LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA
MODUL III KARAKTERISTIK DAN PARAMETER TRANSISITOR

Kelompok : 6B

Kelas :B

Program Studi : D3 TEKNOLOGI LISTRIK

Tgl Praktikum : 16 Oktober 2020

Tgl Presentasi : 30 Oktober 2020

Nama Asisten : Amanah Yumnah Rahma

LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

INSTITUT TEKONOLGI PLN
JAKARTA
2020
 Kelompok 6B

MODUL III

KARAKTERISTIK DAN PARAMETER TRANSISITOR

I. TUJUAN
a) Mempelajari karakteristik dasar transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus 𝐼" = 𝑓 (𝑉"' ), 𝐼)
tetap dan karakteristik penguatan arus 𝐼" = 𝑓 (𝐼) ), 𝑉"' tetap.
b) Mempelajari kejenuhan suatu transistor.

II. ALAT DAN PERLENGKAPAN

1) 1 Unit PC.
2) Software NI Multisim

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

III. TEORI MODUL

Efek dioda dapat menjadi sangat berguna bagi sejumlah penerapan, tetapi kita dapat berbuat lebih
banyak bila kita mempunyai sepasang hubungan PN yang saling bertolak belakang. Komponen dengan
konstruksi sedemikian ini disebut dengan transistor dwi kutub (bipolar transistor) atau biasa disebut
transistor saja. Kata transistor sendiri berasal dari kata transfer resistor. Ada dua kemungkinan
kombinasi untuk sebuah transistor, yaitu bisa terdiri dari dua buah lempeng bahan jenis N pada sisi
luar dan sebuah lempeng jenis P di sisi dalam Gambar 1. (a) yang disebut dengan transistor NPN.
Atau kebalikannya, dua buah lempeng bahan jenis P di sisi luar dan satu lempeng jenis N di sisi dalam
Gambar 1. (b) disebut dengan transistor PNP. Karena konstruksinya yang bertolak belakang, maka
secara garis besar kedua jenis transistor diatas mempunyai sifat – sifat utama yang juga bertolak
belakang.

Gambar 1. Struktur Transistor (a) NPN (b) PNP

3.1 Cara Kerja Transistor

Transistor – transistor tersebut mempunyai tiga buah kaki keluaran yang disebut dengan
emitor, basis dan kolektor. Untuk selanjutnya kita pusatkan pembahasan pada transistor NPN.
Untuk membuat transistor NPN bekerja, maka kolektor diberi potensial paling positif, emitor
paling negatif dan basis terletak diantaranya. Jadi pemanjaran/pemberian tegangan yang benar
untuk transistor NPN mempunyai hubungan polaritas seperti pada Gambar 2. di bawah ini.

Gambar 2. Pemanjaran Transistor NPN

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

Apabila Gambar 2. kita pisahkan lagi menjadi 2 buah komponen dioda PN. Akan kita
peroleh rangkaian seperti Gambar 3. yang menunjukan arah pemanjaran bagi kolektor, basis dan
emitor.

Gambar 3. Rangkaian Pengganti Transistor NPN

Pada Gambar 3. di atas, jelas bahwa pertemuan emitor – emitor mendapat panjaran arah
maju (forward bias) yang memungkinkan terjadinya aliran arus, sedangkan pertemuan basis –
kolektor mendapat panjaran terbalik (reverse bias) yang menghambat arus. Hal ini berarti bahwa
arus bisa mengalir dari basis ke emitor (dan tidak sebaliknya), serta arus tidak dapat mengalir dari
basis ke kolektor. Hal ini dapat dijelaskan sebagai berikut :
§ Pertemuan emitor – basis yang dipanjar maju. Elektron bebas pada bagian emitor akan dipaksa
oleh terminal tegangan negatif menuju ke basis. Karena material basis sangat tipis, maka ia
tidak mempunyai cukup hole untuk menampung semua elektron yang masuk. Beberapa hole
memang akan ternetralisir oleh elektron – elektron tersebut. Jadi hanya beberapa elektron yang
ditarik keluar ke terminal positif sumber tegangan.
§ Tegangan A mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emitor ke basis, yang berarti
mengatur pula aliran ke terminal positif B. Jadi tanpa adanya potensial positif pada basis (yang
lebih positif terhadap emitor) maka transistor tidak dapat menghantar arus. Seolah – olah
penjaran terhadap basis merupakan celah bagi aliran arus kolektor. Semakin besar arus basis,
maka arus kolektor akan semkain besar secara berlipat.

3.2.1 Karakteristik Dasar Transistor dan Penguat Arus

Perhatikan rangkaian di bawah ini (transistor dinyatakan dengan simbol)

Gambar 4. Rangkaian Dasar Transistor

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

Sesuai rangkaian di atas, persamaan rangkaian listriknya dapat dituliskan sebagai berikut :
𝑽𝑪𝑪 2 𝑽𝑪𝑬
𝑽𝑪𝑪 = 𝑰𝑪 . 𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 atau 𝑰𝑪 =
𝑹𝑪

Keterangan:
𝑽𝑪𝑪 : Tegangan Kolektor (Volt)
𝑰𝑪 : Arus Kolektor (Ampere)
𝑹𝑪 : Resistansi Kolektor (Ω)
𝑽𝑪𝑬 : Tegangan Kolektor-Emitor (Volt)

Dari persamaan di atas dapat dilihat bahwa IC tergantung dari tegangan 𝑽𝑪𝑬 sementara itu 𝑽𝑪𝑬
sendiri tergantung dari arus basis 𝑰𝑩 . Jadi untuk arus basis tertentu bisa didapatkan kurva – kurva
hubungan antara arus 𝑰𝑪 terhadap perubahan 𝑽𝑪𝑬 pada Gambar 5.

Gambar 5. Kurva Karakteristik V-I Transistor

𝑰𝑩 𝟏 < 𝑰𝑩 𝟐 < 𝑰𝑩 𝟑
Secara praktis, penguatan arus suatu transistor bisa dituliskan sesuai persamaan:
𝑰𝑪
𝜷=
𝑰𝑩

Ket :
𝜷 : Penguatan Arus
𝑰𝑪 : Arus Kolektor (Ampere)
𝑰𝑩 : Arus Basis (Ampere)

Hubungan ini berlaku selama transistor dalam kondisi aktif (belum jenuh). Apabila
transistor dalam keadaan jenuh, penambahan 𝑰𝑩 tidak akan sebanding dengan penambahan 𝑰𝑪
atau bahkan pada suatu kondisi tertentu, penambahan 𝑰𝑩 selanjutnya tidak akan menambah
besarnya 𝑰𝑪 . Untuk penguat (amplifier), transistor bekerja pada kondisi aktif (penguat).

3.2.2 Transitor Jenuh

Transistor mempunyai tiga kondisi kerja, yaitu aktif (penguat), jenuh dan cut-off. Ketiga
jenis kondisi tersebut ditentukan oleh ada tidaknya atau besar kecilnya arus basis yang diberikan.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

Pada kondisi jenuh, tegangan perlawanan 𝑽𝑪𝑬 bernilai sangat kecil (berkisar 0 – 2 Volt).
Karena itu transistor bisa digunakan sebagai saklar elektronik. Kondisi jenuh bisa ditandai dengan

perubahan kenaikan arus 𝑰𝑪 yang tidak sebanding lagi dengan penambahan 𝑰𝑩 . Arus basis tepat jenuh

adalah arus 𝑰𝑩 minimum yang diperlukan untuk membuat transistor menjadi jenuh. Penambahan IB

selanjutnya tidak terpengaruh apapun pada panas berlebih pada pertemuan basis – emitor. Namun
disamping itu, untuk perhitungan praktis, pada kondisi tepat jenuh tersebut persamaan penguatan arus
masih dapat digunakan (𝑰𝑪 = 𝜷 . 𝑰𝑩 )

Gambar 6. Transistor Sebagai Saklar

Bila saklar S ditutup, arus 𝑰𝑩 akan mengalir sehingga transistor menghantar dan lampu akan

menyala. Bila S dibuka, maka 𝑰𝑩 = 0, sehingga transistor menyumbat dan lampu menjadi padam. Jadi

dengan arus kemudi yang kecil, kita dapat mengatur arus yang lebih besar.

Tabel 1. Hubungan Junction Transistor.

Junction Emitter- Junction Collector-
Mode Function
Base Base
Normal
Aktif Forward Bias Reverse Bias
Amplifier
Cut-Off Reverse Bias Reverse Bias Open Switch
Saturation Forward Bias Forward Bias Close Switch
Breakdown Reverse Bias Forward Bias Low Gain Amplifier

Keterangan :
• Aktif
Transistor bekerja sebagai penguat dan 𝑰𝑪 = 𝜷 . 𝑰𝑩 Daerah kerja transistor yang normal adalah
pada daerah aktif, yaitu ketika arus 𝑰𝑪 konstan terhadap berapapun nilai 𝑽𝑪𝑬 . Dari kurva ini
diperlihatkan bahwa arus 𝑰𝑪 hanya tergantung dari besar arus 𝑰𝑩 . Daerah kerja ini biasa juga
disebut daerah linier (linear region).
Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika
Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• Saturation
Transistor “full-ON”, 𝑰𝑪 = Saturasi. Daerah saturasi adalah mulai dari 𝑽𝑪𝑬 = 0 Volt sampai kira
– kira 0.7 Volt (transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek PN junction kolektor – basis yang
membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda.

