Laporan Praktikum Dasar Elektronika Percobaan III Prasikap Transistor

Oleh Nama NIM Kelompok : Muhammad Rizki Kurniawan : 2106011130078 : 26

Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Diponegoro 2012

4.1 Tujuan 1. 2. 3. Untuk mengetahui daerah kerja transistor Untuk menganalisa ketiga konfigurasi transistor Untuk mempelajari arus pada kaki-kaki transistor

4.2 Alat dan Bahan Percobaan prasikap transistor menggunakan alat ukur multimeter untuk mengukur besaran-besaran yang diambil sebagai data untuk dianalisis. Komponen dan alat ukur yang digunakan adalah : 1. Rsistor (10,20,46,470 k ) 2. Transistor NPN 9013 3. Power Supply 4. Kabel Jumper 5. Multimeter 6. Protoboard 4.3 Rangkaian Percobaan Pada unit percobaan ini digunakan tiga konfigurasi transistor yang dirangkai seperti gambar berikut : 4.3.1 Gambar Rangkaian percobaan Common Emiter (CE)

Rb

Rc

Re 5V 12 V

Gambar 3.1 Rangkaian konfigurasi Common Emiter (CE)

4.3.2 Gambar Rangkaian percobaan Common Collector (CC)

Rb

Re

Rc 5V 12 V

Gambar 3.2 Rangkaian konfigurasi Common Collector (CC)

4.3.3 Gambar Rangkaian percobaan Common Base (CB)

Rc

Re

Rb 5V

12 V

Gambar 3.3 Rangkaian konfigurasi Common Base (CB)

4.4 Langkah Percobaan Dengan menggunakan ketiga konfigurasi rangkaian di atas percobaan ini dimulai dengan langkah langkah sebagai berikut : 4.1.1 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Base.

1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common basis. 2. Hidupkan power supply danhubungkantegangan -12V ,5V , dan Ground dengankabel jumper. 3. Hubungkantengangan -12volt denganRE ,5voltdengan RC dan Ground dengan RB. 4. HitungVc,Vb,Vedenganmenggunakanmultimeter. 5. TentukanDaerah kerja transistor. 4.1.2 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Emittor

1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common emotor. 2. Hidupkan power supply danhubungkantegangan -12V ,5V , dan Ground dengankabel jumper. 3. Hubungkantengangan -12volt denganRC ,5voltdengan RB dan Ground dengan RE. 4. HitungVc,Vb,Vedenganmenggunakanmultimeter. 5. TentukanDaerah kerja transistor.

4.4.3

Percobaan Transistor Konfigurasi Common Collector

1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common collector. 2. Hidupkan power supply danhubungkantegangan -12V ,5V , dan Ground dengankabel jumper. 3. Hubungkantengangan -12volt denganRE ,5voltdengan RB dan Ground dengan RC. 4. HitungVc,Vb,Vedenganmenggunakanmultimeter. 5. TentukanDaerah kerja transistor.

4.5 Data Percobaan 4.5.1 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Emitter

Tabel 4.1 Data Percobaan Konfigurasi Common Emitor

Tegangan CE daerah mati RE = 4 k RB = 200 k RC = 20 k CE daerah hidup RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k CE daerah jenuh RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k

VB (Volt) 4,35

VC (Volt) 10

VE (Volt) 4,6

5,2

10

4,69

4,54

5,15

4,59

4.5.2 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Collector

Tabel 4.2 Data Percobaan Konfigurasi Common Collector

Tegangan CC daerah mati RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k CC daerah hidup RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k CC daerah jenuh RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k

VB (Volt) -8,12

VC (Volt) -8,88

VE (Volt) -8,84

-0,27

0,1

-9,45

-10,14

-10,78

-10,79

4.5.3 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Base

Tabel 4.3 Data Percobaan Konfigurasi Common Basis

Tegangan CB daerah hidup

VB (Volt)

VC (Volt)

VE (Volt)

RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k CB daerah jenuh RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k CB daerah mati RE = 3,24 k RB = 5,52 k RC = 9,84 k

