DIODA SEMIKONDUKTOR

FT UNP Teknik Elektronika

Materi 2
 PEMBENTUKAN SAMBUNGAN PN

• Dioda Semikonduktor dibentuk dengan cara menyambungkan type p dan type n.

• Pada saat terjadinya sambungan, (junction) p dan n, hole-hole pada bahan p dan electron –
electron pada bahan n disekitar sambungan cendrung berkombinasi.
• Hole dan electron yang berkombinasi ini saling meniadakan, sehingga daerah sekitar
sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan bentuk daerah pengosongan (depletion
region).
Link youtube (
https://www.youtube.com/watch?v=OyC02DWq3mI)
• Pada sisi p tinggal ion – ion
akseptor yang bermuatan positif.
• Proses ini tidak berlangsung terus,
karena potensial dari ion – ion
positif dan negative ini akan
menghalanginya.
• Tegangan atau potensial ekivalen
pada daerah pengosongan ini
disebut dengan tegangan
penghalang (barrier potential).
• Besarnya tegangan penghalang ini
adalah 0.3 V germanium dan 0.6 V
silicon.
 Bias dioda

Bias Dioda terbagi menjadi 2 :

1. Bias Maju (forward Bias)
2. Bias Mundur (Reverse Bias)
 BIAS MAJU (FORWARD
BIAS)
Apabila tegangan positif baterai dihubungkan ke terminal
anoda (A) dan negatifnya ke terminal katoda (K), maka diode
desebut mendapatkan bias maju (forward bias).
• Va-k > 0.
• Dengan pemberian polaritas tegangan seperti
gambar disamping yakni Va-k positif, maka
pembawa mayoritas dari bahan tipe P (hole) akan
tertarik oleh kutup negative baterai melewati
persambungan dan berkombinasi dengan electron
dan sebaliknya.
• Oleh karena itu daerah pengosongan terlihat lebih
sempit.
• Pembawa minoritas dari bahan tipe p (electron)
dan tipe n (hole) akan berkombinasi dan
menghasilkan Is. Arah Is dan ID berlawanan.
• Karena Is jauh lebih kecil dari pada ID, maka
besarnya arus yang mengalir pada diode
ditentukan oleh ID.
 DAERAH KERJA BIAS
MAJU
Pada daerah bias maju untuk (VD>0), besarnya arus
diode (ID) sangat kecil jika tegangan diode (VD) kurang
dari nilai spesifik tegangan temperatur (VT) (umumnya
0.6V-0.7V).
Dioda akan konduksi penuh bila (VD) lebih besar
daripada tegangan temperatur (VT) yang direferensikan
pada tegangan batas (threshold voltage) atau tegangan Sehingga untuk VD>0.1V dengan nilai
cut in/turn on.
ID>>IS, maka pada kasus persamaan
Saat tegangan diode kecil, misal VD = 0.1V; = 1 dan VT =
25.8mV (2.215) dapat dilakukan pendekatan
Dengan menggunakan persamaan (2.315), maka dapat dengan factor kesalahan 2.1%
ditentukan nilai arus diode (ID).

Link youtube (
https://www.youtube.com/watch?v=9SCcyTeGiD4)
 BIAS MUNDUR (REVERSE BIAS)
Bias mundur adalah pemberian tegangan negatif baterai
dihubungkan ke terminal anoda (A) dan positifnya ke terminal
katoda (K), maka diode desebut mendapatkan bias mundur
(reverse bias).

Dengan demikian Va-k < 0. Karena pada ujung anoda yang

berupa bahan tipe p diberi negative, maka hole-hole akan tertarik
ke kutup negative baterai menjauhi persambungan. Demikian
juga karena ujung katoda diberi kutup positif akan tertarik
menjauhi persambungan. Sehingga pengosongan semakin lebar,
dan arus yang disebabkan oleh pembawa mayoritas tidak ada
yang mengalir.
Sedangkan pembawa minoritas dari bahan tipe p (electron) dan tipe n (hole) akan berkombinasi
sehingga mengalir arus jenuh mundur (reverse saturasi current) atau Is. Arus ini dikatakan jenuh karena
dengan cepat mencapai harga maksimum tanpa dipengaruhi besaran tegangan baterai. Besarnya arus ini
dipengaruhi oleh temperature. Makin tinggi temperature maka Is semakin besar. Pada suhu ruang,
besarnya Is ini dalam skala mikro ampere untuk diode germanium dan nano pada diode silicon.
 KARAKTERISTIK DIODA
Gambar disamping menunjukan 2 macam
kurva yakni diode germanium dan silicon. Pada
diberi bias maju, yakni bila Va-k positif maka arus
ID akan naik dengan cepat setelah Va-k mencapai
tegangan cut (V). Tegangan cut in ini kira-kira
0.2V untuk germanium dan 0.6V untuk silicon.
Bagian kiri bawah gambar disamping adalah
bias mundur, Besarnya arus jenuh mundur Is untuk
diode germanium adalah dalam mikro ampere
dalam contoh ini 1A. Sedangkan diode silicon Is
dalam nano amper dalam hal ini adalah 10nA.
RUMUS
Harga arus diode ID dengan tegangan VD
dapat dinyatakan dalam persamaan matematis
yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu:

Pada temperature ruang 25ºC atau

273 + 25 = 298 K, dapat dihitung
besarnya VT yaitu:
Harga Is suatu diode dipengaruhi oleh
temperature, tingkat doping dan geometri diode.
Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi
dan parameter fisik diode. Sedangkan harga V T
ditentukan dengan persamaan
 Arus jenuh mundur Is dipengaruhi oleh Apabila temperature diode dinaikan, maka
dopping, persambungan, dan temperature. Dalam tegangan cut in turun dan sebaliknya. Dengan asumsi
pemakaian suatu komponen diode, factor bahwa ID tetap, hubungan antara temperature dengan
tegangan cut in dapat dinyatakan dengan persamaan
dopping dan persambungan adalah tetap, maka
dibawah:
yang perlu mendapat perhatian serius adalah
pengaruh temperature. Gambar di bawah adalah
pengaruh kurva bias maju dalam beberapa
macam temperature.
 Selain mempengaruhi tegangan cut in,
temperature diode juga mempengaruhi arus
jenuh mundur (Is). Arus Is kira – kira naik
dua kali lipat apabila temperature diode naik
10ºC. Gambar disamping menunjukan
perubahan kurva bias mundur untuk beberapa
macam temperature.
Secara matematis pengaruh temperature
terhadap arus Is dapat dinyatakan:
 RESISTANSI – RESISTANSI DIODA

Pemberian tegangan dc kepada suatu rangkaian diode akan menentukan

titik kerja diode tersebut pada kurva karakteristik. Apabila tegangan dc
diberikan tidak berubah maka titik kerja diode juga tidak berubah.
Perbandingan antara tegangan pada titik kerja dengan arus yang mengalir pada
diode disebut Resistansi diode atau Resistansi Statis.
Resistani dc pada daerah bias maju akan lebih kecil disbanding dengan
resistansi pada daerah bias mundur.
CONTOH
MACAM – MACAM DIODA KHUSUS

1. Dioda LED
2. Dioda Foto
3. Dioda Zener
4. Dioda Tunnel
5. Dioda Penyearah
6. Dioda Varaktor
7. Dioda Schottky
DIODA LED
Dioda emisi cahaya atau dikenal dengan singkatan LED merupakan
Solid State Lamp yang merupakan piranti elektronik gabungan antara
elektronik dengan optik, sehingga dikategorikan pada keluarga
“Optoelectronic”. Sedangkan elektroda-elektrodanya sama seperti dioda
lainnya, yaitu anoda (+) dan Katoda (-).Ada tiga kategori umum
penggunaan LED, yaitu :
1. Sebagai lampu indikator,
2. Untuk transmisi sinyal cahaya yang dimodulasikan dalam suatu jarak
tertentu,
3. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang terisolir secara total.
Simbol
Bentuk Fisik diode LED dapat dilihat pada gambar disamping:

Link youtube (https://www.youtube.com/watch?v=xOvDRmKi_fg)

DIODA FOTO
Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse, jadi hanya arus bocor saja
yang melewatinya. Dalam keadaan gelap, arus yang mengalir sekitar 10 A
untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1A untuk bahan
silikon. Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor
tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat
cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut.
Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan
pita data berlubang (Punch Tape), dimana pita berlubang tersebut terletak
diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. Jika setiap lubang pita itu melewati
antara tadi, maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh
dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik. Sedangkan penggunaan
lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (Lux-Meter), dimana dalam
keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi sedangkan jika disinari cahaya
akan berubah rendah. Selain itu banyak juga dioda cahaya ini digunakan
sebagai sensor sistem pengaman (security) misal dalam penggunaan alarm.
Bentuk fisik foto diode dapat dilihat pada gambar disamping.
DIODA ZENER
Dioda Zener merupakan dioda junction P dan N yang terbuat
dari bahan dasar silikon. Dioda ini dikenal juga sebagai Voltage
Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse (kuadran III).
Potensial dioda zener berkisar mulai 2,4 sampai 200 volt dengan
disipasi daya dari ¼ hingga 50 watt.
Fenomena tegangan breakdown dioda ini menginspirasi
pembuatan komponen elektronika kerabat dioda yang bernama
Zener. Tidak ada perbedaan struktur dasar dari Zener dengan dioda.
Dengan memberi jumlah doping yang lebih banyak pada
sambungan P dan N, ternyata tegangan breakdown dioda bisa Perhatikan rangkaian berikut, input tegangan
makin cepat tercapai. Jika pada dioda biasanya baru terjadi akan yang masuk ke rangkaian lain dan beban
akan dibatasi oleh dioda zener. Jika input
breakdown pada tegangan ratusan volt, pada Zener bisa terjadi pada
tegangan dibawah 5.6V, dioda tidak
angka puluhan dan satuan volt. Di datasheet ada Zener yang menghantarkan arus sehingga arus akan mengalir
memiliki tegangan Vz sebesar 2 volt, 5.6 volt dan sebagainya. ke rangkaian lain dan beban. Jika input tegangan
Fungsi dari komponen ini biasanya dipakai untuk pengamanan mencapai 5,6 V atau lebih maka dioda zener akan
rangkaian setelah tegangan Zener. terjadi brekadown dan arus akan mengalir melalui
dioda, bukan ke rangkaian atau beban.
Link youtube (https://www.youtube.com/watch?v=uJQ01t79TSY)
DIODA TUNNEL
Dioda-tunnel adalah konduktor yang sempurna jika diberi bias mundur. Demikian juga
untuk bias maju dengan nilai tegangan yang kecil (hingga 50 mV untuk Ge), resistansinya
relatif kecil (sekitar 5 ohm). Pada arus puncak Ip yang berhubungan dengan tegangan Vp,
gradien bernilai nol. Jika V sedikit lebih besar dari Vp, arus mengecil, konduktansi dinamik g
= dI/dV bernilai negatif. Dioda-tunnel memperlihatkan karakteristik resistansi negatif antara
arus puncak Ip dan nilai minimum IV, yang dinamakan arus lembah (valley current). Pada
tegangan lembah VV dimana I = IV, konduktansi kembali bernilai 0, dan di atas titik ini,
resistansi kembali dan tetap bernilai positif. Pada titik yang dinamakan peak forward voltage,
VF, arus kembali mencapai nilai IP. Jika tegangan diperbesar, arus akan melewati nilai IP.
Untuk arus dengan nilai antara IV dan IP, kurva memiliki tiga nilai tegangan, karena satu
nilai arus dalam area ini dapat dihasilkan oleh tiga macam tegangan. Karakteristik seperti ini
membuat dioda-tunnel menjadi sangat berguna pada rangkaian digital.
GAMBAR BERIKUT MENUNJUKKAN SIMBOL RANGKAIAN STANDAR
UNTUK DIODA-TUNNEL.

Sulit
Modeluntuk membuat(small-signal
arus-lemah dioda-tunnel model)silikon
dengan rasio Ip/IV
dioda-tunnel yangyangberoperasi
tinggi. Tabelpada 3.1 di area
atas
menununjukkan
resistansi-negatif beberapa karakteristik
ditunjukkan penting
pada gambar
dari dioda
3.19b jenis ini. Perhatikan
di disamping. Resistansi bahwanegatifgalium
–Rn
arsenide
memilikimemiliki rasio Ip/IV
nilai minimum tertinggi
pada titik dan selisih
perubahan
VF
arus – antara
VP tertinggi
IP dan(sekitar 1 V), dibandingkan
IV. Induktansi serial Ls
dengan germanium
tergantung (sekitarkawat
pada panjang 0,45 V). Arus puncak
penghantar dan
IP ditentukan
bentuk geometrioleh paket
konsentrasi
dipol.ketidakmurnian
Kapasitansi
(resistivitas) dan area junction.
junction, C, tergantung pada bviasUntuk aplikasi
dan biasanya
komputer,
diukur padaseringtitik digunakan
lembah. Nilai diodaumum denganuntukIP
antara 1 hingga 100 mA.
parameter-parameter Titik puncak
dioda-tunnel (VP, arus
ini pada IP),
yang
puncak berada
IP = 10dalam area tunneling,
mA adalah –Rn = -30 tidak terlalu
Ω, Rs =1
sensitif
Ω, Ls = terhadap
5 nH, dantemperatur.
C = 20 pF.Namun, titik lembah
(VV, IV) yang dipengaruhi oleh arus injeksi,
cukup sensitif terhadap temperatur.
APLIKASI, KELEBIHAN DAN KEKURANGAN DIODE
TUNNEL
Satu aplikasi yang menarik dari dioda tunnel adalah sebagai saklar kecepatan
sangat tinggi. Karena proses terobosan (tunneling) terjadi dengan kecepatan cahaya,
respon transien hanya dibatasi oleh kapasitansi shunt (kapasitansi junction dan
perkabelan) dan arus pengendali puncak. Waktu switching dalam order nanodetik
hingga 50 ps dapat diperoleh melalui dioda ini. Aplikasi ke dua dari dioda tunnel
adalah sebagai osilator frekuensi tinggi (microwave).
Kelebihan yang dimiliki oleh dioda tunnel adalah murah, noise rendah,
sederhana, berkecepatan tinggi, imun terhadap lingkungan, dan berdaya rendah.
Kelemahan dioda-tunnel adalah selisih tegangan-keluaran rendah dan hanya
merupakan komponen-dua-terminal. Yang terakhir ini menyebabkan tidak ada isolasi
input-output, sehingga menimbulkan kesulitan dalam disain rangkaian.
DIODA PENYEARAH
Dioda penyearah adalah
jenis dioda yang terbuat dari
bahan Silikon yang berfungsi
sebagai penyearah tegangan /
arus dari arus bolak-balik (ac)
ke arus searah (dc) atau
mengubah arus ac menjadi dc.
Secara umum dioda ini
disimbolnya. Disamping dapat
dilihat symbol dan bentuk fisik
diode penyearah:
DIODA VARAKTOR

Dioda Varactor disebut juga sebagai dioda kapasitas yang sifatnya mempunyai
kapasitas yang berubah-ubah jika diberikan tegangan. Dioda ini bekerja didaerah reverse
mirip dioda Zener. Bahan dasar pembuatan dioda varactor ini adalah silikon dimana
dioda ini sifat kapasitansinya tergantung pada tegangan yang diberikan padanya. Jika
tegangan tegangannya semakin naik, kapasitasnya akan turun. Dioda varikap banyak
digunakan pada pesawat penerima radio dan televisi di bagian pengaturan suara (Audio).
DIODA SCHOTTKY
DIODA SCR singkatan dari Silicon Control
Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi
sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk
keluarga semikonduktor dengan karateristik yang
serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya
adalah gate(G).SCR sering disebut Therystor. SCR
sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR
terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan
biasanya disebut PNPN Trioda.
Pada gambar disamping terlihat SCR dengan anoda
pada kaki yang berulir, Gerbang gate pada kaki yang
pendek, sedangkan katoda pada kaki yang panjang.