KOMPONEN AKTIF: SEMIKONDUKTOR

JENIS PERANTI SEPARUH

PENGALIR (SEMIKONDUKTOR)
Separuh pengalir germanium dan silikon mempunyai
lebih kerintangan berbanding pengalir dan kurang
kerintangan dari penebat. Pengaliran boleh
bertambah dengan proses pencelupan (doping).
Pencelupan: Bertujuan menyuntik cas bebas yang
senang digerakkan dengan membekalkan voltan.
Sifat-sifat semikonduktor:
Elemen yang mempunyai atom dengan lebihan 4
elektron pada orbit luaran. Elektron diagihkan pada
orbit adalah; 2, 8, 18, 18. Gabungan atom berkongsi
dengan elektron valensi untuk membentuk ikatan
yang stabil dinamakan ikatan kovalen

 Silikon: Elemen terdapat pada batu. Pasir

adalah silicon dioxide. Elemen silikon
ditemui pada tahun 1823.
Germanium: Ditemui pada tahun 1886
dalam bentuk debu arang.
Oksida dari Ge dan Si dikurangkan dengan
kaedah kimia untuk menghasilkan elemen
dalam bentuk padu dengan ketulinan
100%, digunakan sebagai semikonduktor.

SEMIKONDUKTOR DAN ELEMEN CELUPAN

Elemen

Simbo Bil.
l
atom

Elektron Aplikasi
valensi

Antimony
Arsenic
Phosphorus

Sb
As
P

5
5
5

Elemen bendasing
penderma (donor)
membentuk semikonduktor
Jenis N

51
33
15

Germanium
Silikon

Ge
Si

32
14

4
4

Semikonduktor intrinsic
dicelup dengan elemen
bendasing. Ekstrinsik
semikonduktor yang telah
dicelup

Aluminium
Boron
Galium
Indium

Al
B
Ga
In

13
5
31
49

3
3
3
3

Elemen bendasing
penerima (acceptor)
membentuk semikonduktor
Jenis P

JENIS N DAN KESAN

PENGEDOPAN
Ia adalah campuran antara separuh pengalir dengan
bendasing penderma (donor impurity) seperti arsenic,
antimony, phosphorus.
Separuh pengalir + donor impurity = benda N
4 valensi electron + 5 valensi electron = lebih 1
Untuk stabil campuran mesti menghasilkan 8 valensi
electron. Oleh itu terdapat lebihan 1 elektron, maka
menjadi benda N.
a) Pembawa besar adalah elektron
b) Pembawa kecil adalah lubang

JENIS P DAN KESAN

PENGEDOPAN
Ia adalah campuran antara separuh pengalir dengan
bendasing penerima (acceptor impurity) seperti
gallium, indium, aluminium, boron.
Separuh pengalir + acceptor impurity = benda P
4 valensi electron + 3 valensi electron = kurang 1
Untuk stabil campuran mesti menghasilkan 8 valensi
electron. Oleh itu terdapat kekurangan 1 elektron,
maka menjadi benda P.
a) Pembawa besar adalah lubang.
b) Pembawa kecil adalah elektron.

DIOD SIMPANG PN

1. Pincang hadapan
Ciri-ciri pincang
hadapan;
i) Arus adalah maksima
ii) Rintangan diod adalah
minima
2. Pincang balikan
Ciri-ciri pincang balikan;
i) Arus adalah minima
ii) Rintangan diod adalah
maksima

MENGUJI DIOD
1. Keadaan baik, meter ohm x1, ujian pincang
hadapan rintangan rendah. Ujian pincang
balikan rintangan tinggi.
2. Keadaan bocor, meter ohm x1, ujian pincang
hadapan rintangan rendah. Ujian pincang
balikan rintangan rendah juga.
3. Keadaan terbuka, meter ohm x1, ujian pincang
hadapan rintangan tinggi. Ujian pincang
balikan rintangan tinggi juga.
4. Keadaan pintas, meter ohm x1, ujian pincang
hadapan rintangan sifar. Ujian pincang balikan
rintangan sifar juga.