MODUL I KARAKTERISTIK BJT

Rosana Dewi Amelinda (13213060)

Asisten : Fiqih Tri Fathulah Rusfa (13211060)
Tanggal Percobaan: 17/2/2015
EL2205-Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak terminal basis dapat menghasilkna perubahan arus

listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.
Abstrak Pada praktikum Modul II ini telah dilakukan
Prinsip inilah yang mendasari penggunaan
beberapa percobaan yang bertujuan agar dapat lebih
transistor sebagai penguat elektronik.
memahami karakteristik yang dimiliki transistor BJT.
Percobaan yang dilakukan antara lain mengamati kurva Dari praktikum ini tujuan yang ingin dicapai
karakteristik input Ic – Vbe dari transistor BJT. Lalu yaitu :
selanjutnya dilakukan percobaan untuk mengamati kurva
a. Memahami karakteristik transistor BJT
karakteristik output transistor Ic – Vce dengan
menggunakan Peak Atlas DCA Pro. Kemudian dari kurva b. Memahami teknis bias dengan rangkaian
yang didapat dilakukan perhitungan Efek Early dengan diskrit
mengambil sampel grafik dari dua nilai Arus basis (Ib) yang
c. Memahami teknik bias dengan sumber
berbeda. Terakhir yaitu dilakukan pengamatan pengaruh
arus konstan
bias pada penguat transistor dengan mengamati bentuk sinyal
output yang dihasilkan dari beberapa nilai Ib yang berbeda.
2. STUDI PUSTAKA
Dari ketiga nilai Ib yang digunakan akhirnya diketahui
bahwa transistor berada dalam kondisi aktif saat arus basis Transistot BJT
bernilai sekitar 200 µA, kondisi cut-of saar nilai Ib 25µA,
Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis
serta dalam keadaan saturasi saat Ib bernilai 400 µA.
muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan
Kata kunci: Transistor, BJT, Saturasi, Early Effect unipolar. Dalam hal ini akan dipelajari transistor
bipolar, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol
1. PENDAHULUAN hubungan antara arus dan tegangan dalam
transistor ditunjukan oleh gambar berikut ini.
Dalam dunia elektonika, kita tentunya sudah tidak
asing lagi dengan komponen elektronik yang satu Gambar 1 Transistor BJT NPN
ini. Adalah transistor yang merupakan salah satu
komponen elektronika yang paling penting karena
sering digunakan sebagai penguat, switching,
modulasi sinyal dan berbagai fungsi lainnya.
Transistor sendiri berfungsi sebagai keran listrik
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan
outputnya (FET), yang memungkinkan pegaliran
listrik yang sangat akuran dari sumber listriknya.
Pada umumnya transistor memiliki 3 terminal,
yaitu Basis (B), Emitor (E), dan Kolektor (C).
Gambar 2 Transistor BJT PNP
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada
awalnya hanya terdapat dua tipe dasar transistor,
yait Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Field-
Effect Transistor (FET). Pada praktikum kali ini
akan dibahas mengenai Transistor Bipolar (BJT).
Transistor bipolar dinamakan demikian karena
kanal konduksi utamanya mengguankan dua
polaritas pembawa muatan : electron dan lubang,
untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus
listrik utama harus melewari satu daerah/lapisan Terdapat suatu hubungan matematis antara
pembatas yang dinamakan depletion zone. besarnya arus kolektor (Ic), arus Basis (Ib), dan
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1
arus emitor (Ie), yaitu beta (β) = penguatan arus Dari kurva diatas uga diperoleh transkonduktansi
DC untuk commonemitter, alpha (α) = penguatan dari transistor, yang merupakan kemiringan dari
Δ𝐼𝑐
arus untuk common basis, dengan hubungan kurva diatas, yaitu 𝑔𝑚 =
Δ𝑉𝑏𝑒
matematis sebagai berikut
Kurva karakteristik Ic – Vce
𝐼𝑐 𝐼𝑐
𝛽= dan 𝛼 = Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
𝐼𝑏 𝐼𝑒
𝛽 𝛼 kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor
Sehingga 𝛼 = 𝛽= dibedakan menjadi tiga bagian , yaitu daerah akif,
𝛽+1 1−𝛼
saturasi, dan cut-off. Persyaratan kondisi ketigga
Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh
mode kerja ini dapat dirangkum dalam table
dengan pengukuran arus dean tegangan pada
berikut ini.
rangkaian dengan konfigurasi common emitter
(kaki emitter terhubung dengan ground), seperti Bias
ditunjukan pada gambar berikut
Mode IC VCE VBE VCB B-C Bias B-E
Gambar 3 Rangkaian dengan konfigurasi common emitter
kerja
Aktif .IB VBE+VCB ~0.7V 0 Reverse Forward
Ma Forwar
Saturasi x ~ 0V ~0.7V - d Forward
0.7V
<VCE
<0
Cut-Off ~0 VBE+VCB 0 0 - -

