PN JUCTION

Pertemuan keempat-
Bab 3 pada Diktat Kuliah/Buku Ajar
IRMA SARASWATI
PN JUNCTION
 P-N Junction adalah batas pertemuan antara kedua bahan
semikonduktor tipe P dan tipe N yang ada didalam sebuah kristal
semikonduktor yang merupakan cikal bakal komponen dioda,
transistor dan IC. Pada dasarnya P-N Junction merupakan sebuah
blok yang ada didalam komponen tersebut, misalnya sebuah
dioda disusun oleh P-N tunggal sedangkan transistor ada dua
jenis yaitu P-N-P dan N-P-N.

P-N Junction terjadi karena elektron bebas pada semikonduktor

tipe N mengisi "hole" pada semikonduktor tipe P. Area pertemuan
ini disebut dengan Depletion Region atau Area penipisan. Ketika
persimpangan P-N terbentuk, beberapa elektron bebas dari area
tipe N yang berhasil mencapai pita konduksi bebas akan
menyebar dan mengisi lubang (hole) pada area tipe P.
 PN Junction
• Tipe-N: Menambahkan Latice Si
dengan atom Gol V, menyediakan
tambahan elektron (sehingga N
untuk negatif)
• Tipe-P: Menambahakan Latice Si
dengan atom Gol III, menyediakan
tambahan hole (sehingga P untuk
positif)
 PN Junction
Apa yang terjadi ketika tipe-P dan tipe-N
bertemu?
 Hole terdifusi dari tipe-P ke tipe-N,

elektron terdifusi dari tipe-N ke tipe-P,

menghasilkan arus difusi
 Sekali mengalami pertukaran, maka pada

saat t akan kembali (rekombinasi) ke

kondisi semula.
 Rekombinasi ini menghasillkan medan

listrik yang diakibatkan oleh ikatan

muatan positif dan negatif
 Wilayah yang mengalami muatan disebut

wilayah deplesi
 V0 adalah potensial yang muncul karena

medan listrik tersebut. Pada suhu kamar:

V0 is 0.5~0.8V.

Catatan: beberapa muatan pembawa dapat dihasilkan oleh energi

termal.
 •Hal ini meninggalkan ion positif pada sisi
semikonduktor tipe N. Kemudian sebuah
ruang pengisian muatan terbangun,
menciptakan daerah penipisan yang
kemudian menghambat transfer elektron
lanjut kecuali dibantu dengan meletakkan
bias maju di persimpangan yang disebut
dengan Forward Bias. Pemberian bias
terbalik (Reverse Bias) tidak akan memicu
pergerakan elektron didalam
semikonduktor sehingga membuat
komponn semikonduktor hanya bisa dialiri
arus satu arah saja.

Prinsip dasar P-N Junction ini kemudian diterapkan pada komponen

elektronika seperti dioda yang bisa berfungsi sebagai penyearah tegangan
maupun penahan tegangan arah tertentu. Selain itu penerapan P-N
junction juga bisa lebih kompleks lagi pada komponen transistor. Disini
dipasang kombinasi tiga bahan semikonduktor, yaitu P-N-P dan N-P-N.
Dengan kombinasi ini dapat diperoleh berbagai fungsi seperti penguatan
sinyal, pensaklaran elektronis dan sebagainya.
DIODA TANPA BIAS

 Sisi p mempunyai banyak hole dan sisi n

banyak elektron pita konduksi.
 Tidak ada tegangan luar disebut dioda tanpa
bias.
LAPISAN PENGOSONGAN (depletion layer)

 Elektron pada sisi n cenderung untuk berdifusi

(tersebar) ke segala arah. Beberapa berdifusi
melewati junction.
 Jika elektron masuk daerah p, maka akan
menjadi pembawa minoritas dan memiliki
umur hidup yang singkat , setelah memasuki
daerah p maka elektron akan jatuh ke dalam
hole sehingga hole lenyap dan elektron pita
konduksi menjadi elektron valensi
 Setiap kali elektron berdifusi melalui
junction,maka akan tercipta sepasang ion
 Tanda positif berlingkaran menandakan ion
positif dan tanda negatif berlingkaran
menandakan ion negatif
 Tiap pasang ion positif dan negatif pada
gambar disebutdipole. Penciptaan dipole berarti
satu elektron pita konduksi dan satu hole telah
dikeluarkan dari sirkulasi.
 Jika terbentuk sejumlah dipole, daerah dekat
junction dikosongkan dari muatan – muatan
yang bergerak dan daerah yang kosong muatan
ini disebut dengan lapisan pengosongan
(depletion layer ).
POTENSIAL BARRIER

 Tiap dipole mempunyai medan listrik (lihat

gambar). Anak panah menunjukkan arah gaya
pada muatan positif . Oleh sebab itu jika
elektron memasuki lapisan pengosongan,
medan listrik mencoba mendorong elektron
kembali kedalam daerah- n.
 Kekuatan medan bertambah dengan berpindahnya
tiap elektron sampai akhirnya medan menghentikan
difusi elektron yang melewati junction.
 Hole yang memasuki daerah pengosongan akan

didorong oleh medan listrik kedalam daerah n.

 Hal ini sedikit mengurangi kekuatan medan listrik

dan membiarkan beberapa pembawa mayoritas

berdifusi dari kanan ke kiri untuk mengembalikan
medan listrik pada kekuatannya semula.
 Adanya medan listrik diantara ion adalah ekivalen

dengan perbedaan potensial yang disebut potensial

barier.
 Pada 25o C, potensial berier kira-kira sama dengan

0,3 V untuk dioda germanium dan 0,7 V untuk dioda

silikon
DIODA REVERSE BIAS
 Adalah kondisi ketika sebuah dioda disambungkan pada
polaritas terbalik dimana kaki katodanya disambungkan ke
kutub positif dan kaki anodanya disambungkan ke kutub
negatif maka dioda mengalami bias mundur/reverse bias.
 PN Junction
PN Junction: Reserve Bias
Reverse bias: Tegangan negatif dipasang di
Tipe-P dan tegangan positif dipasang di Tipe-N

• Meningkatkan potensial di dalam,

meningkatkan ketinggian
penghalang.
• Menurunkan jumlah muatan
pembawa yang mampu terdifusi
• Arus difusi menurun
• Arus drift tetap sama
• Hampir tidak ada arus yang
mengalir. IS, yaitu arus drift
mengalir dari N ke P.
 Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi
tegangan negatip, maka hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik
ke kutup negatip baterai menjauhi persambungan. Demikian juga
karena pada ujung katoda (K) yang berupa bahan tipe n diberi
tegangan positip, maka elektron-elektron (pembawa mayoritas) akan
tertarik ke kutup positip baterai menjauhi persambungan. Sehingga
daerah pengosongan semakin lebar, dan arus yang disebabkan oleh
pembawa mayoritas tidak ada yang mengalir.
Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan tipe
p) dan hole (pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga mengalir
arus jenuh mundur (reverse satura- tion current) atau Is. Arus ini
dikatakan jenuh karena dengan cepat mencapai harga maksimum tanpa
dipengaruhi besarnya tegangan baterai. Besarnya arus ini dipengaruhi
oleh tem- peratur. Makin tinggi temperatur, makin besar harga Is. Pada
suhu ruang, besarnya Is ini dalam skala mikro-amper untuk dioda
germanium, dan dalam skala nano-amper untuk dioda silikon.
 Dioda dengan bias tegangan mundur Ketika dioda dibias
mundur, maka tidak ada aliran arus listrik yang melewati
dioda. Hal ini dikarenakan elekton bebas yang ada pada
tipe N tertarik oleh kutub positif batere dan demikian
juga hole pada tipe P berekombinasi dengan elektron dari
batere, sehingga lapisan pengosongan menjadi semakin
lebar. Dengan semakin lebarnya lapisan pengosongan ini,
maka dioda tidak akan mengalirkan arus listrik. Ketika
tegangan bias mundur terus diperbesar, maka pada suatu
harga tegangan tertentu dioda akan rusak, karena adanya
proses avalan yang menyebabkan dioda rusak secara
fisik.
dioda dengan bias negatif/mundur
(reverse bias)
 Kutub + pada tipe-n dan kutub – pada tipe-p
Elektron-elektron pada tipe-n dipaksa
- - meninggalkan tipe-n tanpa melewati tipe-

+ + +
p - n +
p, sehingga daerah deplesi makin besar ,
- Medan listrik makin besar

aliran lubang aliran elektron

I
Medan listrik akan mencegah mengalirnya arus
V rusak
pada rangkaian. Walaupun tegangan terus
diperbesar namun arus tetap sangat kecil.
Tegangan ini dinamakan tegangan mundur/bias
mundur (backward bias)
V maju
Jika tegangan mundur terus diperbesar maka
suatu saat arus mundurnya bertambah secara
tajam. Keadaan ini dikatakan sambungan p-n
bocor. Potensial pada keadaan ini dinamakan
potensial rusak (breakdown voltage)
DIODA FORWARD BIAS

 Apabila tegangan positip baterai

dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan
negatipnya ke terminal katoda (K), maka
dioda disebut mendapatkan bias maju
(foward bias). Dengan demikian VA-K adalah
positip atau VA-K > 0. Gambar 3
menunjukan dioda diberi bias ma- ju.
 PN Junction
PN Junction: Forward Bias
Forward bias: memasang tegangan positif di
Tipe-P dan tegangan negatif di tipe-N

Meningkatkan sebagian besar

muatan pembawa di kedua
sisi:
->Memperpendek wilayah
deplesi -> V0 lebih rendah
-> arus difusi meningkat
 Dengan pemberian polaritas tegangan seperti pada gambar
3, yakni VA-K positip, maka pembawa mayoritas dari
bahan tipe p (hole) akan tertarik oleh kutup negatip baterai
me- lewati persambungan dan berkombinasi dengan
elektron (pembawa mayoritas bahan tipe n). Demikian juga
elektronnya akan tertarik oleh kutup positip baterai untuk
melewati persam- bungan. Oleh karena itu daerah
pengosongan terlihat semakin menyempit pada saat dioda
di- beri bias maju. Dan arus dioda yang disebabkan oleh
pembawa mayoritas akan mengalir, yaitu ID.
 Sedangkan pembawa minoritas dari bahan
tipe p (elektron) dan dari bahan tipe n (hole)
akan berkombinasi dan menghasilkan Is.
Arah Is dan ID adalah berlawanan. Namun
karena Is jauh lebih kecil dari pada ID, maka
secara praktis besarnya arus yang mengalir
pada dioda ditentukan oleh ID.
 PN Junction
Junction PN: Karakteristik V-A Dioda

• Forward bias, junction

PN memiliki tegangan
“aktif” pada kisaran 0,5
V sampai 0,8 V
• Reserve bias, juction
PN tidak memiliki arus
yang mengalir sampai
batas titik balik
(breakdown). Titik
balik bisa ada pada
jangkauan 1 V sampai
100 V.
 PN Junction
Junction PN: Persamaan Arus
Forward Bias:

Dimana:
VT =kT/q adalah tegangan termal (~25.8mV pada suhu kamar T=
300oK)
k = konstanta Boltzman = 1.38 x 10-23 J/kelvin
T = suhu absolut
q = muatan elektron = 1.602 x 10-19 coulomb
n = konstanta tergantung pada struktur, nilai antara 1 dan 2 (asumsi
selalu = 1)
IS = skala arus yang ditentukan oleh ukuran dioda
 PN Junction
Junction PN: Persamaan Arus
Reverse bias:
Reverse bias (ketika vD << 0 setidaknya VT ),
kemudian

Contoh: