpulkan tentang pengaruh b
terhadap titik Q?
5. CARA MENGENALI SATURASI
1. Anggap bahwa transistor bekerja di daerah aktif.
2. Lakukan perhitungan dengan anggapan tersebut.
3. Jika hasil perhitungan yang anda peroleh tidak masuk akal, berarti transistor
bekerja tidak di daerah aktif, melainkan di daerah saturasi.
Contoh:
Berdasarkan gambar, idealnya
IB = VBB/RB = 0,1 mA.

IC = bdc IB = (50)(0,1 mA) = 5 mA.

VCE = VCC – ICRC

VCE = 20 V – (5 mA)(10 kW) = - 30 V.

Hasil perhitungan ini (VCE = - 30 V)

jelas tidak masuk akal! Berarti,
transistor bekerja tidak di daerah aktif,
Wildian, Fisika Unand melainkan di daerah saturasi.
 Cara lain…
Cara lain untuk mengetahui apakah transistor pada suatu rangkaian
berada dalam keadaan saturasi atau tidak adalah dengan membandingkan
nilai arus kolektor (IC) dengan arus saturasi kolektor tersebut, I C(sat).
Jika IC > IC(sat), maka transistor itu berada dalam
keadaaan saturasi.
Jika IC < IC(sat), maka transistor itu sedang bekerja
dalam dearah aktif-nya.

Contoh:
Berdasarkan gambar pada contoh sebelumnya,
IC(sat) = VCC/RC = 20 V/10 kW = 2 mA
IC = bdc IB = (50)(0,1 mA) = 5 mA.
Ternyata IC > IC(sat). Itu berarti, transistor tsb saturasi.
 Penguatan Arus ketika Saturasi
Ketika transistor saturasi, maka bdc(sat) < bdc(aktif ).
bdc(sat) = IC(sat)/IB
Berdasarkan contoh sebelumnya, maka diperoleh bdc(sat) = 20.
Ketika transistor saturasi, titik Q (boleh dikatakan) berada di
ujung atas garis beban. Pada titik kerja ini, arus kolektornya
(IC) maksimum. Itu berarti, meskipun arus basis I B diperbesar,
arus kolektor tetap pada nilai I C(sat). Satu-satunya yang
berubah ketika IB diperbesar adalah bdc (nilai penguatan
arusnya menjadi berkurang).
Contoh:
Jika pada contoh sebelumnya nilai I B kita tingkatkan dari 0,1 mA
menjadi 0,2 mA, maka
bdc(sat) = IC(sat)/IB = 2 mA/0,2 mA = 10.
 Saturasi Kuat & Saturasi Lemah
Perancang yang menginginkan transistornya bekerja di daerah saturasi

sbiasanya memilih resistansi basis yang menghasilkan bdc(sat) = 10.

Penguatan arus saturasi bernilai 10 ini disebut saturasi kuat (hard
saturation), karena arus basis yang digunakan untuk terjadinya
saturasi ini lebih dari cukup. Berdasarkan gambar rangkaian pada
contoh sebelumnya, arus basis yang dibutuhkan agar transistor itu
saturasi hanyalah sebesar IB = 2 mA/50 = 0,04 mA.
Cara cepat mengenali saturasi kuat (ketika digunakan VBB = VCC):
RB ≥ 10 RC.

Saturasi lemah (soft saturation) adalah kedaan saturasi di mana

transistor hampir tidak saturasi. Dengan kata lain, penguatan
arus saturasinya hanya kurang sedikit dari penguatan arus di
daerah aktif.
6. TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR
Dua daerah kerja transistor, yaitu daerah saturasi dan daerah cut-off,
banyak dimanfaatkan dalam rangkaian-rangkaian digital (= rangkaian
yang bekerja berdasarkan dua keadaan tegangan saja: high dan low.
Panjar basis (base bias), dalam hal ini, sangat bermanfaat untuk men-
switch antara keadaan saturasi dan cut-off.

Ketika saklar S terbuka, arus basis jatuh (drops)

ke nol. Akibatnya, arus kolektor juga jatuh ke
nol. Dengan tidak adanya arus yang melalui
resistor 1 kW, maka seluruh tegangan catu
kolektor akan muncul pada terminal-terminal
kolektor-emitor, sehingga VO naik menjadi +10
V.
Rangkaian ini hanya bisa memiliki dua
tegangan keluaran, yaitu 0 atau +10 V, yang
dalam terminologi digital dikenal sebagai keadaan
high atau low.
CONTOH SOAL
Berapakah kedua nilai
tegangan keluaran yang
mungkin pada rangkaian di
samping?

Jika tegangan VCE(sat) pada

rangkaian di samping
adalah 0,15 V dan arus
bocoran kolektor nya ICEO
adalah 50 nA, berapakah
kedua nilai tegangan
keluarannya?
 SOLUSI
Oleh karena RB : RC = 10 : 1, maka rangkaian tersebut saturasi jika
saklar terhubung. Akibatnya, hanya ada dua kemungkinan tegangan
keluarannya, yaitu 0 (saat saturasi) dan +5 V (saat cut-off).

Jika kita masukkan efek-efek tegangan saturasi dan arus bocoran

kolektor, maka kedua tegangan keluaran rangkaian tersebut adalah
0,15 V (saat saturasi) dan +5 V (saat cut-off). Nilai VO = +5 V diperoleh
dari:
VCE = VCC – ICRC  VCE = 5 V– (50 nA)(1 kW) = 4,99995 V ≈ 5 V
(dibulatkan). Jadi, VO = VCE = 5 V

Untuk analisis praktis pada rangkaian transistor sebagai saklar, yang kita
butuhkan adalah dua tegangan yang berbeda: high dan low; tak masalah
apakah tegangan low itu 0, 0,1 V, atau 0,15 V. Begitu pula untuk tegangan
high-nya, tak masalah apakah 5 V, 4,9 V, atau 4,5 V.
 7. PANJAR EMITOR
Panjar basis bermanfaat ketika
transistor digunakan sebagai saklar
(pada rangkaian-rangkaian digital).

Jika transistor digunakan sebagai

penguat, maka dibutuhkan panjar
emitor (emitter bias). Caranya:
pindahkan resistor pada basis ke
emitor. (Lihat gambar )

Panjar emitor menyebabkan titik Berdasarkan gambar di atas, tampak

kerja Q rangkaian transistor “kebal”
terhadap perubahan b (penguatan
arus). Ketika b berubah dari 50 ke
150, titik Q relatif tidak bergeser di
sepanjang garis beban. Dengan kata
lain, titik kerja rangkaian transistor
tersebut stabil.
Wildian, Fisika Unand
bahwa:
VE = VBB – VBE
Jika VBB > 20 VBE, gunakan
pendekatan pertama (VBE = 0).
Jika VBB < 20 VBE, gunakan
pendekatan kedua (VBE = 0,7 V).
 Menentukan titik Q
(pada rangkaian panjar emitor)
Titik kerja Q = (VCE, IC)
Cari dulu IC.
Oleh karena VBB = 5 V dan VBE = 0,7 V,
berarti VBB < 20 VBE , maka kita
gunakan pendekatan kedua.
Tegangan emitor (VE):
VE = VBB – VBE
Jatuh tegangan di RC kita simbolkan
VE = 5 V – 0,7 V = 4,3 V
dengan VRC (≠ VC !)
Arus emitor (IE):
VRC = ICRC = (1,95 mA)(1 kW) = 1,95 V.
VE 4,3 V
IE    1,95 mA Dari: VCC = ICRC + VC
RE 2,2 k kita peroleh: VC = 13,1 V
Oleh karena: VCE = VC - VE
Oleh karena IC ≈ IE, maka dapat maka: VCE = 13,1 V – 4,3 V = 8,8 V
Jadi, koordinat titik Q adalah (8,8 V, 1,95
dianggap IC = 1,95 mA
mA)
Ingatlah…!
Dalam mencari kesalahan pada rangkaian panjar emitor,
janganlah mengukur VCE secara langsung, karena ujung probe
pada kebanyakan voltmeter terhubung ke ground-nya. Jika probe
positif voltmeter itu dihubungkan ke kolektor dan probe
negatifnya ke emitor, maka emitor akan terhubung ke ground
tersebut. Hal ini akan menyebabkan kesalahan dalam
pembacaan nilai emitor yang sesungguhnya.

Cara mendapatkan nilai VCE yang benar:

1. Ukur tegangan kolektor terhadap ground  VC
2. Ukur tegangan emitor terhadap ground  VE
3. Gunakan: VCE = VC - VE
Apa untungnya menggunakan panjar emitor?
Jika kita menggunakan rangkaian panjar emitor untuk
menggerakkan (to drive) LED, maka:
1. Arus LED tidak bergantung pada tegangan LED.
2. Rangkaian tersebut tidak memerlukan resistor kolektor.

Penggerak LED dengan panjar basis Penggerak LED dengan panjar emitor
Penjelasannya…
Ketika saklar S terbuka, berarti
transistor dalam keadaan
terputus (cut-off).
Ketika saklar S tertutup, maka
transistor bekerja dalam
daerah aktif.
Idealnya, tegangan emitor VE = 15
V. Itu berarti, IE = 10 mA.
Oleh karena ILED = IE, maka jatuh
tegangan di LED tidak
mempengaruhi arus LED.
 Contoh Soal:
Misalkan kita menginginkan arus LED 25 mA ketika saklar ditutup.
Bagaimana caranya?
SOLUSI:
Berdasarkan gambar di samping, ada dua cara
untuk mendapatkan ILED = 25 mA:
memperbesar VBB , atau memperkecil RE.
1. Memperbesar VBB
VE = IERE  IE = ILED = 25 mA
VE = (25 mA)(1,5 kW) = 37,5 V.
Berdasarkan hubungan:
VBB = VBE + VE, maka idealnya (Vbe=0)
VBB = VE = 37,5 V. 2. Memperkecil RE.
atau, dengan pendekatan kedua: VBB = 38,2 Idealnya, VE = 15 V, sehingga kita
V. peroleh:
Tapi, untuk rangkaian elektronik, nilai VE 15 V
tersebut agak besar (tegangan catu yang RE    600 
lazim digunakan adalah 15 V). Jadi? Ya, kita I E 25 mA
gunakan pilihan kedua: memperkecil RE.
8. TRANSISTOR SEBAGAI SUMBER ARUS
Rangkaian sumber arus
dengan menggunakan
transistor pada dasarnya sama
seperti rangkaian panjar
emitor.
Panjar basis biasanya
menggunakan transistor
sebagai saklar, sedangkan
panjar emitor cenderung
menggunakan transistor
sebagai sumber arus. Oleh karena VBB, VBE, dan RE semuanya
konstan, maka arus emitor IE juga
Arus emitor:
konstan.
VBB  VBE
IE 
RE NB: Hanya VBE yang sedikit berubah
terhadap temperatur.
 Beda Rangkaian
Transistor sebagai Sumber Arus dan
Transistor sebagai Saklar
Rangkaian transistor sebagai sumber Rangkaian transistor sebagai saklar:
arus:

Arus emitor IE dibuat tetap (konstan)

dengan mengatur RE
Rangkaian ini kebal terhadap
perubahan bdc.
Makin besar RE, makin stabil IC.
Arus basis IB dibuat tetap (konstan)
dengan mengatur RB atau VBB.
Arus basis IB harus di-set cukup besar
agar transistor saturasi kuat.
Ciri rangkaian ini: emitor di-ground-kan.
 Semoga karya kecil ini bermanfaat untuk lebih
memudahkan anda memahami Elektronika. Aamiin…