12,9

13,5

13,3

-1,48

-0,9

-10,27

-1,08

-1,84

-9,80

4.6 Analisa dan Pembahasan TEORI SINGKAT TENTANG UNIT PERCOBAAN Transistor adalah komponen aktif tiga terminal disebut transistor persambungan bipolar (BJT). Ketiga terminal tersebut adalah Basis (B), Colektor (C) dan Emitor (E). Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT (Bipolar Junction Transistor)

, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p dan dibuat dua buah bahan semikonduktor dengan dua tipe berbeda (semi konduktor tipe n dan semi konduktor tipe p) yang disusun demikian sehingga tipe n mengapit tipe p atau sebaliknya. Apabila semi konduktor tipe n yang mengapit tipe p maka disebut transistor NPN, dan sebaliknya apabila semi konduktor tipe p yang mengapit tipe n maka disebut transistor PNP.
Basis

Emiter

Kolektor

N
JE

P
JC

B
Gambar 3.4 Struktur Fisis Transistor tipe NPN
Basis

Emiter

Kolektor

P
JE

N
JC

B
Gambar 3.5 Struktur Fisis Transistor tipe PNP

Kaki-kaki pada transistor : Emiter Colector Basis

Emiter

: : :

Pemancar muatan Pengumpul muatan Pengendali

Kolektor
Emiter

- VCE +

Kolektor

IE
VEB

IC
VCB

IE IB
Basis

IC
VCB

IB

Basis

(a)

(b)

Gambar 3.6 Representasi rangkaian dari tipe transistor (a) PNP; (b) NPN

Tanda anak panah menunjukan arah aliran arus. Untuk jenis transistor P-N-P , transistor transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti diode. Setiap diode diberi prasikap maju atau prasikap mundur. Demikian juga untuk transistor n-p-n, transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti diode. Setiap diode dapat diberi prasikap maju atau prasikap mundur, sehingga transistor dapat memiliki empat daerah kerja Daerah kerja transistor ada 4 daerah yaitu :
Tabel 4.4 Daerah kerja transistor

No 1 2 3 4

JE maju maju mundur mundur

JC mundur maju maju mundur

Keterangan Transistor pada daerah Jenuh Transistor pada daerah Aktif Transistor pada daerah Anti Aktif Transistor pada daerah Mati

Untuk daerah pada nomor 3 menyebabkan transistor bekerja menyalahi aturan yaitu : Emiter berfungsi sebagai pengumpul muatan Kolektor berfungsi sebagai pemancar muatan

Komponen-komponen arus pada transistor :

JE IPE E IE InE InB IPB Ipco Inco

Jc IPC Ico IC C

IB

Gambar 3.7 Komponen arus pada transistor

Gambar komponen arus diatas hanya berlaku apabila transistor PNP diberi prasikap maju pada JE dan mundur pada JC Hukum Khircoff arus pada Transistor : IE + IB + IC = 0 Pada Emiter : I E I pE I nE = 0 I E = I pE + I nE Pada Basis : I B + I pB + I nB I pco I nco = 0 I B = I pB I nB + I pco + I nco I B = I pB I nB + I co Pada Kolektor : I C + I pC I co = 0 I C = I co I pc

Arus-arus InE, IpB, dan Ico nilainya sangat kecil sehingga : I E I pE I C I pC Jika diambil : I pC = I E , maka : I C = I co I E atau

I c I co dengan adalah peroleh arus sinyal kecil (narrow signal current IE I c I co I E I Eo

Vc

gain), secara umum ditulis :

Dengan IEo = nilai arus emiter awal sehingga I C = I E + I co (1 e

VT

Konfigurasi untuk transistor dipengaruhi oleh arus-arus pada basis, kolektor, dan emiter tidak hanya itu konfigurasi pada transistor ditandai dengan tembok potensial yang meninggi / merendah. Jika arus pada kolektor lebih positif dari pada basis JE akan maju maka tembok potensial merendah, untuk arus pada kolektor lebih negatif dari pada basis maka JC mundur maka tembok potensial meninggi. Konfigurasi Transistor Konfigurasi Transistor ada 3 macam : 1. Transistor dengan konfigurasi basis bersama (CB) Pada konfigurasi ini dapat diketahui dengan melihat basis sebagai acuan tegangan atau basis yang diketanahkan. 2. Transistor dengan konfigurasi emitter bersama (CE) Dalam hal ini emitor sebagai acuan tegangan atau yan diketanahkan karena emitter terangkai pada masukan dan keluaran. 3. Transistor dengan konfigurasi kolektor bersama (CC) Dengan kolektor sebagai acuan tegangan (V=0).

