Laporan Modul 4 Elektronika - 6B

LAPORAN PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA
MODUL IV KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR
Kelompok : 6B
Kelas :B
Program Studi : D3 Teknologi Listrik
Tgl Praktikum : 23 Oktober 2020
Tgl Presentasi : 30 Oktober 2020
Nama Asisten : Amanah Yumnah Rahma
LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

INSTITUT TEKONOLGI PLN
JAKARTA
2020
Kelompok 6B
MODUL IV
KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR
I. TUJUAN
a) Memepelajari karakteristik input maupun karakteristirk output dari Bipolar Junction
Transistor (BJT).
b) Mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.
II. ALAT DAN PERLENGKAPAN

1) 1 Unit PC.
2) Software NI Multisim
Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Institut Teknologi PLN
Kelompok 6B
III. TEORI MODUL

3.1. Karakteristik DC
Pada dasarnya ada 2 karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik output ( I C V S V CE ) dan
karakteristik input ( I B V S V CE ) .
IV.
a. Karakteristik Output
Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus kolektor pada konfigurasi
common emitter dengan arus basis sebagai parameter. Secara umum grafik karakteristik
output terlihat seperti gambar di bawah ini :
Gambar 1. Karakteristik Output

|I B 1|<|I B 2|<|I B 3|<|I B 4|<|I B 5|
b. Karakteristik Input
Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada konfigurasi
common emitter untuk tegangan kolektor yang tertentu. Kurva I B−V BE tersebut mempunyai
bentuk yang sama dengan karakteristik forward dari dioda. Secara umum bentuk grafik
karakteristik input terlihat dalam bentuk seperti gambar di bawah ini:
Gambar 2. Karakteristik Input
3.2. Transitor Sebagai Saklar

Penggunaan transistor sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor pada salah
satu kondisi yaitu saturasi atau cut-off. Jika sebuah transistor berada dalam keadaan saturasi

Kelompok 6B
maka transistor berlaku seperti saklar tertutup antara kolektor dan emitter. Jika transistor
cut-off transistor berlaku seperti saklar terbuka.
Pengaturan on – off transistor dengan mengatur level tegangan pada basis transistor
tersebut. Jika arus basis lebih besar atau sama dengan arus basis saat saturasi, titik kerja
transistor berada pada ujung atas garis beban DC, dalam kondisi ini transistor berlaku
sebagai saklar tertutup. Sebaliknya jika arus basis nol, titik kerja transistor berada pada titik
(P) dalam kondisi ini transistor berlaku sebagai saklar terbuka. Dapat dilihat pada gambar
dibawah berikut:
Gambar 3. Garis Beban DC

Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter.
Parameter – parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun parameter
dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif cut–off. Kurva
karakteristik kolektor dapat dilihat pada gambar dibawah berikut.
Gambar 4. Kurva Karakteristik Kolektor Transistor

• Daerah Jenuh
Merupakan daerah dengan V CE kurang dari tegangan lutut (V k ). Daerah jenuh
terjadi bila sambungan emitor-basis dan sambungan basis-kolektor forward bias. Pada
daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai I B. Tegangan jenuh kolektor

Kelompok 6B
emitter (V CE) untuk transistor silikon adalah 0,7 Volt dan untuk transistor germanium
adalah 0.3 Volt.
• Daerah Aktif
Sebuah daerah yang berkisar dari tegangan lutut (V k ) sampai dengan tegangan
dadal (breakdown) serta nilainya IB berada diatas ICO atau nilai arus pada basis tidak
sama dengan arus basis saat saturasi. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor-basis
diberi forward bias dan kolektor-basis reverse bias. Penguatan sinyal terjadi saat
transistor berada dalam aktif
• Daerah Cut-off
Terletak ketika nilai IB dibawah nilai ICO. Sambungan emitor-basis dan kolektor-
basis keduanya berada pada reverse bias. Dimana dalam hal ini nilai I E = 0, I C = I CO = I B
.

Kelompok 6B
V. TEORI TAMBAHAN
Pengertian Transistor, Jenis, dan Karakteristik
Pengertian Transistor
Pengertian Transistor, Jenis, dan Karakteristik. Transistor adalah salah satu komponen yang selalu
ada di setiap rangkaian elektronika, seperti radio, televisi, handphone, lampu flip-flop dll. Fungsi dari
komponen ini sangatlah penting. Kebanyakan, transistor digunakan untuk kebutuhan penyambungan dan
pemutusan (switching), seperti halnya saklar. Yaitu untuk memutus atau menyambungkan arus listrik.
Selain itu transistor juga berfungsi sebagai penguat (amplifier), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal, dan
banyak lagi. Keinginan kita untuk merubah fungsi transistor ini adalah dari pemilihan jenis transistor
atau dengan cara perangkaian sirkit transistor itu sendiri. Dengan banyaknya fungsi itu, komponen
transistor banyak sekali digunakan di dalam rangkaian elektronika.
Jenis-jenis transistor dibedakan berdasarkan arus inputnya BJT (Bipolar Junction Transistor) atau
tegangan inputnya FET (Field Effect Transistor). Yang membedakan transistor dengan komponen lain,
adalah memiliki 3 kaki utama, yaitu Base (B), Collector, (C) dan Emitter (E). dimana base terdapat arus
yang sangat kecil, yang berguna untuk mengatur arus dan tegangan yang ada pada Emitor, pada keluaran
arus Kolektor. Sehingga apabila terdapat arus pada basis, tegangan yang besar pada kolektor akan mengalir
menuju emitor.
Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain Germanium, Silikon, Galium Arsenide. Sedangkan
kemasan dari transistor itu sendiri biasanya terbuat dari Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga
beberapa transistor yang dikemas dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit).
Contoh penggunaan transistor dalam rangkaian analog, adalah digunakan untuk fungsi amplifier (penguat),
rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio.
Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa
transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi
rangkaian-rangkaian lainnya.
Sejarah transistor
Di pertengahan 1940-an sekelompok ilmuwan yang bekerja di Bell Telephone Labs di Murray Hill, New
Jersey, merintis penemuan divais untuk menggantikan teknologi tabung hampa (vacuum tube) saat itu.
Tabung hampa menjadi satu-satunya teknologi saat itu untuk menguatkan sinyal atau sebagai saklar dalam
elektronika. Masalahnya ialah tabung hampa sangat mahal, mengkonsumsi banyak daya listrik, panas, dan
tak-relieable, sehingga perlu perawatan ekstra.
Para ilmuwan tersebut (yang berhasil menemukan transistor pada 1947) ialah John Bardeen, Walter
Brattain, dan William Shockley. Bardeen (Ph.D. dalam matematika dan fisika dari Princeton University)
merupakan spesialis dalam sifat menghantarkan elektron dari semikonduktor. Brattain (Ph.D., ahli dalam
struktur atom zat padat pada permukaan dan fisika zat padat). Shockley (Ph.D., pemimpin riset transistor di
Bell Labs).
Jenis-Jenis Transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
Materi semikonduktor : Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

Kemasan fisik : Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC
Tipe : UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET
Polaritas : NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
Maximum kapasitas daya : Low Power, Medium Power, High Power
Maximum frekuensi kerja : Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave
Aplikasi : Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain
Bipolar junction transistor (BJT)

Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis transistor yang memiliki tiga kaki, yaitu (Basis, Kolektor,
Kelompok 6B
dan Emitor) dan di pisah menjadi dua arah aliran, positif dan negatif. Aliran positif dan negatif diantara
Basis dan Emitor terdapat tegangan dari 0v sampai 6v tergantung pada besar tegangan sumber yang
dipakai. Dan besar tegangan tersebut merupakan parameter utama transistor tipe BJT. Tidak seperti Field
Effect transistor (FET), arus yang dialirkan hanya terdapat pada satu jenis pembawaan (Elektron atau
Holes). Di BJT, arus dialirkan dari dua tipe pembawaan (Elektron dan Holes), hal tersebut yang dinamakan
dengan Bipolar
Ada dua jenis tipe transistor BJT, yaitu tipe PNP dan NPN. Dimana NPN, terdapat dua daerah negatif yang
dipisah dengan satu daerah positif. Dan PNP, terdapat dua daerah positif yang dipisah dengan daerah
negatif.
NPN
Transistor NPN
Pada transistor jenis NPN terdapat arah arus aliran yang berbeda dengan transistor jenis PNP, dimana NPN
mengalir arus dari kolektor ke emitor. Dan pada NPN, untuk mengalirkan arus tersebut dibutuhkan
sambungan ke sumber positif (+) pada kaki basis. Cara kerja NPN adalah ketika tegangan yang mengenai
kaki basis, hingga dititik saturasi, maka akan menginduksi arus dari kaki kolektor ke emitor. Dan transistor
akan berlogika 1 (aktif). Dan apabila arus yang melalui basis berkurang, maka arus yang mengalir pada
kolektor ke emitor akan berkurang, hingga titik cutoff. Penurunan ini sangatlah cepat karena perbandingan
penguatan yang terjadi antara basis dan kolektor melebihi 200 kali.
Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor PNP:

Kelompok 6B
sirkuit sederhana transistor NPN

PNP
Transistor PNP
Pada PNP, terjadi hal sebaliknya ketika arus mengalir pada kaki basis, maka transistor berlogika 0 (off).
Arus akan mengalir apabila kaki basis diberi sambungan ke ground (-) hal ini akan menginduksi arus pada
kaki emitor ke kolektor, hal yang berbeda dengan NPN, yaitu arus mengalir pada kolektor ke emitor.
Penggunaan transistor jenis ini mulai jarang digunakan. Dibanding dengan NPN, transistor jenis PNP
mulai sulit ditemukan dipasaran
Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor PNP:

Kelompok 6B
sirkuit sederhana transistor PNP
Karaktersitik dan daerah kerja

Transistor BJT digunakan untuk 3 penggunaan berbeda: mode cut off, mode linear amplifier, dan mode
saturasi. Penggunaan fungsi transistor bisa menggunakan karakteristik dari masing-masing daerah kerja ini.
Selain untuk membuat fungsi daripada transistor, karakteristik transistor juga dapat digunakan untuk
menganalisa arus dan tegangan transistor
Karakteristik daerah kerja transistor
Karakteristik dari masing-masing daerah operasi transistor tersebut dapat diringkas sebagai berikut:
• Daerah Potong (cutoff):

Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan elektron, sehingga arus
Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan
harga arus Basis adalah 0).
• Daerah Saturasi

Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju. Akibatnya, arus

Kelompok 6B
Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini,
menyebabkan Transistor menjadi komponen yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini,
Dioda Kolektor harus diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang
menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.
• Daerah Aktif

Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur. Terjadi sifat-sifat yang
diinginkan, dimana:
atau
sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor menjadi komponen yang dapat dikendalikan.
• Daerah Breakdown

Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya, BVCEO (tegangan
breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC,
melebihi spesifikasi yang dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.
Contoh sederhana penggunaan transistor tipe NPN dengan fungsi switching

Kelompok 6B
contoh penggunaan transistor NPN

Ketika saklar (switch) diaktifakan, maka terdapat arus yang mengalir pada resistor 1k dan menuju basis
transistor. Ketika basis transistor terdapat arus, maka arus yang berada pada kolektor juga mengalir pada
emitor yang mengakibatkan lampu menyala, karena lampu berada pada aliran tertutup (close circuit).
Field Effect Transistor (FET)

Field Effect Transistor adalah jenis transistor yang dapat digunakan untuk menghasilkan sinyal untuk
mengontrol komponen yang lain. Komponen Transistor efek medan (field-effect transistor = FET)
mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan
transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua jenis
transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (Ic) dikendalikan oleh arus input (Ib).
Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (Vgs), karena arus input adalah
nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.
Transistor efek medan mempunyai keunggulan lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih
kecil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan
keping rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung
membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar. Namun umumnya transistor bipolar
lebih peka terhadap input, atau dengan kata lain penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor bipolar
mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon frekuensi yang lebih lebar. Jenis dari transistor FET itu
sendiri adalah JFET dan MOFET
Junction Field Effect Transistor (JFET)

Keluarga FET yang penting lainnya adalah JFET (Junction Field Efect Transistor) dan MOSFET (Metal-
Oxide Semiconduktor Field-Effect Transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan Kanal N. JFET adalah
komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol arus antara dua terminal lainnya.
JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P, sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan
PNP. Pada umumnya penjelasan tentang JFET adalah kanal-N, karena kanal-P adalah kebalikannya.

Kelompok 6B
Transistor JFET
JFET terdiri dari suatu channel (saluran) yang terbuat dari sekeping semikonduktor (misalnya tipe N). pada
saluran ini ditempelkan dua bagian yang terbuat dari semikonduktor jenis yang berbeda (misalnya tipe P).
bagian ini disebut Gate. Dan pada bagian lain, ujung bawah di sebut source sedangkan ujung atas disebut
drain (sesuai gambar).
Cara kerja JFET
jika channel antara source dengan drain cukup lebar maka elektrok akan mengalir dari source ke drain, hal
ini sama seperti hukum GGL. dimana beda potensial tinggi ke potensial rendah. Dan jika channel ini
menyempit, maka aliran elektron akan berkurang atau berhenti sama sekali. Lebar channel sangat
ditentukan oleh Vgs (Tegangan antara Gate dengan Source). Ilustrasinya seperti gambar berikut

Kelompok 6B
Drain harus lebih positif dari source sedangkan gate harus lebih negatif dari source. Jika tegangan gate
cukup negatif, maka lapisan pengosongan akan saling bersentuhan sehingga saluran akan terjepit sehingga
Id = 0. Tegangan Vgs ini kadang-kadang disebut sebagai tegangan pinch-off (pinch-off voltage) dan
besarnya tegangan ini ditentukan oleh karakteristik JFET.
Sambungan gate dengan source merupakan diode silicon yang diberi prategangan terbalik sehingga
idealnya tidak ada arus yang mengalir. Dengan demikian maka Is = Id. Karena tidak ada arus yang
mengalir ke gate maka resistansi masukan JFET sangat tinggi (puluhan sampai ratusan Mega OHM)
Contoh pemasangan JFET

Penggunaan JFET sangat sesuai untuk aplikasi yang membutuhkan resistansi masukan yang tinggi.

