BAHAN SEMI KONDUKTOR

Tujuan Instruksional Khusus (TIK):

Sesudah mengikuti kuliah materi Bahan Semikonduktor,
mahasiswa diharapkan dapat menjelaskan :

1. Sifat bahan semikonduktor

2. Jenis-jenis bahan semikonduktor (bahan semikonduktor

intrinsic, bahan semikonduktor elementer)

3. Fungsi bahan semikonduktor

4. Pembentukan bahan semikonduktor tipe P dan bahan

semikonduktor tipe N (bahan semikonduktor ekstrinsik)

5. Jenis-jenis/sifat arus dalam bahan semikonduktor

 Dioda Semikonduktor

Tujuan Instruksional Khusus (TIK) : Sesudah mengikuti kuliah

materi Dioda semikonduktor, mahasiswa diharapkan dapat
menjelaskan :

1. Proses pembentukan diode P-N

2. Prinsip kerja dioda

3. Pembiasan dioda

4. Karakteristik dioda

5. Pengaruh temperature terhadap karakteristik dioda

6. Dioda Zener

7. Dioda pemancar cahaya (Ligt Emitting Diode, LED)

8. Kapasitansi persambungan (Junction Capacitance)

9. Rangkaian-rangkaian aplikasi dioda

 BAHAN SEMIKONDUKTOR

Berdasarkan kemampuan menghantarkan arus listrik,

material/bahan dibedakan atas :
1. Penghantar listrik (Conductor)

2. Bahan dielektrik / isolasi

3. Bahan semikonduktor

Ditinjau dari nilai resistansi listrik, penghantar/Konduktor

mempunyai resistansi yang paling kecil, bahan dielektrik/isolasi
mempunyai resistansi yang paling besar, bahan semikonduktor
mempunyai resistansi antara resistansi konduktor dan resistansi
bahan dielektrik.

RBD  RSK  RK

Ditinjau dari segi celah energi (energi gap), maka konduktor

mempunyai energi gap yang sangat kecil, bahan isolasi
mempunyai energi gap paling besar dan bahan semikonduktor
mempunyai energi gap antara energi gap konduktor dan energi
gap bahan dielektrik. Energi gap ketiga bahan tersebut
diperlihatkan pada gambar 1. Energi gap untuk Silikon (Si) pada
300o K adalah 1,1 eV dan untuk germanium (Ge) 0,72 eV.
 Gambar 1 Energi gap konduktor, semikonduktor,
bahan dielektrik

Keistimewaan bahan semikonduktor adalah konduktivitas

listrik (daya hantar listrik) dapat ditingkatkan dengan
menambahkan unsur ketidak-murnian ( impurity element )
melalui suatu proses yang dikenal dengan proses Doping. Unsur
ketidak-murnian yang digunakan biasanya disebut unsur dopan.

Sifat-sifat bahan semikonduktor

Sifat-sifat utama bahan semikonduktor murni (tanpa

doping) antara lain :

1. Resistansinya lebih besar dari resistansi konduktor logam,

tetapi lebih kecil dari resisitansi bahan dielektrik.
 2. Mempunyai koefisien temperatur negatip. Resistansinya
berkurang terhadap kenaikan temperatur (sifat sangat
penting).
3. Mempunyai elektron valensi 4. Artinya pada kulit terluar
terdapat empat elektron , setengah dari 8 elektron yang
dibutuhkan untuk kondisi stabil. Elektron pada kulit terluar
digunakan bersama oleh atom yang saling berdekatan
sehingga tidak ada elektron bebas. Ikatan kimia yang
terbentuk dengan prinsip penggunaan bersama elektron
pada kulit terluar disebut Ikatan Kovalen.

Elektron pada kulit terluar digunakan bersama oleh atom-

atom yang berdekatan, sehingga tidak ada elektron bebas. Dalam
keadaan demikian bahan semikonduktor mempunyai resistansi
yang lebih besar dari konduktor atau lebih bersifat bahan isolasi.
Sebagai perbandingan, nilai tahanan jenis (ρ) dalam satuan
Ω.cm : 2 x 10 -6
untuk tembaga (Copper,Cu), 50 untuk germanium
(Ge), 50 x 103 untuk siikon (Si), 2 x 1012 untuk mika.

Bahan semikonduktor didapati pada kolom IV dari daftar

periodic unsur–unsur kimia. Semikonduktor Silikon (Si) dan
Germanium (Ge) disebut Semikonduktor Elementer, karena
struktur atomnya hanya terdiri dari satu jenis atom.

