LAPORAN

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG

Diisi Mahsiswa Praktikan

Nama Praktikan Ragil Wibowo
NPM 2120501052
Rombel 02

METAL OXIDE FIELD EFFECT

Judul Praktikum
TRANSISTOR
Tanggal Praktikum 24 Februari 2023
Diisi Asisten Praktikum

Tanggal Diterima

Catatan

PENGESAHAN NILAI
Diperiksa oleh : Disahkan oleh :
Asisten Praktikum Dosen Pengampu

( Naufal Hammam ) (Dwi Novianto, S.Pd., M.Eng.)

LABORATORIUM JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS TIDAR
2023
I. TUJUAN PERCOBAAN
Pada percobaan ini, mahasiswa diharapakan mampu memahami Current Source
Bias pada JFET dengan tambahan komponen aktif Transistor yang berfungi
meningkatkan kestabilan arus pada JFET.

II.DEFINISI SINGKAT
Trasnsistor adalah komponen elektronik penguat arus. Pada transistor, gain atau
penguat arus sering disebutkan sebagai beta yaitu perbandingan antara aruskolektor
(output) terhadap arus base (input), atau:
β = h = 3.1
Dikenal dua tipe polarisasi bias jenis transistor, yaitu transistor tipe NPN dan tipe PNP.
Pada suatu transistor, terhadap suatu kondisi dimana kenaikan arus base lebih lanjut
tidak lagi diikuti oleh kenaikan arus pada kolektor, kondisi demikian disebut sebagai
kondisi saturasi. Idealnya, kondisi saturasi suatu transistor akan mempunyai tegangan
kolektor terhadap emitor, V , sama dengan nol. Tetapi di dalam praktek transistor
mempunyai V CE dari 0,1 V atau kurang pada arus kolektor beberapa mili, hingga 2 V
atau lebih pada arus kolektor 10 A. Tegangan saturasi yang rendah dengan arus
kolektor yang tinggi adalah sangat penting di dalam teknik switching.
Pada tegangan batas kolektor atau tegangan kolektor maksimum yang biasa
dipergunakan untuk memperkirakan kemampuan atau ukuran tegangan kerja dari suatu
transistor. Tegangan batas tersebut antara lain adalah V CEO atau tegangan maksimum
antara terminal kolektor dan base, dengan terminal emitor terbuka, atau disebut pula
sebagai collector age limit. Tegangan ini adalah tegangan yang menyatakan status OFF
dari transistor yang bersangkutan. Tegangan batas yang lain yang juga sering
dikemukakan adalah V CEO , yaitu tegangan antara kolektor terhadap emitor dengan
terminal base terbuka, atau collector-emitor breakdown age. Karakteristik tegangan
kolektor yang mana yang harus diperhatikan adalah bergantung pada fungsi dari
transistor yang bersangkutan pada rangkaian. Untuk switching, maka kolektor
transistor akan mendapatkan tegangan operasi sama dengan V CBO atau V CES . V CES
adalah tegangan kolektor terhadap emitor di mana terminal base dihubungkan singkat
dengan emitor. Dan jika terminal base dibiarkan terbuka, maka tegangan yang harus
diperhatikan adalah V CEO.
Transistor efek–medan (FET) adalah salah satu jenis transistor menggunakan
medan listrik untuk mengendalikan konduktifitas suatu kanal dari jenis pembawa
muatan tunggal dalam bahan semikonduktor. Transistor Bipolar dinamakan demikian
karena bekerja dengan 2 (bi) muatan yang berbeda yaitu elektron sebagai pembawa
muatan negatif dan hole sebagai pembawa muatan positif. Ada satu jenis transistor lain
yang dinamakan FET (Field Efect Transistor). Berbeda dengan prinsip kerja transistor
bipolar, transistor FET bekerja bergantung dari satu pembawa muatan, apakah itu
elektron atau hole. Karena hanya bergantung pada satu pembawa muatan saja,
transistor ini disebut komponen unipolar. Umumnya untuk aplikasi linear, transistor
bipolar lebih disukai, namun transistor FET sering digunakan juga karena memiliki
impedansi input (input impedance) yang sangat besar. Terutama jika digunakan
sebagai switch, FET lebih baik karenaresistansi dan disipasi dayanya yang kecil.
Ada dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET) dan MOSFET (metal-oxide
semiconductor FET). Pada dasarnya kedua jenis transistor memiliki prinsip kerja yang
sama, namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan karakteristiknya.
Transistor JFET merupakan perangkat semikonduktor seperti bipolar transistor,
namun arus yang melalui komponen dikontrol oleh tegangan. Sedangkan pada bipolar
arus dikontrol oleh arus.Fet ada dua jenis yaitu JFET (junction Field Efect transistor)
dan MOSFET (metal-oxide semiconductor FET). Pada komponen JFET terdapat tiga
terminal yaitu terminal gate (G), drain (D) dan source (S). JFET terdiri dua jenis yaitu
kanal-N dan kanal-P seperti ditunjukan gambar berikut :

Gambar 3.1. Skematik symbol JFET

Arus yang mengalir melalui drain (D) dan source (S) bergantung terhadap tegangan di
terminal gate (G). Untuk JFET channel N, tegangan gerbang negative dan untuk
chanel P JFET tegangan gerbang positif.
Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor
ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk
antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan hole di
sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa
membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source. Pada
gambar di atas, lapisan deplesi ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan.
Simbol JFET pada skema rangkaian elektronika, bisa digambarkan sebagai berikut:
 Gamabar 3.1 Symbol JFET
Pada transistor bipolar hubungan arus IC dan arus IB selinear, yaitu IC = IB.
Namun pad JFET hubungan pada input ID dengan input VGS tidak linear. Titik kerja
JFET dapat dilihat pada kurva karakteristik dan outpu JFET seperti dibawah ini.

Gambar 3.3 kurva karakterisik dan outpu JFET

Tegangan VDS diperlukan untuk membuat arus ID menjadi jenuh (titik
pinchoff) berdasarkan nila VGS-nya. Bila VGS = 0, maka VDS sebesar Vp. Bila VGS
semakin negative, maka VDS yang dibutuhkan semakin kecil. Daerah operasi yang
linear berada sesudah titik pinch-off dan sebelum daerah breakdown. Pada daerah ini
arus ID bergantung dari nilai VGS dan tidak bergantung dengan nilai VDS, sesuai
persamaan Shockley
Bias JFET (Junction Field Effect Transistor) adalah teknik polarisasi transistor
yang umum digunakan dalam rangkaian elektronik. Dalam praktikum ini, sinyal input
diterapkan pada gate JFET sedangkan sinyal output diambil dari source JFET.
 Praktikum bias JFET menggunakan sebuah resistor yang terhubung dengan source
dan sumber tegangan positif untuk memberikan polarisasi tetap pada JFET.
Pada bias JFET, sumber tegangan harus dipasang dengan polaritas yang benar.
Sumber tegangan positif harus dihubungkan ke ujung resistor yang terhubung dengan
source JFET pada konfigurasi CS atau ujung resistor yang terhubung dengan drain
JFET pada konfigurasi CD. Pada rangkaian bias JFET menggunakan resistor polarisasi
untuk memberikan polarisasi tetap pada JFET. Nilai resistor polarisasi harus dipilih
dengan benar agar arus polarisasi tidak terlalu besar atau terlalu kecil. Pemilihan nilai
resistor polarisasi harus mempertimbangkan spesifikasi JFET dan aplikasi yang
diinginkan. sinyal input yang diproses oleh JFET dapat menghasilkan sinyal output
yang lebih baik, sehingga dapat digunakan dalam berbagai aplikasi elektronik, seperti
amplifier, oscillator, dan filter.
Metode pemberian bias JFET yang paling seumum yaitu bias sendiri (self bias).
Yaitu dengan arus cegat yang mengalir melalui Rp dan RS yang menghasilkan
tegangan cerat sumber
VDS = VDD - ID (RD + RS )
Dan tegangan melintasi resistansi sumbernya yaitu :
VS = ID.RS
Karena arus gerbang kecil maka arus gerbang diabaikan. Pada arus gerbang terdapat
pertahanan DC, sehingga didapatkan VG = 0. Dan perbedaan potensial dan sumber
dapat dinyatakan dengan :
V GS = V G – V S = 0 – I D . RS

V GS=−I D . RS

Hal ini menyatakan penurunan melalui R S menghasilkan tegangan bias U GS . Tidak

adanya tegangan luar sebagai penggerak gerbang membuat rangkaian inidikenal
dengan rangkaian bias sendiri. Bias sendiri menstabilkan titik operasi stationer
(guiescent) terhadap perubahan dalam parameter JFET (seperti IDSS dan Gmo).

III. METODE PELAKSANAAN

a. Alat dan Bahan
Alat :
Tabel 3.1. Tabel Alat dan Bahan

No. Alat dan Bahan Spesifikasi/merk Jumlah

1 Power supply Variabel tegangan ganda 1 buah

 2 Multimeter Terdapat skala µA 1 buah

3 Project Board - 1 buah

4 Potensiometer 1k ohm 1 buah

5 Resistor 550R, 6680R, 10KR @1 buah

20R 2 buah

6 Transistor 2N5458
@ 1 buah
2N3904

7 Kabel jumper Tuggal Secukupnya

IV. Metode Praktikum

1) Percobaan JFET Q Point Stability.
1. Siapkan Alat dan Bahan.
2. Menghitung nilai RD dan RE berdasarkan gamabr percobaan dibawah ini agar
nilai arus ID =10mA

Gambar 3. Skema rangkaian percobaan Current Source Bias.

