LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

07

KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON BASE

NAMA PRAKTIKAN : AKSAN DWI FEBRIAN

NAMA REKAN KERJA : 1. ABIL ASHARI

2. CHIKA QIZHAYA PUTRI PERMADI

KELAS/KELOMPOK : TT-2C / 02

TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM : 16 Mei 2023

TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 6 Juni 2023

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

6 Juni 2023
 DAFTAR ISI

DAFTAR ISI ......................................................................................................................... 1

BAB 1 PENDAHULUAN ..................................................................................................... 2

1.1. TUJUAN ................................................................................................................. 2

1.2. DASAR TEORI ...................................................................................................... 2

A. Transistor ................................................................................................................ 2

B. Konfigurasi Common Base ..................................................................................... 3

BAB II PROSEDUR PRAKTIKUM ..................................................................................... 7

2.1. PERALATAN DAN ALAT YANG DIPERGUNAKAN ............................................ 7

2.2. LANGKAH PERCOBAAN........................................................................................ 8

A.Karakteristik Input .................................................................................................. 8

B.Karakteristik Output ................................................................................................ 9

BAB III HASIL DAN PEMBAHASAN ............................................................................. 10

3.1 DATA HASIL PERCOBAAN.................................................................................... 10

3.2 ANALISA DAN PEMBAHASAN ............................................................................ 11

3.3 PERTANYAAN ......................................................................................................... 12

BAB IV PENUTUP ............................................................................................................. 16

4.1 KESIMPULAN .......................................................................................................... 16

DAFTAR PUSTAKA .......................................................................................................... 17

LAMPIRAN ........................................................................................................................ 18

1
 BAB 1 PENDAHULUAN

1.1. TUJUAN

1. Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi common basis.

2. Mempelajari karakteristik output transistor dalam konfigurasi common basis.
3. Mempelajari ciri-ciri harga dari resistansi input, resistansi output, dan penguat arus
transistor dalam konfigurasi common basis.

1.2. DASAR TEORI

A. Transistor

Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat.

Untuk bekerja sebagai penguat, transistor harus berada dalam kondisi
aktif. Kondisi aktif dihasilkan dengan memberikan bias pada transistor.
Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus yang konstan pada basis
atau pada kolektor. Untuk kemudahan, dalam praktikum ini akan
digunakan sumber arus konstan untuk “memaksa” arus kolektor agar
transistor berada pada kondisi aktif. Jika pada kondisi aktif transistor
diberikan sinyal (input) yang kecil, maka akan dihasilkan sinyal keluaran
(output) yang lebih besar. Hasil bagi antara sinyal output dengan sinyal
input inilah yang disebut faktor penguatan, yang sering diberi notasi A
atau C. Transistor terdiri atas tiga lapisan semikonduktor yaitu 2 buah
semikonduktor tipe-p dan seluruh lapisan semikonduktor tipe-n atau
sebaliknya. Jenis pertama dikenal sebagai transistor tipe pnp, dan yang
kedua dikenal dengan transistor tipe npn. Ketiga terminal yang terhubung
ke semikonduktor tadi dikenal dengan kolektor (C), basis (B), emitter (E).

2
 Gambar 1.1 Tipe Transistor (a) pnp (b) npn
Ada 3 macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu :
Common-Emitter (CE), Common-Base (CB), dan Common-Collector
(CC). Namun yang akan dibahas kali ini adalah konfigurasi Common
Base.

B. Konfigurasi Common Base

Pada Konfigurasi common Base, basis dari transistor terhubung dengan

ground dari input dan output. Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis
npn. Umumnya, pada transistor npn, input berada pada emitter, sedangkan
outputnya pada kolektor. Unutk lebih jelasnya dapat dilihat pada gambar berikut :

Gambar 1.2 Konfigurasi common Base (a) Transistor pnp (b) Transistor npn
3
 Arus basis IB dibuat kecil dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus
basis ini terjadi oleh karena rekombinasi antara lubang dan elektron bebas yang ada
di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan
elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan mengalir
ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.
Tampak bahwa arus kolektor : IC = IE - IB. Arus basis ini sebanding dengan arus
emitor, yaitu IC = αIE. Parameter α disebut penguat arus untuk basis ditanahkan,
oleh karena pada rangkaian di atas basis dihubungkan dengan tanah. Parameter α
mempunyai nilai hampir sama dengan satu, yaitu : α = 0,990 - 0,998

Karakteristik input yang menggambarkan hubungan antara arus input (IE)

dengan tegangan input (VBE) untuk tegangan output (VCB) yang bervariasi dapat
digambarkan sebagai berikut.

