LAPORAN PRATIKUM

KARAKTERISTIK N-JFET

Disusun Oleh:
Rizho Rahmatul
4242201067

Politeknik Negeri Batam

Prodi Teknologi Rekayasa Elektronika

Jurusan Elektro

2023
 BAB 1
PENDAHULUAN

1.1 DASAR TEORI

Transistor Bipolar adalah Transistor yang struktur dan prinsip kerjanya memerlukan
perpindahan muatan pembawanya yaitu elektron di kutup negatif untuk mengisi kekurangan
electon atau hole di kutub positif. Transistor Efek Medan atau Field Effect Transistor yang
disingkat menjadi FET ini adalah jenis Transistor yang menggunakan listrik untuk
mengendalikan konduktifitasnya. Yang dimaksud dengan Medan listrik disini adalah
Tegangan listrik yang diberikan pada Terminal Gate (G) untuk mengendalikan aliran arus
dan tegangan pada Terminal Drain (D) ke Terminal Source (S).

Perbedaan yang paling utama diantara dua pengelompokkan tersebut adalah terletak pada
bias Input (atau Output) yang digunakannya. Transistor Bipolar memerlukan arus (current)
untuk mengendalikan terminal lainnya sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya
menggunakan tegangan saja (tidak memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor
Bipolar memerlukan muatan pembawa (carrier) hole dan elektron sedangkan FET hanya
memerlukan salah satunya.

JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol arus antara
dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P, sebagaimana
transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Umumnya yang akan dibahas pada bab ini adalah
kanalN, karena untuk kanal-P adalah kebalikannya.

Konstruksi dasar komponen JFET kanal-N adalah seperti pada gambarTerlihat bahwa
sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe-N yang membentuk kanal. Bagian atas dari
kanal dihubungkan ke terminal yang disebut Drain (D) dan bagian bawah dihubungkan ke
terminal yang disebut Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari kanal-N 2 dimasukkan bahan
tipe P yang
2
dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut dengan Gate (G)
Pada saat semua terminal belum diberi tegangan bias dari luar, maka pada persambungan P
dan N pada kedua gate terdapat daerah pengosongan. Hal ini terjadisebagaimana pada
pembahasan dioda persambungan. Pada daerah pengosongan tidak terdapat pembawa muatan
bebas, sehingga tidak mendukung aliran arus sepanjang kanal.

Apabila antara terminal D dan S diberi tegangan positip (VDS = positip) dan antara terminal
G dan S diberi tegangan nol (VGS = 0), maka persambungan antara G dan D mendapat bias
negatip, sehingga daerah pengosongan semakin lebar. Sedangkan persambungan antara G dan
S daerah pengsongannya tetap seperti semula saat tidak ada bias. Untuk membuat VGS = 0
adalah dengan cara menghubungkan terminal G dan terminal S.

1.2 TUJUAN

a. Setelah melakukan percobaan ini diharapkan mahasiswa dapat:

b. Mengetahui perbedaan antara transistor bipolar dan transistor efek medan

(FET).
c. Menggambarkan kurva karakteristik Drain

d. Menggambarkan kurva karakteristik arus Drain dengan tegangan Gate- source

yang berbeda.
e. Menggambarkan kurva transkonduktansi sebuah FET dari kurva ID VS VGS

1.3 MANFAAT

a. Dapat mengetahui apa itu perbedaan antara bipolar dan efek medan
b. Dapat mengetahui apa itui karakteristik N JFET

3
 METODOLOGI

2.1 ALAT DAN BAHAN

a. Power supply DC 1 buah

b. Multimeter Digital 2 buah
c. Resistor 560 Ω 1 buah
d. JFET 2N5457 1 buah
e. Kabel Secukupnya

2.2 METODE PRATIKUM

a. Buatlah Rangkaian seperti gambar 2.

b. Atur tegangan VDD seperti ditunjukkan pada tabel 1, amati perubahan nilai yang
ditunjukkan oleh amperemeter, masukkan hasilnya dalam tabel 1.
c. Buatlah rangkaian seperti gambar 3.
d. Dengan mempertahankan VGG = 0V, atur tegangan VDD sesuai dengan tabel 2.
e. Amati perubahan nilai yang ditunjukkan amperemeter, masukkan hasilnya
dalam tabel 2.
f. Ulangi langkah 4 dan 5 untuk nilai-nilai tegangan VDD yang lain pada tabel 2.
g. Setelah selesai melakukan percobaan, kembalikan alat dan bahan praktikum.

2.3 GAMBAR RANGKAIAN

RD

Gambar 1

JFET pada gambar 1 memiliki VG(off) = -4V dan IDSS = 12 mA. Tentukan
nilai minimum dari tegangan VDD yang dapat menempatkan FET pada daerah
arus konstan, jika RD = 560 Ω dan VGS = 0 !

4
 NO DATA
DC A
560

+
2N5457 0-20V

Gambar 2

5
 HASIL DAN PEMBAHASAN

3.1 DATA HASIL PERCOBAAN

1. TABEL PERTAMA
VDD (Volt) ID (mA)
0 0 mA

1 1,3 mA

2 2,5 mA

3 3,2 mA

4 5 mA

5 6,1 mA

6 7,2 m,A

7 8,3 mA

8 9,1 mA

9 9,8 mA

10 10 mA

2. GAMBAR KURVA

Tabel 2

6
VGG (Volt) VDD (Volt) ID (mA)
0 0 mA

1 1,3 mA

2 2,5 mA

3 3,8 mA

4 5 mA
0 5 6,1 mA

6 7,2 mA

7 8,3 mA

8 9,1 mA

9 9,8 mA

10 10 mA

0 0 mA

1 1,1 mA

2 2,3 mA

3 3,3 mA
1 4 4,3 mA

5 5,1 mA

6 5,6 mA

7 5,6 mA

8 5,6 mA

9 5,6 mA

10 5,6 mA

0 0

1 0,989 mA

2 1,838 mA

3 2,421 mA
2 4 2,5 mA

5 2,5 mA

6 2,5 mA

7
 7 2,5 mA
8 2,5 mA
9 2,5 mA
10 2,5 mA
0 0,625 mA
1 0,625 mA
2 0,625 mA
3 0,625 mA
3 4 0,625 mA
5 0,625 mA
6 0,625 mA
7 0,625 mA
8 0,625 mA
9 0,625 mA
10 0,625 mA
0 0 nA
1 10 nA
2 20 nA
3 30 nA
4 4 40 nA
5 50 nA
6 60 nA
7 70 nA
8 80 nA
9 90 nA
10 100 nA
0 0 nA
1 10 nA
2 20 nA
3 30 nA
5 4 40 nA
 5 50 nA
6 60 nA
7 70 nA
8 80 nA
9 90 nA
10 100 nA

KESIMPULAN

4,I KESIMPULAN
Berdasarkan simulasi dapat disimpulkan bahwa pemberian bias tegangan pada
transisitor efek medan, yaitu antara gate dan source diberikan bias negatif,
sedangkan antara drain dan source diberikan tegangan positif. Semakin besar
nilai tegangan VDS yang diberikan maka semakin besar pula arus drain yang
mengalir dan semakin negatif tegangan VGS yang diberikan maka arus drain
semakin kecil akibat semakin melebarnya lapisan deplesi. Transkonduktansi
merupakan kurva yang menunjukkan hubungan antara arus drain dengan
tegangan gate-sorce. ketika tegangan gate source (VGS) mencapai maksimum
maka akan sama dengan tegangan penjepit yakni tidak ada ada lagi arus yang
mengalir pada drain