2.1 JUDUL SUB-BAB

Sub-bab pada percobaan ini, yaitu :
Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat
a. Karakteristik input transistor Ic – Vbe
diukur dari rangkaian diatas, yaitu :
b. Karateristik output transistor Ic – Vce
 Karakteristik Ic – Vbe
c. Early effect
 Karakteristik Ic – Vce
d. Pengaruh bias pada penguat transistor

Kurva karakteristik Ic – Vbe 3. METODOLOGI

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari Pada percobaan 2 ini, alat dan bahan yang
tegangan Vbe, sesuai dengan persamaan : digunakan yaitu :
𝐼𝑐 = 𝛼 𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸/𝜂𝑘𝑇 . Persamaan ini dapar 1. Sumber tegangan DC
digambarkan sebagai kurva seperti ditunjukan
2. Kit percobaan karakteristik transistor dan
pada gambar berikut.
rangkaian bias
Gambar 4 Kurva karakteristik Ic - Vbe
3. Sumber arus konstan
4. Multimeter (2 Buah)
5. Osiloskop
6. PEAK Atlas DCA Pro
Memulai percobaan

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 2

 Sebelum memulai percobaan, diisi dan ditandaDiubah setting sinyal generator sehingga mengeluarkan :
tangani lembar penggunaan meja yang tertempel(pastikan dengna menyambungkannya ke osiloskop ber-
pada masing-masing meja praktikum. Dicatat kopling DC)
juga nomor meja Kit Praktikum yang digunakan a. Gelombang segitiga ~ 1kHz
dalam BCL.
b. Ampiltuda sinyal 0.8 V
c. Set offset positif sehingga nilai minimum sinyall berada di
titik nol (ground)

Dilakukan kalibrasi pada osiloskop

Disusun rangkaian seperti gambar 5
1. Karakteristik input transistor Ic – Vbe

Dihubungkan :
Gambar 5 Rangkaian percobaan 1
a. Probe positif (+) Ch-1 (x) ke titik B
b. Probe positif (+) Ch-2 ke titik C
c. Ground osiloskop ke titik A

Digunakan setting osiloskop :

- Skala X pada nilai 0.1 V/div dengan kopling AC
- Skala Y pada nilai 1V/div dengan kopling DC, dan ditekan
tombol invertnya
- Osiloskop pada mode X-Y

Ditempatkan tegangan X minimum pada garis grid paling kiri

(nilai Vbe = 0).
Ditempatkan tegangan Y terkecil (minimum) pada garis grid
kedua paling bawah (nilai Ic = 0). Apabila kurva tampak
sebagai dua garis, naik atau turunkan frekuensi generator
sinyal hingga diperoleh kurva yang lebih baik.

Digambarkan plot Ic (mA) - Vbe (V) di BCL.

2. Karateristik output transistor Ic – Vce

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 3

 Dinyalakan komputer dan disambungkan USB Power Dipilih nilai arus basis (Ib) dari grafik kurva tracer yang
Atlas DCA ke komputer kemiringan kurvanya cukup besar

Disambungkan kabel Atlas DCA Pro dengan kaki-kaki Pada kurva Ic-Vce itu, dipilih dua titik koordinat yang
transistor BJT yang digunakan secara bebas (tidak mudah dibaca, dan masih dalam garis lurus. Dibaca
dipengaruhi warna) dan dicatat nilai Ic dan Vce pada kedua titik tersebut.

Dihitung nila tegangan Early dengan persamaan

berikut dan dicatat di BCL
Dibuka aplikasi DCA Pro yang tersedia di komputer 𝑉𝑐𝑒2 𝐼𝑐1 −𝑉𝑐𝑒1 𝐼𝑐2
Va =
𝐼𝑐2 −𝐼𝑐1

Dipastikan DCA Pro connected Dipilih nilai arus basis (Ib) yang lain, dan dilakukan
langkah diatas untuk mengkonfirmasi nilai tegangan
Early yang sudah ditetapkan.

Gambar 6 Kurva Ic - Vce

Ditekan tombol test pada DCA Pro maupun pada
jendela Peak DCA Pro.

Diperhatikan spesifikasi dan konfigurasi kaki-kaki BJT

yang terbaca oleh alat Atlas DCA Pro.

4. Pengaruh bias pada penguat transistor

Dibuka tab Graph BJT Ic/Vce, diatur pengaturan

Gambar 7 Rangkaian percobaan 4
tracing Vcc 0-10V dengan point 11, Ib 25-100 µA
kemudian di klik Start. Ditunggu proces tracing.

Diamati grafik yang terbentuk, dicatat pada BCL dan

dilakukan analisis

Disimpan dara tabulasi hasil sampling dengan klik

kanan pada grafik dan pilih Save Data. Dibuka file .txt
yang terbentuk dan di copy seluruh data yang ada di
dalam file tersebut dan di paste di spreadsheet.