C B E Masukan E Keluaran

Gambar 3.8 Transistor dengan konfigurasi emiter bersama (Common emitter)

Masukan

Keluaran

B G

Gambar 3.9 Transistor dengan konfigurasi basis bersama (Common Base)

C B

M a su kan

E K e lu aran C

Gambar 3.10 Transistor dengan konfigurasi kolektor bersama (Common Collector)

Tabel 4.5 Watak transistor

Watak Masukan Keluaran Grafik Watak Masukan

CE VBE=F(iB,VCE)VCETetap IC=F(iB,VCE) IBTetap

iB

CC VBC=F(iB,VEC)VECTetap IE=F(iB,VEC) IBTetap

iB

CB VBB=F(iE,VCB)VCBTetap IC=F(iE,VCB) IETetap

iE

VCE 3 VCE 2 VCE 1

VEC 3 VEC2 VEC1

VCB 3 VCB 2 VCB 1

VBE

VBC
iB

VCB

iC

Grafik Watak Keluaran

iB3 iB2 iB1

iE3 iE2 iE1

VEC

VCB

Untuk analisis pada rangkaian transistor ada 2 yaitu : 1. Analisis statis (DC) atau analisis prasikap (biasing) yaitu analisis untuk menentukan titik kerja transistor yang dinginkan atau analisis untuk memberi prasikap pada transistor. 2. Analisis dinamis (AC) yaitu analisis untuk mencari keluaran bila masukannya sinyal berfrekuensi. Pada analisis statis (DC) pada rangkaian transistor dimaksudkan intuk memberi prasikap transistor yaitu transistor tersebut akan dipekerjakan pada daerah apa apakah daerah aktiv, daerah jenuh, ataupun daerah mati, dan selanjutnya titi kerja transistor dapat ditentukan. Titik kerja transistor biasanya ditandai dengan symbol Q (Operating Point / Quotient Point / titik terang ).

4.6.1

Perhitungan Arus Transitor

Perhitungan arus-arus yang ada pada transistor dilakukan dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff baik itu Hukum Kirchoff Tegangan (HKP) maupun Hukum Kirchoff Arus (HKA) pada masing-masing konfigurasi rangkaian. 4.6.1.1 Konfigurasi Common Emitter Pada konfigurasi emitter bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :
+12 V

R1

RC
VC VB

R2
Gambar 3.9 Common Emitter

RE

VE
Rangkaian konfigurasi

Rangkaian tersebut dapat kita sederhanakan atau kita buat ekivalensinya sebagai berikut :

Gambar 3.10 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Emitter

Contoh perhitungan : CE daerah mati RB = 200 k

RE = 4 k RC = 20 k VBE = VB VE = 4,35 4,6 = -0,25 Volt VBC = VB VC = 4,35 10 = -5,65 Volt VCE = VC VE = 10 4,6 = 5,4 Volt Dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff, kita analisis rangkaian di atas untuk mendapatkan IE, IB, dan IC. Pada loop I IBRB + VBE - IERE + 5 = 0 200.103 IB - 0,25 - 4.103 IE +5= 0 200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75(1) Pada loop II 12 + IERE - VCE ICRC = 0 12 + 4.103 IE 5,4 20.103 IC = 0...(2) HKA pada transistor IC + IB + IE = 0 IC = - IB IE.. .(3) Persamaan (3) masuk (2) 12 + 4.103 IE 5,4 20.103 IC = 0 4.103 IE 20.103 IC = - 6,6 4.103IE 20.103 ( - IB IE ) = - 6,6 4.103 IE + 20.103 IB + 20.103 IE = - 6,6 20.103 IB + 24.103 IE = - 6,6.. Persamaan (1) dan (4) 200.103 IB - 4.103 IE 20.103 IB + 24.103 IE = - 4,75 | x 6 = - 6,6 |x1 (4)

