RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR

PENDAHULUAN

 Pada pembahasan sebelumnya dikatakan, sebuah transistor

harus di bias untuk beroperasi sebagai amplifier.
 Bias dc digunakan untuk menetapkan level steady dari arus
dan tegangan, yang disebut dengan titik operasi dc (dc
operating point, Q-point).
 Pada bagian ini, akan dibahas beberapa jenis rangkaian
bias.
DC OPERATING POINT

 Bias dc
Bias pada transistor menghasilkan titik operasi dc untuk
kerja linear yang sesuai dari sebuah ampilifier.
Bila sebuah amplifier tidak di bias dengan tegangan dc
yang sesuai pada input dan output, dapat menyebabkan
saturasi atau cutoff bila sinyal input diberikan.
DC OPERATING POINT

 Operasi Linear (operasi inverting amplifier)

 Sinyal output merupakan replika yang diperkuat dari sinyal

input dan sinyal dibalikkan dengan beda fasa 1800.
DC OPERATING POINT

 Operasi Tak Linear, tegangan output dibatasi (clipped) oleh

cutoff.

 Operasi Tak Linear, tegangan output dibatasi (clipped) oleh

saturasi.
DEFINISI

 Definisi Bias: adalah istilah dari aplikasi tegangan dc untuk

menentukan suatu tingkatan yang tetap dari arus dan tegangan.

 Untuk amplifier transistor, hasil arus dan tegangan menentukan

suatu titik operasi dalam karakteristik yang menentukan wilayah
yang akan digunakan untuk penguatan dari sinyal yang diberikan
(titik Q; quiescent point).
TITIK OPERASI (OPERATING POINT)
ANALISA GRAFIS

 Pada gambar, transistor di bias dengan tegangan variabel VCC dan VBB
untuk memperoleh nilai tertentu dari IB, IC, IE dan VCE.

Rangkaian bias dc

Kurva karakteristik kolektor

CONTOH

 Dengan menentukan tiga niai IB dan mengobservasi apa yang terjadi

terhadap IC dan VCE.
 Pertama; VBB diatur untuk menghasilkan arus IB sama dengan 200 μA.
Diketahui IC = βDCIB, arus kolektor adalah 20 mA dan:

Titik Q1
CONTOH

 VBB dinaikkan hingga diperoleh arus IB sama dengan 300 μA dan IC 30

mA.

Titik Q2
CONTOH

 VBB dinaikkan hingga diperoleh arus IB sama dengan 400 μA dan IC 40

mA.

Titik Q3
CONTOH

 Bila IB naik maka IC naik dan VCE turun.

 Bila IB turun maka IC turun dan VCE naik.
 Ketika VBB diatur naik atau turun, titik operasi dc dari transistor
bergerak sepanjang garis titik Q tersebut, yang disebut garis beban
dc.
CONTOH

 Garis beban dc memotong sumbu VCE pada titik 10 V, titik

dimana VCE = VCC. Titik ini adalah titik cutoff transistor
karena arus IB dan IC sama dengan nol (ideal). Pada kondisi
sebenarnya, terdapat arus bocor kecil, ICBO, pada cutoff
sebagai tanda, dan oleh karena itu VCE kurang dari 10 V,
tetapi hal ini dapat diabaikan.
 Garis beban dc memotong sumbu IC pada titik 45,5 mA
(ideal). Titik ini adalah titik saturasi karena IC adalah
maksimum pada titik dimana VCE = 0 V dan IC = VCC/RC.
Pada kondisi sebenarnya, terdapat tegangan kecil, VCE(sat),
pada transistor, dan IC(sat) kurang dari 45,5 mA.
CONTOH

 Hukum kirchoff tegangan pada loop kolektor sebagai berikut:

 Persamaan garis lurus untuk garis beban dari bentuk y = mx + b sebagai

berikut:

 Dimana – 1/RC adalah kemiringan dan VCC/RC adalah titik perpotongan

sumbu Y.
OPERASI LINEAR
 Wilayah sepanjang garis beban termasuk semua titik
antara saturasi dan cutoff disebut wilayah linear dari kerja
transistor. Selama transistor bekerja dalam wilayah ini,
tegangan output adalah ideal linear dari masukan dari
input.
 Gambar di bawah adalah contoh kerja linear dari
transistor.
OPERASI LINEAR
OPERASI LINEAR
 Asumsikan sebuah tegangan sinusoidal, Vin, berhimpit
dengan VBB, menyebabkan arus base bervariasi
sinusoidal100 μA di atas dan di bawah titik Q 300 μA. Ini
juga menyebabkan arus kolektor bervariasi 10 mA di atas
dan bawah titik Q 30 mA.
 Sebagai akibat dari variasi arus kolektor, tegangan
kolektor-emitor bervariasi 2,2 V atas dan bawah titik Q 3,4
V.
 Titik A pada garis beban, adalah puncak positif tegangan
input sinusoidal dan titk B adalah puncak negatif. Titik Q
adalah nilai nol dari gelombang sinusoidal.
 VCEQ, ICQ dan IBQ adalah nilai titik Q tanpa input tegangan
sinusoidal.
DISTORSI GELOMBANG

 Pada kondisi sinyal input tertentu, lokasi titik Q pada garis beban
dapat menyebabkan satu puncak dari gelombang Vce menjadi dibatasi
(clipped), seperti pada gambar.

Transistor kondisi saturasi karena

titik Q terlalu dekat dengan
saturasi untuk sinyal input yang
diberikan
DISTORSI GELOMBANG

Transistor kondisi cutoff karena

titik Q terlalu dekat dengan cutoff
untuk sinyal input yang diberikan
DISTORSI GELOMBANG

Transistor kondisi saturasi dan

cutoff karena sinyal input terlalu
besar.
LATIHAN

 Tentukan titik Q dari rangkaian di bawah. Hitunglah nilai puncak

maksimum dari arus base untuk kerja linear. Asumsikan βDC = 200.
JAWAB

 Titik Q diperoleh dari nilai-nilai IC dan VCE.

 Titik Q pada IC = 39,6 mA dan VCE = 6,93 V

 IC(cutoff) = 0
 IC (sat):
JAWAB

 Sebelum saturasi tercapai, IC dapat naik sebesar:

 Namun, IC dapat turun sebesar 39,6 mA sebelum cutoff (IC = 0)

tercapai. Oleh karena itu, batasan arus adalah 21 mA karena titik Q
adalah terdekat terhadap saturasi daripada cutoff. 21 mA adalah
variasi puncak maksimum arus kolektor.
 Nilai variasi puncak maksimum arus arus base adalah:
TUGAS

1 a. Dari rangkaian di bawah, buatlah garis beban dc nya.

b. Asumsikan kita ingin membias transistor dengan IB = 20
μA. Dengan tegangan VBB berapa kita gunakan? Berapa IC
dan VCE pada titik Q, diketahui βDC = 50?
TUGAS

2. Desainlah rangkaian bias transistor menggunakan VBB = VCC

= 10 V untuk titik Q dari IC = 5 mA dan VCE = 4 V. Diketahui
βDC = 100. Desain termasuk RB, RC dan Rating daya
transistor. Gambarkan rangkaiannya.