TRANSISTOR PERSAMBUNGAN BIPOLAR

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

I. Bagian-bagian transistor (Emitter, Basis, Kolektor) menyangkut Fungsi,
tingkat doping, ukuran fisik.
II. Tipe-tipe transistor dan simbol (NPN dan PNP)
III. Transistor dalam keadaan tanpa pembiasan
IV. Pembiasan transistor
a. Pembiasan forward-forward,
b. Pembiasan reverse-reverse,
c. Pembiasan forward-reverse
V. Rangkaian pembiasan transistor
a. Fixed bias = rangkaian bias basis,
b. Rangkaian bias pembagi tegangan,
c. Rangkaian bias umpan balik kolektor
VI. Konfigurasi rangkaian transistor
a. Konfigurasi basis bersama (Common base, CB)
b. Konfigurasi emitter bersama (common emitter, CE)
c. Konfigurasi kolektor bersama (common collector, CC)
VII. Karakteristik transistor (untuk common base, common emitter,
common collector)
a. Karakteristik input
b. Karakteristik output
c. Karakteristik transfer
VIII. Prinsip Dasar Penguat Common Emitter
IX. Pemeriksaan transistor
a. In circuit test
b. Out of circuit test

Pustaka : Malvino-Hanapi Gunawan. Prinsip-prinsip

Dasar Elektronika
Bernard Grob, Basic Electronics
PEDC. Perangkat Elektronika 2

1
 TRANSISTOR PERSAMBUNGAN BIPOLAR
(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR, BJT )

1. Bagian-bagian transistor bipolar

2. Tipe/jenis transistor (NPN dan PNP, Si dan Ge)
3. Transistor tanpa pembiasan
4. Pembiasan transistor
5. Rangkaian pembiasan
6. Konfigurasi rangkaian transistor (CC, CB, CE)
7. Karakteristik transistor (CC, CB, CE)
8. Pemeriksaan/pengujian transistor

TRANSISTOR PERSAMBUNGAN BIPOLAR

(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR, BJT)

Transistor persambungan bipolar (Bipolar Junction Transistor, BJT) atau

biasa disebut transistor, terdiri dari dua persambungan PN, sehingga terbentuk dua
semikonduktor tipe N mengapit satu semikonduktor tipe P untuk transistor NPN, atau
dua semikonduktor tipe P mengapit satu semikonduktor tipe N untuk transistor PNP.
Secara struktur dan symbol, transistor persambungan tipe PNP diperlihatkan
seperti pada gambar 1

2
 Gambar 1. Struktur dan symbol transistor tipe PNP

Gambar 2. Struktur dan Simbol transistor tipe NPN

Bagian-bagian transistor persambungan bipolar :

3
 1. Emitter, berfungsi sebagai sumber muatan, diberikan tingkat doping paling
tinggi, ukuran fisiknya berada antara ukuran fisik basis ( base) dan ukuran fisik
kolektor (Collector).
2. Basis (base), merupakan sarana transit muatan dari emitter sebelum mencapai
kolektor dan sekaligus merupakan penentu besar arus kolektor. Basis diberikan
tingkat doping yang paling rendah. Ukuran fisiknya paling tipis dibandingkan
dengan emitter dan kolektor.
3. Kolektor (collector ), merupakan bagian yang menampung muatan yang
diinjeksikan oleh emitter sesudah menyeberangi basis. Tingkat doping kolektor
berada antara tingkat doping emitter dan tingkat doping basis. Ukuran fisik
kolektor paling besar untuk memperbesar permukaan yang dapat membuang
panas yang cukup besar sehingga transistor tidak mengalami pemanasan lebih.

Transistor tanpa pembiasan

Dalam keadaan tanpa pembiasan, BJT yang terdiri dari dua persambungan PN
dapat diperlihatkan seperti gambar 2. Karena terdapat dua persambungan PN, maka
terdapat dua lapisan pengosongan yang berbeda. Lapisan pengosongan antara
persambungan basis – emitter disebut lapisan pengosongan emitter dan lapisan
pengosongan antara persambungan basis – kolektor disebut lapisan pengosongan
kolektor.