Disamping SK elementer ada pula SK paduan (Compound

Semiconductor) seperti paduan antara unsur-unsur golongan III
dan V serta golongan II dan IV. SK paduan antara lain GaAs (III
dan V), GaAsP (III dan V), GaP ( III dan V ). Semikonduktor
paduan umumnya digunakan untuk membuat komponen yang
dapat memancarkan cahaya (LED, Light Emitting Dioda) atau
komponen yang dapat menyerap cahaya seperti photo transistor.
SK elementer umumnya digunakan untuk membuat
komponen elektronik seperti : Dioda, Transistor, Komponen
Rangkaian Terpadu = Integrated Circuit (IC) dan bahan
semikonduktor elementer yang paling umum digunakan adalah
Silikon (Si)
Untuk meningkatkan konduktivitas bahan SK murni (SK
intrinsik), maka ditambahkan unsur ketidakmurnian (Impurity
element) yang biasa disebut unsur dopan. Proses penambahan
unsur dopan disebut proses doping. Pemberian unsur dopan
menghasilkan bahan semikonduktor yang tidak murni atau
semikonduktor ekstrinsik.
Dalam keadaan murni, atom silicon dan germanium terikat
dalam ikatan kovalen yaitu penggunaan bersama elektron pada
kulit terluar untuk memenuhi kebutuhan 8 elektron. Dengan
demikian tidak terdapat elektron bebas, sehingga praktis
semikonduktor murni lebih bersifat sebagai bahan isolasi. Ikatan
kovalen untuk Si diperlihatkan pada gambar 2.
 Gambar 2 Ikatan kovalen Si dalam keadaan murni

Dengan menambahkan unsur dopan valensi 5 seperti

Posphor (P), maka kristal silicon akan kelebihan satu elektron
yang tidak terikat atau merupakan elektron bebas. Karena
terdapat kelebihan elektron yang bermuatan negatif maka atom
silicon yang diberikan doping valensi 5 menjadi semikonduktor
ekstrinsik tipe N, seperti pada gambar 3.
 Gambar 3 Atom silicon dengan doping valensi 5 (SK tipe N)

Dengan memberikan doping unsur valensi 3 seperti

Aluminium (Al), maka dalam struktur tersebut akan kekurangan
satu elektron. Kondisi tersebut ekivalen dengan lobang (hole)
yang bermuatan positif. Karena itu semikonduktor yang dihasilkan
disebut semikonduktor ekstrinsik tipe P seperti pada gambar
4.
Gambar 4 Atom silicon dengan doping valensi 3 (SK tipe P)
DAFTAR ELEMEN UNSUR DOPAN dan BAHAN
SEMIKONDUKTOR
 Elemen Simbol No. Elektron Pemakaian
Atom valensi
Antimony Sb 51 5 Elemen donor
ketidak murnian.
Arsenic As 33 5 Memberikan
electron untuk
Phosphorus P 15 5 membentuk SK
tipe N. As dan
Sb digunakan
untuk Ge dan P
untuk Si

Elemen
semikonduktor
Germanium Ge 32 4 murni/Elementer

Silikon Si 14 4

Elemen ketidak
murnian
akseptor.
Aluminium Al 13 3
Mengambil
elektron untuk
Boron B 5 3
membentuk SK
tipe P. Ga dan
Gallium Ga 31 3
In digunakan
untuk Ge. Al dan
Indium In 49 3
B digunakan
untuk Si
 Daftar Material untuk LED dan Karakteristiknya

Material Warna Vf (Volt) Itipikal Keterangan

(mA)
GaAs Infrared 1,2 – 50 Tipe
1,3 original
Tahun
1980-an

GaAlAs Infra-red- 1,4 50 Sedikit

red buram

GaAsP / Red 1,6 – 20 Efisiensi

GaAs 1,75 sangat
rendah

GaP Red / 1,9 30 Karakteristi

Orange k tidak
linier

1,8 – 20 Terang/cer
GaAlAsP Red 1,9 ah

GaAsP/GaP Red/Orange 1,9 5 – 20 Efisiensi

tinggi
InGaAlP Red/Orange/ 1,9 – 20
Jellow/Green 2,3 Terang/cer
ah

GaAsP Yellow 2 20 Tipe kuning

pertama
 yang
dikembangk
an

Tipe hijauh
GaP Green 2,1 20 pertama

Efisiensi
sedang
InGaN Blue/Green 3,6 20 diperbaiki
sekarang

Sensitif
terhadap
GaN Blue/White 3,6 20 tegangan
dan arus
beban lebih

SiC Blue 3,5 30 Efiiensi

rendah

GaN/SiC Blue/Violet 3,8 – 5 20

Sedikit
GaN Ultraviolet 3,9 10 buram

Dioda Semikonduktor
Tujuan Instruksional Khusus (TIK) : sesudah mengikuti kuliah
materi Dioda semikonduktor, mahasiswa diharapkan dapat
menjelaskan :

