PERANCANGAN

BREAKDOWN VOLTAGE COLLECTOR – EMITTER

TRANSISTOR NPN

Disusun Oleh:

Edwin Fitrian/062001500526

UNIVERSITAS TRISAKTI
JAKARTA
2016
 BAB 1
PENDAHULUAN

1. Dasar Teori
Sejarah transistor pada awalnya di temukan oleh William Shockley dan John Barden
pada tahun 1948. Transistor awal mulanya di pakai dalam praktek pada tahun 1958. Pada
saat ini ada dua jenis tipe transistor, yaitu transistor tipe P – N – P dan transistor jenis N –
P – N. Dalam rangkaian difital, transistor di gunakan sebagai saklar untuk kecepatan
tinggi. Beberapa transistor juga dapat di rangkaian sedemikian rupa sehingga berfungsi
sebagai logic gate, memory dan komponen lainnya.
Transistor merupakan komponen elektronika daya yang memiliki tiga terminal, yaitu:
basis, emitor, dan kolektor. Dalam rangkaian elektronika daya, transistor umumnya
dioperasikan sebagai sakelar dengan konfigurasi emitor-bersama. Transistor bekerja atas
dasar prinsip kendali-arus (current driven). Pada gambar 1. (a), (b), dan (c) masing-
masing ditunjukkan simbol transistor, karakteristik transistor, dan karakteristik ideal
transistor sebagai sakelar. Transistor dengan jenis NPN akan ON jika pada terminal
kolektor-emitor diberi panjar Menuju ON Menuju OFF Kondisi OFF Semikonduktor
Daya 2010 Elektronika Daya 7 (bias) dan pada basis memiliki potensial lebih positif
daripada emitor dan memiliki arus basis yang mampu mengendalikan transistor pada
daerah jenuh. Sebaliknya, transistor akan OFF jika arus basis dikurangi hingga pada
kolektor tidak dapat mengalirkan arus listrik.

Gambar 1. (a) simbol transistor (b) karakteristik transistor (c) karakteristik

ideal transistor sebagai sakelar
 Jika transistor dalam kondisi ideal, ketika transistor dalam kondisi ON memiliki
karakteristik tegangan pada terminal emitor dan kolektor (VCE) sama dengan nol dan
arus yang mengalir sama dengan arus bebannya. Sebaliknya, ketika transistor dalam
kondisi OFF memiliki karakteristik tegangan pada transistor sama dengan tegangan
sumbernya (VCC) dan arus yang mengalir sama dengan nol. Dalam kondisi transistor ON
dan OFF ini dapat dinyatakan tidak terjadi kerugian daya pada transistor sebagai sakelar.
Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk
mengoperasikan transistor.
1.    Basis ditanahkan (Common Base – CB)
2.    Emiter ditanahkan (Common Emitter – CE)
3.    Kolektor ditanahkan (Common Collector - CC)

Gambar. 2 Simbol transistor

1. (B) Fungsi basis kaki basis berfungsi untuk mengatur jalannya arus elektron dari
emitor ke kolektor sehingga mempengaruhi kerja dan fungsi dari transistor
tersebut.
2. (E) Fungsi kaki emitor kaki emitor berfungsi sebagai gudangnya elektron atau
tempat berkumpulnya elektron sebelum dialirkan ke kolektor dan basis. 
3. (C) Fungsi kaki kolektor kolektor berfungsi sebagai tempat pengumpulan
elektron yang telah diatur oleh basis sehingga tidak heran kita kadang merasakan
kalau sebuah transistor saat bekerja terasa hangat atau bahkan panas, karena hal
tersebut terjadi akibat elektron yang terkumpul di kolektron terlalu besar
sehingga sebagian terkonversi keluar sebagai panas.
 Gambar 3. Aliran arus pada transistor npn pada mode aktif
Pada gambar (2) kedua sumber tegangan digunakan untuk memberikan bias agar
transistor bekerja pada mode aktif. Tegangan VBE menyebabkan base mempunyai
tegangan lebih tinggi dari emiter sehingga EBJ forward bias dan tegangan VCB
menyebabkan collecor mempunyai tegangan lebih tinggi dari base sehingga CBJ reverse
bias. Aliran arus difusi. EBJ forward bias: arus mengalir melalui junction terdiri dari:
elektron dari emitter ke base (mempunyai level yang lebih tinggi) dan holes dari base ke
emitter (levelnya lebih rendah). Emitter di-dope lebih banyak dan base di-dope lebih
rendah. Divais dirancang mempunyai kerapatan elektron pada emiter yang tinggi dan
kerapatan holes yang rendah pada base. Arus yang mengalir melalui EBJ adalah arus
emitter yang terdiri dari 2 komponen, yaitu aliran elektron dan aliran holes. Arus emitter
didominasi oleh aliran elektron. Elektron dari emitter ke base akan menjadi pembawa
muatan minoritas pada base jenis p. Karena base biasanya tipis, pada keadaan steady
konsentrasi elektron pada base hampir linier, tertinggi di sisi emitter dan terendah (nol) di
sisi kolektor, karena tegangan positif pada kolektor menyebabkan elektron tersapu
melewati daerah deplesi pada CBJ.
Gambar 4. Profil pembawa muatan minioritas pada base dan emitter pada transistor
npn yang bekerja pada mode aktif.

Gambar 5. Tampak melintang sebuah BJT jenis npn

Collector mengelilingi emitter sehingga sulit untuk elektron yang disuntikkan ke base
yang tipis untuk tidak terkumpul pada collector → αF ≈ 1 dan βF besar. Divais tidak
simetris berarti jika collector dan emitter ditukar dan transistor bekerja pada mode reverse
active, α = αR dan β = βR yang mempunyai harga yang berbeda dengan αF dan βF. Karena
divais dirancang untuk bekerja optimum pada mode forward active, αR << αF dan βR <<
βF. αR berkisar antara 0,01 – 0, 5 dan βR berkisar antara 0,01 – 1.
 Gambar 6. Penjelasan karakteristik common-emitter
Pada kurva ini yang menjadi parameter adalah arus base iB. Setiap kurva iC – vCE
diukur dengan mencatu base dengan arus IB yang konstan. Kurva yang dihasilkan tampak
sama dengan karakteristik pada gambar 19 hanya di sini terlihat gejala breakdown.
Penguatan arus common-emitter β. β didefinisikan sebagai perbandingan antara total arus
pada collector dan total arus pada base. β mempunyai harga yang konstan untuk sebuah
transistor, tidak tergantung dari kondisi kerja. Pada gambar 4, sebuah transistor bekerja
pada daerah aktif di titik Q yang mempunyai arus collector ICQ, arus base IBQ dan tegangan
collector – emitter VCEQ. Perbandingan arus collector dan arus base adalah β sinyal besar
atau dc.

I CQ
β dc ≡
I BQ

βdc juga dikenal sebagai hFE. Pada gambar 4 terlihat, dengan tegangan vCE tetap
perubahan iB dari IBQ menjadi (IBQ + ∆iB) menghasilkan kenaikan pada iC dari ICQ
menjadi (ICQ + ∆iC).
 ΔiC
β ac ≡ |v =kons tan
ΔiB CE

βac disebut β ‘incremental’.

βac dan βdc biasanya berbeda kira-kira 10% – 20%. βac disebut juga β sinyal kecil yang
dikenal juga dengan hfe. β sinyal kecil didefinisikan dan diukur pada vCE konstan, artinya tidak
ada komponen sinyal antara collector dan emitter, sehingga dikenal juga sebagai penguatan
arus hubung singkat common-emitter.

Gambar 7: Ketergantungan β pada IC dan suhu

 BAB II
PERCOBAAN

Spesifikasi yang diharapkan pada BJTs

Simbol Parameter value Satuan

Vce Collector to 300 V
emitter voltage
Ic Collector 4 A
current

Langkah Percobaan
A. Membuat program struktur power transistor
1. Mencari dan mengumpulkan literatur HETEROJUNCTION BIPOLAR
TRANSISTORS yang memenuhi spesifikasi diatas
2. Mempersiapkan software simulasi doping dengan Bipole 3
3. Mentukan program berdasarkan literatur panduan yang sudah tersedi pada
aplikasi Bipole 3
4. Menyusun program berdasdarkan spesifikasi Program yang dibuat pada bipole 3
5. Menjalankan dan menguji program (program running) dengan cara
1) Masuk pada administrator komputer dengan mengetik cmd pada
search program and file.
2) Setelah Administrator C:\windows\system64\cmd\.exe sudah
diarahkan pada penyimpanan bipole 3 dan masuk ke run

3) Ketik bip spasi “pilih nama program yang telah dibuat”, pada
percobaan kali ini nama file program yang dibuat “Vce”

4) Enter

6. Selesai, akan keluar hasil simulasi doping

 Nilai
Simbol Parameter Satuan
Rancangan Hasil

Vce Collector – 300 300 V

emitter
voltage
IC Collector current 4 4 A

Tabel. 1 Hasil Simulasi

Dengan menggunakan progam yang mencontoh yang ada pada program bipole
(default) dan dilakukan pergantian pada beberapa item” yang tertentu yang.
B. Melihat beberapa item karakteristik yang di tampilkan pada transistor
1. Net Doping Vs Depth

2. Net dan effective doping

3. Beta dc vs IC
4. Collector and Base Current vs Vbe
 BAB III
KESIMPULAN

Dari hasil simulasi didapatkan perubahan nilai tegangan collector – emittor dan arus
collector dengan mengubah nilai NEPI (Epitaxial Layer Concentration) pada program
simulasi. Semakin kecil nilai nepi maka semakin kecil pula tegangan collector – emitter
dan arus collector. Didalam perancangan ini nilai breakdown collector-emitter bisa
mencapai 300V dan arus collector sampai 4 Ampere. Dengan meningkatnya Vce,
menyebabkan daerah base – collector depletion layer melebar dan lebar basis netral
menurun sehingga arus collector (Ic) meningkat/naik