TRANSISTOR : Bipolar Junction Transistor

Konstruksi

Transistor adalah piranti semikonduktor tiga terminal yang dibangun

dari :
• dua material tipe p dan satu material tipe n, atau
• dua material tipe n dan satu material tipe p.
Gambar :
Heavily doped

E C E C
p n p n p n

B B

simbol
Collector
Collector
Base
Base

Emitter
Emitter

(a) Transistor tipe pnp (b) transistor tipe npn

Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan

dengan bagian luar (sekitar 10:1). Doping rendah ini mengurangi
konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas. Istilah
bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi
dalam proses pembangkitan arus.

Operasi Transistor
Transistor beroperasi dengan memberikan bias pada kedua junction
(base-emitter dan base-collector). Pada transistor PNP, bias maju pada
junction base-emitter menyebabkan sejumlah besar majority carrier
pada materi tipe p (holes) yang terhubung ke terminal emitter
terdifusi melewati junction menuju materi tipe n (basis). Karena
ketersediaan elektron bebas pada materi tipe n lebih sedikit dari hole
yang terdifusi (n di-doping rendah), hanya sedikit holes yang ber-
kombinasi dengan elektron dan menghasilkan arus pada terminal
basis.
E C
E C
n p n p n p
B
B

VEE VCC VEE VCC

Sebagian besar hole akan begerak melewati depletion region pada

junction base-collector (junction base-collector di-bias mundur) dan
keluar pada terminal collector.

Total arus dari terminal emitter sama dengan arus pada terminal
collector ditambah arus pada terminal basis.

IE = IC + IB

Arus collector IC terdiri dari dua komponen, yang berasal dari majority
carrier dan minority carrier. Arus dari minority carrier disebut dengan
ICO ( arus collector dengan terminal emitter open).
IC =ICmajority +ICOminority

ICO bernilai sangat kecil dan umumnya bisa diabaikan

Tegangan base-emitter (VBE) bisa dianggap sebagai variabel

pengontrol dalam menentukan operasi transistor.
Arus collector IC proporsional terhadap arus IB dengan hubungan IC =
β IB. Semakin besar arus IB maka semakin besar juga arus IC, seolah-
olah ada penguatan arus.

Data spesifikasi transistor (dari pabrik) di-set nilai maksimum yang

tidak boleh dilampaui dalam operasi. Spesifikasi ini memberi batasan
operasi transistor dalam rangkaian. Contoh spesifikasi transistor
silikon 2N2222

• Collector-Base Voltage = 60 v
• Collector-Emitter Voltage = 30 v
• Base-Emitter Voltage = 5 v
• Power dissipation = 500 mW
• Temperature 125 C

Konfigurasi Common Base

Penamaan common base berasal dari kondisi dimana basis digunakan
bersama dalam input dan output.

IE npn IC
E C

IB

VEE VCC

Arah arus yang ditunjukkan adalah arah arus konvensional.

Karakteristik penguatan seperti ini dijabarkan dalam kurva
karakteristik input dan kurva karakteristik output. Karakteristik input
menghubungkan antara arus input IE terhadap tegangan VBE untuk
beberapa nilai tegangan output VCB. Karakteristik output
menghubungkan arus output IC terhadap tegangan output VCB untuk
beberapa nilai IE.
 IE (mA)
VCB = 20V

10 V
8
7 1V

6
5
4
3
2
1

0 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V)

Karakteristik input

Derah saturasi
IC (mA)

Derah aktif

7 IE = 7 mA
6
5 IE = 5 mA
4
3 IE = 3 mA
2
1 IE = 1 mA
IE = 0 mA VCB (V)
0 5 10 15

Derah cut-off

Karakteristik output

Karakteristik output mempunyai tiga daerah kerja, yaitu aktif, cut-off

dan saturasi. Daerah aktif adalah daerah dimana penguatan linear
terjadi. Secara khusus dinyatakan :