Lapisan pengosongan emitter lebih kecil dibandingkan dengan lapisan

pengosongan kolektor karena tingkat doping emitter lebih tinggi dibandingkan dengan
tingkat doping kolektor. Dalam keadaan demikian BJT dapat diekivalenkan dengan dua
dioda.

Gambar 2 BJT tanpa bias dan ekivalen dioda

4
Pembiasan BJT

Karena BJT ekivalen dengan dua dioda yaitu dioda emitter dan dioda kolektor,
maka BJT juga menggunakan istilah pembiasan yang digunakan pada dioda. Pembiasan
BJT adalah pemberian energi dari luar yang dimaksudkan untuk membuat transistor
bekerja atau aktip. Ada tiga macam pembiasan BJT yang dikenal yaitu :
1. Pembiasan Forward – Forward ( Dioda emitter terbias forward, dioda kolektor
terbias forward, lihat gambar 3)
2. Pembiasan Reverse – Reverse ( Dioda emitter terbias reverese, dioda kolektor
terbias reverse, lihat gambar 4)
3. Pembiasan Forward – Reverse ( Dioda emitter terbias forward, dioda kolektor
terbias reverse, lihat gambar 5).

Bila transitor dibias dalam kondisi forward – reverse, maka transistor dibias dalam
daerah aktip artinya dapat memberikan efek penguatan sinyal.

Gambar 3 Pembiasan forward – forward

5
 Gambar 4 Pembiasan Reverse – reverse

Gambar 5 Pembiasan Forward – Reverse

Rangkaian Pembiasan Transistor

Ada tiga cara memberikan pembiasan pada transistor yaitu :
1. Rangkaian bias Basis (Fixed Bias), menggunakan sumber tegangan tersendiri
antara basis-emitter. Lihat gambar 6.a
2. Rangkaian bias pembagi tegangan, menggunakan prinsip rangkaian pembagi
tegangan antara R1 dan R2 yang membagi VCC untuk memperoleh tegangan
pembias basis-emitter sebesar 0.7 volt. Lihat gambar 6.b
3. Rangkaian bias umpan balik kolektor, lihat gambar 6.c

6
 Gambar 6 Rangkaian bias transistor

Konfigurasi rangkaian transistor

Pada umumnya rangkaian transistor memerlukan dua pasang terminal yaitu satu
pasang untuk input dan satu pasang untuk output, sedangkan transistor hanya
mempunyai tiga terminal yaitu emitter, basis, dan kolektor. Untuk memenuhi kondisi
tersebut, maka salah satu terminal transistor digunakan bersama oleh rangkaian input
dan rangkaian output. Berdasarkan terminal atau kaki yang digunakan bersama, maka
konfigurasi rangkaian transistor dibedakan atas tiga jenis yaitu :
1. Konfigurasi basis bersama ( Common base, CB ), basis digunakan bersama oleh
input dan output. Lihat gambar 7.a
2. Konfigurasi emitter bersama ( Common emitter, CE ),emitter digunakan bersama
oleh input dan output. Lihat gambar 7.b
3. Konfigurasi kolektor bersama ( Common collector, CC), kolektor digunakan
bersama oleh input dan output. Lihat gambar 7.c
Ketiga konfigurasi tersebut diperlihatkan pada gambar 7.

7
 Gambar 7 Konfigurasi rangkaian transistor

Perbandingan konfigurasi rangkaian transistor

Karakteristik Common Common Common
Base (CB) Emitter (CE) Collector (CC)
Signal into (input) Emitter Base Base
Sinyal out of (Output) Collector Collector Emitter
Advantage Stability High Gain High Ri
Phase inversion No Yes No

Pergerakan pembawa muatan dalam transistor diperlihatkan dalam gbr 8.

8
 Gambar 8 Pergerakan pembawa muatan dalam transistor.
Pola pergerakan pembawa muatan dalam transistor PNP dan NPN dalam
kondisi pembiasan forward – reverse diperlihat seperti pada gambar 9 dan gambar
10.

Gambar 9 Pola pergerakan muatan dalam transistor PNP

untuk pembiasan forward-reverse

Untuk transistor PNP pergerakan muatannya dijelaskan sebagai berikut :

- Pembawa muatan mayoritas emitter (hole) diinjeksikan ke dalam daerah basis
dan muncul sebagai pembawa muatan minoritas.
- Pada saat bersamaan pembawa muatan mayoritas basis (electron) diinjeksikan
ke dalam daerah emitter

9
- Tetapi karena konsentrasi hole dalam daerah emitter jauh lebih tinggi dari
konsentrasi electron dalam basis, maka arus yang dihasilkan (arus hole) mengalir
dari emitter ke dalam basis.
- Karena daerah basis adalah lapisan yang relative tipis, maka sebagian hole yang
diinjeksikan dapat menyeberangi basis. Hanya beberapa diantaranya yang
berekombinasi dengan pembawa muatan mayoritas (electron) dalam daerah
basis.
- Persambungan basis – kolektor terbias reverse untuk pembawa muatan
mayoritas basis (electron) dan terbias forward untuk pembawa muatan minoritas
basis (hole), sehingga pembawa muatan minoritas basis (hole yang diinjeksikan
oleh emitter), terdorong ke dalam daerah kolektor dan muncul di sana sebagai
pembawa muatan mayoritas.
- Untuk transistor NPN, kejadian yang serupa juga terjadi, tetapi pembawa muatan
mayoritas emitter adalah elektron dan pembawa muatan mayoritas basis adalah
hole.

- Tugas. Jelaskan pergerakan pembawa muatan dalam transistor NPN

dalam keadaan terbias forward – reverse.

Gambar 10. Pola pergerakan muatan dalam Transistor NPN

untuk pembiasan forward – reverse

Karakteristik Transistor
Setiap konfigurasi rangkaian transistor mempunyai tiga macam karakteristik
yaitu :
1.Karakteristik input
2. Karakteristik Out put
3. Karakteristik transfer

10
 Khusus untuk konfigurasi common emitter, karakteristik tersebut secara
spesifik dinyatakann sebagai berikut :
1. Karakteristik input, IB = f(VBE), pada VCE konstan
2. Karakteristik Out put, IC = f(VCE), pada IB konstan
3. Karakteristik Transfer, IC = f(IB)

Tugas : Cari karakteristik untuk Common Base dan Common Collector

Rangkaian Pengukuran untuk Karakteristik Common Emitter diperlihatkan pada gambar

11.

Gambar 11 Rangkaian pengukuran untuk karakteristik common emitter

11
 Karakteristik input : IB = f(VBE), VCE konstan
Atur potensiometer untuk mengatur VBE ( baca pada volt meter) dan baca IB pada amper meter.
Jaga VCE konstan.
VBE IB
0,1 0
0,2 0
0,3 0
0,4 0
0,5
0,6
0,7
0,8

Karakteristik out put : IC = f(VCE), IB konstan.

Atur IB pada nilai konstan menggunakan potensiometer P1, kemudian atur potensiometer P2 untuk
mengubah VCE, dan baca IC untuk setiap perubahan VCE tertentu. Tulis dalam tabel pengamatan.

12
 VCE IC

Karateristik Transfer: IC = f(IB)

Kurva Karakteristik Common Emitter diperlihatkan pada gambar 12

13
Gambar 12 Kurva Karakteristik Common Emitter

14
Pemeriksaan Transistor
Kegagalan umumnya disebabkan oleh :
1. Terbukanya solderan kawat-kawat ke kaki transistor
2. Hubung singkat (short circuit) yang menyebabkan arus lebih (overcurrent) atau
beban lebih (overloading) sesaat.
3. Gangguan rangkaian yang menyebabkan pemanasan lebih (over heating)
Kasus paling banyak adalah kerusakan internal (terhubung singkat atau
rangkaian terbuka). Untuk hal tersebut maka diperlukan pengujian sederhana. Ada
beberapa persolan seperti :
1. peningkatan kebocoran

15
 2. turunnya tegangan breakdown
3. Noise yang berlebihan
Kondisi-kondisi tersebut sangat sulit dideteksi, sehingga penggantian langsung
merupakan cara yang paing mudah.
Tester transistor tersedia untuk mengecek transistor didalam rangkaian ( in
circuit test) atau di luar rangkaian (out of circuit test) untuk memeriksa kondisi
rangkaian terbuka (open circuit), hubung singkat (short circuit) kebocoran
(leakage) dan penguatan (beta). Untuk rangkaian terbuka dan hubung singkat dapat
dideteksi dengan Multimeter.

In Circuit Test
Pengetesan ini dilakukan dalam keadaan transistor tersolder atau tersambung
dalam rangkaian. Pengetesan ini didasarkan pada pengukuran tegangan untuk
menentukan apakah persambungan rusak atau transistor konduksi dengan baik.

Pengecekan Forward Bias

Ukur tegangan basis – emitter (V BE). VBE akan bernilai 0,2 volt untuk transistor Ge
dan 0,6 volt untuk transistor Si. Jika tidak maka pada transistor tersebut terjadi
kerusakan persambungan basis-emitter.

16
 Memeriksa kondisi Transistor

Untuk mengetahui kondisi transistor apakah masih baik atau sudah rusak, dapat
dilakukan dengan menggunakan Ohm meter.

Memeriksa kondisi Transistor PNP

1. Posisi Saklar Ohm meter pada X1.

17
Cara memeriksa kondisi Transistor NPN

18
 DIODA PERSAMBUNGAN P-N
(DIODA SEMIKONDUKTOR)

1. Proses pembentukan persambungan P-N (dioda P-N)

2. Pembiasan dioda
a. Pembiasan maju atau forward bias
b. Pembiasan balik atau reverse bias
3. Karakteristik dioda
a. Karakteristik forward
b. Karakteristik reverse
4. Pengaruh temperatur terhadap karakteristik dioda
a. Terhadap karakteristik forward
b. Terhadap karakteristik reverse
5. Kapasitansi persambungan (junction capacitance)
6. Jenis-jenis dioda
7. Rangkaian-rangkaian aplikasi dioda
Untuk soal nomor 7 :
a. Sebutkan sebanyak-banyaknya,
b. Harus ada gambar rangkaian untuk setiap aplikasi
c. Untuk sementara tidak perlu ada penjelasan prinsip kerja
rangkaian
TRANSISTOR PERSAMBUNGAN BIPOLAR
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

19
 I. Bagian-bagian transistor (Emitter, basis, kolektor) menyangkut Fungsi,
tingkat doping, ukuran fisik.
II. Tipe-tipe transistor dan simbol (NPN dan PNP)
III. Transistor dalam keadaan tanpa bias
IV. Pembiasan transistor
a. Pembiasan forward-forward,
b. Pembiasan reverse-reverse,
c. Pembiasan forward-reverse
V. Rangkaian pembiasan transistor
a. Fixed bias ( rangkaian bias basis )
b. Rangkaian bias pembagi tegangan,
c. Rangkaian bias umpan balik kolektor
VI. Konfigurasi rangkaian transistor
a. Konfigurasi basis bersama (Common Base, CB)
b. Kofigurasi emitter bersama (Common Emitter, CE)
c. Konfigurasi kolektor bersama (Common Collector, CC)
VII. Karakteristik transistor (untuk common base, common emitter,
common collector)
a. Karakteristik input
b. Karakteristik output
c. Karakteristik transfer
VIII. Prinsip Dasar Penguat Common Emitter

IX. Pemeriksaan transistor

a. In circuit test
b. Out of circuit test

Pustaka :
Malvino, Prinsip-prinsip Dasar Elektronika
Bernard Grob, Basic Electronics
PEDC. Perangkat Elektronika 2

1. Tuliskanlah bagian-bagian transistor dan fungsinya masing-masing.

2. Gambarkan ekivalen diode dari transistor npn dan pnp. Gambarkan
pula simbolnya.
3. Jelaskan pengaruh atau efek tingkat doping basis terhadap arus
kolektor.

20
4. Sebutkan tiga macam konfigurasi rangkaian transistor
5. Gambarkan tiga macam karakteristik Common emitter

21