1. Proses pembentukan diode P-N

2. Prinsip kerja dioda

3. Pembiasan dioda

4. Karakteristik dioda

5. Pengaruh temperature terhadap karakteristik dioda

6. Dioda Zener

7. Dioda pemancar cahaya (Ligt Emitting Diode, LED)

8. Kapasitansi persambungan (Junction Capacitance)

9. Rangkaian-rangkaian aplikasi dioda

(DIODA SEMIKONDUKTOR)
 DIODA PERSAMBUNGAN P–N
PN Junction Diode (Dioda PN)

Proses Pembentukan Persambungan P-N

Visualisasi yang diperbesar dan disederhanakan untuk

struktur SK tipe P dan SK tipe N diperlihatkan pada gambar 1.
Proses pembentukan persambungan P–N diperlihatkan seperti
pada gambar 2, dimana SK tipe P dan SK tipe N didekatkan satu
sama lain dengan teknik tertentu.

Gambar 1 Gambar 2

Beberapa elektron dalam sisi tipe N ditarik ke tipe P dan

pada saat yang sama hole dalam jumlah yang sama ditarik ke sisi
N. Muatan-muatan tersebut menghasilkan pasangan elektron –
hole yang netral. Namun demikian, efek ini tidak mencakup ion-
ion unsur dopan . Ion-ion tersebut menimbulkan potensial barrier
internal VB pada kedua sisi persambungan. VB mempunyai
polaritas sedemikian sehingga dapat mencegah lebih banyak
elektron bebas atau hole bebas yang menyeberangi
persambungan. Akibatnya VB mempertahankan elektron bebas
dalam tipe N dan hole bebas dalam tipe P, untuk mencegah kedua
sisi semikonduktor saling menetralisir.
Meskipun Potensial Barrier tidak dapat diukur secara
langsung, tetapi efeknya dapat diatasi dengan 0,3 Volt untuk
persambungan Ge dan 0,7 Volt untuk persambungan Si. Potensial
barrier untuk Si lebih besar dari Ge karena nomor atom yang lebih
rendah sehingga lebih stabil dalam ikatan kovalen. Potensial
barrier dapat diatur dengan memberikan tegangan dari luar.
Pemberian tegangan maju (forward bias) dapat menghilangkan
VB sebagian atau seluaruhnya. Pemberian tegangan balik
(reverse bias) tidak akan menghilangkan VB. VB dipengaruhi oleh
temperature. Baik Si maupun Ge, VB akan turun sebesar 2,5 mV
untuk setiap kenaikan temperature 1 oC
Karena pasangan elekron–hole yang netral, maka daerah
persambungan merupakan daerah pengosongan (depletion
layer) artinya tidak ada pembawa muatan yang bebas. Proses
terbentuknya struktur persambungan P-N diperlihatkan pada
gambar 3 dan kondisi akhir diperlihatkan pada gambar 4.
 Gambar 3 Proses pembentukan persambungan P – N

Gambar 4 Kondisi akhir pembentukan persambungan P-N.

Dalam keadaan demikian persambungan PN sudah membentuk

dioda PN atau dioda semikonduktor yang disimbolkan secara
umum pada gambar 5.

a. dioda penyearah, b. Dioda Zener, c. Light Emitting

Diode (LED)

Gambar 5 simbol-simbol dioda

Pembiasan dioda
 Pembiasan dioda adalah pemberian energi dari luar untuk
membuat dioda konduksi atau tidak konduksi seperti yang
diperlihatkan pada gambar 6.
Pembiasan dioda ada dua macam yaitu
1. Pembiasan maju (forward bias)
2. Pembiasan balik (reverse bias)

Gambar 6a. Forward bias pada dioda

Gambar 6b. Reverse bias pada dioda

Karakteristik Dioda.
 Karakteristik dioda diperoleh dari dua macam pembiasan.
Karakteristik forward diperoleh dari pembiasan forward dan
karakteristik reverse diperoleh dari pembiasan reverse. Kedua
karakteristik tersebut diperlihatkan pada gambar 7.

Forward bias Reverse bias

Data pengukuran forward bias

VF 0,1 0.2 0.3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

IF 0 0 0 0 1 3 8

Data pengukuran reverse bias

VR 1 2 3 4 5 6 7 8 10 15 20 25 30 35
IR 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
 Gambar 7 Karaktersitik dioda

Karakteristik adalah tempat kedudukan titik-titik yang

menghubungkan dua variabel (besaran) yang menyatakan kondisi
operasi suatu peralatan/komponen.
Pengaruh Temperatur

Pengaruh Temperatur terhadap karakteristik forward dioda.

Gambar 8a Gambar 8b

Dari gambar 8a dapat disimpulkan bahwa pada level I F yang

konstan, bila temperature dinaikkan maka tegangan forward V F
akan turun

Dari gambar 8b dapat disimpulkan bahwa pada level V F yang

konstan, bila temperature dinaikkan maka arus IF akan meningkat
Pengaruh temperature terhadap kaeraktersitik reverse dioda.

