TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

BENTUK FISIK
 BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat dari bahan semikonduktor dengan 3
terminal yaitu Basis B, kolektor C dan emiter E yang tersusun dari semikonduktor tipe-n dan tipe-p.
 Dikenal ada dua tipe transistor, yaitu: NPN dan PNP. Transistor merupakan salah satu divais yang dikontrol oleh
arus.
 Berikut gambar skematik dan symbol transistor.
DAERAH DOP TRANSISTOR

 Emiter merupakan bahan semikonduktor dengan tingkat doping sangat tinggi.

 Emiter (npn) bertugas mengemisikan atau menginjeksikan electron ke dalam basis.
 Kolektor bahan semikonduktor dengan tingkat doping sedang
 Kolektor daerah yang terbesar, menghamburkan lebih banyak panas
 Basis merupakan bahan semikonduktor dengan tingkat doping sangat rendah
 Basis (npn) melalukan sebagian besar electron yang diijeksikan emitter ke dalamnya menuju kolektor
 Semakin rendah tingkat doping, semakin kecil konduktifitasnya, karena pembawa muatan mayoritasnya sedikit.
 Perbandingan lebar basis dengan emiter dan kolektor 1:150
OPERASI DASAR TRANSISTOR

 Digambarkan transistor tanpa tegangan bias pada basis-kolektor (gambar a). Daerah deplesi mengecil karena
adanya pembiasan. Akibatnya ada aliran arus pembawa yang besar dari lapisan p ke n.
 Jika bias pada B-E dihilangkan, dan dipasang pada B-C, maka pembawa muatan mayoritas hilang. (gambar b) yang
ada hanya pembawa muatan minoritas

a b
OPERASI DASAR TRANSISTOR
 Jika bias dipasang pada kedua bagian, maka akan muncul pembawa muatan (mayoritas dan minoritas) dan melintasi
daerah persambungan dari transistor. Karena lapisan n (basis) sangat tipis dan mempunyai konduktivitas rendah,
maka hanya akan ada sebagian kecil dari pembawa mayoritas yang keluar melalui terminal basis.
 Sebagian besar pembawa muatan mayoritas akan terdifusi melewati junction yang terbias reverse ke dalam
material p yang terhubung ke terminal collector.
 Berdasarkan KVL : IE = IB + IC
NPN DAN PNP
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Kurva Colektor (Ic dan Vce dengan IB konstan)

 Jika VCE = 0 , dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab
itu arus kolektor sangatlah kecil.
 untuk VCE antara 0 dan 1 V atau sekitar itu, arus kolektor
bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir
konstan
 Kira-kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda
kolektor. Setelah mencapai level ini, kolektor mengumpulkan
semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan
 Jika VCE terlalu besar melewati tegangan breakdown BVcEo,
diode kolektor akan rusak yang disebut breakdown.
 BVcEo mungkin kurang dari 20V – lebih dari 200V
Kurva Basis
 Hubungan antar VBE dan IB dalam bentuk kurva diode
 IB akan 0 ketika VBE antara 0 sampai 0.7
 Ketika > 0,7Volt maka IB akan naik dengan cepat.
 Penambahan VCE, arus IB berkurang
 Pada saat IB = 0, arus IC yang mengalir adalah arus bocor ICEO
(pada umumnya diabaikan)
Kurva Penguatan Arus
 Penguatan Arus (βdc atau hFE) berubah terhadap arus kolektor
 Pada suhu tetap, βdc tambah sampai maksimum, bila arus kolektor
bertambah.
 Jika Ic ditambah terus, makan βdc akan turun.
 Perubahan βdc bisa mencapai 2:1 terhadap daerah arus yang bermanfaat dari
transistor
 Menaikan suhu akan akan menaikan βdc pada arus kolektor tertentu
KONFIGURASI DIODA
COMON BASE

 Basis dari transistor terhubung dengan ground dari input dan output.
 B-E bias forward, C-B bias reverse
 Pada tipe NPN, Sinyal input dimasukkan ke emitor, output pada kolektor

 Faktor penguatan arus didebut ALPHA. αdc adalah perbandingan antara arus
IC dan IE pada titik kerja.
𝑰𝑪
 Persamaan : αdc=
𝑰𝑬
𝜟𝑰𝑪
 αac adalah perbandingan antara arus IC dan IE pada VCB konstant : αac=
𝜟𝑰𝑬
 COMON EMITOR

 Emitor digunakan sebagai referensi terminal input dan output

 B-E bias forward, C-B bias reverse
 Hubungan antara 𝑰𝑪 dan α adalah sbb:

 Dalam mode dc, hFE penguatan arus DC IC dan IB menpunyai hubungan

 Dan atau
 dan
COMON COLLEKTOR

 Biasa digunakan untuk penyesuai impedansi, dengan konfigurasi impedansi

input tinggi dan impedansi output kecil
 Bagian Collector dihubungkan ke ground, input diumpankan pada basis, output
diambil dari emitor
DAERAH OPERASI TRANSISTOR
 Daerah Aktif
❖ Basis – emitor (diode emitter) dibias maju, Basis –kolektor (diode kolektor) dibias mundur
❖ Vce harus lebih > Vce(sat) tetapi lebih kecil dari tegangan breakdown (Bvceo) agar kolektor reverse
❖ Arus Ic konstant terhadap Vce. Atus Ic hanya bergantung terhadap arus IB
 Daerah Saturasi
❖ Kedua Juction dibias maju
❖ nilai Vce < Vbe. Nilai Vbe = 0.7 silicon (atau tegangan knee)
❖ Ic tidak tergantung pada IB
❖ Tegangan jenuh C-E , Vce(sat) untuk silicon 0.2 v germanium 0.1V
 Daerah cut-off
❖Kedua junction mendapat bias mundur
❖Arus IB = 0 (membuka hubungan kawat basis)
THANK YOU
SOMEONE@EXAMPLE.COM
LATIHAN

 Hadir : kerjakan di kertas dan online: Class room

1. Daerah kerja transistor dimana Basis – emitter (diode emitter) dibias maju, Basis –kolektor (diode kolektor) dibias
mundur serta Arus Ic constant terhadap Vce. Atus Ic hanya bergantung terhadap arus IB adalah....
2. Daerah kerja dimana Kedua Juction dibias maju. dan nilai Vce < Vbe adalah…
3. Daerah cut-off adalah….
4. alpha dc merupakan perbandingan antara ......... dan ............
5. Pada transistor tertentu arus kolektor = 5,6 mA dan arus emiter = 5.75mA. Berapakah Alpha dc?
6. Konfigurasi dioda dimana input diberikan ke emiter, sinyal output ke colektror dan basis digroundkan adalah...
7. Jika kita mengukur Ic = 100mA, dan Ib = 0,5mA. Berapakah penguatan arus (hfE)?
8. Transistor mempunyai penguatan arus (hFE) = 150. Jika arus kolektor 45mA. Berapakah arus basis dan berapa arus
emiter?
9. Misalkan Betha dc berubah dari 20 sampai 100, maka range Alpha dc adalah?
10. Syarat kolektor terbias reverse adalah....
11. Apa yang dimaksud dengan ICEO ……………………
12. Betha dc merupakan perbandingan antara ………………………….
13. Transistor mempunyai Alpha dc = 0.995. Berapakah Betha dc?
14. Bagian dari kurva kolektor di bawah knee dikenal sebagai daerah……
15. Jika arus kolektor sebesar 4,9mA dan arus emiter = 5mA, maka Alpha dc sebesar……