1.200.103IB 24.103 IE 20. 103 IB +24.103 IE 1220 IB

= - 28,5 = - 6,6 + = - 35,1 IB = - 0,028 mA

Persamaan (1) 200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75 = - 4,75 200.103 (- 0,028 ) - 4.103 IE 5,75. 103- 4.103 IE = - 4,75 - 4.103 IE = -10,5 IE = 2,62 mA Persamaan (3) IC = - I B IE = - 0,028 +2,62 IC = 2,598 mA Jadi, arus-arus pada konfigurasi common emitter daerah mati adalah sebagai berikut : IB = - 0,028mA; IE = 2,62 mA; dan IC = 2,598 mA Untuk hasil perhitungan arus dari masing masing daerah kerja transistor rangkaian CE dapat dilihat pada tabel berikut :
Tabel 4.6 Hasil perhitungan nilai IB,

Ic, IE rangkaian transistor konfigurasi CE IB (mA) - 0,028 0,476 - 0,795 IE (mA) 2,62 -0,12 - 0,755 Ic (mA) 2,598 0596 1,5505

Daerah Kerja Mati Hidup Jenuh

RB (k) 200 10 4,7

4.6.1.2 Konfigurasi Common Collector Pada konfigurasi kolektor bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :

+12 V

R1

RE
VE VB

VC

R2

RC

Gambar 3.11 Rangkaian konfigurasi Common Collector

Rangkaian tersebut dapat kita sederhanakan atau kita buat ekivalensinya sebagai berikut :

Gambar 3.12 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Collector

Contoh perhitungan : CC daerah mati

RB = 2 k RE = 386 k RC = 14,8 k VBE = VB VE = -8,12 + 8,84 = 0,72 Volt VBC = VB VC = - 8,12 +8,88 = 0,76 Volt VCE = VC VE = -8,88+ 8,84 = 0,04 Volt Dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff, kita analisis rangkaian di atas untuk mendapatkan IE, IB, dan IC. Pada loop I IBRB + VBC ICRC +5 = 0 2.103 IB + 0,76 14,8. 103 IC +5= 0 2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76 (1) Pada loop II 12 + ICRC + VCE IERE = 0 12 + 14,8.103 IC + 0,04 0,386. 103IE= 0............ HKA pada transistor IC + IB + IE = 0 IE = - IB IC.. (3) Persamaan (3) masuk (2) 12 + 14,8.103 IC + 0,04 0,386. 103IE= 0 14,8.103 IC 0,386. 103 IE = - 12,04 14,8.103 IC 0,386. 103 ( - IB IC ) = - 12,04 14,8.103 IC + 0,386. 103 IB + 0,386. 103 IC = - 10,87 15,186.103 IC + 0,386. 103 IB = - 10,87. Persamaan (1) dan (4) 2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76 x 0,386 (4) (2)

0,386. 103 IB + 15,186.103 IC = - 10,87 x 2 0,772.103 IB - 5,7128.103 IC = -2,223 _

0,772.103 IB + 30,372.103 IC = - 21,74 - 36,0848 IC = 19,517

IC = - 0,54 mA Persamaan (1) 2.103 IB - 14,8.103 IC 2.103 IB = -5,76+15,34 IB = -9,58 mA Persamaan (3) IE = - IB IC = 9,58 + 0,54 IE = 10,12 mA Jadi, arus-arus pada konfigurasi common collector daerah mati adalah sebagai berikut : IB = -9,58 mA; IE = 10,12 mA; dan IC = - 0,54 mA Untuk hasil perhitungan arus dari masing masing daerah kerja transistor rangkaian CC dapat dilihat pada tabel berikut : = -5,76 2.103 IB - 14,8.103 (- 0,54.103) = -5,76

Tabel 4.7 Hasil perhitungan nilai IB,

IE, IC rangkaian transistor konfigurasi CC IB (mA) -9,58 - 1.334 0,22 IE (mA) 10,12 0,019 0,461 Ic (mA) - 0,54 1,315 -0.681

Daerah Kerja Mati Hidup Jenuh

RB (k) 2 1,5 86

4.6.1.3 Konfigurasi Common Base

Pada konfigurasi kolektor bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :

VE VC

VB

RE
+

RB

RC
Gambar 3.13

VEE

Rangkaian konfigurasi Common Base

Rangkaian analisis dengan

IE

tersebut dapat kita menggunakan loop

VE VC
IC

sebagai berikut :