• Cut-Off
Transistor menjadi “full – OFF”, 𝑰𝑪 = 0. Daerah dimana 𝑽𝑪𝑬 masih cukup kecil sehingga arus
𝑰𝑪 = 0 atau 𝑰𝑩 = 0. Transistor dalam kondisi off.

• Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan 𝑽𝑪𝑬 lebih dari 40 V, arus 𝑰𝑪 menanjak naik dengan
cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor
tidak boleh bekerja pada daerah ini karena akan merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis
transistor nilai tegangan 𝑽𝑪𝑬 maksimum yang diperoleh sebelum breakdown bervariasi.
Breakdown tidak masuk dalam daerah kerja transitor karena sudah merupakan kondisi rusak.

3.2.3 Konfigurasi Bipolar Juction Transistor

Karena bipolar transistor merupakan komponen atau piranti yang mempunyai tiga
terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian dengan satu terminal menjadi
input dan output yang sama.

Setiap konfigurasi mempunyai respon yang berbeda untuk setiap sinyal input dalam rangkaian :
• Common Base Configuration – mempunyai “voltage gain” tanpa “current gain”.
• Common Emitter Configuration – mempunyai “current dan voltage gain”.
• Common Collector Configuration – mempunyai “current gain” tanpa “voltage gain”.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

IV. TEORI TAMBAHAN

Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi seperti
sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya. Transistor
merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak ditemukan dalam rangkaian-
rangkaian elektronika. Boleh dikatakan bahwa hampir semua perangkat elektronik menggunakan
Transistor untuk berbagai kebutuhan dalam rangkaiannya. Perangkat-perangkat elektronik yang
dimaksud tersebut seperti Televisi, Komputer, Ponsel, Audio Amplifier, Audio Player, Video
Player, konsol Game, Power Supply dan lain-lainnya. Seiring dengan perkembangannya,
Transistor pada saat ini telah dirancang telah berbagai jenis desain dengan fitur aliran arus dan
pengendali yang unik. Ada jenis Transistor yang berada dalam kondisi OFF hingga terminal Basis
diberikan arus listrik untuk dapat berubah menjadi ON sedangkan ada jenis lain yang berada dalam
kondisi ON hingga harus diberikan arus listrik pada terminal Basis untuk merubahnya menjadi
kondisi OFF. Ada juga Transistor yang membutuhkan arus kecil dan tegangan kecil untuk
mengaktifkannya namun ada yang hanya memerlukan tegangan untuk mengoperasikannya. Ada
lagi Transistor yang memerlukan tegangan positif untuk memicu pengendalinya di terminal Basis
sedangkan ada Transistor yang memerlukan tegangan negatif sebagai pemicunya.
Secara umum, Transistor dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu Transistor
Bipolar dan Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor). Perbedaan yang paling utama
diantara dua pengelompokkan tersebut adalah terletak pada bias Input (atau Output) yang
digunakannya. Transistor Bipolar memerlukan arus (current) untuk mengendalikan terminal
lainnya sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya menggunakan tegangan saja (tidak
memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor Bipolar memerlukan muatan pembawa
(carrier) hole dan electron sedangkan FET hanya memerlukan salah satunya.

1. Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar adalah Transistor yang struktur dan prinsip kerjanya memerlukan perpindahan
muatan pembawanya yaitu electron di kutup negatif untuk mengisi kekurangan electon atau hole
di kutub positif. Bipolar berasal dari kata “bi” yang artinya adalah “dua” dan kata “polar” yang
artinya adalah “kutub”. Transistor Bipolar juga sering disebut juga dengan singkatan BJT yang
kepanjangannya adalah Bipolar Junction Transistor.
Jenis-jenis Transistor Bipolar
Transistor Bipolar terdiri dari dua jenis yaitu Transistor NPN dan Transistor PNP. Tiga Terminal
Transistor ini diantaranya adalah terminal Basis, Kolektor dan Emitor.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• Transistor NPN adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan
positif pada terminal Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari
Kolektor ke Emitor.
• Transistor PNP adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan
negatif pada terminal Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari
Emitor ke Kolektor.

Simbol Transistor Bipolar (BJT) dapat dilihat di gambar atas.

2. Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor)

Transistor Efek Medan atau Field Effect Transistor yang disingkat menjadi FET ini adalah jenis
Transistor yang menggunakan listrik untuk mengendalikan konduktifitasnya. Yang dimaksud
dengan Medan listrik disini adalah Tegangan listrik yang diberikan pada terminal Gate (G) untuk
mengendalikan aliran arus dan tegangan pada terminal Drain (D) ke terminal Source (S).
Transistor Efek Medan (FET) ini sering juga disebut sebagai Transistor Unipolar karena
pengoperasiannya hanya tergantung pada salah satu muatan pembawa saja, apakah muatan
pembawa tersebut merupakan Electron maupun Hole.

Jenis-jenis Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor)

Transistor jenis FET ini terdiri dari tiga jenis yaitu Junction Field Effect Transistor (JFET), Metal
Oxide Semikonductor Field Effect Transistor (MOSFET) dan Uni Junction Transistor (UJT).

• JFET (Junction Field Effect Transistor) adalah Transistor Efek Medanyang menggunakan
persimpangan (junction) p-n bias terbalik sebagai isolator antara Gerbang (Gate) dan Kanalnya.
JFET terdiri dari dua jenis yaitu JFET Kanal P (p-channel) dan JFET Kanal N (n-channel). JFET
terdiri dari tiga kaki terminal yang masing-masing terminal tersebut diberi nama Gate (G), Drain
(D) dan Source (S).
• MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah Transistor Efek
Medan yang menggunakan Isolator (biasanya menggunakan Silicon Dioksida atau SiO2) diantara
Gerbang (Gate) dan Kanalnya. MOSFET ini juga terdiri dua jenis konfigurasi yaitu MOSFET
Depletion dan MOSFET Enhancement yang masing-masing jenis MOSFET ini juga terbagi
menjadi MOSFET Kanal-P (P-channel) dan MOSFET Kanal-N (N-channel). MOSFET terdiri dari
tiga kaki terminal yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
• UJT (Uni Junction Transistor) adalah jenis Transistor yang digolongkan sebagai Field Effect
Transistor (FET) karena pengoperasiannya juga menggunakan medan listrik atau tegangan sebagai
pengendalinya. Berbeda dengan jenis FET lainnya, UJT mememiliki dua terminal Basis (B1 dan
B2) dan 1 terminal Emitor. UJT digunakan khusus sebagai pengendali (switch) dan tidak dapat
dipergunakan sebagai penguat seperti jenis transistor lainnya.

Cara Keja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor yang modern di jaman sekarang, awalnya hanya terdapat 2
tipe dasar transistor yaitu biopolar transistor “BJT atau transistor biopolar” dan FET “Field-
Effect Transistor” yang cara kerjanya berbeda-beda.
• Transistor Biopolar
Dinamakan seperti itu karena kanal konduksi utamanya memakai 2 polaritas pembawa muatan
elekton dan lubang, untuk membawa muatan atau arus listrik. Di dalam BJT, arus listrik utamanya
harus melewati satu daerah atau lapisan pembatas yang dinamakan depletizon dan juga ketebalan
dari lapisan ini bisa diatur dengan kecepatan tinggi dengan maksud untuk mengatur aliran arus
utama tersebut.

• FET “Field-Effect Transistor”

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

Dinamkan juga transistor unipolar yakni hanya memakai satu jenis pembawa muatan “electron
atau hole, tergantung dari tipenya FET” saja. Didalam FET arus listrik utamanya mengalir dalam
satu kenal konduksi sempit dengan depletion zone sisinya. Lalu ketebalan dari daerah perbatasan
ini bisa diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kenal
konduksi tersebut.

Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara
maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan
kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE
terhubung maksimum).

Besarnya tegangan kolektor emitor Vce suatu transistor pada konfigurasi diatas dapat diketahui
sebagaiberikut.

Karena kondisi jenuh Vce = 0V (transistor ideal) maka besarnya arus kolektor (Ic) adalah:

Besarnya arus yang mengalir agar transistor menjadi jenuh (saturasi) adalah:

Sehingga besar arus basis Ib jenuh adalah:

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

Tiga Konfigurasi Transistor

Konfigurasi Common Base (Basis Bersama)

Seperti namanya, yang dimaksud dengan Konfigurasi Common Base (CB) atau Basis Bersama
adalah konfigurasi yang kaki Basis-nya di-ground-kan dan digunakan bersama untuk INPUT
maupun OUTPUT. Pada Konfigurasi Common Base, sinyal INPUT dimasukan ke Emitor dan
sinyal OUTPUT-nya diambil dari Kolektor, sedangkan kaki Basis-nya di-ground-kan. Oleh karena
itu, Common Base juga sering disebut dengan istilah “Grounded Base”.
Konfigurasi Common Base ini menghasilkan Penguatan Tegangan antara sinyal INPUT dan sinyal
OUTPUT namun tidak menghasilkan penguatan pada arus.

Konfigurasi Common Collector (Kolektor Bersama)

Konfigurasi Common Collector (CC) atau Kolektor Bersama memiliki sifat dan fungsi yang
berlawan dengan Common Base (Basis Bersama). Kalau pada Common Base menghasilkan
penguatan Tegangan tanpa memperkuat Arus, maka Common Collector ini memiliki fungsi yang
dapat menghasilkan Penguatan Arus namun tidak menghasilkan penguatan Tegangan.
Pada Konfigurasi Common Collector, Input diumpankan ke Basis Transistor sedangkan Outputnya
diperoleh dari Emitor Transistor sedangkan Kolektor-nya di-ground-kan dan digunakan bersama
untuk INPUT maupun OUTPUT.
Konfigurasi Kolektor bersama (Common Collector) ini sering disebut juga dengan Pengikut
Emitor (Emitter Follower) karena tegangan sinyal Output pada Emitor hampir sama dengan
tegangan Input Basis.

Konfigurasi Common Emitter (Emitor Bersama)

Konfigurasi Common Emitter (CE) atau Emitor Bersama merupakan Konfigurasi Transistor yang
paling sering digunakan, terutama pada penguat yang membutuhkan penguatan Tegangan dan
Arus secara bersamaan. Hal ini dikarenakan Konfigurasi Transistor dengan Common Emitter ini
menghasilkan penguatan Tegangan dan Arus antara sinyal Input dan sinyal Output.
Common Emitter adalah konfigurasi Transistor dimana kaki Emitor Transistor di-ground-kan dan
dipergunakan bersama untuk INPUT dan OUTPUT. Pada Konfigurasi Common Emitter ini, sinyal
INPUT dimasukan ke Basis dan sinyal OUTPUT-nya diperoleh dari kaki Kolektor.
Sumber:
[1] https://teknikelektronika.com/pengertian-transistor-jenis-jenis-transistor/
[2] https://www.dosenpendidikan.co.id/transistor-adalah/
[3] http://carita0.blogspot.com/2016/01/daerah-kerja-transistor.html#.X4fS1-2yRPY
[4] https://teknikelektronika.com/tiga-jenis-konfigurasi-transistor-bipolar/

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

V. LANGKAH PERCOBAAN
5.1 Karakteristik Tegangan-Arus Transistor
1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.

Gambar 7. Percobaan Karakteristik Tegangan-Arus Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 30 V
Minimum Value :5V
Increment : 20%
3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
4. Atur Tegangan Kolektor (𝑽𝑪𝑪 ) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider
ke kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 7. digunakan tombol ‘A’).

5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Tegangan
Kolektor (𝑽𝑪𝑪 ) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

5.2 Karakteristik Penguat Arus Transistor

1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.

Gambar 8. Percobaan Karakteristirk Penguat Arus Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 100 µA
3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
4. Atur Arus Basis (𝑰𝑩 ) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke kanan
atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 8. digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus
Basis (𝑰𝑩 ) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

5.3 Arus Bocor dan Transistor Jenuh

1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.

Gambar 9. Percobaan Arus Bocor dan Transistor Jenuh

2. Atur POTENTIOMETER seperti pada berikut ini.

Resistance : 10 kΩ
Increment : 100%

3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.

4. Saat saklar (S1) pada posisi terbuka dan potensiometer (R2) bernilai 0%, amati nilai arus
dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC dan catat pada Data Pengamatan.
5. Naikkan Resistansi Potensiometer (R2) ke 100% dengan cara menggeser slider ke kanan
atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 9. digunakan tombol ‘A’).
6. Amati Kembali nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC dan catat pada
Data Pengamatan
7. Ubah posisi saklar (S1) menjadi posisi tertutup dengan mengklik saklar atau dengan
menekan Tombol Key (Pada Gambar 60 digunakan tombol ‘Space’).
8. Ulangi Langkah 4 - 6.
9. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

VI. DATA PENGAMATAN

6.1 Karakteristik Tegangan-Arus Transistor

𝑰𝑩 = 100 µA
Tabel 2. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor

𝑽𝑪𝑪 (Volt) 𝑰𝑪 (mA) 𝑽𝑪𝑬 (mV)

5 4.951 48.559

10 9.24 75.802

15 14.9 99.894

20 19.873 126.787

25 24.829 170.71

30 27.918 2082

6.2 Karakteristik Penguat Arus Transistor

𝑽𝑪𝑪 = 15 𝑉𝑜𝑙𝑡
Tabel 3. Karakteristik Penguat Arus Transistor

𝑰𝑩 (µA) 𝑰𝑪 (mA) 𝑽𝑪𝑬 (V)

10 3.277 11.723

20 6.476 8.524

30 9.395 5.605

40 12.049 2.951

50 14.467 0.532825

60 14.848 0.152092

70 14.872 0.128418

80 14.885 0.115475

90 14.893 0.106605

100 14.9 0.099894

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

6.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh

Tabel 4. Arus Bocor dan Transistor Jenuh Kondisi I (Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan aktif)

𝑽𝑺 (Volt 𝑽𝑪𝑪 (volt) 𝑰𝑩 𝑰𝑪 𝑽𝑪𝑬 (Volt) Keterangan

5 15 10.767 uA 3.398 mA 8.193 Saturasi

5 15 −595,064𝑓𝐴 15.099 nA 15 Cut-off

Tabel 5. Arus Bocor dan Transistor Jenuh Kondisi II (Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan tidak aktif)

𝑽𝑺 (Volt 𝑽𝑪𝑪 (volt) 𝑰𝑩 𝑰𝑪 𝑽𝑪𝑬 (Volt) Keterangan

5 15 1.854 mA 14.974 mA 25.532 mV Saturasi

5 15 −595,064𝑓𝐴 15.099 nA 15 Cut-off

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

VII. RANGKAIAN PERCOBAAN

7.1 Percobaan I Karakteristik Tegangan-Arus Transistor

• 𝑽𝑪𝑪 = 𝟓 Volt

• 𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟎 Volt

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• 𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟓 Volt

• 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎 Volt

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟓 Volt

• 𝑽𝑪𝑪 = 𝟑𝟎 Volt

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

7.2 Karakteristik Penguat Arus Transistor

• 𝑰𝑩 = 10 µA

• 𝑰𝑩 = 20 µA

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• 𝑰𝑩 = 30 µA

• 𝑰𝑩 = 40 µA

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• 𝑰𝑩 = 50 µA

• 𝑰𝑩 = 60 µA

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• 𝑰𝑩 = 70 µA

• 𝑰𝑩 = 80 µA

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

• 𝑰𝑩 = 90 µA

• 𝑰𝑩 = 100 µA

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

7.3 Arus Bocor dan Transistor Jenuh

Kondisi I (Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan aktif)
• 𝑹𝟐 = 0%

• 𝑹𝟐 = 100%

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

Kondisi II (Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan tidak aktif)

• 𝑹𝟐 = 0%

• 𝑹𝟐 = 100%

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

VIII. TUGAS AKHIR

1. Dari Percobaan 5.1 buatlah kurva Tegangan-Arus dari transistor BC 107 BP!
Jawab:

2. Dari Percobaan 5.2 buatlah kurva 𝑰𝑪 = 𝒇(𝑰𝑩 ) dari transistor BC 107 BP!
Jawab:

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

3. Dari Percobaan 5.2 hitung penguatan arus minimum dan maksimum dari transistor BC 107
BP!
Jawab:
• 𝑰𝑩 = 10 µA
𝜷 =
𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕
• 𝑰𝑩 = 60 µA
𝑰𝑩 𝒊𝒏 𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕
𝟑.𝟐𝟕𝟕 × 𝟏𝟎T𝟑 𝑨 𝜷 =
𝑰𝑩 𝒊𝒏
=
𝟏𝟏.𝟕𝟐𝟑 𝑽 𝟏𝟒,𝟖𝟒𝟖 × 𝟏𝟎T𝟐 𝑨
= 𝟐. 𝟕𝟗𝟓𝟑 × 𝟏𝟎2𝟒 =
𝟎.𝟏𝟓𝟐𝟎𝟗𝟐 𝑽
= 𝟗. 𝟕𝟔𝟐𝟓 × 𝟏𝟎2𝟑
• 𝑰𝑩 = 20 µA
𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕 • 𝑰𝑩 = 70 µA
𝜷 = 𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕
𝑰𝑩 𝒊𝒏 𝜷 =
𝟔.𝟒𝟕𝟔 × 𝟏𝟎T𝟑 𝑨 𝑰𝑩 𝒊𝒏
= 𝟏𝟒,𝟖𝟖𝟓 × 𝟏𝟎T𝟐 𝑨
𝟖.𝟓𝟐𝟒 𝑽 =
= 𝟕. 𝟓𝟗𝟕𝟑 × 𝟏𝟎2𝟒 𝟎.𝟏𝟐𝟖𝟒𝟏𝟖 𝑽
= 𝟏. 𝟐𝟖𝟗 × 𝟏𝟎2𝟐

• 𝑰𝑩 = 30 µA • 𝑰𝑩 = 80 µA
𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕 𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕
𝜷 = 𝜷 =
𝑰𝑩 𝒊𝒏 𝑰𝑩 𝒊𝒏
𝟗.𝟑𝟗𝟓 × 𝟏𝟎T𝟑 𝑨 𝟏𝟒,𝟖𝟖𝟓 × 𝟏𝟎T𝟐 𝑨
= =
𝟓.𝟔𝟎𝟓 𝑽 𝟎.𝟏𝟓𝟓𝟒𝟕𝟓 𝑽
= 𝟏. 𝟔𝟕𝟔 × 𝟏𝟎2𝟑 = 𝟏. 𝟐𝟖𝟗 × 𝟏𝟎2𝟐