Gambar 1.3 Karakteristik Input Amplifier dengan konfigurasi CB

Sementara karakteristik output yang menjelaskan hubungan antara

arus output dengan tegangan output (VCB) terhadap arus input (IE) yang
bervariasi. Bagian output memiliki tiga daerah yang dikenal sebagai daerah
kerja, yaitu daerah aktif, saturasi dan cut off. Berikut penggambarannya.

4
 Gambar 1.4 Karakteristik Input Amplifier dengan konfigurasi CB

a. Daerah Active (Active Region)

Di dalam daerah ini, junction kolektor mendapat bias mundur

dan junction emitor mendapat bias maju. Misalkan arus emitor
bernilai nol. Dalam keadaan ini, arus kolektor kecil dan sama dengan
arus saturasi balik Ico (microampere untuk germanium dan
nanoampere untuk silicon) dan junction ini berlaku untuk diode. Di
dalam daerah aktif (active region), arus kolektor independen
terhadap tegangan kolektor dan hanya tergantung pada arus emitor.
Namun demikian, karena efek Early, terdapat pengaruh IVcal berupa
kenaikan Ic walaupun hanya 0.5 persen. Karena u lebih kecil dari
satu (tetapi mendekati satu), arus kolektor sedikit lebih kecil dari
arus emitor.

b. Daerah Saturasi (Saturation Region)

Daerah dimana junction emitor maupun kolektor mendapat

bias maju (forward biased) dinamakan daerah saturasi. Daerah ini
terdapat di bagian kiri ordinat, dinamakan VCR 0 dan diatas

5
 karakteristik IF = 0. Disini dapat dikatakan terjadi = proses
"bottoming" karena tegangan akan merosot drastic hingga mendekati
dasar, pada saat Ven≈0. Sebenarnya Ven bernilai positif (untuk pnp,
walau nilainya kecil). dan bias maju pada kolektor ini menimbulkan
perubahan arus kolektor yang besar melalui perubahan tegangan
kolektor yang kecil. Dalam keadaan terbias maju. Ie naik secara
eksponensial terhadap tegangan mengikuti hubungan diode.

c. Daerah Cutoff (Cutoff Region)

Karakteristik untuk kondisi dimana IF = 0 melewati titik

origin, namun dalam hal lain sama seperti karakteristik-karakteristik
lain. Karakteristik ini sebenarnya tidak berhimpitan dengan sumbu
tegangan, namun hal ini sulit untuk diperlihatkan mengingat Ico
bernilai hanya beberapa nano- atau microampere. Daerah di bawah
IE=0. dimana junction emitor dan kolektor sama-sama terbias
mundur dinamakan cut off region.

Agar bekerja pada daerah aktif, kolektor-basis dibias reverse, sedang basis-emiter
dibias forward. Pada daerah cutoff, kolektor-basis dan basis emiter dibias reverse,
sementara pada daerah saturasi junction tadi dibias forward.

6
 BAB II PROSEDUR PRAKTIKUM

2.1. PERALATAN DAN ALAT YANG DIPERGUNAKAN

No Alat-alat dan komponen Jumlah

1 Power Supply DC 2

2 Multimeter Analog 1

3 Multimeter Digital 1

4 Transistor NPN BC 107 1

5 Resistor 1KΩ 2

6 Protoboard 1

7 Kabel-kabel penghubung Secukupnya

7
2.2. LANGKAH PERCOBAAN

A. Karakteristik Input

Gambar 2.1 Rangkaian Transistor Common Base

1. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 1.

2. Mengatur VCC sehingga VCB = 0V. kemadian atur pula VEE = 0V. lalu
mengukur IE dan VEB, hasilnnya dicatat pada Tabel 1.
3. Mengubah VCC sehingga VCB = 2 V. kemudian mengukur ulang IE dan
VEB.
4. Mengulangi pengukuran tersebut untuk harga VCB dan VEE yang lain

8
B. Karakteristik Output

Gambar 2.2 Rangkaian Transistor Common Base

1. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 2.

2. Mengatur VCC sehingga VCB = 0V. kemadian atur pula VEE = 0V. lalu
mengukur IE dan VEB, hasilnnya dicatat pada Tabel 2.
3. Mengubah VCC sehingga VCB = 2 V. kemudian mengukur VEE sehingga
IE = 0. Ukur IC.
4. Mengulangi pengukuran tersebut untuk harga VCB dan IEE yang lain

9
 BAB III HASIL DAN PEMBAHASAN

3.1 DATA HASIL PERCOBAAN

• Tabel 1 Karakteristik Input Common Base

VCB = 0 Volt VCB = 2 Volt VCB = 4 Volt VCB = 6 Volt VCB = 8 Volt
VEE
IE VEB IE VEB IE VEB IE VEB IE VEB
(Volt)
(mA) (Volt) (mA) (Volt) (mA) (Volt) (mA) (Volt) (mA) (Volt)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

-2 1,1189 -0,699 1,239 -0,645 1,194 -0,642 1,284 -0,635 1,205 -0,638

-4 2,956 -0,753 3,039 -0,670 2,946 -0,667 3,148 -0,659 3,014 -0,66

-6 4,796 -0,775 4,765 -0,737 4,904 -0,682 4,958 -0,674 4,894 -0,672

-8 6,914 -0,790 6,906 -0,769 6,931 -0,740 7,124 -0,686 7,121 -0,682

• Tabel 2 Karakteristik Output Common Base

VCB = 0 Volt VCB = 2 Volt VCB = 4 Volt VCB = 6 Volt VCB = 8 Volt

IE IC IE IC IE IC IE IC IE IC
(mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

1 0,6498 1 1,4391 1 1,4414 1 1,4432 1 1,4446

2 0,6774 2 2,2233 2 2,2252 2 2,2265 2 2,2271

3 0,6969 3 2,5658 3 3,2805 3 3,2831 3 3,2863

4 0,7120 4 2,6596 4 4,3383 4 4,3735 4 4,3799

10
3.2 ANALISA DAN PEMBAHASAN

Percobaan kali ini masih berhubungan dengan Transistor namun berbeda dengan
percobaan yang lalu yang hanya meindentifikasi transistor. Kali ini dilakukan percobaan
mengenai karakteristik transistor common basis. Setelah melakukan percobaan kami dapat
menganalisa bahwa input pada common base transistor ada pada emitor dan outputnya ada
pada collector, common base transistor akan bekerja apabila kaki pada basis disambungkan ke
ground lalu kaki pada input emitor harus dibias maju dan output pada collector harus dibias
mundur.

Pada percobaan pertama kami mempraktikan input common base transistor, pada saat
VEE = 0 volt maka transistor masih dalam keadaan Off karena tidak ada arus dan tegangan
yang mengalir. Transistor akan menjadi On jika diberi tegangan lebih dari 0. Selain itu VEB
akan memiliki nilai tegangan jika VEE lebih besar dari 0 Volt. Karena tegangan Emitor-Basis
(VEB) besarnya sama dengan tegangan dioda yang akan aktif atau on jika tegangannya 0,5-
0,7/0,8 Volt. Sehingga harus diberi tegangan input yang memenuhi agar VEB dapat bekerja
atau aktif. Dari data hasil percobaan, untuk nilai tegangan Colector-Basis (VCB) tetap dan
tegangan input VEE bertambah, arus pada emitor (IE) terus meningkat dan tegangan VEB
semakin meningkat juga dari 0,6 Volt sampai batas maksimum 0,7/0,8 Volt dimana dioda aktif
atau on. Sementara untuk nilai tegangan input VEE yang sama dan tegangan VCB meningkat,
tidak berpengaruh pada nilai IE dan VBE. Hal ini dapat diabaikan.

Pada percobaan kedua kami dapat menganalisa dari data hasil output yang kami
dapatkan bahwa pada saat Ie tidak diberi arus maka Ic tidak dialiri arus walaupun Vcb nya
sudah dinaikan tegangannya. Hubungan antara Vcb dengan Ie adalah, semakin Vcbnya
dinaikan maka semakin hasil output Ic mendekati Ie yang diinginkan, hal tersebut di buktikan
dengan melakukan percobaan yang sama sebanyak 5 kali dengan tegangan Vcb dan Arus Ie
yang berbeda dan menghasilkan analisa seperti yang sudah dijelaskan diatas.

11
3.3 PERTANYAAN

1. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik input transistor konfigurasi

common basis dari data tabel 1

2. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik output transistor konfigurasi

common basis dari data tabel 2

3. Hitunglah harga resistansi input dari data pada tabel 1

4. Hitunglah harga resistansi output dan penguatan arus dari data tabel 2

JAWAB

1.

12
2.

3. Nilai resistansi Input

R saat VCB = R saat VCB R saat VCB = R saat VCB = R saat VCB =
VEE
0V = 2V 4V 6V 8V

0 0 0 0 0 0
0𝐴 0𝐴 0𝐴 0𝐴 0𝐴
=∞Ω =∞Ω =∞Ω =∞Ω =∞Ω

-2 -0,699𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,645𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,642𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,635𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,638𝑉𝑜𝑙𝑡

0,0011189𝐴 0,001239𝐴 0,001194𝐴 0,001284𝐴 0,001205𝐴
= -624,7 Ω = -520,58 Ω = -537,6 Ω = -494,54 Ω = -529,46 Ω

-4 -0,753𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,670𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,667𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,659𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,66𝑉𝑜𝑙𝑡

0,002956𝐴 0,003039𝐴 0,002946𝐴 0,003148𝐴 0,003014𝐴
= 254,73 Ω = 220,46 Ω = 226,40 Ω = 209,33 Ω = 218,97 Ω

13
-6 -0,775𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,737𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,682𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,674𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,672𝑉𝑜𝑙𝑡
0,004796𝐴 0,004765𝐴 0,004904𝐴 0,004958𝐴 0,004894𝐴
= 161,59 Ω = 154,66 Ω = 139,07 Ω = 135,94 Ω = 137,31 Ω

-8 -0,790𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,769𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,740𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,686𝑉𝑜𝑙𝑡 -0,682𝑉𝑜𝑙𝑡

0,006914𝐴 0,006906𝐴 0,006931𝐴 0,007124𝐴 0,007121𝐴
= 114,26 Ω = 111,3 Ω = 106,76 Ω = 104,69 Ω = 103,50 Ω

4. Nilai resistansi output

R saat VCB R saat VCB R saat VCB R saat VCB R saat VCB
IE = 0V
= 2V = 4V = 6V = 8V
0 𝑉𝑜𝑙𝑡 2 𝑉𝑜𝑙𝑡 4 𝑉𝑜𝑙𝑡 6 𝑉𝑜𝑙𝑡 8 𝑉𝑜𝑙𝑡
0𝐴 0𝐴 0𝐴 0𝐴 0𝐴
0
= ∞Ω =∞Ω =∞Ω = ∞Ω =∞Ω

0 𝑉𝑜𝑙𝑡 2 𝑉𝑜𝑙𝑡 4 𝑉𝑜𝑙𝑡 6 𝑉𝑜𝑙𝑡 8 𝑉𝑜𝑙𝑡

0,006498𝐴 0,0014391 𝐴 0,0014414 𝐴 0,0014432 0,0014446 𝐴
1 𝐴
=0Ω = 1,5 KΩ = 2,9KΩ = 5,8 KΩ
= 4,5KΩ
0 𝑉𝑜𝑙𝑡 2 𝑉𝑜𝑙𝑡 4 𝑉𝑜𝑙𝑡 6 𝑉𝑜𝑙𝑡 8 𝑉𝑜𝑙𝑡
0,006774 𝐴 0,0022233 𝐴 0,0022252 0,0022265 0,0022271
2 𝐴 𝐴 𝐴
=0Ω = 783,71 Ω
= 1,2 KΩ = 1,8 KΩ = 2,4 KΩ
0 𝑉𝑜𝑙𝑡 2 𝑉𝑜𝑙𝑡 4 𝑉𝑜𝑙𝑡 6 𝑉𝑜𝑙𝑡 8 𝑉𝑜𝑙𝑡
0,0006969 0,0025658 𝐴 0,0032805 0,0032831 0,00542 𝐴
3 𝐴 𝐴 𝐴
= 769,69 Ω = 1,6 KΩ
=0Ω = 898,72 Ω = 1,3 KΩ
0 𝑉𝑜𝑙𝑡 2 𝑉𝑜𝑙𝑡 4 𝑉𝑜𝑙𝑡 6 𝑉𝑜𝑙𝑡 8 𝑉𝑜𝑙𝑡
0,0007120 0,0026596 𝐴 0,0043383 𝐴 0,0043735 𝐴 0,0043799 𝐴
4 𝐴
= 769,28 Ω = 878,95 Ω = 937,96 Ω = 1,1 KΩ
=0Ω

14
Gain arus output

Ai saat Ai saat Ai saat Ai saat Ai saat

IE
VCB = 0V VCB = 2V VCB = 4V VCB = 6V VCB = 8V

0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴
=∞ =∞ =∞ =∞ =∞
0 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴

0,643 𝑚𝐴 1,3979 𝑚𝐴 1,3976 𝑚𝐴 1,3928 𝑚𝐴 1,4024 𝑚𝐴

1 𝑚𝐴 1 𝑚𝐴 1 𝑚𝐴 1 𝑚𝐴 1 𝑚𝐴
1
= 0,64 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,39 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,39 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,39 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,40 𝑘𝑎𝑙𝑖

0,6881 𝑚𝐴 2,5602 𝑚𝐴 3,3980 𝑚𝐴 3,4046 𝑚𝐴 3,4030 𝑚𝐴

2 𝑚𝐴 2 𝑚𝐴 2 𝑚𝐴 2 𝑚𝐴 2 𝑚𝐴
2
= 0,34 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,28 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,69 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,70 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,70 𝑘𝑎𝑙𝑖

0,7064 𝑚𝐴 2,6017 𝑚𝐴 4,4759 𝑚𝐴 5,4182 𝑚𝐴 5,4210 𝑚𝐴

3 3 𝑚𝐴 3 𝑚𝐴 3 𝑚𝐴 3 𝑚𝐴 3 𝑚𝐴
= 0,23 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 0,86 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,49 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,80 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,80 𝑘𝑎𝑙𝑖
0,7177 𝑚𝐴 2,6184 𝑚𝐴 4,5154 𝑚𝐴 6,3934 𝑚𝐴 7,441 𝑚𝐴

4 4 𝑚𝐴 4 𝑚𝐴 4 𝑚𝐴 4 𝑚𝐴 4 𝑚𝐴
= 0,17 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 0,65 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,12 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,59 𝑘𝑎𝑙𝑖 = 1,86 𝑘𝑎𝑙𝑖

15
 BAB IV PENUTUP

4.1 KESIMPULAN

• Pengertian transistor common basis adalah penggunaan kaki basis secara bersama-
sama baik input maupun output dengan cara meng-ground-kan kaki basis.
• Konfigurasi common basis menyebabkan penguatan tegangan antara sinyal input
dengan sinyal output dan tidak adanya penguatan arus pada output.
• Pada konfigurasi common base, kaki emitor transistor digunakan sebagai input
sedangkan kaki kolektor transistor digunakan sebagai output.
• Kurva karakteristik common base menunjukkan bahwa peningkatan tegangan pada
kolektor akan menimbulkan peningkatan arus emitor sementara tegangan emitor-basis
tidak berubah.

16
 DAFTAR PUSTAKA

Benny Nixon. 2008. Laboratorium Elektronika. Politeknik Negeri Jakarta.

Physics and Radio-Elekctronics. __.Bipolar Junction Transistor.

https://www.physics-and-radio-electronics.com/electronic-devices-and-
circuit/transistor/bipolarjunctiontransistor/commonbaseconfiguration.html

(diakses 30 Mei 2023 )

17
LAMPIRAN

18
19