Kelompok 6B
Sedangkan kekurangannya adalah untuk menghasilkan perubahan Id yang besar, diperlukan perubahan Vg
yang besar.
Metal Oxide Semiconduktor Field Effect Transistor (MOSFET)
Transistor MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconduktor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan
semiconduktor (silicon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidak murnian
ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe–N (NMOS) dan transistor
MOSFET tipe-P (PMOS).
Bahan silicon digunakan sebagai landasan (subsrat) dari penguras (drain), dan sumber (source), dan
gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara subsrat dan gerbangnya dibatasi
oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan diatas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor
MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) yaitu
menghasilkan daya rendah.
Cara kerja MOSFET dibedakan menjadi dua yaitu:
transistor mode depletion

Kelompok 6B
1. 1. Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)
Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran yang menghubungkan dua
terminal tersebut, dimana saluran tersebut terdapat fungsi sebagai saluran tempat mengalirnya elektron
bebas. Lebar dari saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh tegangan gerbang. Transistor MOSFET mode
pengosongan terdiri dari tipe-N dan tipe-P
transistor mode enchancement
2. 2, Transistor Mode Peningkatan (transistor Mode Enchancement)

Transistor mode enchancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain dan source nya karena
lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada terminal gate. Transistor MOSFET mode peningkatan
terdiri dari tipe-N dan Tipe-P
Dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor MOSFET dapat dikelompokkan menjadi tiga, antara
lain:
1. NMOS
2. PMOS
3. CMOS
Semoga ilmu tentang pengertian transistor ini, dapat berguna dan mempunyai manfaat yang lebih.
Trimakasih
tags: pengertian transistor, jenis-jenis transistor, transistor dan karakteristik, pengertian BJT, NPN dan
PNP, pengertian transistor JFET MOSFET, daerah kerja transistor, field effect transistor, cara memasang
transistor
Sumber:
[1] http://werden-forscher.blogspot.com/2015/03/pengertian-transistor-jenis-dan.html

Kelompok 6B
VI. LANGKAH PERCOBAAN
5.1. Karakteristik Kerja Transistor
1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.
Gambar 5. Percobaan Karakteristik Kerja Transistor
2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 12 V
Minimum Value : 0 V
Increment : 10%
3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
4. Atur Tegangan Kolektor (V CC ) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser
slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 5 digunakan tombol
‘A’).
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai
Tegangan Kolektor (V CC ) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.

Kelompok 6B
5.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor
1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.
Gambar 6. Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor
2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 50 uA
Minimum Value : 0 A
Increment : 20%
4. Atur Arus Basis ( I B) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 6 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus
Basis ( I B) dan catat pada Data Pengamatan.

Kelompok 6B
5.3. Pengukuran V BE
Gambar 7. Percobaan Pengukuran V BE
2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 50 µA
Minimum Value : 0 A
Increment : 50%

4. Atur Arus Basis ( I B) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 7 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus Basis ( I B)
dan catat pada Data Pengamatan.

Kelompok 6B
5.4. Pengukuran V CE jenuh

Gambar 8. Percobaan Pengukuran V CE Jenuh

3. Saat saklar (S1) berada di posisi 1, amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada
multimeter DC serta kondisi LED. Catat pada Data Pengamatan.
4. Ubah posisi saklar (S1) pada posisi 2 dengan mengklik saklar atau dengan menekan
Tombol Key (Pada Gambar 8 digunakan tombol ‘Space’).
5. Amati kembali nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC serta kondisi
LED. Catat pada Data Pengamatan.

Kelompok 6B
VII. DATA PENGAMATAN

VII.1 Karakteristik Kerja Transistor
Tabel 1. Data Pengamatan Karakteristik Kerja Transistor
V CC (Volt) I C (mA) V CE (Volt)
2 11.72 0.827974
4 12.026 2.797
6 12.331 4.767
8 12.636 6.736
10 12.941 8.706
12 13.247 10.675
VII.2 Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

Tabel 2. Data Pengamatan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor
I B (uA) I C (mA) V CE (Volt)
10 3.275 11.672
20 6.694 11.331
30 10.025 10.998
40 13.247 10.675
50 16.357 10.364
VII.3 Pengukuran V BE
Tabel 3. Data Pengamatan Pengukuran V BE
I B (uA) V BE (mV)
10 668.013
20 689.216 VII.4 Pengukur
an jenuh
30 702.337
40 712.147 V CE
50 721.126
Tabel 4. Data Pengamatan Pengukuran V CE jenuh

Kelompok 6B
POSISI IB IC V BE V CE KETERANGAN
1 11.001 mA 40.856 mA 829.748 mV 51.119 mV MENYALA
2 −312.303 f A 4.974 nA 152.782 pV 4.963 Volt MATI

Kelompok 6B
VIII. RANGKAIAN PERCOBAAN

VIII.1 Rangkaian Percobaan Karakteristik Kerja Transistor
Rangkaian 8.1.1 Percobaan Karakteristik Kerja Transistor dengan V CC = 2 Volt
Rangkaian 8.1.2 Percobaan Karakteristik Kerja Transistor dengan V CC = 4Volt

Kelompok 6B

Kelompok 6B

Kelompok 6B
VIII.2 Rangkaian Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

Rangkaian 8.2.1 Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor dengan I B = 10 uA

Kelompok 6B

Kelompok 6B
VIII.3 Rangkaian Percobaan Pengukuran V BE

Rangkaian 8.3.1 Percobaan Pengukuran V BE dengan I B = 10 uA

Kelompok 6B

Kelompok 6B

Kelompok 6B
VIII.4 Rangkaian Percobaan Pengukuran V CE jenuh

Rangkaian 8.4.1 Percobaan Pengukuran V CE jenuh pada Posisi 1
Rangkaian 8.4.2 Percobaan Pengukuran V CE jenuh pada Posisi 2

Kelompok 6B

Kelompok 6B
IX. TUGAS AKHIR

1. Dari Percobaan 5.1 buatlah kurva karakteristik keluaran transistor!
Jawab:
2. Dari Percobaan 5.2 tentukan harga beta (β) untuk setiap nilai I B!
Jawab:
IC
Rumus dari harga β=
IB
I C 3,275 mA
 β= = =¿ 327,5
I B 0,01 mA
I C 6,694 mA
 β= = =¿334,7
I B 0,02 mA
I C 10,025 mA
 β= = =334,16
IB 0,03 mA
I C 13,247 mA
 β= = =¿331,175
IB 0,04 mA
I C 16,357 mA
 β= = =¿327,14
IB 0,05 mA
3. Dari Percobaan 5.3 buatlah kurva karakteristik masukan transistor!

Jawab:

Kelompok 6B
4. Jelaskan hubungan kerja antara arus dan tegangan dari Percobaan 5.4 sekaligus cara kerja
transistor tersebut sebagai saklar?
Jawab:
Seperti pada gambar Percobaan 5.4 posisi 1 sebagai daerah saturasi, dimana arus mengalir dari Vcc ke
titik percabangan dan diteruskan ke basis sehingga terdapat arus mengalir dari kolektor dan menyebabkan
LED menyala. Daerah cut-off keadaan dimana arus base input = nol, arus output kolektor = nol dan
tegangan kolektor maksimum yang menghasilkan lapisan penipisan yang besar dan tidak ada arus yang
mengalir melalui perangkat. Keadaan transistor menyumbat pada hubungan kolektor ke emitor. Pada
daerah ini tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Seperti pada gambar Percobaan 5.4
posisi 2 sebagai daerah cut off terdapat arus bocor di Ic dan nilai negative pada IB disebabkan karena arus
bertemu kutub negative di multimeter dan menghasilkan nilai tegangan lutut yang kecil sehigga arus tidak
mengalir dan keadaan LED mati.