3. Early effect
(Dengan menggunakan hasil pengamatan grafik
sebelumnya)

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 4

 Diubah setting sinyal generator sehingga
mengeluarkan gelombang sinusoid ~1kHz, Amplituda
sinyal 50 mVpp, dan digunakan T konektor pada
terminal output.
Disusun rangkaian seperti pada gambar 7
Dihubungkan osiloskop rangkaian : Ch 1 (X) ke
generator sinyal dengan kabel koaksial konektor BNC-
BNC, probe positif Ch-2 (Y) ke titik C, dan Ground
osiloskop ke titik E.
Digunakan setting osiloskop : skala Ch-1 pada nilai 10
mV/div dengan kopling AC, skala Ch-2 pada nilai
1V/div dengan kopling AC, osiliskop pada mode
waktu dengan skala horizontal 500 µS.div, serta titik
nol Ch-1 dan Ch-2 pada garis tengah layar.
Digunakna multimeter digital pada mode Volt-DC
untuk mengukur tegangan dari Vce
Diset Ib pada 25 µA dan Rc minimum (sekitar 82 Ω)
Dibaca dan dicatat tegangan Vce kemudian
digambarkan bentuk gelombang tegangan output Vce
yang ditunjukan. Diamati adanya distorsi pada bentuk
gelombang output
Dari nilai Ib dan Ic yang terbaca, ditentukan letak titik
kerja kondisi ini pada plot grafik Ic - Vce sebelumnya.
Diulangi langkah pertama samapai ketujuh diatas
untuk nilai-nilai Ib : 200 µA dan 400 µA.
Diubah nilai Rc menjadi nilai maksimumnya (sekitar 5
kΩ) dan diulangi langkah pertama sampai kedelapan
diatas untuk nilai Rc ini
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
Diubah nilai Ib menjadi 150 µA. Diatur nilai Rc
sehingga Vce yang terbaca di multimeter sekitar 5 V.
Diamati dan digambar bentuk tegangan yang terlihat
di osiliskop. Dari nilai Ib dan Vce yang terbaca ,
ditentukan letak titik kerja kondisi ini pada plot grafik
Ic-Vce yang telah dibuat sebelumnya. Dengan
memperhatikan titik kerja ini, dijelaskan mengapa
kondisi ini terjadi.
Dinaikkan amplituda input (dari generator sinyal)
hingga tampak terjadi distorsi pada gelombang
tegangan output (Vce). Dicatat besar amplituda input
dan digambarkan bentuk gelombang outputnya.
Dinaikkan lagi amplitdua input. Diamati apakah
aplituda gelombang output masih bisa membesar,
dan dicatat nilai maksimum amplituda tersebut.
Mengakhiri Percobaan
Selesai praktikum dirapikan semua kabel dan
dimatikan osiloskop, generator sinyal serta dipastikan
juga multimeter analog, multimeter digital
ditinggalkan dalam keadaan mati (selector
menunjukan ke pilihan off).
Dimatikan MCB dimeja praktikum sebelum
meninggalkan ruangan.
Diperiksa lembar penggunaan meja.
DIpastikan asisten telah menandatangani catatan
percobaan kali ini pada Buku Catatan Laboratorium.
4. HASIL DAN ANALISIS
4.1 PERCOB AAN 1 (KARAKTERISTIK
INPUT TRANSISTOR IC - VBE)
Pada percobaan 1 dibuat sebuah rangkaian
sederhana seperti pada gambar 5 dengan
menggunakan transistor BJT 3904. Pada percobaan
ini Rc minimum yang digunakan bernilai 88.7 Ω.
5
Berikut adalah plot kurva karakteristik yang
dihasilkan :
Gambar 8 Kurva karakteristik Ic – Vbe
Dari gambar diatas terlihat bahwa plot kurva yang
dihasilkan menyerupai bentuk kurva persamaan
eksponensial. Hal ini sesuai dengan rumus yang
sudah diketahui sebelumnya yang menyatakan
hubungan Ic dengan Vbe, yaitu :
𝐼𝑐 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑏𝑒/𝑉𝑇
Selain itu, dari grafik diatas kita juga dapat
memperoleh nilai transkonduktansi dari transistor
(gm) dengan menghitung kemiringan kurva :
Δ𝐼𝑐
𝑔𝑚 =
Δ𝑉𝑐𝑒
4.2 PERCOBAAN 2 (KARAKTERISTIK
OUTPUT TRANSISTOR IC- VCE)
Pada percoaan 2 ini dilakukan pengamatan
karakteristik output dari transistor menggunakan
Peak Atlas DCA Pro dan komputer yang tersedia
di laboratorium. Berikut adalah tampilan kurva
output yang dihasilkan pada layat monitor :
Gambar 9 Plot kurva karakteristik Ic - Vce
Dari kurva diatas terlihat bentuk grafik Arus
kolektor terhadap tegangan Kolektor-Emitor untuk
nilai Ib yang berbeda-beda. Dari nilai Ib yang
berbeda-beda tersebut dapat diamati tiga daerah
kerja transiistor, yaitu daerah saturasi, daerah aktif,
daerah cut-off.
Saat arus Ib semakin kecil hingga mendekati 0,
tidak akan ada arus mengalir pada Ic disepanjang
garis Vce (berapa pun nilai Vce). Pada kondisi ini
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
tidak ada arus yang mengalir sehingga transistor
berada pada posisi cut-of. Daerah kedua yaitu
daerah saturasi ketika hubungan Ic dengan Vbe
mendekati linear. Daerah saturasi dan cut-off ini
transistor dimanfaatkan sebagai switching. Daerah
ketiga yaitu daerah aktif yang merupakan daerah
penguatan. Daerah aktif terjadi ketika hubungan Ic
dengan Ib mendekati linear dan tidak
diperngaruhi Vce. Pada daerah aktif ini transistor
berfungsi sebagai penguat (amplifier).
Pada daerah aktif didapatkan hubungan Ic dan Ib
mendekati linear. Hal tersebut dapat terlihat pada
grafik bahwa ketika Ib sangat besar (garis kurva
paling kiri), semakin besar pula nilai Arus
kolektornya. Hal ini sesuai dengan rumus yang
menyatakan bahwa Ic dan Ib berbanding lurus
(linear) :
𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝑏
4.3 EARLY EFFECT
Berdasarkan kurva karakteristik Ic- Vce yang
didapatkan pada percobaan 2, selanjutnya diambil
sampel kurva berwarna Magenta (Ib = 56.7 µA)
dan Salmon (Ib = 46.1). Dari kedua kurva tersebut
diambil garis lurus sepanjang sumbu x sehingga
akan diperoleh nilai efek earlynya (Va). Efek early
masing - masing kurva dihitung dengan
menggunakan rumus :
𝑉𝐶𝐸2 𝐼𝐶1 − 𝑉𝐶𝐸1 𝐼𝐶2
𝑉𝐴 =
𝐼𝐶2 − 𝐼𝐶1
Data yang didapat adalah sebagai berikut :
No Ib = 56.7 µA Ib = 25 µA
Vce (V) Ic (mA) Vce (V) Ic (mA)
1 1.673085 10.92622 5.673457 5.058323
2 2.666702 11.14445 6.628855 5.109956
Sehingga dengan menggunakan rumus diatas dan
dengan memasukan nilai pada tabel maka
didapatkan besar Va untuk arus basis sebesar 56.7
µA adalah 48.07581 V dan Va untuk arus basis 25
µA adalah 87.92323.
Perbedaan yang terjadi pada nilai efek early ini
kemungkinan disebabkan beberapa faktor
diantaranya perubahan suhu. Pada saat awal
(sebelum digunakan), transisrot memiliki suhu
yang sama dengan suhu ruangan. Namun setelah
digunakan untuk percobaan 2, transistor menjadi
panas (mengalami kenaikan suhu). Dengan adanya
kenaikan suhu ini maka berpengaruh pada nilai Ic
dan tegangan Vce yang diukur.
6
 4.4 PENGARUH BIAS PADA PENGUAT
TRANSISTOR
Apabila diamati data pada tabel, dapat dilihat
Pada percobaan 4 ini digunakan rangkaian seperti bahwa saat Ib semakin besar, nilai tegangan
pada percobaan 1 namun dengan penambahan colector-emitor menjadi semakin kecil. Hal ini
komponen sumber arus dan kapasitor pada node B. dapat diketahui dari hubungan Ib dan Ic berikut :
Lalu nilai sumber tegangan DC yang digunakan
Ib + Ic = Ie
juga diturunkan yang awalnya 10 V menjadi 9 V.
Lalu dilakukan pengamatan sinyal output dengan Sehingga saat arus base semakin besar (dari 25 µA
menggunakan variasi nilai sumber arus dan Rc. Rc hingga 400 µA) maka arus emitor juga akan
minimum bernilai 88.7 Ω dan Rc maksimum semakin besar yang menyebabkan tegangan
bernilai 5.62 kΩ. Berikut tampilan sinyal input- kolektor-emitor menjadi turun (semakin kecil).
output yang dihasilkan :
Pemberian bias tegangan dc pada rangakaian
Table 1 Tampilan sinyal input-output transistor bertujuan untuk mendapatkan level
No Sinyal Input-Output Sinyal Input-Output tegangan dan arus kerja transistor yang tetap.
Dalam penguat transistor, level tegangan dan arus
(Rc minimum) (Rc maksimum) yang tetap tersebut akan menempatkan suatu titik
kerja pada kurva karakteristik sehingga
1 menentukan daerah kerja transistor.
Dari ketiga variasi Ib yang digunakan, diperoleh
bahwa transistor berada dalam keadaan aktif saat
arus basenya sebesar 200 µA karena saar mode
aktif Vbe bernilai ~0.7 V. Hal ini sesuai dengan
tegangan Vbe untuk Ib 200 µA saat Rc minimum.
Ib = 25 µA Saat kondisi saturasi yaitu ketika Ib bernilai 400 µA
Ib = 25 µA karena saat Vbe nya mendekati 0.7 V (saat Rc
Vce = 8.67 V minimum) dan Vbc ~0.5 V. Pengaruh bias untuk
Vce = 2.88 V transistor mode saturasi yaitu Sedangkan mode
Vbe =0.542 V
Vbe = 0.58 V cut-off adalah ketika Ib sebesar 25 µA karena Vbe
nya kurang dari 0.7 V (saat Rc minimum).
2 Dari data pada tabel 1 juga dapat diketahui
besarnya arus pada kolektor untuk setiap kondisi.
9 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 =
𝑅𝑐

