Nama : ROMI INDAYATI

NIM : 161810201045

Tugas Fisika Bahan

Resume Solid State Devices ( Electrostatics of P-N junctions)
Lecture 14

1) Introduction to p-n junctions

Semikonduktor adalah bahan dengan konduktivktivitas listrik yang berada antara

insulator (isolator) dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator (isolator)
dpada temperature rendah namun pada temperature ruangan bersifat konduktor. Berdasarkan
murni atau tidak murninya bahan semikonduktor dibedakan menjadi dua jenis yaitu
semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik. Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor
yang terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Semikonduktor ekstrinsik
Terbentuk dari semikonduktor murni yang dikotori oleh atom dopping sebagai penghasil
elektron konduksi atau hole. Terdiri atas dua tipe: Tipe – N (Silikon + Phospor atau Arsenic)
dan Tipe – P (Silikon + Boron, Galium atau Indium).

Gabungan dari bahan semikonduktor type P dan semikonduktor type N akan membentuk
suatu komponen yang disebut diode. P-N Junction adalah batas pertemuan antara kedua
bahan semikonduktor tipe P dan tipe N yang ada didalam sebuah kristal semikonduktor yang
merupakan cikal bakal komponen dioda, transistor dan IC. Sebuah persimpangan p-n terdiri
dari dua daerah semikonduktor dengan jenis doping yang berlawanan. Wilayah di sebelah kiri
adalah tipe-p dengan kepadatan akseptor Na, sedangkan wilayah di sebelah kanan adalah
tipe-n dengan kepadatan donor Nd. Dopan diasumsikan dangkal, sehingga kerapatan elektron
(lubang) di daerah tipe-n (tipe-p) kira-kira sama dengan kepadatan donor (akseptor).
 Pada dasarnya P-N Junction merupakan sebuah blok yang ada didalam komponen
tersebut, misalnya sebuah dioda disusun oleh P-N tunggal sedangkan transistor ada dua jenis
yaitu P-N-P dan N-P-N. P-N Junction terjadi karena elektron bebas pada semikonduktor tipe
N mengisi “hole” pada semikonduktor tipe P. Area pertemuan ini disebut dengan Depletion
Region atau Area penipisan. Ketika persimpangan P-N terbentuk, beberapa elektron bebas
dari area tipe N yang berhasil mencapai pita konduksi bebas akan menyebar dan mengisi
lubang (hole) pada area tipe P.

Hal ini meninggalkan ion positif pada sisi semikonduktor tipe N. Kemudian sebuah ruang
pengisian muatan terbangun, menciptakan daerah penipisan yang kemudian menghambat
transfer elektron lanjut kecuali dibantu dengan meletakkan bias maju di persimpangan yang
disebut dengan Forward Bias. Pemberian bias terbalik (Reverse Bias) tidak akan memicu
pergerakan elektron didalam semikonduktor sehingga membuat komponn semikonduktor
hanya bisa dialiri arus satu arah saja.

Prinsip dasar P-N Junction ini kemudian diterapkan pada komponen elektronika seperti
dioda yang bisa berfungsi sebagai penyearah tegangan maupun penahan tegangan arah
tertentu. Selain itu penerapan P-N junction juga bisa lebih kompleks lagi pada komponen
transistor. Disini dipasang kombinasi tiga bahan semikonduktor, yaitu P-N-P dan N-P-N.
Dengan kombinasi ini dapat diperoleh berbagai fungsi seperti penguatan sinyal, pensaklaran
elektronis dan sebagainya. Ada dua daerah operasi dioda sambungan P – N dan ada tiga
kondisi bias yang dapat diberikan:

1. Zero Bias – kondisi di mana tidak ada potensial eksternal yang diberikan kepada kedua
ujung dioda menghasilkan keseimbangan jumlah pembawa mayoritas, elektron dan hole,
 dan keduanya bergerak dalam arah yang berlawanan. Kondisi keseimbangan ini dikenal
sebagai keseimbangan dinamis (dynamic – equilibrium).

2. Reverse Bias – kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan ke
sisi N dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi P dioda.

Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi yang tinggi antar persambungan dan
praktis tidak menghasilkan aliran pembawa muatan mayoritas dengan meningkatnya
potensial sumber. Namun, sejumlah arus kebocoran yang sangat kecil akan melewati
persambungan yang dapat diukur dalam orde mikroampere (A).
3. Forward Bias – Kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan ke
sisi P dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi N dioda.

Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi persambungan P – N yang sangat

rendah sehingga memungkinkan arus yang sangat besar mengalir walaupun hanya dengan
 potensial sumber yang relatif kecil. Perbedaan potensial aktual yang timbul pada kedua
ujung persambungan dioda akan bernilai tetap akibat aksi dari lapisan deplesi yang
bernilai sekitar 0,3 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.

Pada gambar diatas menjelaskan tentang Drawing Band Diagram dimana pada
persamaan pertama digunakan dalam equilibrium. Dalam equlibrium j=0 atau tidak ada rapat
arus yang mengalir tetapi medan listrik atau difusi mungkin masih ada.

P-N Junction terdiri dari dua bagian antara lain Donor dan Acceptor. Bentuk dari
kedua bagian ini tidak sama atau berbeda. Bagian Donor merupakan peran dari sisi N. Pada
sisi N ini setiap donor akan memberikan 1 elektron. Sedangkan untuk bagan acceptor ini
merupakan sisi P, setiap acceptor akan menangkap satu elektron (dari pita valensi) dan setiap
acceptor atom akan meninggalkan satu lubang pita valensi.

Pada gambar diatas dalam sisi Donor (sisi N) bentuk kotak adalah donor tetap
sedangkan setiap atom donor telah diberikan satu elektron (lingkaran biru). Sedangkan pada
sisi akseptor (Sisi P) setiap atom akseptor telah menangkap satu elektron (dari pita valensi).
Setiap atom akseptor meninggalkan satulubang di pita valensi. (lingkaran merah).
 Berikut gambar dioda P-N sebelum dan sesudah melakukan proses difusi :

Gambar dibawah ini dapat menunjukan bahwa qND merupakan pengisian bersih pada
sisi-N, panjang pengisian bersih ini disebut wilayah penipisan Xn dan sisi P dapat diabaikan
pada saat charge pada sisi N. Sedangkan pada sisi P, pengisian bersihnya (-qNA) bertanda
negatif karna yang dikurangi pada proses pengisian tersebut adalah elektronnya.

Karena jenis-p berdekatan dengan jenis-n di junction, beberapa elektron bebas dari
sisi-n tertarik melintasi junction untuk mmengisi hole pada sisi-p. Kedua pembawa muatan
(elektron dan hole) dikatakan diffuse (berdifusi) melintasi junction, yaitu mengalir dari bagian
dengan konsentrasi pembawa muatan yang tinggi ke bagian dengan konsentraasi yang
rendah. Elektron-elektron bebas yang melintasi junction menimbulkan ion-ion negatip pada
sisi-p dengan jalan memberikan pada atom-atom satu elektron lebih banyak dari pada jumlah
total protonnya. Elektron-elektron juga meninggalkan ion-ion positip (atom-atom dengan
elektron satu lebih sedikit dari pada jumlah proton) pada sisi-n. Sebelum pembawa muatan itu
berdifusi melintasi junction baik bahan jenis-n maupun bahan jenis-p keduanya sama-sama
netral secara elektrik. Tapi, begitu ion-ion negatip terbentuk pada junction sisi-p, sisi-p
menjadi berpotensial negatip. Dengan cara yang sama, ion-ion positip terbentuk pada sisi-n
yang menjadikan sisi-n berpotensial positip. Potensial negatip pada sisi-p cenderung menolak
elektron-elektron selanjutnya yang berusaha melintasi junction dari sisi-n, potensial positip
pada sisi-n cenderung menolak setiap hole selanjutnya yang mau melintas dari sisi-p. Jadi,
difusi pendahuluan pembawa muatan menimbulkan yang dinamakan barrier potensial pada
junction.

2) Drawing band-diagrams

Menggambar Band-Diagram dimulai dengan menentukan EF terlebih dahulu. Selanjutnya,

menggambar EC/EV dalam jumlah besar pada sisi N dan sisi P. Gambar level Vacum pada
masing-masing sisi, selanjutnya gabungkan. Selanjutnya transfer vacuum slope untuk
menggabungkan Ec/EV.
 Persamaan diatas selalu benar pada titik keseimbangan. Delta1,2 diturunkan melalui
konsentrasi doping. X1,2 merupakan parameter material. Potensial terpasang Vbi tidak
diketahui.
 Gambar diatas merupakan gambar kondisi batas pada permukaan. Pada homo-
junction perpindahan bidang simpangan diteruskan menuju bidang seberang pada sisi P.
Sedangkan pada Hetero-Junction simpangan tidak diteruskan.

3) Band-diagram with applied bias

Reverse-Biased Junction, Jika tegangan bias eksternal positip dipasang pada sisi-n
dan negatip dipasang pada sisi-p dari pn-junction, elektron-elektron dari sisi-n ditarik ke
terminal positip tegangan bias dan hole dari sisi-p ditarik ke terminal negatip tegangan bias.
hole dari atom-atom impuriti dalam sisi-p junction tertarik menjauhi junction dan elektron-
elektron ditarik keluar dari atom-atomnya dalam sisi-n dari junction tertarik menjauhi
junction.
Dengan demikian depletion region menjadi semakin lebar, potensial barrier semakin
besar mengikuti kenaikan besarnya tegangan terpasang. Dengan potensial barrier semakin
besar, maka tidak ada kemungkinan arus pembawa muatan mayoritas mengalir menlintasi
junction. Dalam hal ini, junction itu dikatakan menjadi reverse biased. Meskipun tidak ada
kemungkinan arus pembawa muatan mayoritas mengalir melintasi junction dalam keadaan
reverse biased, pembawa-pembawa muatan minoritas yang timbul pada kedua sisi junction
masih dapat melintasi junction. Elektron-elektron pada sisi-p ditarik melintasi juction ke
potensial positip pada sisi-n. Hole-hole pada sisi-n bisa mengalir melintasi ke potensial
negatip pada sisi-p.

Forward-Biased Junction Misalkan sekarang tegangan bias eksternal dipasang dengan

polaritas seperti gambar berikut ini: positip pada sisi-p dan negatip pada sisi-n. Hole pada
sisi-p, sebagai partikel bermuatan positip ditolak oleh terminal positip tegangan bias dan hole
bergerak menuju junction. Demikian pula, elektron-elektron pada sisi-n ditolak oleh terminal
negatip tegangan bias dan bergerak menuju junction. Akibatnya, lebar depletion region
berkurang dan potensal barrier juga berkurang.
Jika, tegangan bias yang dipasang itu dinaikkan mulai dari nol, potensial barrier
menjadi semakin kecil secara progresip sampai potensial barrier itu lenyap dengan efektip
dan pembawa muatan dengan mudah melintasi junction. Elektron-elektron dari sisi-n ditarik
melintasi ke terminal positip dari tegangan bias dan hole-hole bergerak dari sisi-p ditarik
melintas ke terminal negatip dari tegangan bias. Jadi, timbul arus pembawa muatan
mayoritas, junction disebut menjadi forwad biased.
 I-V Karakteristik Dioda P-N

1. Penurunan Rumus Bias Maju

Gambar diatas merupakan gambar region I-V karakteristik dioda sambungan p-n.

Jika arus masih mengalir, posisi tidak akan mempengaruhi perhitungan arus. Hitung
dari posisi yang paling mudah. Minor Arus pembawa minoritas di sisi-P. Kami tahu
solusinya dari sebelumnya. Asumsikan steady state, no Rn, gn.
Persamaan diatas merupakan persamaan penurunan rumus bias maju untuk kondisi batas.
Persamaan ini digunakan untuk menentukan elektron dan fluks hole pada persamaan bias
maju.

Persamaan diatas digunakan untuk menentukan jumlah arus total.

2. Solusi dalam nonlinier regim

Persamaan diatas merupakan solusi dari nonlinier regim. Dimana persamaan ini juga
menggunakan persamaan Fermi untuk menentukan solusinya.

3. I-V dalam ambipolar regim

Diatas ini merupakan persamaan I-V dalam ambipolar regim. Dimana pada regim ini
simpangan tidak akan hilang, bahkan untuk bias maju yang besar.

Kesimpulan yang didapatkan dalam materi diatas adalah sebagai berikut :

a. Karakteristik I-V dari sambungan p-n didefinisikan oleh banyak orang

Fenomena menarik termasuk difusi, transportasi ambipolar,
tunneling dll.

b. Daerah terpisah diidentifikasi oleh fitur-fitur khusus. Sekali

kita belajar mengidentifikasi mereka, kita dapat melihat apakah satu atau yang lain
mekanisme didominasi untuk teknologi yang diberikan.