Kelompok 6B
X. ANALISA
I) ANALISA (Elang Mulya Perkasa-201971058)
Transistor adalah jenis piranti elektronika aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor.
Transistor bisa digunakan sebagai saklar dan penguat. piranti elektronika aktif adalah piranti
elektronika yang membutuhkan aliran listrik agar dapat berfungsi.
Transistor yang dipakai pada praktikum ini adalah transistor NPN. transistor NPN adalah
kepanjangan dari Negatif – Positif – Negatif, transistor ini membutuhkan arus dan tegangan positif
dari sumber agar arus dari kolektor bisa mengalir ke emitor. Transistor NPN ditandai dengan
tanda panah di emitornya.
Cara kerja transistor sebagai saklar yaitu Ketika basis diberi arus maka arus bisa mengalir
dari kolektor ke emitter. Jika tidak ada arus yang mengalir ke basis maka arus tidak bisa mengalir
dari kolektor ke emitter. Agar transistor disebut sebagai penguat, maka kita harus melihat bahwa
nilai arus basis harus lebih kecil dari nilai output arus kolektor.
Kolektor adalah bagian transistor yang mengumpulkan electron, emitor adalah bagian
transistor yang menyalurkan electron dan basis adalah sebagai “gerbang”.
Pada percobaan pertama, kita mencoba tentang karakteristik kerja transistor. Yang dimaksud
dengan karakteristik kerja transistor yaitu ketika kita memberikan arus ke basis dan kita melihat
apakah ada arus yang mengalir di kolektor dan apakah ada tegangan di VCE. Pada pecobaan
pertama ini Ketika kita memberi arus pada kaki basis konstan (40uA) dan VCC nya berubah ubah
maka kita bisa melihat ada nilai output IC dan ada juga nilai VCE (tegangan kolektor – emitor).
Jika nilai VCC semakin kita naikkan maka nilai output IC dan nilai VCE juga akan naik pula. jadi
nilai VCC berbanding lurus dengan nilai IC dan nilai VCE.
Pada percobaan kedua, kita mencoba tentang karakteristik penguat arus DC transistor. Pada
percobaan kedua ini, transistor digunakan sebagai penguat arus. Syarat agar transistor disebut
penguat yaitu kita melihat nilai IB lebih kecil daripada nilai IC. Pengaturannya adalah kita
menetapkan VCC sebesar 12 Volt dan nilai IBnya yang kita ubah ubah. Pada hasilnya, arus output
IC yang keluar yaitu dari nilai 3,275 mA sampai 16,357 mA dan IB nya dari 10 uA sampai 50 uA.
Disitu kita melihat IB lebih kecil daripada IC. Disini kita melihat transistor ini didalam daerah
aktif, karena VCE nya turun dan IC nya naik, kenapa tidak disebut daerah saturasi dikarenankan
VCEnya belum mendekati 0 jika sudah mendekati 0 maka transistor tersebut dalam keadaan
saturasi.
Pada percobaan ketiga yaitu pengukuran VBE, kita melihat bahwa ketika kita menaikkan
arus IB maka tegangan Vbe akan semakin naik juga. Hal ini dikarenakan arus itu berbanding lurus
dengan tegangan. Kalau kita melihat dari grafik, VCE nya itu tetap (sama) tetapi IB dan VBE nya
akan semakin naik bilai kita mengubah IBnya.
Pada percobaan keempat yaitu pengukuran Vce Jenuh. Pada baris pertama pada table
percobaan keempat, saklar dalam keadaan pertama (tersambung ke kutub positif baterai)
terhubung ke basis sehingga arus dari kolektor bisa mengalir ke emitter dan oleh karena itu lampu
akan menyala. Pada baris kedua pada table percobaan kedua, saklar dalam keadaan kedua (tidak
tersambung ke kutub positif baterai) tidak tersambung ke basis, sehingga basis tidak mendapatkan
arus dan arus tak bisa mengalir dari kolektor ke emitor, yang terjadi adalah lampu tidak menyala.
Ini disebabkan karena arus yang mengalir pada lampu itu sangat kecil sekali dan syarat agar lampu
menyala itu arus harus menyelesaikan 1 loop agar lampu bisa menyala. Pada table ini kita bisa
melihat bahwa arus IB itu sama dengan -312,303 fA, jika arus min ini berarti arus pada basis
adalah sama dengan 0, arus IC = 4,974 nA, arus IC ini sangat kecil sekali sehingga tidak bisa
menyalakan lampu. tegangan VCE yang terukur adalah sebesar 4,963 volt sementara itu nilai
VCC nya adalah 6 volt. Tegangan VCE seharusnya sana dengan VCC namun karena ada dua
Kelompok 6B
percabangan, maka tegangan itu akan terbagi juga sehingga nilai VCE nya = 4,963 volt.
II) ANALISA (Catur Rara Paringga Rizaldi-201971057)
Pada praktikum modul 4 ini membahas tentang Karakteristik Kerja Transistor. Dimana transistor itu
sendiri merupakan suatu komponen semikonduktor pada rangkaian yang memiliki 3 kaki elektroda yaitu
basis, kolektor dan emitter. Transistor merupakan 2 buah diode yang dihubungkan atau disebut dengan
Junction Dimana fungsi dari 3 kaki elektroda ini adalah Emitor, berfungsi menimbulkan elektron. Kolektor,
berfungsi menyalurkan elektron tersebut keluar dari transistor. Basis, mengatur gerakan elektron dari emitor
yang keluar melalui kaki kolektor. Cara menetukan kaki transistor menggunakan multimeter atau alat
pengukur hambatan yaitu dimana probe merah pada multimeter diletakan dikepala transistor, sedangkan
probe hitam diletakkan pada salah satu kaki transistor untuk mengukur nilai hambatannya, apabila pada
emitor bernilai tak hingga, kemudian pada kolektor bernilai nol, serta pada basis memiliki nilai. Fungsi dari
transistor ini sangat beragam sebagai penguat, pemutus dan penyambung, sebagai stabilitasi tegangan dan
lainnya. Jenis-jenis dari transistor terbagi 2 yaitu yang pertama Transistor Junction Bipolar atau biasa disebut
BJT. Dimana transistor jenis ini memiliki 3 terminal transistor diantaranya adalah terminal basis, kolektor
dan emitor.
Pada Transistor NPN Daerah kerja terbagi menjadi 3 yaitu Daerah aktif, Daerah Saturasi dan Daerah
Cut-Off. Yang pertama ada Daerah aktif yaitu ketika arus Kolektor I C konstan terhadap nilai berapa saja pun
yang dihasilkan oleh nilai Tegangan Kolektor-Emitor V CE, arus Kolektor I C hanya tergantung dari besar
arus Basis I B. Pada daerah kerja ini transistor digunakan sebagai penguat. Dimana transistor dapat bekerja
pada daerah aktif dikarenakan transistor mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Daerah aktif terletak
antara daerah saturasi dan daerah Cut-off. Kemudian yang kedua Daerah saturasi dimana merupakan suatu
keadaan transistor mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut
seolah-olah short pada hubungan kolektor-emitor. Pada daerah ini nilai Tegangan Kolektor-Emitor V CE akan
bernilai atau mendekati nol. Yang terakhir yaitu Daerah Cut-off, dimana keadaan transistor menyumbat pada
hubungan kolektor-emitor. Daerah Cut-off sering dinamakan daerah mati karena pada daerah kerja ini
transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah Cut-off transistor dapat
dianalogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor-emitor. Pada daerah ini arus Basis I B bernilai
nol.
Tujuan dari praktikum modul 4 tentang Karakteristik Kerja Transistor ini ada 2 yaitu, pertama dapat
memahami Mempelajari karakteristik input maupun karakteristirk output dari Bipolar Junction Transistor
(BJT). Yang kedua dapat mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.
Pada praktikum modul 4 tentang Karakteristik Kerja Transistor ini menggunakan alat dan
perlengkapan yaitu 1 Unit PC dan software NI Multisim. Dimana PC ini digunakan sebagai media untuk
merangkai rangkaian elektronika dengan menggunakan software NI Multisim.
Pada praktikum modul 4 tentang Karakteristik Kerja Transistor ini terdapat 4 Percobaan, yang
pertama Percobaan mengenai Karakteristik Kerja Transistor, Percobaan kedua yaitu mengenai Karakteristik
Penguat Arus DC Transistor, Percobaan yang ketiga yaitu mengenai Pengukuran V BE dan Percobaan yang
terakhir yaitu Percobaan 4 mengenai Pengukuran V CE jenuh.
Percobaan yang pertama yaitu mengenai Karakteristik Kerja Transistor, langkah yang pertama
rangkailah rangkaian seperti gambar 5 pada Percobaan Karakteristik Kerja Transistor pada modul 4 dengan
menggunakan software NI Multisim. Langkah yang kedua dengan mengatur
DC_INTERACTIVE_VOLTAGE dengan format Maximum Value dengan nilai 12 V, Minimum Value
dengan nilai 0 Vdan Increment dengan nilai 10%. Selanjutnya langkah yang ketiga jalankan simulasi dengan
menekan tombol Run atau F5. Langkah yang keempat dengan mengatur Tegangan Kolektor V CC sesuai
dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key.
Langkah yang kelima amatilah nilai arus yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Tegangan
Kolektor V CC , kemudian jangan lupa mencatat hasil pada Data Pengamatan. Dan langkah yang terakhir yaitu
yang keenam jangan lupa juga untuk menghentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.
Percobaan kedua yaitu mengenai Karakteristik Penguat Arus DC Transistor, langkah yang pertama
rangkailah rangkaian seperti gambar 6 pada Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor pada
modul 4 dengan menggunakan software NI Multisim. Langkah yang kedua dengan mengatur
DC_INTERACTIVE_CURRENT dengan format Maximum Value dengan nilai 50 µA, Minimum Value
dengan nilai 0 Vdan Increment dengan nilai 20%. Selanjutnya langkah yang ketiga jalankan simulasi dengan
menekan tombol Run atau F5. Langkah yang keempat dengan mengatur arus Basis I B sesuai dengan data
pengamatan dengan cara menggeser slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key. Langkah yang