Gambar 8 c

Setiap kenaikan temperature sebesar 10 o

C akan menyebabkan
kenaikan arus balik sebesar 2 kali lipat
Kapasitansi Persambungan (Junction Capacitance)

Daerah atau lapisan pengosongan (depletion layer) pada

persambungan P-N merupakan daerah tanpa muatan dan dapat
dianggap sebagai bahan isolasi atau dilelektrik. Lapisan
pengosongan tersebut dapat berubah-ubah berdasarkan
Level/nilai tegangan pembias balik. Bila SK tipe P dan SK tipe N
yang mengapit lapisan deplesi tersebut dipandang sebagai
konduktor, maka pada persambungan P-N akan terdapat efek /
sifat kapasitansi.

Hal tersebut dapat dibandingan dengan rumus kapasitansi

A
C 
d

Jika tegangan pembias balik diperbesar, maka lapisan

pengosongan akan melebar yang ekivalen dengan d yang makin
besar, sehingga C menjadi kecil. Sebaliknya jika tegangan
pembias balik diperkecil, maka lapisan pengosongan mengecil
atau d menjadi kecil sehingga C menjadi besar.
Rangkaian-Rangkaian Pemakaian/Aplikasi Dioda
 1. Rangkaian Penyearah (Rectifier)

a. Berdasarkan tipe keluaran

- Penyearah ½ gelombang (half wave rectifier)
- Penyearah gelombang penuh (full wave
rectifier), jenis pembalik fasa dan jenis
jembatan
b. Berdasarkan jumlah fasa
- Penyearah satu fasa
- Penyearah tiga fasa
2. Rangkaian Stabilisator Tegangan
3. Rangkaian pengganda tegangan dan pelipat ganda
tegangan
4. Rangkaian Clamper
5. Rangkaian Clipper
6. Rangkaian Detektor Puncak dalam system komunikasi radio

Rangkaian Penyearah setengah gelombang (Half wave rectifier)

 Gambar 1

Selama setengah gelombang (+), diode terbias maju (forward bias), sehingga
diode konduksi, berarti ada arus mengalis dari anoda ke katoda dan selanjutnya
mengalir dalam RL. Karena itu pada RL timbul tegangan VRL= I . RL Volt, yang sesuai
dengan besar arus.

Selama setengah gelombang (-), diode tidak konduksi atau I = 0, sehingga

tidak ada tegangan pada RL. VRL = I . RL = 0 x RL = 0 Volt.

Bila diode dibalik, maka tegangan pada RL juga akan terbalik polaritasnya,
seperti yang diperlihatakan pada gambar 2
Gambar 2.
Rangkaian Penyearah gelombang penuh (Full wave rectifier )

Jenis Pembalik fasa (Phase inversion type)

Bila VA lebih + dibandingkan dengan CT, maka D 1 konduksi dan arus

mengalir dalam RL dengan arah seperti yang diperlihatkan pada gambar.
Arus tersebut menyebabkan tegangan jatuh pada RL. Bila VB lebih (+)
dari CT D2 konduksi, sehingga arus mengalir dalam RL dengan arah
seperti yang diperlihatkan pada gambar. Untuk kedua keadaan tersebut
arus mengalir dalam RL dengan arah yang sama, sehingga tegangan pada
RL tidak berubah polaritasnya.
Penyearah Gelombang penuh Jenis jembatan (Bridge Rectifier)

Tugas: Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh tipe jembatan
(Bridge Rectifier)
Tugas

1. Sebutkan tiga jenis bahan berdasarkan sifat kelistrikan

(daya hantar listrik).

2. Bagaimana membedakan ketiga bahan tersebut dari segi

resistansi listrik dan energi gap.

3. Tuliskan sifat-sifat bahan semikonduktor (ada tiga).

4. Bagaimana cara pembuatan SK tipe P dan SK tipe N.

5. Apa perbedaan arus dalam SK dengan arus dalam
konduktor.
6. Jelaskan dua macam arus dalam SK.

7. Jelaskan proses pembentukan dioda pn

8. Jelaskan cara pembiasan dioda

9. Gambarkan karakteristik dioda

10.Jelaskan cara kerja penyearah setengah gelombang,

penyearah gelombang penuh

1. Tuliskan dengan singkat proses pembentukan dioda PN

2. Gambarkan dua macam cara pembiasan dioda
3. Gambarkan dua macam karakteristik dioda
4. Jelaskan pengaruh temperatur terhadap karakteristik
forward dan karakteristik reverse
5. Dalam keadaan bagaimana dioda melewatkan arus dari
katoda ke anoda