3. Simulasikan pada Proteus.
 4. Rangkai skema rangkaian percobaan Current Source Bias pada Projectboard
5. Nyalakan power supply dan atur tegangan sebesar +-15 V.
6. Ukur parameter-parameter pada table percobaan Current Source Bias
menggunakan multimeter.
7. Masukan hasil pengukuran setiap parameter pada table percobaan.
8. Matikan power supply dan lepas semua komponen yang digunakan
9. Rapikan alat dan bahan yang digunakan.
10. Tulis rumus, perhitungan resistornya
11. Simpulkan berdasarkan data yang diperoleh.

V. Hasil Dan Pembahasan

Percobaan Current Source Bias
Tabel 3.3. Table Percobaan Current Source Bias
Nilai RE Vℜ V DS RD VR D
ID VCE
Perhitungan 680Ω 6.8V 590Ω 5.9V 10mA 0.7V
Simulasi 680Ω 6.75V 1.68 590Ω 5.83V 9.87mA 0.75
Praktikum 680Ω 8.7V 2.2V 550Ω 4.4V 10mA 0.025V

Tegangan pada baterai 15V dengan VDD=7.5 dan VEE =7.5 maka didapatkan
perehitmgan sebagai berikut :
RD = 590
RE = 680
ID dari datasheet sebesar 10mA
VB = 0 karena merupakan rangkaian self bias.
IC = ID = 10Ma, Dari data tersebut didapatkan perhitungan :
VDS = VDD-VRD
VRD = ID*RD = 10mA * 590 = 5,9V
VRE = ID*RE = 10mA * 680 = 6.8V
VBE = VB - VE = 0 – 6.8V = -6.8V, Nilai VBE>VTH maka transistor saturasi
VDS = VDD – VRD = 7.5 – 5.9 = 1.6 V
VCE = (VDD + VEE) – (VRD+VDS+VRE) = (7.5+7.5) - (5.9+1.6+6.8) = 15-14.3
 VCE = 0.7V
VI. Kesimpulan
Berdasarkan percobaan yang dilakukan dapat disimpulkan sebagai berikut :
1. JFET (Junction Field Effect Transistor) merupakan salah satu jenis transistor yang
bekerja berdasarkan prinsip efek medan (field effect). JFET terdiri dari tiga terminal
yaitu gate (G), source (S), dan drain (D). Ketika tegangan polarisasi terhadap gate
diubah, medan listrik akan terbentuk di antara gate dan source, dan medan inilah
yang akan mempengaruhi jumlah arus yang mengalir di antara source dan drain.
2. Titik Polaritas (Q Point) merupakan titik polarisasi di mana transistor bekerja pada
kondisi stabil. Q point ditentukan oleh tegangan dan arus yang melewati transistor
dan ditunjukkan pada karakteristik transfer transistor. Pemilihan Q point yang salah
dapat menyebabkan terjadinya distorsi sinyal atau bahkan rusaknya transistor.
3. Prinsip Self-Beasing adalah teknik untuk menentukan titik polarisasi pada rangkaian
JFET dengan menggunakan resistor pada rangkaian source. Prinsip ini
memungkinkan Q point untuk tetap stabil meskipun terjadi perubahan suhu atau
toleransi komponen.
4. Stability Q Point mengacu pada kemampuan Q point untuk tetap stabil meskipun
terjadi perubahan suhu atau toleransi komponen. Stabilitas Q point sangat penting
untuk menjaga agar rangkaian JFET bekerja pada kondisi yang diinginkan dan
mencegah terjadinya distorsi atau kerusakan transistor.

VI. Referensi
BIBLIOGRAPHY Herman Dwi surjono, P. (2017). Elektronika Teori dan Penerapan.
Jember : Penerbit Cerdas Ulet Kreatif.
Purtanto, A. (2008). TEKNIK OTOMASI INDUSTRI JILID 1. Jakarta: Direktorat
Pembinaan Sekolah Menengah Kejuruan.
Santoso, G. (2018). Elektronika Dasar Edisi kedua. Yogyakarta: AKPRIND PRESS.
Surjono, H. (2007). Elektronika : Teori dan Penerapan. Retrieved from
www.cerdas.co.id
Lampiran

Gambar 3.4. Simulasi JFET Q Point Stability

Gambar 3.5 Foto Percobaan JFET Q Point Stability