Dalam daerah aktif, junction basis-collector di bias mundur sedangkan junction

basis-emitter di bias maju.
Di bagian bawah daerah aktif, dimana arus emitter IE = 0, arus
collector hanya berasal dari arus saturasi balik ICO yang nilainya
sangat kecil ( dalam mikro ampere), sehingga bisa diabaikan. (dalam
data sheet ICO sering ditulis sebagai ICBO). ICO, seperti halnya IS
dalam diode, adalah sensitif terhadap temperatur. Pada temperatur
tinggi efek dari ICBO bisa berpengaruh karena ICBO meningkat sangat
pesat terhadap kenaikan temperatur.

Perhatikan bahwa saat IE berada di atas nol, arus collector IC

meningkat dengan cepat mendekati nilai IE. Perhatikan juga bahwa
pada daerah aktif, kenaikan VCB tidak memberi pengaruh terhadap
arus collector.

Daerah cut-off didefinisikan sebagai daerah dimana arus IC = 0 A.

Atau :

Daerah cut-off terjadi jika junction basis-collector dan junction basis-emitter di

bias mundur.

Daerah saturasi adalah daerah dimana nilai tegangan VCB negatif .

Daerah saturasi adalah daerah dimana junction basis-collector dan junction

basis-emitter di bias maju.
Daerah saturasi didefinisikan :

Dari karakteristik input terlihat bahwa untuk nilai VCB tetap, ketika
tegangan basis-emitter (VBE) meningkat, arus emitter naik seperti
halnya pada diode. Menaikkan tegangan VCB mempunyai dampak
yang sangat kecil sehingga bisa diabaikan.
Model ekivalen dari kurva karakteristik input adalah seperti gambar
berikut :
IE (mA)

8 Sembarang
nilai VCB
7

6
5
4
3

2
1

0 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V)

Dalam analisis selanjutnya, ketika transistor sudah berada dalam
kondisi “on”, maka disumsikan tegangan basis-emitter :

VBE = 0,7 Volt.

Asumsi ini memberikan kemudahan dalam analisis DC rangkaian

seperti pada contoh berikut :

(a) Tentukan arus collector jika arus emitter 3 mA dan VCB =10 V
(b) Tentukan VBE jika IC = 2 mA dan VCB = 20 V

Solusi :
(a) Karena tidak ada parameter lain yang diketahui, bisa
diasumsikan bahwa
IC = IE = 3 mA.
(b) VCB tidak memberi pengaruh ketika transistor sudah bekerja,
maka
VBE = 0,7 V.

Alpha
Dalam mode DC, level arus IC dan IE yang berasal dari majority
carrier mempunyai hubungan :
I
α dc = C
IE
Karena α hanya ditentukan dari majority carrier, maka

IC = αIE + ICBO
ICBO umumnya sangat kecil sehingga bisa diabaikan.

Untuk arus ac, α didefinisikan :

∆I C
α ac = VCB = kons tan
∆I E

αac secara formal dikenal dengan nama common base, chort circuit,
amplification factor. Nilai αac dan αdc cukup dekat, sehingga sering
dinyatakan sebagai α saja.
 Penguatan Tegangan dalam Common Base

Dalam contoh di bawah, analisis difokuskan pada nilai-nilai AC. Untuk

konfigurasi Common-Base, resistansi AC pada input umumnya bernilai
antara 10~100 Ω. Sedangkan resistansi output cukup besar dengan
nilai tipikal antara 50 KΩ ~ 1 MΩ. Perbedaan resistansi ini disebabkan
oleh bias maju pada input ( base-emitter) dan bias mundur pada
output ( base-collector).

Contoh :
Cari penguatan tegangan AV rangkaian common base berikut.

Ii E
IL
C

Vi
200 mV B

IB 5 KΩ

Ri 20Ω

Ro 100 Ω

Solusi :

Vi 200 mV
Ii = = = 10mA
Ri 20Ω

Dengan asumsi αdc = 1 Î ( IE = IC)

Maka :
IL = Ii = 10 mA
Dan
VL = ILR = 10 mA x 5000
= 50 V

Penguatan tegangan :
V 50V
AV = L = = 250
Vi 200mV
Nilai tipikal penguatan tegangan konfigurasi common base adalah
antara 50 – 300 kali. Dasar dari penguatan diperoleh dengan
mengalihkan (transfer) suatu arus I dari rangkaian dengan
resistansi tinggi ke rangkaian resistansi rendah.
Kombinasi kedua istilah memberikan penamaan pada transistor :
Transistor = transfer resistor

Konfigurasi Common Emitter

Konfigurasi transistor yang paling umum dijumpai adalah konfigurasi

Common Emitter (CE). Disebut CE karena pemakaian bersama emitter
pada sisi input dan output.

IC IC
C C

IB p IB n
n p
B B
p n

E E
IE IE

Dalam konfigurasi ini, hubungan antara arus basis, collector dan

emitter adalah tetap.

IE = IB + IC

Pada konfigurasi CE, karakteristik output adalah kurva antara arus

output IC terhadap tegangan output VCE pada suatu rentang nilai arus
input IB. Karakteristik input adalah kurva arus input IB terhadap
tegangan input VBE pada nilai tegangan output VCE.
 Derah saturasi

70 µA
60 µA

7 50 µA Derah aktif

6 40 µA
5
4 30 µA
3 20 µA
2 10 µA
1
IB = 0 µA

0 5 10 15 VCE (V)

Derah cut-off
VCE-SAT ICEO=βICBO

Kurva Karakteritik Output

IB (µA)

VCE = 1V

10 V

70 20 V
60
50
40
30
20
10

0 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V)

Kurva Karakteritik Input

Perhatikan bahwa pada kurva karakteristik output, arus IB tidak

horisontal seperti halnya IE dalam konfigurasi common base, yang
mengindikasikan bahwa tegangan collector-emiter (VCE)
mempengaruhi besaran arus collector.

Daerah aktif untuk konfigurasi common emitter adalah daerah di

bagian atas kanan dimana kurva arus IB mendekati garis lurus (linear).
Pada gambar, daerah ini berada di sebelah kanan VCE-sat dan di atas
kurva IB = 0. Daerah di sebelah kiri VCE-sat adalah daerah saturasi.

Arus collector pada kondisi IB = 0 dinyatakan sebagai berikut :

I CBO
I CEO = I B = 0 µA
1− α

Dalam mode DC, level IC dan IB dihubungkan dengan suatu besaran

beta yang didefinisikan :

IC
β dc =
IB

Dalam spesifikasi/data sheet, βdc ditulis hFE.

Untuk mode ac :

∆I C
β ac =
∆I B
VCE = kons tan

βac juga dikenal sebagai hfe. (perhatikan perbedaan dengan hFE)

Umumnya βdc dan βac bernilai sama dan ditulis sebagai β saja.

Hubungan antara β dan α adalah sebagai berikut :

β
α=
β +1
Dan
α
β=
1− α

Dengan IC = βIB juga bisa diturunkan :

IE = IC + IB
= βIB + IB
= (1+β)IB
Konfigurasi Common Collector

Konfigurasi Common Collector umumnya dipakai sebagai rangkaian

penyesuai impedansi karena mempunyai impedansi input yang tinggi
dan impedansi output rendah, berlawanan dengan dua konfigurasi
sebelumnya (CB dan CE).
Karakteristik input konfigurasi CC adalah sama dengan karakteristik
pada konfigurasi CE. Karakteristik output adalah plot antara IE dengan
VEC untuk nilai-nilai IB, dengan bentuk kurva yang sama seperti
karakteristik output CE.

IE
IE E
E
VBB IB
IB n
B
p VEE
B
n IC

C C
IC

IE
IE E
E
VBB IB p IB

n VEE B
B
p IC
C
IC C