Nama : Rifky Sondany

NIM : 1147030040
Kelas : Fisika VI-B
Tugas Resume MataKuliah Semikonduktor

Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si),

Germanium (Ge) dan Gallium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satu-
satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon
menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan
bahan terbanyak ke dua yang ada di bumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan
lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon. Dapatkah anda menghitung
jumlah pasir di pantai.Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing
memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8
elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan
ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0oK), struktur atom silikon
divisualisasikan seperti pada gambar berikut.

Gb. struktur dua dimensi kristal Silikon

Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti
atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak
ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada

1
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron
terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga
tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.
Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba
memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk
mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang
diharapkan akan dapat menghantarkan listrik. Kenyataannya demikian, mereka memang
iseng sekali dan jenius. Mengenai sifat dari semikonduktor, berikut table dari sifat bahan
semikonduktor :

Jenis-jenis Semikonduktor :
Ada dua jenis semikonduktor, yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik.
1. Semikonduktor Intrinsik
Semi konduktor intrinsik adalah semikonduktor yang belum mengalami penyisipan oleh atom
akseptor atau atom donor. Pada suhu tinggi elektron valensi dapat berpindah menuju pita
konduksi, dengan menciptakan hole pada pita valensi. Pengahantar listrik pada
semikonduktor adalah elektron dan hole.

Gb. struktur pita untuk (a). bahan isolator (b). bahan semikonduktor
(c). bahan isolator

2
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
2. Semikonduktor Ekstrinsik
Semikondutor ekstrinsik merupakan semikonduktor yang memperoleh pengotoran atau
penyuntikan (doping) oleh atom asing.

Mekanisme pembentukan persambungan

Ketika semikonduktor tipe n disambungkan secara tepat dengan semikonduktor tipe p, maka
permukaan singgungnya (kontak) disebut semikonduktor sambungan p-n. Kebanyakan piranti
semikonduktor terdiri dari satu atau lebih semikonduktor sambungan p-n. Semikonduktor
Sambungan p-n tersebut merupakan hal yang sangat penting karena efek suatu unsur kendali
untuk piranti semikonduktor. Pemahaman yang mantap mengenai pembentukan dan sifat-
sifat sambungan pn merupakan dasar untuk menguasai piranti semikonduktor. Pembentukan
semikonduktro sambungan p-n. sifat-sifat khas dari semikonduktor sambungan p-n tidak akan
kelihatan jelas jika balok tipe p hanya ditempelkan pada balok tipe n. Ternyata semikondutor
sambungan p-n difabrikasi dengan tehnik tertentu. Satu cara yang umum untuk membuat
semikonduktor sambungan p-n disebut alloying. Pada cara ini. Balok kecil dari indium
(impuritas trivalen) ditempatkan pada lapisan germanium tipe n dan selanjutnya sisten itu
dipanasi hingga suhu sekitar 500 C. Indium itu dan sebagian germanium meleleh untuk
membentuk kubangan kecil dari lelehan campuran germanium-indium. Kemudian
suhuditurunkan dan kubangan mulai memadat. Di bawah kondisi yang tepat, atom-atom
impuritas indium akan mengatur diri di dalam lapisan germanium untuk membentuk
kristal tunggal. Penambahan indium akan mengatasi kelebihan elektron di dalam germanium
tipe n sampai sedemikian luas hingga terbentuk daerah tipe p. Ketika proses itu terus

3
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
berlangsung, campuan leburan tersisa menjadi makin bertambah gemuk dengan indium.
Ketika seluruh germanium telah mengendap kembali, maka bahan tersisa muncul sebagai
tombol (gundukan) indium yang dibekukan pada permukaan luar dari bagian yang
dikristalkan. Tombol ini berperan sebagai landasan untuk menyoldir kakinya. Perhatikan
ilustrasi urutan alloying itu pada gambar berikut.

Sifat-sifat Sambungan p-n

Untuk menjelaskan sifat-sifat semikonduktor sambungan p-n, pikirkan dua tipe bahan,
masingmasing tipe p dan tipe n seperti pada gambar berikut. Bahan sebelah kiri adalah
semikonduktor tipe p yang memiliki ion akseptor negatif (atom impuritas akseptor
kekurangan satu elektron dan menjadi ion negatif) dan lubang bermuatan positif. Bahan
sebelah kanan adalah semikonduktor tipe n dengan ion donor positif (atom impuritas donor
menyumbangkan satu elektron kepada kristal dan menjadi ion positif) dan elektron bebas.

Sekarang, anggap kedua keping di atas diperlakukan untuk membentuk semikonduktor

sambungan p-n. Pikirkan bahwa bahan tipe n mempunyai konsentrasi elektron bebas yang
tinggi sedangkan bahan tipe p memiliki konsentrasi lubang yang tinggi. Karena itu pada
sambungan terjadi kecenderungan elektron bebas berdifusi ke sisi p dan lubang ke sisi n.

4
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
Ketika elektron bebas bergerak menyeberang sambungan dari tipe n ke tipe p, maka ion
donor positif terbuka yaitu bahwa mereka diambil elektron bebasnya. Sehingga muatan
positif terbentuk pada sisi n dari persambungan. Pada saat yang sama, lubang bebas
menyeberangi persambungan dan membuka ion akseptor negatif dengan pengisian di dalam
lubang. Karena itu muatan negatif bersih terbentuk pada sisi p dari persambungan. Ketika
ion-ion donor dan akseptor dalam jumlah yang cukup telah terbuka, maka difusi selanjutnya
dicegah. Ini disebabkan karena muatan positif pada sisi n menolak lubang yang menyeberang
dari tipe p ke tipe n dan muatan negatif pada sisi p menolah elektron
bebas masuk dari tipe n ke tipe p. Kemudian terbentuk penghalang yang melawan gerakan
pembawa muatan selanjutnya yakni lubang dan elektron. Penghalang ini disebut penghalang
potensial atau penghalang persambungan Vo. Penghalang potensial itu dalam orde 0,1 volt
atau 0,3 volt. Diagram di atas menunjukkan distribusi potensial. Jelas dari diagram bahwa
penghalang potensial Vo yang terjadi akan memunculkan medan listrik. Medan ini mencegah
penyeberangan daerah penghalang masing-masing pembawa mayoritas. Selanjutnya dapat
dikatakan bahwa di luar penghalang pada sisi persambungan bahan tersebut adalah netral.
Hanya di dalam penghalang ada muatan positif pada sisi n dan muatan negatif pada sisi p.
Daerah ini disebut sebagai lapisan pengosongan. Disebut demikian karena pembawa muatan
yang mudah bergerak (elektron bebas dan lubang) telah dikosongkan di daerah ini.

5
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
Ketika elektron-elektron bebas itu mencapai persambungan, mereka menjadi elektron-
elektron valensi (lubang ada dalam ikatan kovalen., ketika elektron bebas berkombinasi
dengan lubang maka ia menjadi elektron valensi). Sebagai elektron valensi, mereka bergerak
melalui lubang-lubang di daerah p. Elektron valensi bergerak ke kiri dalam daerah p yang
ekivalen dengan lubang yang bergerak ke kanan. Ketika elektronvalensi mencapai ujung kiri
kristal, mereka mengalir ke dalam terminal positif baterei. Perhatikan elustrasi pada gambar
berikut.

Mekanisme aliran arus pada sambungan p-n yang dikenai bias maju dapat dirangkum
seperti berikut :
a. Elektron bebas dari termunal negatif terus menerus mengalir ke dalam daerah n sedangkan
elektron bebas pada daerah n bergerak menuju persambungan.
b. Elektron-elektron itu menjalar melalui daerah n sebagai elektron bebas, yaitu arus pada
daerah n oleh elektron bebas.
c. Ketika elektron-elektron ini mencapai persambungan mereka berkombinasi dengan lubang
dan menjadi elektron valensi.
d. Elektron-elektron itu menjalar melalui daerah p sebagai elektron valensi, yaitu bahwa arus
pada daerah p oleh lubang.
e. Ketika elektron-elektron valensi ini mencapai ujung kiri kristal, maka mereka mengalir ke
dalam terminal positif baterei.
Berdasarkan hal-hal yang telah dikemukakan di atas, dapat disimpulkan bahwa dalam
daerah n, arus dibawa oleh elektron bebas. Sedangkan dalam daerah p, arus dibawa oleh
lubang. Tetapi dalam kawat sambungan di luar, arus dibawa oleh elektron.

6
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
Daerah Deplesi
Daerah deplesi atau daerah transisi adalah daerah yang sangat tipis dekat sambungan antara
semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n pada sebuah diode. Daerah ini dapat
membangkitkan pembawa muatan minoritas saat terdapat cukup energi termal untuk
membangkitkan pasangan lubang-elektron. Salah satu dari pembawa muatan minoritas ini,
misalnya elektron pada tipe-p, akan mengalami pengaruh dari proses penolakan elektron
difusi dari tipe-n. Dengan kata lain elektron minoritas ini akan ikut tertarik ke semikonduktor
tipe-n. Gerakan pembawa muatan akibat pembangkitan termal ini lebih dikenal
sebagaidrift. Situasi akan stabil saat arus difusi sama dengan arus drift.
Pada daerah sambungan/daerah diplesi yang sangat tipis terjadi pengosongan pembawa
muatan mayoritas akibat terjadinya difusi ke sisi yang lain. Hilangnya pembawa muatan
mayoritas di daerah ini meninggalkan lapisan muatan positip di daerah tipe-n dan lapisan
muatan negatif di daerah tipe-p.

Karakteristik Arus dan tegangan

Forward Bias
Ketika kaki katoda disambungkan dengan kutub negatif batere dan anoda disambungkan
dengan kutub positif, maka dikatakan bahwa dioda sedang dibias dengan tegangan maju. Bias
maju ini diperlihatkan pada gambar berikut.
Dioda dengan bias tegangan maju Dalam bias maju, kutub negatif batere akan menolak
elekton-elektron bebas yang ada dalam semikonduktor tipe N, ika energi listrik yang
digunakan adalah melebihi tegangan barir, maka elektron yang tertolak tersebut akan
melintasi daerah deplesi dan bergabung dengan hole yang ada pada tipe P, hal ini terjadi terus
menerus selama rangkaian di gambar tersebut adalah tertutup. Kondisi inilah yang
menyebabkan adanya arus listrik yang mengalir dalam rangkaian.
Reverse Bias
Sebaliknya jika kaki katoda disambungkan dengan kutub positif batere dan anoda
disambungkan dengan kutub negatif batere, maka kondisi ini disebut sebagai bias tegangan
balik, seperti terlihat dalam gambar berikut.
Dioda dengan bias tegangan mundur Ketika dioda dibias mundur, maka tidak ada
aliran arus listrik yang melewati dioda. Hal ini dikarenakan elekton bebas yang ada pada tipe
N tertarik oleh kutub positif batere dan demikian juga hole pada tipe P berekombinasi dengan
elektron dari batere, sehingga lapisan pengosongan menjadi semakin lebar. Dengan semakin
lebarnya lapisan pengosongan ini, maka dioda tidak akan mengalirkan arus listrik. Ketika
7
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
tegangan bias mundur terus diperbesar, maka pada suatu harga tegangan tertentu dioda akan
rusak, karena adanya proses avalan yang menyebabkan dioda rusak secara fisik.

Semikonduktor Tipe N

Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan bahan bervalensi
lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan semikonduktor intrinsik, jumlah
elektron bebas dan holenya adalah sama. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat
rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas
tersebut. Jika bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas) bervalensi
lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan dopan yang bervalensi lima
ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Struktur kisi-kisi kristal bahan silikon type n
dapat dilihat pada gambar berikut.

Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe N

Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi mendapatkan
pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron valensi yang kelima tidak
mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron kelima ini dengan inti menjadi lemah
dan mudah menjadi elektron bebas. Karena setiap atom depan ini menyumbang sebuah
elektron, maka atom yang bervalensi lima disebut dengan atom donor. Dan elektron bebas
sumbangan dari atom dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya.

Meskipun bahan silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa mayoritas) cukup
banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena jumlah muatan positip pada
inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan elektronnya. Pada bahan type n disamping
jumlah elektron bebasnya (pembawa mayoritas) meningkat, ternyata jumlah holenya
(pembawa minoritas) menurun. Hal ini disebabkan karena dengan bertambahnya jumlah

8
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
elektron bebas, maka kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya kembali
elektron dengan hole) semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya menurun.

Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan seperti pada
gambar dibawah. Jarak antara pita konduksi dengan level energi donor sangat kecil yaitu 0.05
eV untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium. Oleh karena itu pada suhu ruang saja, maka
semua elektron donor sudah bisa mencapai pita konduksi dan menjadi elektron bebas.

Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe N

Bahan semikonduktor tipe n dapat dilukiskan seperti pada gambar dibawah. Karena atom-
atom donor telah ditinggalkan oleh elektron valensinya (yakni menjadi elektron bebas), maka
menjadi ion yang bermuatan positip. Sehingga digambarkan dengan tanda positip. Sedangkan
elektron bebasnya menjadi pembawa mayoritas. Dan pembawa minoritasnya berupa hole.

Bahan Semikonduktor Tipe N

Semikonduktor Tipe P

9
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan impuritas (ketidak-
murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor type p. Bahan dopan yang
bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan indium. Struktur kisi-kisi kristal
semikonduktor (silikon) type p adalah seperti gambar dibawah.

Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe P

Karena atom dopan mempunyai tiga elektron valensi, dalam gambar diatas adalah atom
Boron (B) , maka hanya tiga ikatan kovalen yang bisa dipenuhi. Sedangkan tempat yang
seharusnya membentuk ikatan kovalen keempat menjadi kosong (membentuk hole) dan bisa
ditempati oleh elektron valensi lain. Dengan demikian sebuah atom bervalensi tiga akan
menyumbangkan sebuah hole. Atom bervalensi tiga (trivalent) disebut juga atom akseptor,
karena atom ini siap untuk menerima elektron.

Seperti halnya pada semikonduktor type n, secara keseluruhan kristal semikonduktor type n
ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama. Pada bahan type p, hole
merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena dengan penambahan atom dopan akan
meningkatkan jumlah hole sebagai pembawa muatan. Sedangkan pembawa minoritasnya
adalah elektron.

10
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
 Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe P

Level energi dari hole akseptor dapat dilihat pada gambar diatas. Jarak antara level energi
akseptor dengan pita valensi sangat kecil yaitu sekitar 0.01 eV untuk germanium dan 0.05 eV
untuk silikon. Dengan demikian hanya dibutuhkan energi yang sangat kecil bagi elektron
valensi untuk menempati hole di level energi akseptor. Oleh karena itu pada suhur ruang
banyak sekali jumlah hole di pita valensi yang merupakan pembawa muatan.

Bahan semikonduktor tipe p dapat dilukiskan seperti pada gambar dibawah. Karena atom-
atom akseptor telah menerima elektron, maka menjadi ion yang bermuatan negatip. Sehingga
digambarkan dengan tanda negatip. Pembawa mayoritas berupa hole dan pembawa
minoritasnya berupa elektron.

Bahan Semikonduktor Tipe P

11
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
Karakteristik arustegangan
Karakteristik arustegangan dari dioda, atau kurva IV, berhubungan dengan
perpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan penipisan atau daerah
pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n di antara semikonduktor. Ketika pertemuan p-
n dibuat, elektron pita konduksi dari daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat banyak
lubang yang menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik lubang dan
elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan positif pada sisi-N dan
akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah disekitar pertemuan p-n menjadi dimiskinkan
dari pembawa muatan dan karenanya berlaku sebagai isolator.
Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh tanpa batas. Untuk setiap
pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion pengotor bermuatan positif ditinggalkan pada
daerah terkotori-n dan ion pengotor bermuatan negatif ditinggalkan pada daerah terkotori-p.
Saat penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion ditimbulkan, sebuah medan listrik
terbentuk di dalam daerah pemiskinan yang memperlambat penggabungan dan akhirnya
menghentikannya. Medan listrik ini menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.
Ketika kaki katoda disambungkan dengan kutub negatif batere dan anoda
disambungkan dengan kutub positif, maka dikatakan bahwa dioda sedang dibias dengan
tegangan maju. Bias maju ini diperlihatkan pada gambar berikut.
Dioda dengan bias tegangan maju Dalam bias maju, kutub negatif batere akan menolak
elekton-elektron bebas yang ada dalam semikonduktor tipe N, ika energi listrik yang
digunakan adalah melebihi tegangan barir, maka elektron yang tertolak tersebut akan
melintasi daerah deplesi dan bergabung dengan hole yang ada pada tipe P, hal ini terjadi terus
menerus selama rangkaian di gambar tersebut adalah tertutup. Kondisi inilah yang
menyebabkan adanya arus listrik yang mengalir dalam rangkaian.

