Silikon dan germanium adalah bahan yang biasanya dipakai sebagai bahan
semi konduktor. Kedua bahan tersebut terdapat dalam kolom ke empat dari
sistem periodik unsur-unsur kimia. Pada material ini, lapisan terluar elektron-
elektron yang sering juga disebut lapisan valensi (menurut model atom Bohr),
terdiri dari empat elektron yang memungkinkan suatu hablur atau kristal murni
untuk membentuk ikatan-ikatan kovalen yang kuat.
Pada struktur atom silikon murni terdapat tiga lapisan yaitu lapisan dalam
mempunyai dua elektron, lapisan tengah mempunyai delapan elektron, dan
lapisan luar mempunyai empat elektron. Sedangkan pada struktur atom
germanium murni, terdapat empat lapisan masing-masing mengandung dua,
delapan, delapan belas, dan empat elektron.
Ikatan kovalen yang terjadi adalah sangat kuat sekali, sehingga akan
diperlukan energi yang cukup besar untuk membebaskan sebuah elektron dari
ikatannya. Dapat dikatakan bahwa pada temperatur kamar, bahan semi
konduktor murni mempunyai tahanan listrik yang sangat tinggi, oleh karena itu
merupakan bahan isolator. Tahanan jenis bahan semi konduktor akan turun
dengan naiknya temperatur.
Untuk mempersiapkan bahan semi konduktor murni, misalnya digunakan
sebagai transistor atau penyearah (rectifier), perlu dilakukan rekayasa
(engineering) sehingga energi dari elektron-elektron pada lapisan valensi
bertambah. Hal ini dapat dilakukan dengan suatu proses yang biasanya disebut
doping, dimana bahan semi konduktor dicampur dengan bahan lain.
Jenis bahan semi konduktor intrinsik umumnya mempunyai valensi empat dan
ikatan dalam kristalnya adalah ikatan kovalen, hal ini dapat dimengerti karena
elektron valensi pada kulit terluar dipakai bersama-sama.
Pada bahan semi konduktor intrinsik, hantaran listrik yang terjadi disebabkan
oleh mengalirnya elektron karena panas. Apabila temperatur naik, maka akan
terjadi random thermis sehingga akan ada elektron yang terbebas dari ikatan
atomnya (elektron pada kulit terluarnya). Dengan terlepasnya elektron ini, maka
terjadilah kekosongan elektron yang sering disebut “hole”. Hole ini mempunyai
sifat seperti partikel-pertikel yang dapat menghantarkan arus listrik karena dapat
berpindah-pindah, dan dianggap sebagai partikel yang bermuatan positif sebesar
muatan elektron. Gerakan hole ini menyebabkan gerakan elektron yang terikat.
Sifat-sifat semi konduktor intrinsik:
Jumlah elektron bebas sama dengan hole
Hantaran arus disebabkan oleh elektron bebas dan hole
Arah pergerakan hole sama dengan arah polaritas medan listrik E dan
berlawanan arah dengan pergerakan elektron
Umur rata-ratanya adalah antara 100-1000 detik atau lebih. Umur rata-rata dari
sepasang elektron-hole (electron-hole pair) adalah jumlah waktu saat
tertutupnya pasangan elektron-hole sampai bertemunya elektron bebas dengan
hole. Adapun yang mengisi hole pada umumnya adalah elektron yang terikat
dilapisan sebelah bawahnya.
Dengan adanya kelebihan elektron, maka akan memberikan level energi baru
dimana elektron akan mudah ber-eksitasi ke pita valensi. Jadi pada N-type semi
konduktor akan terjadi level energi baru yang disebut energy level donor (Ed),
dimana pada level ini berisi penuh dengan elektron, sehingga apabila ada
elektron berpindah ke pita valensi, maka elekatron ini akan meninggalkan
muatan positif pada level donor. Akibatnya pada atom bervalensi 5 terkumpul
muatan positif
Dengan adanya kekurangan elektron, maka akan memerlukan suatu energi baru
dimana elektron yang terdapat pada pita valensi akan berpindah ke energy level
band yang baru tersebut. Level yang kosong tersebut dinamakan energy level
acceptor (Ea).
B. Silikon
Silikon (Si) tidak ditemukan dalam bentuk aslinya, akan tetapi ditemukan
dalam bentuk silika yang direduksi dengan kokas dan kemudian dimurnikan
menghasilkan SiH .
Sifat-sifat silikon :
Mempunyai mobilitas yang tinggi
Konstanta dielektriknya kecil
Konduktivitas termis yang besar
Disipasi panas yang baik.
Impurity ionization energy yang sangat kecil
Dari sifat-sifat silikon tersebut diatas, maka silikon banyak digunakan sebagai
bahan semi konduktor, misalnya sebagai dioda rectifier, thyristor (SCR), dan lain-
lain. Senyawa silikon, SiO (quartz), sering dipergunakan pada alat-alat optik
A. Dioda
Jika dua tipe bahan semi konduktor yaitu type-P dan type-N digabung menjadi
satu, maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai
dioda. Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan
disambung begitu saja, melainkan dari satu bahan semi konduktor diberi doping
(impurity material) yang berbeda.
Jika diberi tegangan maju (forward bias), dimana tegangan sisi P lebih besar
dari sisi N, elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N dan mengisi
kekosongan elektron (hole) di sisi P. Sebaliknya jika diberi tegangan balik
(reverse bias), maka tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi
hole di sisi P, karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Hal itu
menyebabkan dioda hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja, sehingga
dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier).
B. Transistor
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan
itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-
turut disebut emitor, base, dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara
emitor dan kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan
prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutub negatif mengisi
kekurangan elektron (hole) di kutub positif. Transistor bipolar pertama kali
ditemukan oleh William Schockley pada tahun 1951.
Transistor adalah komponen yang dapat bekerja sebagai sakelar (switch
on/of) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi
yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor
bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat
bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung
masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas
suara yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat
melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti
pada lampu pijar.
Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah salah satu junction dan Base-
Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya
jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif
daripada material N (forward bias).
Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi
bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias).
Karena base-emitor mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron
mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab
mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron
bergerak menuju kutub ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron
seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang
sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang
ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor.
Itulah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi
sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis
sehingga dapat diterjang oleh elektron. Jika misalnya tegangan base-emitor
dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju
kolektor. Jika base diberi bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju
kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan.