PRAKTIKUM RANGKAIAN LISTRIK/

DASAR ELEKTRONIKA

LAPORAN
TRANSISTOR BIOLAR

Disusun Oleh :
1. Adnan Abdul Basit_1723019
2. Dwiky Prasetyo_1723023
3. Sigit Dwi Yulianto_1723021

TEKNIK ELEKTRO D-3

SEKOLAH TINGGI TEKNOLOGI MANDALA

BANDUNG

2019
 DAFTAR ISI

DAFTAR ISI......................................................................................................................................2

TRANSISTOR BIPOLAR.....................................................................................................................3
1. Pengertian..............................................................................................................................3
2. Jenis Bipolar Junction Transistor.............................................................................................4
3. Prinsip Kerja Bipolar Junction Transistor.................................................................................5
4. Cara kerja Transistor Bipolar...................................................................................................7
A. Karakteristik Transistor (BJT)..............................................................................................8
5. Struktur Bipolar Junction Transistor.....................................................................................12
6. HASIL PERCOBAAN................................................................................................................17

2
 TRANSISTOR BIPOLAR

1. Pengertian

Transistor Bipolar adalah komponen semikonduktor yang terdiri dari 3 lapis P-

N junction. Transistor bipolar merupakan pengembangan dari dioda. Jika dioda tersusun
dari gabungan P-N junction saja, maka transistor bipolar dibedakan menjadi dua jenis
didasarkan atas urutan material  yang menyusun-nya yaitu jenis transistor PNP dan
transistor NPN.

Penjelasan mengenai Pengertian transistor seperti yang diterangkan diatas merupakan

pengertian transistor BJT (bipolar junction transistor) yaitu transistor yang memiliki
tiga kaki yaitu Kolektor, Basis, dan emitor. Mengenai transistor jenis lain akan sedikit
disinggung nanti.

Dalam mengoperasikan transistor Bipolar kita perlu memberikan tegangan kerja pada
transistor. Untuk transistor jenis PNP maupun NPN adalah sama, yaitu dengan
memberikan  tegangan maju (forward bias) pada kaki basis-emittor (BE = base-emitter)
dan tegangan balik (reverse bias) pada kaki basis-kolektor (BC = base-collector).

3
Bipolar Junction Transistor (BJT)

Bipolar Junction Transistor (BJT) atau Transistor persambungan bipolar merupakan

transistor yang tersusun atas tiga terminal semikonduktor terdoping yang dipisahkan oleh
dua sambungan pn. 3 terminal tersebut adalah Base (B), Collector (C), dan
Emitter (E). Daerah base merupakan semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat
tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak) maupun kolektor
(semikonduktor berdoping sedang). Fungsi utama pembuatan transistor BJT adalah
sebagai penguat (amplifier). Karena sifatnya, transistor ini juga dapat digunakan dalam
keperluan lain, seperti sebagai saklar elektronis.

2. Jenis Bipolar Junction Transistor

BJT terbagi atas 2 jenis yaitu NPN dan PNP. Apabila daerah P berada pada himpitan
antara dua daerah N maka disebut transistor NPN, dan jika daerah N berada pada
himpitan antara dua daerah P maka disebut transistor PNP. Sambungan pn yang
menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-
emitter junction), sedangkan sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan
kolektor dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-collector junction). 

Pada gambar berikut merupakan struktur dan symbol dari transistor persambungan

bipolar tipe PNP dan NPN. Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan hole
sebagai muatan pembawa (carriers) didalam struktur transistor.

Gambar struktur dan symbol BJT

4
 3. Prinsip Kerja Bipolar Junction Transistor

Gambar dibawah menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp dalam mode
operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian, sambungan base-emiter
(BE) dibias maju (forward-biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias
mundur (reverse-biased).

Forward-Reverse Bias pada BJT NPN dan PNP

Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada transistor npn. Ketika
base dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan
negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi
tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk melewati
daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan mengalami
rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device dibawa oleh
hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah tipe-n ). Karena derajat
doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar daripada base (daerah tipe p), arus maju
akan dibawa lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu
melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil
sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena daerah base
berdoping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya tetapi
berdifusi ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu negatif dan kolektor dicatu
positif (reverse bias), maka depletion BC akan melebar. Pada daerah depletion BC,
elektron yang mengalir dari emiter ke base akan terpampat pada daerah depletion BC.
Karena pada daerah kolektor terdapat muatan minoritas (ion positif) maka pada daerah

5
sambungan BC akan terbentuk medan listrik oleh gaya tarik menarik antara ion positif
dan ion negatif sehingga elektron tertarik kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan
mengalir melalui device.

Pergerakan muatan pada transistor 

Selain itu, ada juga Prinsip Transistor sebagai Penguat (amplifier), artinya transistor
bekerja pada wilayah antara titik jenuh dan kondisi terbuka (cut off), tetapi tidak pada
kondisi keduanya.
Prinsip Transistor sebagai penghubung (saklar) yaitu, transistor akan mengalami Cutoff
apabila arus yang melalaui basis sangat kecil sekali sehinga kolektor dan emitor akan
seperti kawat yang terbuka, dan Transistor akan mengalami jenuh apabila arus yang
melalui basis terlalu besar sehingga antara kolektor dan emitor bagaikan kawat terhubung
dengan begitu tegangan antara kolektor dan emitor Vce adalah 0 Volt dari cara kerja
diataslah kenapa transistor dapat difungsikan sebagai saklar.

6
 4. Cara kerja Transistor Bipolar

Kita dapat dianalogikan dengan prinsip kerja kran air di rumah kita. Air dari bak
penampungan akan keluar ketika tuas kran diputar. Semakin diputar kran, semakin besar
pula arus air yang keluar.

Begitu pula pada prinsip kerja transistor, untuk dapat mengalirkan arus dari kolektor ke
emitter, perlu ada arus masukkan ke kaki basis. Semakin besar arus yang mengalir di
basis, semakin besar pula arus listrik dari kolektor yang mengalir ke emitor.

Pada umumnya, pemakaian komponen transistor pada rangkaian elektronika dibagi

menjadi dua klasifikasi, yaitu :

1. Transistor sebagai saklar (switching transistor)

2. Transistor sebagai penguat (amplifier)

Pengertian transistor sebagai saklar adalah memfungsikan transistor layaknya saklar

dengan mengatur arus basis, seperti prinsip kerja rangkaian sensor cahaya berikut.

Agar transistor dapat bekerja sebagai switch maka daerah kerja transitor adalah daerah
saturasi dan daerah cut off. Saat saturasi, maka transistor dianggap ON pada saklar.
sedangkan jika kondisi transistor cut off, ibarat saklar biasa yang dalam kondisi off atau
open.

Sedangkan pengertian transistor sebagai penguat Anda dapat membacanya di artikel

rangkaian amplifier. Agar dapat beroperasi sebagai rangkaian penguat, transistor perlu
bekerja di daerah bukan cut off dan bukan pula daerah saturasi (jenuh) untuk jenis
penguat sinyal kecil (small signal amplifier).

Tetapi untuk jenis penguat daya besar (power amplifier), transistor didesain bekerja
didaerah cut off dan daerah saturasi.

7
Transistor yang menggunakan pembawa muatan Elektron & Lubang.
Sebaliknya, Transistor Unipolar (Transistor Efek Medan), menggunakan satu
pembawa muatan. Untuk beroperasi, BJT menggunakan dua persimpangan antara dua
tipe semikonduktor, Tipe-N dan Tipe-P.

Dua jenis BJT, NPN dan PNP, Fungsi BJT adalah untuk memperkuat Arus. BJT untuk
digunakan sebagai penguat atau sakelar, memberi penerapan yang luas dalam peralatan
elektronik, termasuk komputer, televisi, telepon seluler, penguat audio, kontrol industri,
dan pemancar radio.

A. Karakteristik Transistor (BJT)

1. Kurva Kolektor 
Karakteristik kolektor yang terlihat dari pengamatan kurva kolektor dibawah ini
merelasikan antara IC , VBE, dan IB sebagai sumber parameter. Dari kurva kolektor
tersebut, tampak disana ada 4 daerah yaitu daerah aktif, daerah saturation (jenuh), daerah
cuf-off (putus), dan daerah breakdown (dadal). 

Kurva kolektor

8
Daerah aktif 
Daerah antara tegangan lutut (knee), VK dan tegangan dadal (breakdown), VBR serta
diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor diberi bias maju dan
sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan
arus basis ( IC = IB). 

Daerah saturation (jenuh) 

Daerah dengan VCE lebih kecil dari tegangan lutut (VK). Daerah saturasi terjadi bila
sambungan emitor dan basis sama-sama diberi bias maju. Pada daerah saturasi, arus
kolektor (IC) tidak tergantung pada arus basis (IB). 
 Nilai VCE (sat) transistor silikon = 0,2 volt
 Nilai VCE (sat) transistor germanium = 0,1 volt

Daerah cut-off (putus) 

Daerah yang terletak di bawah IB = ICO. Daerah cut-off terjadi bila sambungan kolektor
dan emitor sama-sama diberi bias balik. Pada daerah cut-off, IE = 0 ; IC =ICO = IB. 

9
Daerah breakdown (dadal) 
Daerah yang terletak di atas batas tegangan maksimum kolektor-emitor (VCE) suatu
transistor. VCE maksimum pada beberapa jeni transistor adalah berbeda-beda. Pada
kurva kolektor diatas terlihat, daerah breakdown terjadi setelah VCE transistor mencapai
diatas ± 10 volt. Transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena transistor dapat
menjadi rusak. 

Keterangan: 
VK = tegangan lutut (knee) 
IB = Arus basis 
ICO = Arus cut-off 
VCE = Tegangan kolektor-emitor 
VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi 

2. Kurva Basis 
Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis (IB) dan tegangan basis-emitor
(VBE) dengan tegangan kolektor-emitor (VCE) sebagai parameternya. 

Kurva karakteristik basis

Kurva basis diatas dapat terlihat pada alat ukur yang bernama osiloskop dengan cara
menghubung singkatkan kolektor-emitor (VCE = 0) dan emitor diberi bias maju. 

Dengan bertambahnya VCE pada VBE yang konstan (tetap), maka lebar daerah deplesi

10
di sambungan kolektor bertambah dan mengakibatkan lebar basis efektif berkurang.
Dengan berkurangnya lebar basis, maka arus basis (IB) rekombinasi juga berkurang. 

Catatan :
 VK (tegangan lutut) atau tegangan ambang/threshold.
Untuk transistor silikon = 0.5 sampai 0,6 volt
Untuk transistor germanium = 0,1 sampai 0,2 volt
 VBE (tegangan basis-emitor) di daerah aktif.
Untuk transistor silikon = 0.7 volt
Untuk transistor germanium = 0,2 volt
 VBE transistor ideal.
VBE = 0 volt

3. Kurva Beta
Kurva beta menunjukkan bahwa nilai β akan berubah dengan dipengaruhi oleh suhu (T)
dan arus kolektor (IC). Berikut karakteristiknya: 
 Nilai β bertambah jika suhu (T) naik.
 Nilai β bertambah jika arus kolektor (IC) naik.
 Nilai β turun jika arus kolektor (IC) naik di luar nilai tertentu.

Kurva beta (β) pada BJT

11
 5. Struktur Bipolar Junction Transistor

Semikonduktor didoping berbeda:  Emitor (E), Basis (B), Kolektor (C).

Basis secara fisik terletak di antara Emitor dan Kolektor dan terbuat dari bahan ringan,
Resistivitas tinggi. Kolektor mengelilingi wilayah emitor, Hampir tidak mungkin elektron
disuntikkan ke Basis untuk melarikan diri tanpa dikumpulkan.

Membuat nilai yg dihasilkan α sangat dekat dengan kesatuan, dan memberikan

transistor β besar. Penampang BJT menunjukkan bahwa persimpangan Kolektor-Basis
memiliki area jauh lebih besar dari persimpangan Emitor-Base.

Definisi Bipolar Junction Transistor

Perangkat semikonduktor tiga terminal, terdiri dari dua Persimpangan-PN yang mampu

memperkuat atau memperbesar sinyal. Perangkat yang dikontrol. 
Tiga terminal Emitor (E), Basis (B), Kolektor (C).

12
Sinyal Amplitudo kecil jika diterapkan ke Basis dalam bentuk Amplifikasi pada Kolektor
transistor. Adalah Amplifikasi yang diberikan oleh BJT. 
Perhatikan, Transistor membutuhkan catu daya DC untuk proses Amplifikasi.

Transistor adalah perangkat aktif terminal terbuat dari semikonduktor yang berbeda yang
dapat bertindak sebagai Isolator atau Konduktor dengan penerapan tegangan sinyal kecil. 

Kemampuan Transistor, mengubah antara dua keadaan

Memungkinkan memiliki dua fungsi dasar:

  ➤  "Beralih" (Elektronik Digital)

  ➤  "Amplifikasi" (Elektronik Analog)

Operasi Bipolar Junction Transistor

Transistor BIPOLAR memiliki empat daerah operasi berbeda, didefinisikan oleh Bias

BJT Junction.

Maju-Aktif (Forward-Active)
Transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β * Ib
Persimpangan Emitor maju ke depan dan persimpangan Basis-Kolektor terbalik.
Transistor bipolar dirancang untuk menghasilkan gain arus Emitor terbesar, βF, dalam
maju-aktif. Arus Kolektor-Emitor sebanding dengan arus Basis, 

Terbalik-Aktif (Reverse-Active)
Dengan membalik kondisi bias dari daerah maju-maju, transistor bipolar masuk ke mode
Reverse-Aktif. Mode ini, wilayah emitor dan kolektor beralih peran. Dirancang untuk
memaksimalkan penguatan arus dalam mode aktif-maju, βF dalam mode terbalik
beberapa kali lebih kecil untuk transistor Germanium.

13
Mode Transistor ini jarang digunakan, hanya dipertimbangkan untuk kondisi failsafe dan
beberapa tipe logika bipolar. Tegangan bias bias terbalik ke basis mungkin merupakan
urutan besarnya lebih rendah di wilayah ini.

Kejenuhan (Saturation)

Transistor "Sepenuhnya-ON" sebagai switch dan Ic = I

Dengan kedua persimpangan maju-bias, BJT dalam mode saturasi dan memfasilitasi
konduksi arus tinggi dari emitor ke kolektor (atau arah lain dalam kasus NPN, dengan
pembawa bermuatan negatif mengalir dari emitor ke kolektor). Mode ini sesuai dengan
"on" yang logis, atau sakelar yang tertutup.

Memotong (Cut-Off)

Transistor "Fully-OFF" beroperasi sebagai switch dan Ic = 0

Kondisi bias berlawanan dengan kejenuhan (persimpangan reverse bias) hadir. Ada
sangat sedikit arus, sesuai dengan "Off" logis, atau Switch terbuka.

Konfigurasi Bipolar Junction Transistor 

Transistor Bipolar, dasarnya ada tiga cara yang mungkin untuk menghubungkan dalam
sirkuit elektronik dengan satu terminal untuk kedua input dan output. Metode koneksi
merespon terhadap sinyal inputnya dalam rangkaian karena karakteristik statis transistor
bervariasi di setiap rangkaian pengaturan.

Common Base (CB) Configuration

Penguatan Tegangan tetapi tidak ada Penguatan

14
Konfigurasi BASE di-Ground, Untuk sinyal input dan sinyal output. Sinyal input
diterapkan antara Basis transistor dan terminal Emitor, sedangkan sinyal output sesuai
diambil dari antara Basis dan Kolektor. Terminal dasar dibumikan atau dihubungkan ke
beberapa titik Tegangan Referensi Tetap.

Arus input yang mengalir ke Emitor cukup besar karena jumlah dari arus basis dan arus
kolektor, keluaran arus kolektor lebih kecil dari input arus emitor yang menghasilkan
keuntungan arus untuk rangkaian "1". (kesatuan) atau kurang, dengan kata lain
konfigurasi basis umum "Melemahkan" sinyal input.

Common Emitter (CE) Configuration

Penguatan Arus dan Tegangan

Konfigurasi EMITTER di-Ground, sinyal input diterapkan antara basis dan emitor,
sementara output diambil antara kolektor dan emitor seperti yang ditunjukkan. Jenis
konfigurasi rangkaian paling umum digunakan untuk Amplifier berbasis transistor dan
yang mewakili metode "Normal".

Konfigurasi penguat emitor menghasilkan arus dan kekuatan tertinggi dari semua
konfigurasi tiga transistor bipolar. Terutama karena impedansi input LOW karena
terhubung ke PN-Junction bias maju, sedangkan impedansi output TINGGI karena
diambil dari PN-Junction Bias terbalik.

Common Collector (CC) Configuration

Penguatan tetapi tidak ada Penguatan Tegangan

Konfigurasi COLLECTOR di-Ground, Umum melalui suplai. Sinyal input terhubung

langsung ke Basis, sementara output diambil dari beban Emitor. Jenis konfigurasi umum
dikenal Sirkuit Voltage Follower atau Emitter Follower.

15
Pengumpul umum, atau konfigurasi pengikut emitor sangat berguna untuk aplikasi
pencocokan impedansi karena impedansi masukan yang sangat tinggi, di wilayah ratusan
ribu Ohms sementara memiliki impedansi keluaran yang relatif rendah.

Ringkasan Bipolar Junction Transistor

Perilaku konfigurasi Transistor Bipolar rangkaian sangat berbeda dan menghasilkan

karakteristik rangkaian yang berbeda berkaitan dengan impedansi masukan, impedansi
keluaran dan perolehan penguatan tegangan, penguatan arus atau penguatan daya.

Transistor NPN secara lebih rinci ketika digunakan dalam konfigurasi emitor umum
sebagai penguat karena ini adalah konfigurasi yang paling banyak digunakan karena
fleksibilitas dan gain yang tinggi. 

16
 6. HASIL PERCOBAAN

VBB = 6.49 V
VCC = 9.35 V

IB IC VCE

0.35 1.6 mA 166.9mV

0.2 1.73 mA 170.0mV

1.8mA 189.9mV

17