• 𝑰𝑩 = 40 µA • 𝑰𝑩 = 90 µA
𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕 𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕
𝜷 = 𝜷 =
𝑰𝑩 𝒊𝒏 𝑰𝑩 𝒊𝒏
𝟏𝟐.𝟎𝟒𝟗 × 𝟏𝟎T𝟑 𝑨 𝟏𝟒,𝟖𝟗𝟓 × 𝟏𝟎T𝟐 𝑨
= =
𝟐.𝟗𝟓𝟏 𝑽 𝟎.𝟏𝟎𝟔𝟔𝟎𝟓 𝑽
= 𝟒. 𝟎𝟖𝟑 × 𝟏𝟎2𝟑 = 𝟏. 𝟑𝟗𝟕𝟐 × 𝟏𝟎2𝟐

• 𝑰𝑩 = 50 µA • 𝑰𝑩 = 100 µA
𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕 𝑰𝑪 𝒐𝒖𝒕
𝜷 = 𝜷 =
𝑰𝑩 𝒊𝒏 𝑰𝑩 𝒊𝒏
𝟏𝟒,𝟒𝟔𝟕 × 𝟏𝟎T𝟐 𝑨 𝟏𝟒,𝟗 × 𝟏𝟎T𝟐 𝑨
= =
𝟎.𝟓𝟑𝟐𝟖𝟓 𝑽 𝟎.𝟎𝟗𝟗𝟖𝟗𝟒 𝑽
= 𝟐. 𝟕𝟏𝟓 × 𝟏𝟎 2𝟐 = 𝟏. 𝟒𝟗𝟏 × 𝟏𝟎2𝟐

4. Apa pengaruh pemasangan 𝑹𝑬 pada Percobaan 5.3?

Jawab:
Pada Percobaan 5.3 pemasangan 𝑹𝑬 ataupun tidak pasang 𝑹𝑬 juga berpengaruh pada nilai
tegangan maupun arus yang dihasilkan, dapat dilihat dari Percobaan 5.3 Resistansi Potensiometer
sebesar 0% pada percobaan kondisi 1 yaitu menggunakan atau dipasangnya 𝑹𝑬 menghasilkan nilai
arus Basis 𝑰𝑩 yang positif dan bernilai lebih kecil dari nilai arus Kolektor 𝑰𝑪 serta lebih besar dari
percobaan kondisi 2 yaitu tidak menggunakan atau tidak dipasangnya 𝑹𝑬 . Kemudian pada data
dengan menggunakan Resistansi Potensiometer sebesar 100% pada percobaan kondisi 1 yaitu
menggunakan atau dipasangnya 𝑹𝑬 menghasilkan nilai arus Basis 𝑰𝑩 yang negatif dari percobaan
kondisi 2 yaitu tidak menggunakan atau tidak dipasangnya 𝑹𝑬 .
Pada percobaan kedua kondisi ini menghasil daerah saturasi pada nilai Resistansi Potensiometer
0% dan daerah Cut-Off pada nilai Resistansi Potensiometer 100%.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

IX. ANALISA
I) ANALISA (Elang Mulya Perkasa-201971058)
Transistor adalah piranti elektronika aktif yang terbuat dari semikonduktor yang berfungsi sebagai
penguat arus, saklar dan lain-lain. Piranti elektronika aktif adalah piranti yang membutuhkan arus
agar piranti tersebut bisa berfungsi.
VCC adalah tegangan pada kaki kolektor IC adalah arus pada kaki kolektor dan VCE adalah
tegangan pada kolektor - emitor.
Pada percobaan pertama yaitu karakteristik tegangan arus transistor, kita bisa melihat bahwa
semakin kita menaikkan tegangan VCC maka IC dan VCE akan naik juga, hal ini dibuktikan oleh
rumus VCC = (IC x RC)+VCE . Disitu kita melihat bahwa jika IC dan VCE naik maka VCC juga
akan naik pula . Pada data pertama yaitu dengan VCC = 5 Volt, dan arus basis (IB) = 100
mikroampere , data yang terukur adalah Ic sebesar = 4,951mA dan VCE nya adalah 48,559 mV .
Selanjutnya data kedua yaitu dengan VCC = 10 Volt dan arus basis (IB) = 100 mikroampere dan
data yang terukur adalah Ic sebesar 9,924 mA sedangkan VCEnya adalah 75,802mV . Untuk data
ketiga dengan menggunakan VCC = 15 volt dan arus basis (IB) = 100 mikroampere dan data yang
terukur adalah Ic nya 14,9 mA dan VCEnya adalah 99,894 mV. Untuk data keempat dengan
menggunakan VCC =20 volt dan arus basis(IB) = 100 mikroampere dan hasilnya adalah IC sebesar
19,873 mA sedangkan untuk VCE nya adalah sebesar 126,787 mV . Untuk data yang terakhir yaitu
dengan VCC = 30 Volt dan IB sebesar 100 mikroampere,hasilnya adalah Ic sebesar 27,918 dan
VCE = 2,082 V .
Kesimpulannya jika kita menaikkan VCC maka IC dan VCE akan mengalami kenaikan juga
. Percobaan pertama “gerbang” pada transistor telah dibuka oleh arus yang diberikan ke basis (Ib) .
sehingga arus bisa mengalir dari kolektor ke emitor. jika tidak ada arus pada basis maka arus tidak
akan mengalir dari collector ke emitor.
Pada percobaan kedua yaitu penguat arus transistor. Disini kita bisa melihat bahwa transistor
berfungsi sebagai penguat arus . Pada data pertama yaitu VCC adalah tetap 15 volt namun IB (arus
basisnya berubah ubah) . Pada data pertama yaitu IB = 10 uA dengan VCC 15 volt hasilnya adalah
Ic = 3,277 mA (milliampere) dan VCC nya adalah 11,723 V. Pada data kedua yaitu IB = 20 uA
dengan VCC 15 volt dan hasilnya adalah 6,476 miliAmpere dan VCEnya adalah 8,524 V . Pada
data ketiga yaitu IB= 30 uA dengan VCC=15 volt dan hasilnya Ic adalah 9,395 mA dan VCE =
5,605V . Pada data keempat yaitu IB = 40 uA dengan VCC = 15 volt dan hasilnya Ic adalah 12,049
mA dan VCE 2,951 V . Pada data kelima yaitu dengan IB = 50 uA dengan VCC = 15 volt dan
hasilnya Ic adalah 14,467 mA dan VCE = 532,825 mV . Pada data keenam dengan IB = 60 uA
dengan VCC = 15 volt dan hasilnya Ic adalah 14,848 mA dan VCE 152,092 mV . pada data ketujuh
dengan IB = 70 uA dengan VCC = 15 volt dan hasilnya Ic adalah 14,872 mA dan VCE nya 128,418
mV . Pada data kedelapan yaitu dengan IB= 80 uA dengan VCC = 15 volt hasilnya adalah 14,885
mA dan VCE 115,475 mV . Untuk data kesembilan yaitu dengan IB = 90 uA dengan VCC = 15 volt
hasilnya adalah 14,893 mA dan VCE adalah 106,605 mV . Untuk data terakhir yaitu dengan IB =
100 uA dan VCC 15 volt hasilnya adalah IC = 14,9 mA dan VCE adalah 99,894 mV.
Pada percobaan kedua dapat disimpulkan bahwa jika kita semakin menaikkan Ib maka arus
pada kolektor (Ic) akan naik juga ini berarti transistor berfungsi sebagai penguat . Berdasarkan data
diaatas , daerah aktif pada transistor tersebut hanya sampai jika kita berikan Ib = 50 uA selanjutnya
jika kita naikkan ke 60uA dan seterusnya maka transistor dalam kondisi jenuh atau saturasi . Saturasi
Disini maksudnya adalah Ketika nilai VCE mendekati 0 dan IC nya sudah maksimal (14 mA) lebih.
Pada percobaan ketiga yaitu arus bocor dan transistor jenuh . yang dimaksud arus bocor disini
Ketika IB itu bernilai 0 (maka arus yang mengalir dari kolektor ke emitter itu seharusnya tidak ada)
tetapi dalam kenyataanya arus masih ada yang melewati kolektor ke emitter tersebut walaupun itu
sangat kecil , itulah yang disebut arus bocor.
Pada table pertama dengan kondisi RE dalam keadaan aktif yang berarti saklar terbuka jadi
arus akan melewati RE . percobaan 1 dalam percobaan ketiaga table pertama yaitu dengan V sumber
5 volt , VCC nya 15 volt , potensio meter 10k = 0% dan RE dalam keadaan aktif hasilnya adalah IB
adalah 10,767 mikro Ampere dan IC nya adalah 3,398 A dan VCE adalah 8,193 V disini transistor
Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika
Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

nya dalam keadaan saturasi. Kenapa disebut saturasi ? karena VCC nya 15 volt tapi VCE nya 8,193
V , VCE nya jauh lebih kecil daripada VCC . Jadi ini yang menyebabkan transistor tersebut disebut
dalam keadaan saturasi.
Pada baris kedua table percobaan pertama dalam percobaan ketiga yaitu dengan Vs = 5 volt ,
VCC = 15 Volt , potensio meter (10k ohm) dalam keadaan 100%, dan RE dalam keadaan aktif ,
hambatan potensio meter tersebut akan menghambat arus yang masuk ke IB jadi tidak ada arus yang
masuk ke Ib , hasilnya arus Ib = 0 , Ic = 15,099nA dan VCE nya 15 V , transistor dalam keadaan
cut off . Mengapa transistor disebut dalam keadaan cut off ? ini dikarenakan VCE = VCC dan ada
arus bocor sebesar 15,099 nA (Ic) . Kondisi cut off ini dikarenakan tidak ada arus basis .
Pada baris pertama table percobaan kedua dalam percobaan ketiga yaitu dengan Vs = 5 volt ,
VCC = 15 Volt , potensiometer 10k = 0% , RE dalam keadaan tidak aktif (arus melewati saklar) .
hasilnya adalah Ib = 1,854 mA , Ic = 14,974 mA , VCE nya 253,532 mV , Transistor disebut dalam
keadaan saturasi . Mengapa disebut dalam keadaan saturasi , ini sebebkan karena VCC lebih besar
daripada VCE nya dan ICnya naik .
Pada baris kedua table percobaan ketiga dalam percobaan ketiga yaitu dengan Vs = 5 volt ,
VCC = 15 volt , potensiometer 10k = 100% , RE daam keadaan tidak aktif (arus melewati saklar) .
hasilnya adalah Ib = 0 , Ic = 15,099 nA dan VCE adalah 15 V . Transistor disebut dalam keadaan
cut off . Cut off dikarenakan tidak ada arus yang mengalir ke basis , dan VCE = VCC . Ic = 15,099
nA adalah arus bocor .
Perbedaan table pertama dan table kedua dari percobaan ketiga yaitu pada table pertama , RE
dalam keadaan aktif , arus mengalir melewati hambatan 1000 ohm, Ic nya lebih kecil daripada table
kedua . Ic table pertama = 3,398 mA , Ic table kedua = 14,974 mA .

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

II) ANALISA (Catur Rara Paringga Rizaldi-201971057)

Pada praktikum modul 3 ini membahas tentang Karakteristik dan Parameter Transistor. Dimana
transistor itu sendiri merupakan suatu komponen semikonduktor pada rangkaian yang memiliki 3
kaki elektroda yaitu basis, kolektor dan emitter. Transistor merupakan 2 buah diode yang
dihubungkan atau disebut dengan Junction Dimana fungsi dari 3 kaki elektroda ini adalah Emitor,
berfungsi menimbulkan elektron. Kolektor, berfungsi menyalurkan elektron tersebut keluar dari
transistor. Basis, mengatur gerakan elektron dari emitor yang keluar melalui kaki kolektor. Cara
menetukan kaki transistor menggunakan multimeter atau alat pengukur hambatan yaitu dimana probe
merah pada multimeter diletakan dikepala transistor, sedangkan probe hitam diletakkan pada salah
satu kaki transistor untuk mengukur nilai hambatannya, apabila pada emitor bernilai tak hingga,
kemudian pada kolektor bernilai nol, serta pada basis memiliki nilai. Fungsi dari transistor ini sangat
beragam sebagai penguat, pemutus dan penyambung, sebagai stabilitasi tegangan dan lainnya. Jenis-
jenis dari transistor terbagi 2 yaitu yang pertama Transistor Junction Bipolar atau biasa disebut BJT.
Dimana transistor jenis ini memiliki 3 terminal transistor diantaranya adalah terminal basis, kolektor
dan emitor. Transistor BJT ini terbagi menjadi 2 jenis yaitu yang pertama Transistor NPN, pengertian
dari Transistor NPN ini adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan
positif pada terminal basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari
kolektor ke emitor. Dan yang kedua Transistor PNP merupakan transistor bipolar yang menggunakan
arus listrik kecil dan tegangan negatif pada terminal basis untuk mengendalikan aliran arus dan
tegangan yang lebih besar dari emitor ke kolektor. Kemudian jenis transistor lainnya yaitu Transistor
Efek Medan, dimana pada transistor ini memiliki 3 terminal transistor diantaranya adalah terminal
gate, source dan drain. Transistor Efek Medan ini terbagi 3 jenis diantaranya yang pertama Junction
Field Effect Transistor atau JFET, kemudian Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor atau
MOSFET dan terakhir Uni Junction Transistor atau UJT.
Pada Transistor NPN Daerah kerja terbagi menjadi 3 yaitu Daerah aktif, Daerah Saturasi dan
Daerah Cut-Off. Yang pertama ada Daerah aktif yaitu ketika arus Kolektor 𝑰𝑪 konstan terhadap nilai
berapa saja pun yang dihasilkan oleh nilai Tegangan Kolektor-Emitor 𝑽𝑪𝑬 , arus Kolektor 𝑰𝑪 hanya
tergantung dari besar arus Basis 𝑰𝑩 . Pada daerah kerja ini transistor digunakan sebagai penguat.
Dimana transistor dapat bekerja pada daerah aktif dikarenakan transistor mengalirkan arus dari
kolektor ke emitor. Daerah aktif terletak antara daerah saturasi dan daerah Cut-off. Kemudian yang
kedua Daerah saturasi dimana merupakan suatu keadaan transistor mengalirkan arus secara
maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan
kolektor-emitor. Pada daerah ini nilai Tegangan Kolektor-Emitor 𝑽𝑪𝑬 akan bernilai atau mendekati
nol. Yang terakhir yaitu Daerah Cut-off, dimana keadaan transistor menyumbat pada hubungan
kolektor-emitor. Daerah Cut-off sering dinamakan daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor
tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah Cut-off transistor dapat
dianalogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor-emitor. Pada daerah ini arus Basis 𝑰𝑩
bernilai nol.
Tujuan dari praktikum modul 3 tentang Karakteristik dan Parameter Transistor ini ada 3 yaitu,
pertama dapat memahami karakteristik dasar transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus 𝐼" =
𝑓 (𝑉"' ), 𝐼) tetap dan karakteristik penguatan arus 𝐼" = 𝑓 (𝐼) ), 𝑉"' tetap. Yang kedua mampu
memahami kejenuhan suatu transistor.
Pada praktikum modul 3 tentang Karakteristik dan Parameter ini menggunakan alat dan
perlengkapan yaitu 1 Unit PC dan software NI Multisim. Dimana PC ini digunakan sebagai media
untuk merangkai rangkaian elektronika dengan menggunakan software NI Multisim.
Pada praktikum modul 3 tentang Karakteristik dan Parameter ini terdapat 3 Percobaan, yang
pertama Percobaan 1 yaitu mengenai Karakteristik Tegangan-Arus Transistor, Percobaan 2 yaitu
mengenai Karakteristik Penguat Arus Transistor dan Percobaan yang terakhir yaitu Percobaan 3
mengenai Arus Bocor dan Transistor Jenuh.
Percobaan 1 yaitu mengenai Karakteristik Tegangan-Arus Transistor, langkah yang pertama
rangkailah rangkaian seperti gambar 7 pada Percobaan Karakteristik Tegangan-Arus Transistor pada
modul 3 dengan menggunakan software NI Multisim. Langkah yang kedua dengan mengatur