Rc minimum (88.7 Ω) Rc maksimum (5.62 kΩ

Ib = 200 µA Ib 25 Ib 200 Ib 400 Ib 25 Ib 200 Ib 400

Ib = 200 µA Vce = 70.9 mV µA µA µA µA µA µA
Vce = 5.84 V Vbe = 0.64 V Ic 3.72 0.035 0.046 1.088 1.588 1.593
Vbe = 0.662 V (mA)

Saat Ib diatur sebesar 150 µA dan Vce sekitar 5 V,

bentuk sinyal output yang dihasilkan adalah
sebagai berikut :

Ib = 400 µA
Ib = 400 µA Vce = 44 mV
Vce = 4.91 V Vbe = 0.67 V
Vbe = 0.692 V

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 7

Gambar 10 Sinyal saat Vce 5 V
Besarnya resistansi Rc yang diperoleh untuk
tegangan Vce sebesar 5 V adalah sekitar 112 Ω.
Sehingga arus kolektornya yaitu
Ic = (9 – 5)/112
Ic = 0.035 A
Dengan nilai Ic dan tegangan Vce yang diketahui
sebesar 5 V maka dapat dikatakan bahwa kondisi
ini merupakan kondisi aktif transistor .
Gambar 11 Kurva distorsi gerlombang output
[1]. Mervin T Hutabarat, Praktikum Rangkaian
Gambar diatas merupakan hasil distorsi
(minimal/yang paling sedikit) yang terjadi pada
gelombang tegangan input (Vce). Besar
amplitudanya adalah 6.3 V. Apabila amplituda
dinaikkan maka distorsi yang tejadi akan semakin
besar. Namum batas maksimum terjadinya distorsi
yaitu hingga amplituda mencapai 9 V yang
merupakan besarnya tegangan input dc. Sehingga
dapat dikatakan bahwa distorsi yang terjadi tidak
akan melebihi tegangan inputnya.
5. KESIMPULAN
Dari percobaan didapatkan kesimpulan :
 Karakteristik input transistor untuk arus
kolektor dengan tegangan base-emitor
menunjukan hubungan ekponensial sesuai
dengan rumus Ic = Is.eVbe/VT. Lalu nilai
transkonduktansi (gm) transistor dapat
diketahui dengan mengukur kemiringan
kurva Ic-Vbe.
 Dari kurva karakteristik output transistor
Ic – Vce dapat dibagi menjadi 3 daerah
kerja transistor yaitu daerah saturasi,
daerah aktif dan daerah cut-off. Transistor
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB
berfungsi sebagai penguat (amplifier) saat
berada pada kondisi aktif. Sedangkan
pada daerah saturasi terjadi hubungan
yang mendekati linear antara Ic dengan
Vce. Lalu hampir tidak ada arus yang
mengalir apabila transistor berada pada
keadaan cut-off.
 Efek Early dapat dicari dengan
pendekatan linear. Yaitu dengan menarik
garis sepanjang sumbu x dari kemiringan
kurva. Namun nilai efek early yang
didapatkan pada percobaan ini kurang
akurat yang diduga disebabkan karena
perubahan suhu yang dialami transistor.
 Saat arus Ib sebesar 400 µA, transistor
berada pada kondisi saturasi. Lalu saat Ib
sebesar 200 µA, transistor berada pada
kondisi akif. Serta pada kondisi cut-off
yaitu ketika Ib sebesar 25 µA.
 Distorsi terjadi saat Vce mulai dari 6.3 V
hingga tegangan mencapai 9 V (tegangan
dc-nya).
DAFTAR PUSTAKA
Elektrik, Laboratorium Dasar Teknik Elektro
ITB,Bandung, 2014.
[2]. Adel S. Sedra and Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 2004.
[3]. http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor, 18
Februari 2015, 08.05 PM.
[4]. http://elektronika-dasar.web.id/teori-
elektronika/titik-kerja-transistor/, 19 Februari
2015, 08.32 PM.
8