Reverse Bias
Sebaliknya jika kaki katoda disambungkan dengan kutub positif batere dan anoda
disambungkan dengan kutub negatif batere, maka kondisi ini disebut sebagai bias tegangan
balik, seperti terlihat dalam gambar berikut.
Dioda dengan bias tegangan mundur Ketika dioda dibias mundur, maka tidak ada aliran arus
listrik yang melewati dioda. Hal ini dikarenakan elekton bebas yang ada pada tipe N tertarik
oleh kutub positif batere dan demikian juga hole pada tipe P berekombinasi dengan elektron
dari batere, sehingga lapisan pengosongan menjadi semakin lebar. Dengan semakin lebarnya
lapisan pengosongan ini, maka dioda tidak akan mengalirkan arus listrik. Ketika tegangan
12
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
bias mundur terus diperbesar, maka pada suatu harga tegangan tertentu dioda akan rusak,
karena adanya proses avalan yang menyebabkan dioda rusak secara fisik.

Dioda - Breakdown
Gambar di bawah ini menunjukkan karakteristik reverse-bias dari dioda, termasuk
area breakdown. Dioda-dioda yang dibuat khusus untuk bekerja pada daerah ini memiliki
kemampuan untuk menstabilkan tegangan melalui disipasi daya. Pada gambar 3.17b,
tegangan RL akan konstan walaupun tegangan input V diubah-ubah (> 5V). Dioda jenis ini
dinamakan dioda avalanche, dioda breakdown, atau dioda Zener.
Kemampuan dioda-breakdown ini timbul karena dua mekanisme, yaitu multiplikasi
avalanche dan efek Zener (telah diterangkan sebelumnya).
Efek Zener terjadi pada saat medan di sekitar junction mendekati nilai 2 x 107 V/m.
Medan sebesar ini terjadi pada tegangan di bawah 6 V pada semikonduktor ter-doping berat.
Nama dioda Zener lebih umum digunakan untuk dioda-dioda-breakdown, walaupun tegangan
operasinya tinggi. Dioda silikon yang beroperasi pada breakdown avalance mampu
mempertahankan tegangan dari beberapa volt hingga ratusan volt, dengan daya sekitar 50 W.
Karakteristik Temperatur. Sensitivitas dioda Zener terhadap suhu merupakan hal yang
menarik. Koefisien temperatur dioda zener dinyatakan dalam prosentase perubahan
tegangan per derajat celsius perubahan suhu. Koefisien bisa bernilai positif maupun negatif
dengan nilai sekitar + 0,1 persen/C.
Di daerah zener murni (di bawah 6 V) koefisien bernilai negatif, karena kenaikan
suhu akan meningkatkan energi elektron valensi, sehingga lebih mudah lepas dari ikatan. Jadi
di daerah ini, semakin tinggi suhu, tegangan breakdown akan semakin rendah.
Di daerah avalanche (tegangan operasi tinggi, > 6V) , kenaikan suhu akan meningkatkan
vibrasi atom yang berarti akan meningkatkan peluang terjadinya tumbukan antara partikel
intrinsik dengan atom. Hal ini memperkecil peluang partikel intrinsik untuk
menembus junction. Berarti, tegangan breakdown semakin tinggi jika suhu dinaikkan
(koefisien positif).
Pokok-pokok untuk diingat:

i. Pada saat persambungan pn terbentuk, elektron-elektron bebas mulai berdifusi

menyeberangi persambungan dan kemudian terjatuh ke dalam lubang-lubang.

13
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
ii. Rekombinasi elektron-elektron bebas dengan lubang-lubang disekitar
persambungan menimbulkan daerah ion-ion negative dan positif yang disebut
lapisan pengosongan.
iii. Karena terjadi potensial barier,difusi elektron-elektron bebas akan berhenti
akhirnya.
iv. Pada suhu ruang, diode silicon mempunyai potensial barier kurang lebih sebesar
0, 7 V (sekitar 0, 3 V untuk diode Ge).

14
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor
 DAFTAR PUSTAKA
1. Darsono dan Suhadi. 1977. Ilmu Bahan Listrik I. Jakarta: Proyek Pengadaan Buku
Pendidikan Menegah Teknologi.
2. Muhaimin. 1991. Bahan-bahan Listrik untuk Politeknik. Jakarta: Andi Offset.
3. Sumanto, Drs. 1996. Pengetahuan Bahan untuk Mesin dan Listrik. Jakarta: Andi
Offset.
4. Barmawi Malvino, Tjia. 1985. Aproksimasi Rangkaian Semi Konduktor (Pengantar
Transistor Rangkaian Terpadu). Jakarta: Erlangga

15
Rifky Sondany / 1147030040 / Resume Semikonduktor