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

DC_INTERACTIVE_VOLTAGE dengan format Maximum Value dengan nilai 30 V, Minimum

Value dengan nilai 5 Vdan Increment dengan nilai 20%. Selanjutnya langkah yang ketiga jalankan
simulasi dengan menekan tombol Run atau F5. Langkah yang keempat dengan mengatur Tegangan
Kolektor 𝑽𝑪𝑪 sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke kanan atau dengan
menekan Tombol Key. Langkah yang kelima amatilah nilai arus yang terukur pada Multimeter DC
untuk setiap nilai Tegangan Kolektor 𝑽𝑪𝑪 , kemudian jangan lupa mencatat hasil pada Data Pengamatan.
Dan langkah yang terakhir yaitu yang keenam jangan lupa juga untuk menghentikan simulasi dengan
menekan tombol Stop.
Percobaan 2 yaitu mengenai Karakteristik Penguat Arus Transistor, langkah yang pertama
rangkailah rangkaian seperti gambar 8 pada Percobaan Karakteristik Penguat Arus Transistor pada
modul 3 dengan menggunakan software NI Multisim. Langkah yang kedua dengan mengatur
DC_INTERACTIVE_VOLTAGE dengan format Maximum Value dengan nilai 100 µA. Selanjutnya
langkah yang ketiga jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5. Langkah yang keempat
dengan mengatur arus Basis 𝑰𝑩 sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key. Langkah yang kelima amatilah nilai arus dan tegangan
yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai arus basis 𝑰𝑩 , kemudian jangan lupa mencatat hasil
pada Data Pengamatan. Dan langkah yang terakhir yaitu yang keenam jangan lupa juga untuk
menghentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.
Percobaan 3 yaitu mengenai Arus Bocor dan Transistor Jenuh,terdapat 2 kondisi dimana pada
Kondisi I yaitu Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan aktif dan Kondisi II yaitu Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan tidak aktif.
Langkah yang pertama rangkailah rangkaian seperti gambar 9 pada Percobaan Arus Bocor dan
Transistor Jenuh pada modul 3 dengan menggunakan software NI Multisim. Langkah yang kedua
dengan mengatur POTENTIOMETER dengan format Resistance dengan nilai 10 kΩ dan Increment
dengan nilai 100%. Selanjutnya langkah yang ketiga jalankan simulasi dengan menekan tombol Run
atau F5. Langkah yang keempat yaitu apabila saklar (S1) pada posisi terbuka dan potensiometer 𝑹𝟐
bernilai 0%, amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC dan catatlah hasil yang
dihasilkan pada data pengamatan. Langkah yang kelima dengan menaikkan Resistansi Potensiometer
𝑹𝟐 ke 100% dengan cara menggeser slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key. Langkah
yang keenam amati kembali nilai arus serta tegangan yang terukur pada Multimeter DC, kemudian
jangan lupa mencatat kembali hasil pada Data Pengamatan. Langkah selanjutnya yaitu langkah ketujuh
dengan mengubah posisi saklar (S1) menjadi posisi tertutup dengan mengklik saklar atau dengan
menekan Tombol Key dengan tombol space. Langkah yang kedelapan dengan mengulang kembali
langkah percobaan keempat sampai dengan langkah percobaan keenam dengan nilai yang berbeda.
Kemudian langkah yang terakhir atau langkah yang kesembilan jangan lupa juga untuk menghentikan
simulasi dengan menekan tombol Stop.
Pada percobaan 1 mengenai Karakteristik Tegangan-Arus Transistor dari data yang dihasilkan
pada Tabel 2. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor dapat diamati bahwa semakin besar nilai
Tegangan Kolektor 𝑽𝑪𝑪 yang digunakan maka akan semakin besar pula arus Kapasitor 𝑰𝑪 yang
dihasilkan serta semakin besar pula nilai Tegangan Kolektor-Emitor 𝑽𝑪𝑬 . Dimana percobaan 1 ini
menggunakan nilai arus Basis 𝑰𝑩 yang tetap. Dapat dilihat juga dari percobaan bahwa nilai arus Basis
𝑰𝑩 memiliki nilai lebih kecil dari arus Kapasitor 𝑰𝑪 .
Kemudian pada percobaan 2 mengenai Karakteristik Penguat Arus Transistor dari data yang
dihasilkan pada Tabel 3. Karakteristik Penguat Arus Transistor dapat diamati bahwa pada percobaan ini
menggunakan nilai Tegangan Kolektor 𝑽𝑪𝑪 sebesar 15 Volt pada 10 percobaan. Pada data dapat
diamati bahwa semakin bertambahnya nilai arus Basis 𝑰𝑩 yang digunakan dapat menghasilkan nilai
arus Kapasitor 𝑰𝑪 yang semakin meningkat serta ada dibeberapa percobaan yang menghasilkan nilai
konstan atau stabil pada nilai arus Kapasitor 𝑰𝑪 dimana merupakan suatu kondisi aktif, dan apabila
semakin bertambahnya nilai arus Basis 𝑰𝑩 yang digunakan dapat menghasilkan nilai Tegangan
Kolektor-Emitor 𝑽𝑪𝑬 yang semakin menurun hinggan mencapai nol, dimana kondisi merupakan
daerah saturasi.
Kemudian pada percobaan 3 mengenai Arus Bocor dan Transistor Jenuh,terdapat 2 kondisi
dimana pada Kondisi I yaitu Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan aktif dan Kondisi II yaitu Saat 𝑹𝑬 dalam

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

keadaan tidak aktif. Dimana dari data yang dihasilkan pada Tabel 4. Arus Bocor dan Transistor Jenuh
Kondisi I (Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan aktif) pada nilai Resistansi Potensiometer 0% menghasilkan nilai
arus Basis 𝑰𝑩 yang bernilai 10.767 uA dan arus Kapasitor 𝑰𝑪 dengan nilai 3.398 mA. Dimana besar
nilai 𝑰𝑪 > 𝑰𝑩 . Pada nilai Resistansi dari Potensiometer 100% menghasilkan nilai arus Basis 𝑰𝑩 yang
bernilai -595.064 fA dan arus Kapasitor 𝑰𝑪 dengan nilai 15.099 nA. Dimana nilai nilai Tegangan
Kolektor-Emitor 𝑽𝑪𝑬 hampir mencapai nol atau 𝑽𝑪𝑬 = 0 dikatakan sebagai daerah Cut-off. Tabel 5.
Arus Bocor dan Transistor Jenuh Kondisi II (Saat 𝑹𝑬 dalam keadaan tidak aktif) pada nilai Resistansi
Potensiometer 0% menghasilkan arus Basis 𝑰𝑩 yang bernilai 1.854 mA, dimana nilai ini lebih besar
dari kondisi sebelumnya atau pada kondisi I dan nilai arus 𝑰𝑪 yang lebih besar yaitu 14.974mA.
Kemudian Pada nilai Resistansi dari Potensiometer 100% menghasilkan nilai yangsama persis
dengan Kondisi II yaitu, arus Basis 𝑰𝑩 yang bernilai -595.064 fA dan arus Kapasitor 𝑰𝑪 dengan nilai
15.099 nA. Dimana nilai nilai Tegangan Kolektor-Emitor 𝑽𝑪𝑬 hampir mencapai nol atau 𝑽𝑪𝑬 = 0
dikatakan sebagai daerah Cut-off. Sehingga dapat disimpulkan pada Kondisi I maupun Kondisi II
atau ada tidaknya 𝑹𝑬 pada rangkaian, nilai yang dihasilkan tidak berepengaruh apabilai dengan nilai
Resistansi Potensiometer 100%.
Dimana dapat dilihat dari Kurva Karakteristik Tegangan-Arus Transistor Nilai 𝑰𝑩 merupakan
arus yang mengalir pada basis atau sebagai input ini selalu lebih kecil dari 𝑰𝑪 merupakan arus yang
mengalir pada kolektor atau sebagai output, oleh karena itu 𝑰𝑪 dapat dikatakan transistor sebagai
penguat.
Pada praktikum modul 3 tentang Karakteristik dan Parameter Transistor ini ditemukan
beberapa kemungkinan kesalahan, dari perhitungan yang dilakukan oleh praktikan dan tidak telitian
praktikan dalam membulatkan bilangan sehingga dapat dihasilkan nilai yang berbeda dari nilai yang
seharusnya. Kesalahan juga sangat banyak dipengaruhi oleh beberapa faktor diantaranya
kemungkinan kesalahan dari komputer/ PC atau laptop yang digunakan kemungkinan error atau
bermasalah.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

III) ANALISA (Muh Aan Al Rahmadan-201971056)

Pada praktikum elektronika pertemuan kali ini yang membahas tentang “Karakteristik dan
parameter transistor”. Pada praktikum kali ini juga terdapat tujuan yang harus dicapai yaitu, Tujuan
yang pertama adalah mempelajari karakteristik dasar transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus IC
= f(VCE), IB tetap dan karakteristik penguatan arus IC = f(IB), VCE tetap. Pada tujuan yang
pertama ini praktikan dapat memehami karakteristik-karakteristik dasar dari transisitor dari jenis,
bentuk, dan prinsip kerjanya. Tujuan yang kedua adalah mempelajari kejenuhan suatu transistor.
Pada tujuan yang kedua ini praktikan perlu untuk mempelajari dan mendalami kejenuhan atau
saturasi dari transistor tersebut.
Transistor itu sendiri singkatan dari Transfer Resistor, Transfer Resistor berarti mentransfer
resistansi. Jika dilihat dari rangkaian, berapapun nilai VCC dan VB yang diberikan, nilai arus
bervariasi. Itu adalah pengaruh ari resistornya. Ini menjelaskan pengoperasian BJT, yaitu transfer
sinyal input dari resistansi ke resistansi tinggi keluaran. Transistor merupakan dua buah dioda yang
dihubungkan (junction). Dimana transistor iu sendiri merupakan suatu komponen elektronika aktif
yang berfungsi sebagai penguat saklar elektronik dan penstabil tegangan. Transistor mempunyai
cara kerja yaitu apabila ada arus yang mengalir pada kaki basis maka gerbang akan terbuka,
sehingga arus dapat mengalir dari kolektor ke emitor. Transistor juga ada yang dinamakan dengan
kaki-kai transistor yaitu emitor sebagai emisi atau memancarkan elektron, kolektor sebagai tempat
berkumpulnya elektron, dan basis sebagai Gerang masuknya arus. Nah Adapun cara menentukan
kaki transistor menggunakan multimeter. Caranya yaitu dengan probe merah pada multimeter
diletakkan dikepala transistor, sedangkan probe hitam diletakkan pada salah satu kaki transistor
untuk mengukur nila hambatannya, dimana emitor bernilai tak hingga, kolektor bernilai nol, dan
basis bernilai atau ada nilainya. Transistor dibagi menjadi dua jenis, yaitu Bipolar junction dan field
effect teransisitor. Bipolar junction transistor dimana memiliki tiga terminal trasisitor diantaranya
adalah terminal base, kolektor, dan emitor. Bipolar junction Transistor (BJT) terbagi menjadi dau
jenis, yaitu Transistor NPN dan transistor PNP. Transistor NPN adalah transisitor bipolar yang
menggunakan arus listrik kecil dna tegangan positif pada terminal baisis untuk menegdalikan aliran
arus dan tegangan yang lebih besar dari kolektor ke emitor. Sedangkan, transistor PNP merupakan
transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan negative pada terminal basis
untuk mengendalikan aliran arus dann tegangan yang lebih besar dari emitor ke kolektor. Jenis
transisitor yang kedua adalah FET, yaitu memiliki tiga terminal transistor diantarnya adalah terminal
gate, source dan drain, FET terbagi lagi menjadi tiga, yaitu Junction Field Effect Transistor (JFET),
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), dan Union Junction Transistor
(UJT). Berdasarkan kurva karakteristik tegangan-arus transistor Ic adalah arus pada kolektor
(sebagai output), Ib adalah arus pada basis (sebagai input) sedangkan VCE adlah tegangan output.
Nilai Ib selalu lebih kecil dari Ic maka dari itu dapat dikatakan transistot sebgai penguat.
Pada data pengamatan yang sudah diambil terdapat 3 percobaan, yaitu karakteristik
tegangan- arus transisitor, karakteristik penguat arus transistor, serta arus bocor dan transisitor
jenuh. Pada percobaan karakteristik tegangan-arus transistor berdasarkan data pengamatan dapat
dianalisa bahwa terjadinya atau terbuktinya hukum kirchoff tegangan dimana jumlah beda tegangan
pada rangkaian tertutup nilainya sama dengan nol, dari data pengamatan tersebut apabila pada titik-
titik tegangan tertentu bila dijumlahkan akan sama dengan tegnagn sumber. Pada percobaan yang
kedua karakteristik penguat arus transistor dapat dianalisa bahwa arus kolektor menjadi stabil dan
tegangan kolektor- emitor mengalami penurunan drastis apabila diteruskan maka akanmendekati
nol. Pada percobaan yang ketiga arus bocor dan transistor jenuh yang terbagu menjadi dua kondisi,
kondisi aktif dan kondisi tidak aktif. Pada kondisi aktif potensiometernya minimal maka
Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika
Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

mneghasilkan arus base, arus kolektor dan tegangan kolektor-emitor yang dapat disimpulkan bahwa
berkeadaan jenuh (saturasi), sedangkan pada potensiometernya dimaksimalkan maka arus basenya
nol dan arus kolektornya turun drastic lalu tegangan kolektor-emitorr mengalami kenaikan tegnagn
yang sangat drastic yang dapat disimpulkan
terjadinya cut-off.
Pada data pengamatan modul ini terdapat 3 percobaan yaitu, karakteristik tegangan arus
transisitor, karakteristik penguat arus transistor, dan arus bocor dan transisitor jenuh. Pada data
pengamatan percobaan pertama tentang karakteristik tegangan arus transistor dimana nilai IB diatur
tetap menjadi 100uA dan VCC mulai dari 5 sampai 30. Ketika kita naikkan nilai VCC maka nilai IC
yang didapatkan naik mulai dari 4 sampai 27 begitu pula dengan nilai VCE naik juga. Hal yang
menyebabkan terjadinya kenaikkan pada IC DAN VCE yaitu sebagaimana mestinya pada rumus,
Ketika VCC dinaikkan maka nilai IC DAN VCE juga naik karena VCC, IC, dan IC itu berbanding
lurus jadi jka salah satunya naik maka yang lainnya juga ikut naik. Pada data pengamatan yang kedua
tentang karakteristik penguat arus transistor, disini yang diatur tetap yaitu nilai VCCnya. Kemudian
nilai IB diatur dari 10 sampai 100, Ketika kita naikkan nilai IB maka ICnya naik sedangkan VCE turun.
IC mulai naik dari 3,277 sampai 14,9 tapi pada saat IB bernilai 60 kenaikan pada IC mulai tidak
signifikan atau hanya mengalami sedikit kenaikan yang dikarenakan berada didaerah saturasi, dimana
saturasi itu adalah daerah yang apabila kita naikkan nilai IB maka nilai ICnya itu sudah maksimal.
Dimana nilai maksimal dari IC yaitu 14 jadi nilai IC hanya mengalami kenaikan yang sedikit. Pada
percobaan yang kedua ini kita dapat mengetahui daerah aktif dan saturasi pada transistor.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

IV) ANALISA (Al Ikhsan Muhammad Naufal-201971055)

Pada praktikum daring kali ini, kita membahas pada modul 3 yang berjudul “Karakteristik dan
Parameter Transistor”. Adapun tujuan dari praktikum kali ini yaitu untuk mempelajari karakteristik
dasar transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus Ic = f(VCE tetap dan mempelajari kejenuhan suatu
transistor.
Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi seperti
sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya. Transistor
merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak ditemukan dalam rangkaian-
rangkaian elektronika seperti handphone dan televisi. Ada dua kemungkinan kombinasi untuk sebuah
transistor, yaitu bisa terdiri dari dua buah lempeng bahan jenis N pada sisi luar dan sebuah lempeng
P pada sisi dalam yang biasa dikenal dengan transistor NPN, serta dua buah lempeng bahan jenis P
di sisi luar dan satu lempeng jenis N di sisi dalam yang biasa dikenal dengan transistor PNP. Karena
kontruksinya bertolak belakang, maka secara garis besar kedua jenis transistor tersebut memiliki sifat-
sifat utama yang bertolak belakang juga. Transistor – transistor tersebut mempunyai tiga buah kaki
keluaran yang disebut dengan emitor, basis dan kolektor
Transistor mempunyai tiga kondisi kerja, yaitu aktif (penguat), jenuh dan cut-off. Ketiga jenis
kondisi tersebut ditentukan oleh ada tidaknya atau besar kecilnya arus basis yang diberikan. Pada
kondisi jenuh, tegangan perlawanan VCE bernilai sangat kecil (berkisar 0 – 2 Volt). Karena itu
transistor bisa digunakan sebagai saklar elektronik. Kondisi jenuh bisa ditandai dengan perubahan
kenaikan arus IC yang tidak sebanding lagi dengan penambahan IB.
Daerah kerja Aktif transistor biasanya digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor dikatakan
bekerja pada daerah aktif karena transistor selelu mengalirkan arus dari kolektor ke emitor walaupun
tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak
cacat. Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off).
Transistor Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor mengalirkan
arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada
hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan
CE terhubung maksimum).
Sedangkan daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor
menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering dinamakan sebagai daerah mati
karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada
daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor – emitor.
Pada percobaan pertama yaitu Karakteristik Tegangan Arus Transistor. Dalam percobaan ini
kita menggunakan sumber arus DC, dua buah multimeter untuk mengukur besar arus dan tegangan
yang dihasilkan, Resistor-Kapasitor 1000 Ohm, Transistor NPN, dan sumber tegangan DC. Pada
percobaan pertama ini kita menggunakan nilai basis IB yang tetap. Dalam percobaan Karakteristik
Tegangan Arus Transistor ini dapat di simpulkan bahwa semakin besar tegangan kolektif Vcc yang
digunakan, maka arus kapasitor Ic yang dihasilkan juga akan semakin besar dan semakin besar juga
nilai tegangan kolektif-emitor VCE nya. Didapat juga nilai arus Basis IB memiliki nilai yang lebih
kecil dibandingkan arus kapasitor IC.
Pada percobaan kedua yaitu Karakteristik Penguat Arus Transistor. Dalam percobaan ini kita
menggunakan DC Interactive Current, sumber DC, dua buah multimeter untuk mengukur besar arus
dan tegangan, serta transistor. Ketika IB dinaikkan maka nilai Ic naik sedangkan nilai VCE turun. Pada
saat IB diatur mulai dari 10𝜇A sampai dengan 50𝜇A nilainya itu naik cukup tinggi karena transistor
bekerja pada daerah aktif, sedangkan saat diatur mulai dari 60𝜇A sampai dengan 100𝜇A nilainya itu

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

naik namun tidak signifikan (konstan) karena transistor bekerja pada daerah saturasi. Dari percobaan
kedua ini, kita dapat menentukan daerah kerja transistor.
Pada percobaan ketiga yaitu Arus Bocor dan Transistor Jenuh. Dalam percobaan ini kita
menggunakan V sumber, VCC, potensiometer (sebagai hambatan), transistor, resistor 1000 Ohm,
switch (saklar), tiga buah multimeter untuk menghitung besar nilai IB, Ic, dan VCE. Pada kondisi
pertama yaitu Re aktif saklar nya itu membuka, maka dari itu arus dari emitor langsung mengalir ke
Re nya karena saklar terbuka otomatis tidak dapat arus dari emitor. Pada percobaan pertama Re aktif
ini, kita mendapati bahwa trasistor bekerja paa kondisi saturasi, sedangkan pada percobaan kedua
transistor bekerja pada kondisi Cut-off. Hal tersebut dapat kita tentukan dari hasil IB yang didapat,
terlihat jelas bahwa pada percobaan kedua arus tidak ada yang mengalir pada IB . Pada percobaan
kedua Ic mendapat supply arus bocor dari Vcc walaupun sangat kecil. Pada kondisi kedua yaitu Re
dalam keadaan tidak aktif saklarnya ditutup, maka dari itu otomatis arus dari emitor lebih memilih ke
saklar karena arus pada saklar itu hambatannya kecil. Pada percobaan Re dalam keadaan tidak aktif
ini didapati bahwa transistor bekerja pada kondisi saturasi, sedangkan pada percobaan kedua didapati
bahwa transistor bekerja pada daerah Cut-off. Bedanya Re aktif dengan saat Re tidak aktif yaitu pada
saat Re aktif, arus harus melewati hambatan yang lebih besar, maka arus Ic nya akan kecil. Sedangkan
saat Re tidak aktif, arus akan melewati saklar yang memiliki hambatan lebih kecil, maka didapati
nilai Ic itu lebih besar.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

V) ANALISA (El Khana Aburyzal Sihombing-201971054)