IB

VB

RE
+

RB

II

RC

VEE

Gambar 3.14 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Base

Contoh perhitungan : CB daerah mati RB = 20 k RE = 2 k RC = 47 VBE = VB VE = 12,9 13,3 = -0,4 Volt VBC = VB VC = 12,9 13,5 = -0,6 Volt VCE = VC VE

= 13,5 13,3 = 0,2Volt Dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff, kita analisis rangkaian di atas untuk mendapatkan IE, IB, dan IC. Pada loop I -12 + IERE - VBE IBRB = 0 -12 + IE . 2 +0,4 IB . 20 = 0 2.103 IE - 20.103 IB = 6,6. Pada loop II - 5 + IBRB + VBC ICRC = 0 - 5 + 20.103 IB -0,6 0,047.103 IC = 0 20.103 IB - 0,047.103 IC = -5,6..........(2) HKA pada transistor IC + IB + IE = 0 IC = - IB IE.. (3) Persamaan (3) masuk (2) 20.103 IB - 0,047.103 IC = -5,6 20.103 IB - 0,047.103 (- IB IE ) = -5,6 20.103 IB + 0,047.103 IE + 0,047.103 IB = -5,6 20,047.103 IB + 0,047.103 IE = -5,6.. (4) (1)

Persamaan (1) dan (4) 2.103 IE - 20.103 IB = 6,6 0,047.103 IE + 20,047.103 IB = -5,6 0,094.103 IE - 0,94.103 IB = 0,31 _ IB = -0,144 mA x 0,047 x 2

0,094.103 IE + 40,094.103 IB = -5,6 - 41,034IB Persamaan (1) 2.103 IE - 20.103 (-0,144. 10 -3 ) = 6,6 2.103 IE + 2,88 = 6,6 2.103 IE = 6,6 -2,88 = 5,91,

2.103.103 IE = 3,72 IE = 1,86 mA Persamaan (3) IC = - I B IE = 0,144 1,86 IC = -1,716 mA Jadi, arus-arus pada konfigurasi common base daerah mati adalah sebagai berikut : IB = -0,144 mA; IE = 1,86 mA; dan IC = -1,716 mA Untuk hasil perhitungan arus dari masing masing daerah kerja transistor rangkaian CB dapat dilihat pada tabel berikut :
Tabel 4.8 Hasil perhitungan nilai IB,

IE, IC rangkaian transistor konfigurasi CB IB (mA) -0,144 -0,42 - 0,53 IE (mA) 1,86 0,91 0,76 IC (mA) -1,716 - 1,33 - 1,82

Daerah Kerja Transitor Mati Hidup Jenuh

RB (k) 20 10 10

4.6.2 berikut :

PERHITUNGAN DAYA PADA KAKI-KAKI TRANSISTOR

Untuk menghitung daya pada kaki-kaki transistor, digunakan rumus sebagai P = I 2.R dimana : P = Daya pada kaki transistor (W)

I 6.2.1 Konfigurasi Common Emitter

= Arus pada kaki-kaki transistor (A)

R = Hambatan pada kaki transistor () Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CE ini didapat parameter-parameter sebagai berikut :
Tabel 4.9 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CE

Daerah Kerja Transitor Mati Hidup Jenuh

RB (k) 200 10 4,7

RE (k) 4 4 2

RC (k) 20 20 200

IB (mA) - 0,028 0,476 - 0,795

IE (mA) 2,62 -0,12 - 0,755

IC (mA) 2,598 0,596 1,5505

Contoh perhitungan : CE daerah mati Daya pada masing-masing kaki transistor dapat dihitung sebagai berikut: PB PE PC = IB 2 RB = (- 0,028.10-3)2 x 200.103 = 0,1568.10-3 W = IE 2 RE = (2,62.10-3)2 x 4.103 = IC 2 RC = 27,4576.10-3 W

= (2,598 .10-3)2 x 2.103 = 13,49.10-3 W Hasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor rangkaian CE adalah sebagai berikut:

Tabel 4.10 Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CE

Daerah Kerja Mati Hidup Jenuh

PB (Watt) 0,1568.10-3 2,26.10-3 2,97.10-3

PE (Watt) 27,4576.10-3 0,05.10-3 1,14.10-3

PC (Watt) 13,49.10-3 50,47.10-3 480.10-2

6.2.2

Konfigurasi Common Collector Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CC ini didapat

parameter-parameter sebagai berikut :

Tabel 4.11 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CC

Daerah Kerja Transitor Mati Hidup Jenuh

RB (k) 2 1,5 86

RE (k) 0,386 0,228 1,2

RC (k) 14,8 2 20

IB (mA) -9,58 - 1.334 0,22

IE (mA) 10,12 0,019 0,461

IC (mA) - 0,54 1,315 -0.681

Contoh perhitungan : CC daerah mati Daya pada masing-masing kaki transistor dapat dihitung sebagai berikut: PB PE PC = IB 2 RB = (-9,58.10-3)2 x 2. 103 = IE 2 RE = (10,12.10-3)2 x 0,386.103 = IC 2 RC = (- 0,54.10-3)2 x 14,8. 103 rangkaian CC adalah sebagai berikut: = 183,55.10-3 W = 29,53.10-3 W = 4,31.10-3 W

Hasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor

Tabel 4.12Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CC

Daerah Kerja Mati Hidup Jenuh

PB (Watt) 183,55.10-3 2,65.10-3 4,16.10-3

PE (Watt) 29,53.10-3 8,2.10-8 0,255.10-3

PC (Watt) 4,31.10-3 3,45.10-3 9,27.10-3

6.2.3

Konfigurasi Common Base Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CB ini didapat

parameter-parameter sebagai berikut :

Tabel 4.13 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CB

Daerah Kerja Transitor Mati Hidup Jenuh

RB (k) 20 10 10

RE (k) 2 1,8 20

RC (k) 0,047 20 47

IB (mA) -0,144 -0,42 - 0,53

IE (mA) 1,86 0,91 0,76

IC (mA) -1,716 - 1,33 - 1,82

Contoh perhitungan : CB daerah mati Daya pada masing-masing kaki transistor dapat dihitung sebagai berikut: PB PE PC = IB 2 RB = (-0,144.10-3)2 x 20.103 = IE 2 RE = (1,86.10-3)2 x 2.103 = IC 2 RC = (-1,716.10-3)2 x 47.10-3 rangkaian CB adalah sebagai berikut: = 1,38.10-3 W = 6,91.10-3 W = 0,414.10-3 W

Hasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor

Tabel 4.14 Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CB

Daerah Kerja Mati Hidup Jenuh

PB (Watt) 0,414.10-3 1,764.10-3 2,809.10-3

PE (Watt) 6,91.10-3 1,49.10-3 11,552.10-3

PC (Watt) 1,38.10-3 26,6.10-3 155,68.10-3

4.7 KESIMPULAN 1. Transistor adalah komponen aktif tiga terminal: Basis (B), Colektor (C) dan Emitor (E), dibuat dari dua buah bahan semikonduktor dengan dua tipe berbeda (semi konduktor tipe n dan semi konduktor tipe p) yang disusun demikian sehingga tipe n mengapit tipe p atau sebaliknya 2. 3. Transistor memiliki 3 rangkaian prasikap yaitu emiter sekutu, kolektor Tiap rangkaian prasikap transistor memiliki 4 daerah kerja yaitu sekutu dan basis sekutu. daerah mati, daerah aktif, daerah jenuh dan daerah inactive, tetapi dalam

praktikum ini hanya dibahas 3 daerah saja yang ditentukan oleh kombinasi hambatan yang akan memberikan prasikap pada sambungan emiter dan sambungan kolektor. 4. Arus pada kolektor akan lebih besar dari arus basis hal ini dikarenakan adanya penguatan . Hal ini akan berakibat daya pada kaki kolektor lebih besar daripada kaki basis. 5. Arus pada emiter memiliki nilai yang hampir sama dengan nilai arus kolektor, hal ini dikarenakan arus emiter merupakan penjumlahan dari arus basis yang relatif kecil dengan arus kolektor yang jauh lebih besar 6. Transistor dapat digunakan sebagai saklar jika dipekerjakan pada daerah mati dan jenuh.