Kelompok 6B
kelima amatilah nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai arus basis I B,
kemudian jangan lupa mencatat hasil pada Data Pengamatan. Dan langkah yang terakhir yaitu yang keenam
jangan lupa juga untuk menghentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.
Percobaan ketiga yaitu mengenai Pengukuran V BE . Langkah yang pertama rangkailah rangkaian seperti
gambar 7 pada Percobaan Pengukuran V BE pada modul 4 dengan menggunakan software NI Multisim.
Langkah yang kedua dengan mengatur DC_INTERACTIVE_CURRENT dengan format Maximum Value
dengan nilai 50 µA, Minimum Value dengan nilai 0 Vdan Increment dengan nilai 20%. Selanjutnya langkah
yang ketiga jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5. Langkah yang keempat dengan
mengatur arus Basis I B sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke kanan atau dengan
menekan Tombol Key. Langkah yang kelima amatilah nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter
DC untuk setiap nilai arus basis I B, kemudian jangan lupa mencatat hasil pada Data Pengamatan. Dan langkah
yang terakhir yaitu yang keenam jangan lupa juga untuk menghentikan simulasi dengan menekan tombol
Stop.
Percobaan terakhir yaitu yang keempat mengenai Pengukuran V CE jenuh. Langkah yang pertama
rangkailah rangkaian seperti gambar 8 pada Percobaan Pengukuran V CE pada modul 4 dengan menggunakan
software NI Multisim. Langkah yang kedua jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
Langkah yang ketiga apabila pada saklar (S1) berada diposisi 1, amati nilai arus dan tegangan yang terukur
pada multimeter DC serta pada kondisi LED, jangan lupa untuk mencatat hasil data pengamatan yang
dihasilkan. Langkah yang keempat dengan mengubah posisi saklar (S1) menjadi posisi 2 dengan mengklik
saklar atau dengan menekan Tombol Key dengan tombol space. Langkah yang kelima amatilah nilai arus
dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC serta kondisi pada LED, kemudian catatlah hasil pada data
pengamatan. Langkah yang keenam jangan lupa juga untuk menghentikan simulasi dengan menekan tombol
Stop.
Pada percobaan 1 mengenai Karakteristik Kerja Transistor dari data yang dihasilkan pada Tabel 1.
Karakteristik Kerja Transistor dapat diamati bahwa semakin besar nilai Tegangan Kolektor V CC yang
digunakan maka akan semakin besar pula arus Kapasitor I C yang dihasilkan serta semakin besar pula nilai
Tegangan Kolektor-Emitor V CE. Namun pada beberapa nilai Tegangan Kolektor V CC tertentu pada arus
Kapasitor I C ditemukan nilai yang stabil atau konstan. Dapat dilihat juga dari percobaan bahwa nilai arus
Basis I B memiliki nilai lebih kecil dari arus Kapasitor I C.
Kemudian pada percobaan 2 mengenai Karakteristik Penguat Arus DC Transistor dari data yang
dihasilkan pada Tabel 2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor dapat diamati bahwa pada percobaan ini
menggunakan nilai Tegangan Kolektor V CC sebesar 12 Volt pada 5 percobaan. Pada data dapat diamati
bahwa semakin bertambahnya nilai arus Basis I B yang digunakan dapat menghasilkan nilai arus Kapasitor
I C yang semakin meningkat serta ada dibeberapa percobaan yang menghasilkan nilai konstan atau stabil
pada nilai arus Kapasitor I C. Dimana dapat dilihat apabila semakin bertambahnya nilai arus Basis I B yang
digunakan dapat menghasilkan nilai Tegangan Kolektor-Emitor V CE yang naik dengan stabil.
Kemudian pada percobaan 3 mengenai Pengukuran V BE . Dimana dari data yang dhasilkan dari
percobaan yaitu pada Tabel 3. Data Pengamatan Pengukuran V BE nilai Arus Basis I B yang digunakan
berbanding lurus dengan hasil pada nilai Tegangan Basis-Emitor V BE . Apabila nilai pada Arus Basis I B yang
digunakan semakin bertambah, maka akan semakin bertambah pula yang dihasilkan pada nilai Tegangan
Basis-Emitor V BE . Pada percobaan ini dihasilkan pada nilai Tegangan Kolektor-Emitor V CE yang tetap,
walaupun nilai pada Arus Basis I B semakin bertambah yaitu tetap dengan nilai 12 Volt. Dimana pada nilai
Tegangan Kolektor-Emitor V CE tidak berpengaruh dengan nilai Arus Basis I B.
Kemudian percobaan 4 Pengukuran V CE. Dimana pada percobaan 4 ini terdapat 2 posisi, dimana
posisi 1 yaitu pada posisi saklar terhubung pada jalur 1, dan posisi 2 yaitu posisi diubah kejalur 2 dengan
cara mengklik saklar sehingga jalur beralih ke jalur 2. Pada posisi 1 dihasilkan nilai yang lebih besar dari
pada posisi 2, tetapi nilai Tegangan Kolektor-Emitor V CE yang dihasilkan pada posisi 2 lebih besar dari
posisi 1. Pada posisi 1 dioda LED menyala, dan pada posisi 2 dioda LED mati atau tidak menyala.
Pada praktikum modul 4 tentang Karakteristik Kerja Transistor ini ditemukan beberapa
kemungkinan kesalahan, dari perhitungan yang dilakukan oleh praktikan dan tidak telitian praktikan dalam
membulatkan bilangan sehingga dapat dihasilkan nilai yang berbeda dari nilai yang seharusnya. Kesalahan
juga sangat banyak dipengaruhi oleh beberapa faktor diantaranya kemungkinan kesalahan dari komputer/ PC
Kelompok 6B
atau laptop yang digunakan kemungkinan error atau bermasalah. Kesalahan lainnya mungkin pada praktikan
yang merangkai suatu rangkaian,kemungkinan kesalahan penggunaan komponen pada rangkaian sehingga
menghasilkan hasil yang tidak sesuai.

Kelompok 6B
I) ANALISA (Muh Aan Al Rahmadan-201971056)

Pada praktikum Elektronika modul 4 dengan judul modul Karakteristik Kerja Transistor. Ada 2
tujuan dalam modul ini, yaitu yang pertama mempelajari karakteristik input maupun karakteristik output
dari Bipolar Junction Transistor (BJT). Kedua mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang
diperoleh. Dan seperti biasa dengan menggunakan software multisim untuk melaksanakan praktikum.
Pada pembahasan kali ini mengenai karakteristik kerja transistor, dimana ada 2 karakteristik pada
transistor, yaitu karakteristik input dan karaktersitik output. Karakteristik input adalah hubungan antara
tegangan dan arus basis pada konfigurasi commoe emttier untuk tegangan kolektor yang tertentu.
Sedangkan, karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus kolektor pada konfigurasi
common emitter dengan arus basis sebagai parameter. Pada praktikum kali ini juga membahas tentang
transistor sebagi saklar. Penggunaan trasnsitor sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor pada salah
satu kondisi yaitu saturasi atau cut-off. Jika sebuah transitor berada dalam keadaan saturasi maka transistor
berlaku seperti saklar tertutup antara kolektor dan emitter. Jika transistor cut-off maka transistor berlaku
seperti saklar terbuka. Pada kondisi saklar on maka berada di daerah saturasi. Daerah jenuh (saturasi adalah
daerah dengan Vce kurang dari tegangan lutut. Daerah jenuh terjadi apabila sambungan emitor-basis dan
sambungan basis-kolektor forward bias. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nnilai Ib.
tegangan jenuh kolektor emitter untuk transistor silikon adalah 0,7volt dan untuk transistor germanium
adalah 0,3 volt. Selain daerah jenuh adapula yang namanya daerah aktif. Daerah aktif merupakan daerah
yang berkisal dari teganagn lutu sampai dengan tegangan dadal (breakdown) serta nilainya berada diatas
Ico atau nilai arus apda basis tidaksama dengan arus basis saat forward bias dan kolektor-basis reverse bias.
Penguat sinyal terjadi saat transistor beradal dalam aktif. Pada keadaan saklar off berada didaerah cut-off,
dimana daerah cut o-ff adalah terletak Ketika nilai Ib dibawah nilai Ico. Sambungan emitor-basis dan
kolektor- basis keduanya berada pada reverse bias.
Pada praktikum kali ini terdapat 4 kali percobaan. Percobaan yang pertama adalah karakteristik kerja
transistor, disni nilai Ib sudah ditetapkan yaitu sebesar 4µ. Kemudian nilai Vcc dinaikkan mulai dari 2
sampai 12, pada saat kita naikkan nilai Vcc nilai Ic dan VCE juga ikut naik sebagaimana mestinya rumus
Vcc yaitu Vcc=Ic.RC+VCE. Itulah kenapa Ketika nilai Vcc dinaikkan maka nilai Ic dan VCE juga ikut
naik karena ketiganya berbanding lurus sebagaimana dengan rumus Vcc.Pada percobaan yang kedua
adalah karakteristik penguat arus DC transistor, dimana berdasarkan data pengamatan yang sudah diambil
dapat dianalisa bahwa arus kolektor menjadi stabil dan tegangan kolektor-emitor mengalami penurunan
drastis apabila diteruskan maka akan mendekati nol. Pada percobaan yang ketiga adalah pengukuran
tegangan basis emitter (Vbe), dimana berdasarkan data pengamtan yang diambil terlihat arus yang mengalir
dari basis menuju emitter mendapatkan nilai tegangan lutut atau Vcut-in basis-emiter sebesar 668,013 mv
sampai dengaan 720,126 mv dimana ini menunjukkan transitor tersebut berbahan silikon. Pada percobaan
yang keempat adalah pengukuran Vce (tegangan kolektor-emiter) jenuh, dimana menggunakan satu dioda
LED (light emitting diode). Ketika pada kondisi satu terjadinya saturasi dan lampu led menyalah lalu ada
arus dari sumber ke basis sehingga arus kolektor dapat mengalir dan tegnagn basis emitternya sudah
melewati batas vcutin dan tegangan kolektornya mendekati nol. Pada kondisi kedua terjadinya cut-off
sehingga lampu led off. Pada kondisi kedua Ib nya minus dikarenakan arus bocor pada arus kolektor yang
mengalir ke basis dan bertumu kutub multimeter yang negative. pada LED terbagi menjadi beberapa warna
cahaya led dimana masing-masing warna terdapat batas tegangannya, pada led dengan gelobang yang
paling panjang adalah led warna merah dan yang paling pendek adalah warna putih

Kelompok 6B
II) ANALISA (Al Ikhsan Muhammad Naufal-201971055)

Pada praktikum daring kali ini, kita membahas pada modul 3 yang berjudul “Karakteristik Kerja
Transistor”. Adapun tujuan dari praktikum kali ini yaitu untuk mempelajari karakteristik input maupun
karakteristik output dari Bipolar Junction Transistor (BJT) dan mengetahui parameter BJT dari grafik
karakteristik yang diperoleh.
Pada dasarnya terdapat 2 karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik output (Ic VS V CE) dan
karakteristik input (IB VS VCE). Karakteristik output adalah gabungan antara tegangan dan arus kolektor
pada konfigurasi common emitter dengan arus basis sebagai parameter. Sedangkan karakteristik input
adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada konfigurasi common emitter untuk tegangan kolektor
yang tertentu. Kurva IB – VBE mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik forward dari dioda.
Terdapat tiga daerah pada kurva transistor, yaitu daerah jenuh (saturasi), daerah aktif dan daerah cut-
off. Daerah jenuh merupakan daerah dengan V CE kurang dari tegangan lutut (Vk). Daerah jenuh ini terjadi
apabila sambungan emitor-basis dan sambungan basis-kolektor forward bias. Daerah aktif merupakan
sebuah daerah yang berkisar dari tegangan lutut (V k) sampai dengan tegangan breakdown serta nilai I B
berada diatas ICO atau nilai pada arus basis tidak sama dengan arus basis saat saturasi. Daerah aktif ini
terjadi apabila sambungan emitor-basis diberi forward bias dan kolektor-basis reverse bias. Daerah cut-off
terletak ketika nilai IB dibawah nilai ICO. Pada daerah cut-off ini sambungan emitor-basis dan kolektor-basis
keduanya berada pada reverse bias.
Pada praktikum kali ini, kita menggunakan transistor sebagai saklar (switch). Penggunaan transistor
sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor pada salah satu kondisi yaitu saturasi atau cut-off.
Dimana saat sebuah transistor berada dalam keadaan saturasi maka transistor berlaku sebagai saklar
tertutup antara kolektor dan emitter. Jika transistor cut-off, transistor berlaku sebagai saklar terbuka.
Pada percobaan pertama yaitu Karakteristik Kerja Transistor. Dalam percobaan ini kita
menggunakan DC interactive voltage, resistor 3k3Ω dan 100Ω , dua buah multimeter untuk menghitung
besarnya arus listrik dan tegangan, transistor, dc current, dan ground. Dari tabel pengamatan percobaan
pertama ini, dapat kita lihat bahwa semakin besar nilai tegangan kolektor VCC yang digunakan, maka akan
semakin besar pula arus kapasitor IC yang dihasilkan, dan semakin besar juga nilai V CE nya. Nilai pada
basis IB lebih kecil dari pada arus IC.
Pada percobaan kedua yaitu Karakteristik Penguat Arus DC Transistor. Dalam percobaan ini kita
menggunakan DC Interactive Current, resistor 3k3Ω dan 100Ω , dua buah multimeter untuk menghitung
besarnya arus listrik dan tegangan, transistor, DC Power, dan ground. Dari tabel pengamatan dapat kita
lihat bahwa semakin besar nilai pada basis I B yang digunakan makan semakin besar pula nilai arus Ic yang
dihasilkan, sedangkan nilai pada tegangan V CE semakin menurun. Pada percobaan kali ini nilai basis I B
selalu lebih kecil dibandingkan nilai arus IC, dari hasil tersebut dapat terbukti bahwa transistor sebagai
penguat arus dc.
Pada percobaan ketiga yaitu pengukuran VCE. Dalam percobaan ini kita menggunakan DC
Interactive Current, resistor 10kΩ , multimeter untuk mengukur tegangan yang dihasilkan, transistor, DC
Power, dan Ground. Dari tabel pengamatan dapat kita lihat bahwa semakin besar basis I B maka semakin
besar pula tegangan basis-emitor V BE yang dihasilkan. Dalam percobaan ini kita dapat membandingkan
hubungan antara basis IB dan tegangan basis-emitor V CE. Dari perobaan ketiga ini, kita dapat mengenal
karakteristik input, dimana karakteristik input ini adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada
konfigurasi common emitter untuk tegangan kolektor yang tertentu, yang pada kurva I B – VBE mempunyai
bentuk yang sama dengan karakteristik forward dari dioda.
Pada percobaan ke-empat yaitu VCE Jenuh. Dalam percobaan ini kita menggunakan saklar switch,
empat buah multimeter, resistor 470Ω dan 100Ω , dioda LED, transistor, DC Power, dan Ground. Terdapat
dua posisi pada percobaan kali ini. Pada posisi satu dapat dihasilkan nilai yang lebih besar dibandingkan
posisi kedua. Pada posisi satu ini arus basis I B maksimal karena menerima arus yang mengalir, sedangkan
pada posisi kedua tidak ada arus yang mengalir yang masuk ke I B. Posisi satu transistor bekerja pada daerah
jenuh (saturasi), hal ini dapat kita lihat dari nilai tegangan V CE yang turun. Pada posisi satu, dioda LED
dapat menyala, sedangkan pada posisi kedua dioda LED tidak dapat menyala.

Kelompok 6B
III) ANALISA (El Khana Aburyzal Sihombing-201971054)

Pada praktikum kali ini kami membahas mengenai karakteristik kerja transistor. Transistor dari kata
transfer dan resistor dapat di artikan mentransfer resistansi, dimana transistor merupakan komponen
elektronika aktif yang berfungsi sebagai penguat, saklar elektronik dan penstabil tegangan. Transistor juga
merupakan 2 buah diode yang dihubungkan atau disebut dengan Junction. Cara kerja transistor apabila ada
arus yang mengalir pada kaki basis, kemudian gerbang akan terbuka sehingga arus dapat mengalir dari
kolektor ke emitor.
Tujuan dari parktikum kali ini adalah yang pertama untuk pertama dapat memahami Mempelajari
karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar Junction Transistor (BJT). Serta tujuan lainnya
dapat mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.
Dilihat dari rangkaian bahwa Transistor yang digunakan pada praktikum percobaan ini menggunakan
transistor NPN. Transistor NPN adalah Transistor NPN adalah transistor bipolar yang menggunakan arus
listrik kecil dan tegangan positif pada terminal basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang
lebih besar dari kolektor ke emitor. Transistor ini memiliki 3 terminal transistor diantaranya adalah
terminal basis, kolektor dan emitor.
Pada praktikum ini kami menggunakan alat dan bahan yaitu 1 unit pc yang berfungsi sebagai alat yang
digunakan, kemudian ada software NI Multisim sebagai aplikasi yang digunakan untuk membuat rangkaian
dalam pc. Pada aplikasi multisim ini dalam menggunakan rangkaian menggunakan DC Interactive voltage
dan DC Interactive current berfungsi untuk menyuplai Tegangan DC pada rangkaian. Pada keempat
percobaan modul ini menggunakan transistor, dimana transistor yang digunakan adalah jenis BC107BP.
Pada rangkaian percobaan 1 menggunakan DC Interactive voltage, dimana besarnya tegangan dapat diatur
dengan menggeser slide kek kiri maupun ke kanan dengan menekan tombol key, percobaan ini
menggunakan 2 buah resistor yaitu 3k3Ohm dan 100Ohm. Kemudian Pada rangkaian percobaan 2
menggunakan DC Interactive current, dimana besarnya tegangan dapat diatur dengan menggeser slide kek
kiri maupun ke kanan dengan menekan tombol key, serta menggunakan 2 buah resistor yaitu 3k3Ohm dan
100Ohm. Pada rangkaian percobaan 3 ini menggunakan DC Interactive current, dimana besarnya tegangan
dapat diatur dengan menggeser slide kek kiri maupun ke kanan dengan menekan tombol key, serta
menggunakan resistor 10Kohm,lalu terdapat transistor dengan tipe BC107BP sebagai penguat. Pada
rangkaian percobaan 4 ini menggunakan Saklar atau switch jenis SPDT, dimana dapat diatur dengan
mengklik saklar, serta menggunakan resistor 100Ohm dan 470Ohm,lalu terdapat transistor dengan tipe
BC107BP sebagai penguat, serta digunakan LED merah. Dimana LED dioda ini digunakan sebagai melihat
jalan apa tidaknya rangkaian tersebut dengan nyala tidaknya LED pada rangkaian percobaan keempat ini.
Berdasarkan data percobaan pertama yang merupakan karakteristik kerja transistor nilai I B tetap yaitu
40uA, dapat dikatakan bahwa semakin meningkat nilai V CC yang diberikan maka semakin besar pula nilai
I C dan V Ce yang dihasilkan.
Berdasarkan data percobaan kedua yang merupakan karakteristik penguat arus DC transistor nilai V CC
tetap yaitu 12 Volt, dapat dikatakan bahwa V Ceyang dihasilkan semakin menurun walaupun secara
signifikan, apabila nilai I B dan I C semakin meningkat. Pada percobaan ini data pengamatan dengan nilai I B
10uA sampai dengan 50uA. Dimana V Ce yang dihasilkan selalu stabil,walaupun mengalami kenaikkan.
Berdasarkan data percobaan ketiga yang merupakan pengukuran V be , dimana pada percobaan ini data
pengamatan dengan nilai I B10uA sampai dengan 50uA. nilai V CC yang dihasilkan tetap yaitu 15 Volt,
dapat dikatakan bahwa V be yang dihasilkan semakin naik secara signifikan, apabila nilai I B semakin
meningkat, nilai V be yang dihasilkan selalu stabil,walaupun mengalami kenaikkan secara signifikan.
Berdasarkan data percobaan keempat yang merupakan pengukuran V ce jenuh. Pada percobaan ini
terdapat posiisi 1 dan juga posisi 2. Posisi 1 merupakan suatu kondisi dimana pada rangkaian saklar atau
switch diaktifkan, sedangkan Posisi 2 sebaliknya yaitu pada rangkaian saklar atau switch tidak diaktifkan.
Pada kedua kondisi percobaan ini menggunakan nilai V cc yaitu 6 Volt, dimana kedua nilai ini digunakan
pada kedua kondisi percobaan dengan nilai yang tetap. Pada data kondisi 1 menghasilkan nilai I B 11.001
mA juga nilai I C 40.859 mA. Diketahui bahwa nilai I B yang dihasilkan lebih kecil daripada nilai I C.
Kemudian terdapat nilai V Ce yaitu 51.119 Volt, nilai V be 829.748 mV .Diketahui nilai V CC lebih besar dari
V Ce. Pada data posisi 2 menghasilkan nilai I B -312.330fA, juga nilai I C 4.974mA. Diketahui bahwa nilai
I B yang dihasilkan lebih kecil daripada nilai I C. Kemudian terdapat nilai V Ce yaitu 4.936V, nilai V be
152.782 pV .Diketahui nilai V CC lebih besar dari V Ce .
Kelompok 6B
Dilihat dari kondisi 1 dan 2 terdapat hasil data, apabila saklar pada posisi 1 LED menyala, dan apabila
saklar pada posisi 2 LED dioda tidak menyala atau mati.

Kelompok 6B
XI. KESIMPULAN
Pada praktikum keempat modul 4 ini membahas tentang Karakteristik Kerja Transistor. Dan dapat
disimpulkan bahwa:
1. Karakteristik output adalah hubungan antara nilai I C dan nilai V CE. Dimana parameter I B yang kita
ubah ubah , semakin besar parameter I B maka semakin besar pula nilai I C dan nilai V CE.
2. Karakteristik input adalah hubungan antara nilai I B dan nilai V BE . , Dimana parameternya adalah
V CE. Dimana nilai V CE sama dengan nilai V CC , semakin tinggi nilai IB maka semakin tinggi nilai
V BE .

Kelompok 6B
XII. PEMBAGIAN TUGAS KELOMPOK

• El Khana Aburyzal Sihombing: Teori Tambahan, Rangkaian Percobaan Pengukuran V BE ,
Data Pengamatan Rangkaian Percobaan Pengukuran V BE .
• Catur Rara Paringga Rizaldi: Susun laporan, Teori Modul, Cover, Rangkaian Percobaan
Pengukuran V CE jenuh, Data Pengamatan Percobaan Pengukuran V CE jenuh.
• Al Ikhsan Muhammad Naufal: Rangkaian Percobaan Karakteristik Kerja Transistor,
Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor, Data Pengamatan Karakteristik Kerja
Transistor, Data Pengamatan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor.
• Elang Mulya Perkasa: Kesimpulan, Kurva Tugas Akhir No. 1, Kurva Tugas Akhir No.3.
• Muh Aan Al Ramadhan: Perhitungan Tugas akhir No. 2, Tugas Akhir No.4


Laporan Modul 4 Elektronika - 6B

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Laporan Modul 4 Elektronika - 6B

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

LAPORAN PRAKTIKUM

LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

II. ALAT DAN PERLENGKAPAN

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

III. TEORI MODUL

Gambar 1. Karakteristik Output

Gambar 2. Karakteristik Input

3.2. Transitor Sebagai Saklar

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Gambar 3. Garis Beban DC

Gambar 4. Kurva Karakteristik Kolektor Transistor

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Materi semikonduktor : Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

Bipolar junction transistor (BJT)

Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor PNP:

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

sirkuit sederhana transistor NPN

Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor PNP:

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

sirkuit sederhana transistor PNP

Karaktersitik dan daerah kerja

Karakteristik daerah kerja transistor

• Daerah Potong (cutoff):

• Daerah Saturasi

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

• Daerah Aktif

• Daerah Breakdown

Contoh sederhana penggunaan transistor tipe NPN dengan fungsi switching

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

contoh penggunaan transistor NPN

Field Effect Transistor (FET)

Junction Field Effect Transistor (JFET)

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Contoh pemasangan JFET

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Metal Oxide Semiconduktor Field Effect Transistor (MOSFET)

Cara kerja MOSFET dibedakan menjadi dua yaitu:

transistor mode depletion

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

1. 1. Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)

transistor mode enchancement

2. 2, Transistor Mode Peningkatan (transistor Mode Enchancement)

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

VI. LANGKAH PERCOBAAN

5.1. Karakteristik Kerja Transistor

1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.

Gambar 5. Percobaan Karakteristik Kerja Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

5.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.

Gambar 6. Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

Gambar 7. Percobaan Pengukuran V BE

2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.

Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika

5.4. Pengukuran V CE jenuh

Gambar 8. Percobaan Pengukuran V CE Jenuh

2. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.