Pada praktikum kali ini kami membahas mengenai karakteristik dan parameter transistor.
Transistor dari kata trans dan resistor dapat di artikan mentransfer resistansi, dimana transistor
merupakan komponen elektronika aktif yang berfungsi sebagai penguat, saklar elektronik dan
penstabil tegangan. Transistor juga merupakan 2 buah diode yang dihubungkan atau disebut dengan
Junction. Cara kerja transistor apabila ada arus yang mengalir pada kaki basis, kemudian gerbang
akan terbuka sehingga arus dapat mengalir dari kolektor ke emitor.
Tujuan dari parktikum kali ini adalah yang pertama untuk mempelajari karakteristik dasar
transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus 𝐼" serta nilai 𝐼) tetap dan karakteristik penguatan arus
𝐼" dan 𝑉"' tetap. Serta tujuan lainnya untuk mempelajari kejenuhan suatu transistor pada percobaan
yang ketiga dengan 2 kondisi yaitu Kondisi I menggunakan Re pada rangkaian dan Kondisi II tidak
menggunakan Re pada rangkaian.
Dilihat dari rangkaian bahwa Transistor yang digunakan pada praktikum percobaan ini
menggunakan transistor NPN. Transistor NPN adalah Transistor NPN adalah transistor bipolar yang
menggunakan arus listrik kecil dan tegangan positif pada terminal basis untuk mengendalikan aliran
arus dan tegangan yang lebih besar dari kolektor ke emitor. Transistor ini memiliki 3 terminal
transistor diantaranya adalah terminal basis, kolektor dan emitor.
Pada praktikum ini kami menggunakan alat dan bahan yaitu 1 unit pc yang berfungsi sebagai
alat yang digunakan, kemudian ada software NI Multisim sebagai aplikasi yang digunakan untuk
membuat rangkaian dalam pc. Pada aplikasi multisim ini dalam menggunakan rangkaian
menggunakan DC Interactive voltage dan DC Interactive current berfungsi untuk menyuplai
Tegangan DC pada rangkaian. Pada rangkaian percobaan 1 menggunakan DC Interactive voltage,
dimana besarnya tegangan dapat diatur dengan menggeser slide kek kiri maupun ke kanan dengan
menekan tombol key. Kemudian Pada rangkaian percobaan 2 menggunakan DC Interactive current,
dimana besarnya tegangan dapat diatur dengan menggeser slide kek kiri maupun ke kanan dengan
menekan tombol key. Pada rangkaian percobaan 3 ini menggunakan Potensiometer 10kOhm,
dimana besarnya resistansi potensiometer dapat diatur dengan menggeser slide kek kiri maupun ke
kanan dengan menekan tombol key. saat simulasi dalam keadaan run sesuai dengan skala perubahan
tegangan yang telah ditentukan sebelumnya , lalu terdapat transistor dengan tipe BC107BP sebagai
penguat, juga ada Resistor bernilai 1kohm, 2.2kOhm Berfungsi sebagai penghambat arus listrik.
Nilai resistansinya dapat diatur saat simulasi dalam keadaan Stop dan multimeter sebagai alat ukur.
Berdasarkan data percobaan pertama yang merupakan karakteristik tegangan arus transistor
nilai 𝐼) tetap yaitu 100uA, dapat dikatakan bahwa semakin meningkat nilai 𝑉"" yang diberikan maka
semakin besar pula nilai 𝐼" dan 𝑉"g yang dihasilkan.
Berdasarkan data percobaan kedua yang merupakan karakteristik penguat arus transistor nilai
𝑉"" tetap yaitu 15 Volt, dapat dikatakan bahwa 𝑉"g yang dihasilkan semakin menurun apabila nilai
𝐼) dan 𝐼" semakin meningkat. Pada percobaan ini data pengamatan dengan nilai 𝐼) 10uA sampai
dengan 50uA merupakan daerah aktif, pada data pengamatan dengan nilai 𝐼) 60uA sampai dengan
100uA merupakan daerah saturasi dimana 𝑉"g yang dihasilkan mencapapai angka 0 maksudnya
𝑉"g = 0.
Berdasarkan data percobaan ketiga yang merupakan arus bocor dan transistor jenuh. Pada
percobaan ini terdapat kondisi 1 juga kondisi 2. Kondisi 1 merupakan suatu kondisi dimana pada
rangkaian saklar atau switch diaktifkan, sedangkan kondisi 2 sebaliknya yaitu pada rangkaian saklar
atau switch tidak diaktifkan. Pada kedua kondisi percobaan ini menggunakan nilai 𝑉h yaitu 5 Volt,
nilai 𝑉"" yaitu 15 Volt ,dimana kedua nilai ini digunakan pada kedua kondisi percobaan dengan
nilai yang tetap. Pada data kondisi 1 pada resistansi potensiometer sebesar 0% menghasilkan nilai
𝐼) 10.767uA juga nilai 𝐼" 3.398mA. Diketahui bahwa nilai 𝐼) yang dihasilkan lebih kecil daripada
nilai 𝐼" . Kemudian terdapat nilai 𝑉"g yaitu 8.193Volt. Diketahui nilai 𝑉"" lebih besar dari 𝑉"g . Pada
data kondisi 1 pada resistansi potensiometer sebesar 100% menghasilkan nilai 𝐼) -595.064uA juga
nilai 𝐼" 15.099nA. Diketahui bahwa nilai 𝐼) minus dan nilai 𝐼) yang dihasilkan lebih kecil daripada
nilai 𝐼" . Kemudian terdapat nilai 𝑉"g yaitu 15 Volt. Diketahui nilai 𝑉"" sama dengan nilai 𝑉"g . Pada
data kondisi 2 pada resistansi potensiometer sebesar 0% menghasilkan nilai 𝐼) 1.854mA juga nilai

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

𝐼" 14.974mA. Diketahui bahwa nilai 𝐼) yang dihasilkan lebih kecil daripada nilai 𝐼" . Kemudian
terdapat nilai 𝑉"g yaitu 25.532mVolt. Diketahui nilai 𝑉"" lebih besar dari 𝑉"g . Pada data kondisi 2
pada resistansi potensiometer sebesar 100% menghasilkan nilai 𝐼) -595.064uA juga nilai 𝐼"
15.099nA. Diketahui bahwa nilai 𝐼) minus dan nilai 𝐼) yang dihasilkan lebih kecil daripada nilai 𝐼" .
Kemudian terdapat nilai 𝑉"g yaitu 15 Volt. Diketahui nilai 𝑉"" sama dengan nilai 𝑉"g .
Dilihat dari kondisi 1 dan 2 terdapat kesamaan data apabila saklar aktif maupun tidak yaitu pada
resistansi potensiometer sebesar 100%. Dapat disimpulkan pada saat kondisi 1 dan kondisi 2 pada
resistansi 0% merupakan daerah saturasi. Serta pada kondisi 1 dan kondisi 2 dengan resistansi100%
merupakan daerah cut-off atau daerah mati.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

X. KESIMPULAN
Pada praktikum kedua modul 3 ini membahas tentang Karakteristik dan Parameter
Transistor. Dan dapat disimpulkan bahwa:
1. Fungsi transistor pada praktikum modul 3 ini adalah transistor sebagai penguat.
2. Pada percobaan ini menggunakan BJT Transistor NPN dimana terdapat terminal basis,
kolektor dan emitor.
3. Pada percobaan Karakteristik Tegangan-Arus Transistor menggunakan nilai 𝑰𝑩 yang tetap,
apabila nilai 𝑽𝑪𝑪 yang diberikan semakin meningkat maka, semakin besar pula nilai 𝑰𝑪 dan
𝑽𝑪𝑬 yang dihasilkan.
4. Pada percobaan Karakteristik Penguat Arus Transistor menggunkan nilai 𝑽𝑪𝑪 tetap, apabila
𝑉𝐶𝐸 semakin menurun, maka nilai 𝑰𝑩 dan 𝑰𝑪 semakin meningkat.
5. Pada percobaan Arus Bocor dan Transistor Jenuh dengan resistansi potensiometer 0%, aktifnya 𝑹𝑬
maupun tidak aktifnya 𝑹𝑬 mempengaruhi nilai yang dihasilkan. Dimana apabila 𝑹𝑬 aktif maka nilai
nilai yang dihasilkan lebih kecil dari pada apabila 𝑹𝑬 tidak aktif.
6. Pada percobaan Arus Bocor dan Transistor Jenuh dengan resistansi potensiometer 100%, aktifnya
𝑹𝑬 maupun tidak aktifnya 𝑹𝑬 tidak mempengaruhi nilai yang dihasilkan. Dimana nilai 𝑰𝑩 yang
dihasilkan negatif, nilai 𝑽𝑪𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 yaitu 15Volt.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
 Kelompok 6B

XI. PEMBAGIAN TUGAS KELOMPOK

• El Khana Aburyzal Sihombing: Teori Tambahan, Rangkaian Percobaan Karakteristik
Tegangan-Arus Transistor, Data Pengamatan Karakteristik Tegangan-Arus Transistor.
• Catur Rara Paringga Rizaldi: Susun laporan, Teori Modul, Cover, Rangkaian Percobaan
Arus Bocor dan Transistor jenuh, Perhitungan Tugas Akhir Nomor 3, Tugas Akhir Nomor 4,
Kesimpulan.
• Al Ikhsan Muhammad Naufal: Rangkaian Percobaan Karakteristik Penguat Arus
Transistor.
• Elang Mulya Perkasa: Kurva Tugas Akhir Nomor 1 dan Kurva Tugas Akhir Nomor 2.
• Muh Aan Al Ramadhan: -

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN