LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA DASAR 1
“Karakteristik Dioda”

Disusun Oleh :

Ira Palupi
022000021

Dosen Pengampu : Ayu Jati Puspitasari, M.Si

PROGRAM STUDI ELEKTRONIKA INSTRUMENTASI

JURUSAN TEKNOFISIKA NUKLIR
STTN BATAN YOGYAKARTA
2020
 LAPORAN HASIL PERCOBAAN ELEKTRONIKA DASAR 1
“KARAKTERISTIK DIODA”

BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Hampir semua peralatan elektronika memerlukan sumber arus searah. Penyearah
digunakan untuk mendapatkan arus searah dari suatu arus bolak-balik. Untuk itu dibuatkanlah
salah salah satu bahan semikonduktor yang dinamakan dioda. Sebuah diode adalah komponen
semikonduktor berfungsi mengarahkan arus dalam satu arah, tetapi menghambat dari arah
yang berlawanan tergantung pada polaritas dari tegangan diberikan untuk itu diode bisa
bersifat seperti saklar. Dioda digunakan terutama untuk rectificaion, proses konversi AC ke
DC.
Dioda salah merupakan satu komponen semikonduktor. Disebut semikonduktor atau
setengah konduktor karena bahan ini tidak disusun dari konduktor murni. Dioda ini
merupakan komponen sederhan yang terbuat oleh bahan semikonduktor bahan yang umum
digunakan dioda adalah silikon. Selain dioda silikon telah dilakukan penggunaan CuO
sebagai bahan pembuat dioda. Jika dua tipe bahan semikonduktor didekatkan maka akan
didapatkan sambungan PN-Junction. Hubungan PN ini hanya dapat saat ini diberikan
tegangan bias maju, yaitu P (anoda) dilakukan dengan terminal positif catu daya dan N
(katoda) dengan terminal negatif catu daya. Jika hubungan ini dibalik maka dikatakan bahwa
dioda menjadi tegangan bias mundur dan tidak dapat mengalirkan arus listrik. Pengertian
inilah yang menyebabkan dioda dapat bekerja sebagai penyearah arus listrik (Adi, 2010).
Biasanya nilai tegangan breakdown dioda cukuplah tinggi yaitu> 50 V. Namun, terdapat
salah satu jenis dioda yang memiliki nilai breakdown yang rendah, dioda ini dinamakan dioda
zener. Dioda zener ini dapat mempertahankan tegangan hingga mengaktifkan konstan pada
rentang besar arus yang berbeda hal ini karena dioda ini memiliki tegangan breakdown
tertentu Pada dasamya dioda zener yang memiliki gaya maju mundur Pada dioda zener bias
maju -0 sedangkan pada bias mundur pada saat terjadi gejala yang terjadi kerusakan bernilai
Vi pada penyearah dioda Dioda zener akan menghartarkan tanpa kerusakan, tegangan inilah
yang selanjutnya disebut tegangan zener (Ahmad, 2007). Karakter statistik dioda dapat
diselidiki dengan cara mengubah dioda secara seri dengan catu daya DC dan sebuah resistor
seperti pada gambar 2. 3 karakter ini dikumpulkan dengan mengukur tegangan dioda dan arus
litnk yang mengalir pada rangkaian dioda. Dimana harga I (arus) ini dapat diubah dengan dua
cara, yaitu dengan tegangan dioda dan hambatan pada rangkaan (Arifin, 2005).

1.2 Rumusan Masalah

a. Bagaimana karakteristik sebuah dioda sinyal berdasarkan hubungan V-I, Tegangan
ambang, dan tahanannya?
b. Bagaimana karakteristik sebuah dioda zener berdasarkan hubungan V-I dan
tegangannya?
c. Bagaimana konsep dioda zener sebagai regulator tegangan?
 1.3 Tujuan
1.3.1 Karakteristik Dioda Sinyal
- Mengetahui karakteristik dioda sinyal
- Mengetahui hubungan V-I dioda sinyal
- Menentukan tegangan ambang
- Menentukan tahanan maju (forward resistance) dan tahanan mundur (reverse
resistance)
1.3.2 Karakteristik Dioda Zener
- Mengetahui karakteristik dioda zener
- Mengetahui hubungan V-I dioda zener
- Menentukan tegangan zener
1.3.3 Stabilisasi Tegangan dengan Dioda Zener
- Memahami konsep dioda zener sebagai regulator tegangan

1.4 Manfaat
Adapun manfaat yang diperoleh setelah melaksanakan praktikum karakteristik dioda
yaitu kami sebagai praktikan mampu mengetahui bahwa dalam prinsip kerja dioda dapat
diaplikasian dalam kehidupan sehari-hari misalnya sebagai pengaman dari beban induktif,
misalnya solenoid, relay atau motor listrik. Pada saat dipadamkan maka beban induktif akan
menghasilkan tegangan yang cukup tinggi sehingga dapat merusak transistor atau 1C lain
yang berfungsi sebagai imput. Pada saat inilah dioda berfungsi sebagai pengaman komponen
lainnya selain itu dioda juga telah memiliki fungsi yang lain yaitu penerapan dioda PN-
Junction ternyata juga dapat diaplikasikan sebagai sel surya Apabıla prinsip kerja dan LED
dibalik maka akan terbentuk dioda jenis lain, yaitu fotodida. Dimana pada saat normal
fotodida tidak mampu mengalirkan arus ketika diberi tegangan bias mundur Namun saat
terkena cahaya fotodida dapat mengalırkan arus saat diberi tegangan bias mundur Indeks bias
dioda ada dua macam yaitu, bias positif atau bias maju (bias maju) dan bias negatıf atau bias
mundur (bias terbalik). Pada kondisi bias positif anoda lebih positif dan katoda.
 BAB II
DASAR TEORI

2.1 Dioda
Dioda mempunyai dua elektroda yaitu anoda dan katoda. Elektroda-elektroda tersebut
mempunyai tugas dalam pengaturan arus listrik yang melewati piranti tersebut. Anoda
dikatakan bertegangan maju (forward biased) apabila tegangan anodenya lebih tinggi
dibandingkan dengan katodenya. Sebaliknya dikatakan bertegangan mundur (reverse biased)
atau negatif apabila tegangan anodanya lebih rendah dibandingkan dengan tegangan
katodanya. Lambang dioda pada umumnya seperti ditunjukkan dalam gambar 1.

Gambar 1. Simbol Dioda

Secara garis besar dioda merupakan komponen tak linier dan tak simetris untuk
polaritas tegangan/arus yang berlawanan. Di daerah sambungan P-N dioda akan terjadi difusi
(gerakan zat karena perbedaan konsentrasi) elektron dari kanan ke kiri, dan hole dari kiri ke
kanan. Oleh karena hole yang menyeberang ke kanan meninggakan ion negatif dan elektron
yang menyeberang ke kiri meninggalkan ion positif, maka di daerah sambungan terjadilah dua
lapisan ion, lapisan ion positif di sebelah kanan dan lapisan ion di sebelah kiri. Jumlah dari
masing-masing ion adalah sama. Daerah sambungan, karena tidak berisi pembawa muatan,
dinamakan lapisan atau daerah kosong atau daerah transisi (deplesion region,
transitionregion). Karakteristik dasar dioda dikenal dengan karakteristik V-I. Karakterisik ini
penting untuk dipahami agar tidak terjadi kesalahan dalam aplikasi dioda. Dalam karakteristik
ini dapat diketahui keadaan-keadaan yang terjadi pada dioda ketika mendapat tegangan bias
maju dan tegangan bias mundur. Terdapat dua daerah operasi dioda sambungan P – N dan ada
tiga kondisi bias yang dapat diberikan:
 Zero Bias
Kondisi di mana tidak ada potensial eksternal yang diberikan kepada kedua ujung dioda
menghasilkan keseimbangan jumlah pembawa mayoritas, elektron dan hole, dan keduanya
bergerak dalam arah yang berlawanan. Kondisi keseimbangan ini dikenal sebagai
keseimbangan dinamis (dynamic – equilibrium).
 Reverse Bias
Kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan ke sisi N dioda
dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi P dioda.

Gambar 2. Kondisi reverse bias dioda

 Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi yang tinggi antar persambungan dan
praktis tidak menghasilkan aliran pembawa muatan mayoritas dengan meningkatnya potensial
sumber. Namun, sejumlah arus kebocoran yang sangat kecil akan melewati persambungan
yang dapat diukur dalam orde mikroampere (mA).
 Forward Bias
Kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan ke sisi P dioda
dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi N dioda. Kondisi ini
menghasilkan suatu nilai resistansi persambungan P – N yang sangat rendah sehingga
memungkinkan arus yang sangat besar mengalir walaupun hanya dengan potensial sumber
yang relatif kecil. Perbedaan potensial aktual yang timbul pada kedua ujung persambungan
dioda akan bernilai tetap akibat aksi dari lapisan deplesi yang bernilai sekitar 0,3 V untuk
germanium dan 0,7 V untuk silikon

.
Gambar 3. Kondisi forward bias dioda
2.2 Dioda Zener
Telah dibahas sebelumnya bahwa dioda menahan arus dalam kondisi reverse bias dan
akan menghasilkan kerusakan (breakdown) bila tegangan balik yang diberikan terlalu besar.
Berbeda halnya dengan dioda zener atau biasa disebut dioda breakdown, pada dasarnya sama
dengan dioda sambungan P – N standar kecuali dirancang secara khusus menghasilkan
tegangan balik atau breakdown yang lebih rendah dan relatif konstan sehingga sangat baik
digunakan dalam arah reverse bias sebagai regulator tegangan. Titik di mana dioda zener
mengalami breakdown atau konduksi disebut tegangan zener ”VZ”. Sedangkan perbandingan
antara dioda sinyal dan dioda ideal pada tahanan maju/mundur adalah sebagai berikut:
- Jika tegangan maju (forward, positif) dioda tersebut akan mengalirkan arus dengan
sempurna tanpa tahanan atau tahanan majunya = 0 (Rf = 0)
- Jika tegangannya mundur (reverse, negatif) dioda tersebut akan menahan arus sama sekali,
atau tahanan mundurnya =  (Rr = )
Maka dapat dikatakan bahwa dioda zener ini bahannya silikon, bedanya dengan dioda
silikon biasa adalah sebagai berikut pada keadaan bertegangan mundur (reverse = negatif)
arusnya tidak terus menerus kecil, tetapi mulai suatu tegangan tertentu yang disebut tegangan
zener ( tegangan dadal =tegangan breakdown) arusnya mendadak menjadi besar, sampai batas
tertentu diode ini dapat bertahan. Karena pada keadaan ini arusnya cepat bertambah
sedangkan tegangannya hampir tetap, maka tegangan zener ini dapat dipergunakan sebagai
tegangan referens pada pengatur tegangan (voltage regulator ) Lambang serta grafik volt-
ampere diode zener ditunjukkan pada gambar 4 berikut Karena tegangan zener ini untuk
tegangan negatif atau reverse maka diode zener digunakan dalam keadaan terpasang tebalik
atau reverse.

Gambar 4.1 Simbol Dioda Zener Gambar 4.2 Grafik Hubungan V-I
V
a
(
+
) V
V
( (
- +
) )
 BAB III
METODOLOGI PERCOBAAN

3.1 Alat dan Bahan

Alat dan bahan yang digunakan dalam praktikum karakteristik dioda percobaan 1
sampai dengan percobaan 3 ini antara lain 1 buah power supply, tang penjepit, amperemeter,
voltmeter, 2 buah resistor masing-masing 120 Ω dan 150 Ω, kabel jumper sebagai
penghubung, projects boards, dioda sinyal berbahan silikon dan germanium (D1 1N4002),
dan dioda zener (6,2 dan 8,2).

3.2 Langkah Kerja

3.2.1. Percobaan 1 “Karakteristik Dioda Sinyal”
Adapun langkah kerja dalam proses percobaan ini terdapat 2 kali tahapan, yang pertama
ialah langkah kerja saat rangkaian dibuat menjadi forward bias dioda sinyal dan langkah kerja
saat rangkaian reverse bias dioda sinyal. Langkah kerja ketika rangkaian dibuat forward bias
diawali dengan membuat rangkaian seperti pada gambar, dengan menggunakan dioda silikon
dan germanium.

Kemudian dilanjutkan dengan mengatur amperemeter pada range 0,1 A DC dan voltmeter
pada range 1 V DC. (tidak merubah range selama pengukuran). Setelah itu praktikan
melengkapi tabel 1 data percobaan forward bias dioda sinyal dengan mengubah-ubah nilai
tegangan sumber. Langkah berikutnya ialah menghitung tahanan maju (forward resistance)
dan menggambar kurva hubungan V-I.
Sedangkan, langkah kerja saat rangkaian reverse bias diawali juga dengan membuat
rangkaian seperti pada gambar, dengan menggunakan dioda silikon dan germanium.

Lalu, mengatur amperemeter pada range 0,1 A DC dan voltmeter pada range 1 V DC. (tidak
merubah range selama pengukuran). Melengkapi tabel 2 data percobaan reverse bias dioda
sinyal. Kemudian sama seperti langkah kerja pada rangkaian forward bias, yaitu dengan
menghitung tahanan mundur (reverse resistance) dan menggambar kurva hubungan V-I.
 3.2.2 Percobaan 2 “Karakteristik Dioda Zener”
Sama seperti pada langkah kerja percobaan pertama, bahwa langkah kerja terbagi menjadi
dua tahapan, saat terjadi rangkaian forward bias dan reverse bias. Pada rangkaian forward
bias, langkah pertama ialah dengan membuat rangkaian seperti pada gambar dengan
menggunakan dioda zener 6,2 dan 8,2.

Selanjutnya, melengkapi tabel 3 data percobaan rangkaian-rangkaian forward bias dioda zener
dengan mengubah-ubah nilai tegangan sumber. Kemudian membuat grafik hubungan V-I.
Langkah kerja saat rangkaian reverse bias juga diawali dengan membuat rangkaian
seperti pada gambar dengan menggunakan dioda zener 6,2 dan 8,2.

Kemudian melengkapi tabel 4 data percobaan rangkaian reverse bias dioda zener dengan
mengubah-ubah nilai tegangan sumber.dan membuat grafik hubungan V-I.

3.2.3 Percobaan 3 “Stabilisasi Tegangan Dioda Zener”

Langkah kerja yang harus dilakukan pada percobaan ketiga ini, pertama praktikan harus
membuat rangkaian seperti pada gambar dengan menggunakan dioda zener 6,2 dan 8,2.

Lalu, melengkapi tabel 5 data percobaan stabilisasi tegangan tanpa beban dengan mengubah-
ubah nilai tegangan sumber. Kemudian, menentukan tegangan zenernya serta mengatur
tegangan input (Vin = 12 V) dengan menggunakan beban yang sesuai pada nilai tabel 6.
Setelah itu, mengukur tegangan output (Vout) dan melengkapi tabel 6 data percobaan
stabilisasi tegangan dengan beban.

Dan langkah yang terakhir ialah membuat grafik tegangan keluaran (Vout) sebagai fungsi
beban.
3.3 Diagram Alir
3.3.1 Diagram Alir Percobaan 1 “Karakteristik Dioda Sinyal”

MULAI

Tahanan Tahanan
Maju Mundur
Rangkaian transistor
transistor adalah
adalah rangkaian
Dibuat
rangkaian komponen
komponen Rangkaian seperti gambar elektronika
elektronika yang
yang terbuat
terbuat Diatur serta
serta tersusun
tersusun Range 0,1 A DC pada amperemeter oleh
oleh dan Range 1 Volt DC pada voltmeter
mempunya
mempunya i
i Diubah disimbolka
disimbolka n basis
Nilai tegangan sumber, lalu tabel
n basis (B), emitor
dilengkapi
(B), emitor (E), dan
(E), dan kolektor
Dihitung
kolektor (K).
(K). Tahanan Maju dan TahananTransistor
Transistor Mundur Dioda Sinyal sendiri
sendiri dibagi
dibagi Digambar menjadi
menjadi dua jenis
dua jenis Grafik atau Kurva V-I bahan
bahan semikondu
semikondu ktor yang
ktor yang biasa yaitu
biasa yaitu transistor
transistor PNP dan
PNP dan juga
juga transistor
transistor NPN yang
NPN yang membedak
membedak an kedua
an kedua transistor
transistor tersebut
tersebut yaitu dapat
yaitu dapat dilihat
dilihat pada tanda
pada tanda panah pada
3.3.2 Diagram Alir Percobaan 2 “Karakteristik Dioda Zener”

MULAI

Tahanan Tahanan
Maju Mundur
Rangkaian transistor
transistor adalah
adalah rangkaian
Dibuat
rangkaian komponen
komponen Rangkaian seperti gambar, menggunakanelektronika
elektronika dioda zener 6,2 dan 8,2 yang
yang terbuat
terbuat Diubah serta
serta tersusun
tersusun Nilai tegangan sumber, lalu tabel oleh
oleh dilengkapi mempunya
mempunya i
i Digambar disimbolka
disimbolka n basis
Grafik V-I
n basis (B), emitor
(B), emitor (E), dan
(E), dan kolektor
kolektor (K).
(K). Transistor
Transistor sendiri
sendiri dibagi
dibagi menjadi
menjadi dua jenis
dua jenis bahan
bahan semikondu
semikondu ktor yang
ktor yang biasa yaitu
biasa yaitu transistor
transistor PNP dan
PNP dan juga
juga transistor
transistor NPN yang
NPN yang membedak
membedak an kedua
an kedua transistor
transistor tersebut
tersebut yaitu dapat
yaitu dapat dilihat
dilihat pada tanda
pada tanda panah pada
panah pada area emitor
3.3.2 Diagram Alir Percobaan 3 “Stabilisasi Tegangan dengan Dioda Zener”

MULAI

Tegangan Tegangan
Tanpa Beban dengan Beban

Dibuat

Rangkaian seperti gambar, menggunakan

dioda zener 6,2 dan 8,2

Diubah

Nilai tegangan sumber, lalu tabel

dilengkapi

Dihitung

Tegangan Zener

Diatur

Tegangan input 12 V

Diukur

Tegangan output, lalu tabel

dilengkapi

Digambar

Grafik tegangan keluaran (Vout)

sebagai fungsi beban
 BAB IV
ANALISIS DATA DAN PEMBAHASAN

4.1 Data Hasil Percobaan

4.1.1 Karakteristik Dioda Sinyal

Tabel 1. Data Percobaan Forward Bias Dioda Sinyal

Dioda Vf (V) 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 1,1
Ge
If 3,3µA 0,16 4mA 7,5 12mA 13mA 15,75mA 100
(mA) mA mA mA

Dioda Vf (V) 0,4 0,6 0,65 0,7 0,75 0,75 0,75 0,785
Si
If 34µA 6,5 5mA 10 20mA 30mA 50mA 100
(mA) mA mA mA

Tabel 2. Data Percobaan Reverse Bias Dioda Sinyal

Dioda Vf (V) 0,1 2,5 5 7,5 10 12,5 17,5 20

Ge
If 0,5µA 12,5µA 25µA 38µA 0.05mA 17,5mA 100mA
(mA)

Dioda Vf (V) 0,1 2,5 5 7,5 10 12,5 15 20

Si
If 1µA 12,5µA 25µA 37,5µA 0,05mA 13 17,5mA 20mA
(mA) mA
 4..1.2 Karakterisik Dioda Zener

Tabel 3. Data Percobaan Rangkaian-Rangkaian Forward Bias Dioda Zener

If (mA) 0,5 1,45 1,75 2,3

ZD 6,2
Vf (V) 0,6 0,7 0,7 0,7

If (mA) 1,1 1,3 1,45 2,05

ZD 8,2
Vf (V) 0,7 0,7 0,7 0,7

Tabel 4. Data Percobaan Rangkaian Reverse Bias Dioda Zener

Ir (mA) 10 µA 25 µA 0,75 mA 2 mA 3,8 mA

ZD 6,2

Vr (V) 2 5 6,2 6,2 6,2

Ir (mA) 0,05 0,5 1,15 2

ZD 8,2

Vr (V) 8 8,2 8,2 8,2

4.1.3 Stabilisasi Tegangan dengan Dioda Zener

Tabel 5. Data Percobaan Stabilisasi Tegangan tanpa Beban

Vin (V) 5 6 7 8 9 10
ZD 6,2
Vout(V) 5 6,2 6,2 6,3 6,4 6,4

ZD 8,2 Vin (V) 7 8 9 10 11 12

Vout(V) 7 8 8,2 8,4 8,5 8,6

Tabel 6. Data Percobaan Stabilisasi Tegangan dengan Beban

RL (kΩ) 2 1 0,2 0,1

Vout (V) 8,5 8,4 7 8,4

 4.2 Analisis dan Perhitungan

Perhitungan tahanan maju (forward resistance) dan tahanan mundur (reverse

resistance) menggunakan rumus di dalam Hukum Ohm.

V=IR R = V/I

Keterangan :
V = Tegangan (Volt)
I = Kuat Arus (A)
R = Tahanan (Ω)

Dari Tabel 1, maka tahanan maju (forward resistance) adalah sebagai

berikut:
a. Dioda Germanium

Vf (V) 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 1,1

If 3,3µA 0,16 4mA 7,5 12mA 13mA 15,75mA 100

(mA) mA mA mA

Rf 60,606 1,875 0,1 0,067 0,05 0,0538 0,0508 0,011

(k Ω)

R rata-rata = 62,8136
8
= 7,8517 k Ω

b. Dioda Silikon

Vf (V) 0,4 0,6 0,65 0,7 0,75 0,75 0,75 0,785

If 34µA 6,5 5mA 10 20mA 30mA 50mA 100

(mA) mA mA mA

Rf 11,76 0,092 0,13 0,07 0,0375 0,025 0,015 0,00785

(k Ω)

R rata-rata = 12,13735
8
= 1,517 k Ω
 Dari Tabel 2, maka tahanan mundur (reverse resistance) adalah sebagai
berikut:
a. Dioda Germanium

Vr (V) 0,1 2,5 5 7,5 10 17,5 20

Ir (mA) 0,5µA 12,5 µA 25 µA 38 µA 0,05 mA 17,5 mA 100mA

Rr (kΩ) 200 200 200 197,36 200 1 0,2

R rata-rata = 997,56
7
= 142,50 k Ω

b. Dioda Silikon

Vr (V) 0,1 2,5 5 7,5 10 12,5 15 20

Ir (mA) 1µA 12,5 µA 25 µA 37,5 0,05 13 17,5m 20 mA

µA mA mA A

Rr (kΩ) 100 200 200 200 200 0,961 0,857 1

R rata-rata = 902,818
8
= 112,85 k Ω
 Grafik 1 : Dioda Forward Resistance
If (mA)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,2

If Ge (mA) Vf (volt)
If Si (mA)
Dari data dan grafik yang telah kami lukiskan dapat diketahui bahwa pada dioda
Germanium mengalami lonjakan arus forward (I f) pada tegangan (Vf) antara 0,3-0,4 Volt.
Sedangkan pada dioda Silikon, lonjakan arus forward (I f) mengalami lonjakan saat tegangan
(Vf) 0,7-0,785 Volt. Keadaan tersebut disebut dengan tegangan ambang. Pada rangkaian
tahanan maju atau forward bias, tegangan ambang yang digambarkan dalam grafik telah
sesuai dengan dasar teori yang menyebutkan bahwa tegangan ambang untuk Germanium
sebesar ± 0,3 Volt dan untuk Silikon adalah sebesar ± 0,7 Volt. Dalam perhitungan tahanan
forward didapatkan hasil tahanan forward untuk dioda Germanium sebesar 7,8517 kΩ dan
untuk dioda Silikon sebesar 1,517 kΩ. Maka dari hasil tersebut dapat dikatakan tidak sesuai
dengan dasar teori, di mana pada tegangan maju dioda akan mengalirkan arus dengan
sempurna atau Rf = 0. Ketidaksesuaian tersebut terjadi karena dimungkinkan adanya
ketidaktepatan dan ketidaktelitian praktikan saat melaksanakan praktikum. Walaupun tahanan
tersebut dikatakan 0, namun pada nyatanya tidak terdapat dioda yang bersifat sempurna dalam
mengalirkan arus (Rf=0), dikarenakaan tidak ada dioda yang ideal.
 Grafik 2 : Dioda Reverse Resistance
Ir (mA)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0
0 1 2,5 5 7,5 10 12,5 15 17,5 20

If Ge (mA) Vr (volt)
If Si (mA)
Berdasarkan grafik di atas dapat dilihat bahwa tahanan mundur atau reverse (I r) yang
mengalir sangat kecil dan grafik arus yang terbentuk sedikit naik namun tidak beraturan. Hal
ini disebabkan karena ketika dioda berada dalam posisi tahanan mundur akan menahan arus
yang mengalir. Sedangkan menurut hasil perhitungan tahanan mundur didapatkan harga
Tahanan Mundur (Rr) untuk dioda germanium sebesar 142,50 kΩ dan untuk dioda silikon
sebesar 112,85 kΩ. Maka dari perolehan data tersebut, dapat dikatakan telah mendekati dasar
teoridikarenakan harga tahanan mundur yang terhitung relatif besar dan dalam percobaan ini,
arus masih mengalir kepada sumber yang nyata, bahwa tidak ada dioda yang benar-benar
ideal, karena arahnya yang berlawanan dengan tahanan maju (forward resistance).
 Pada hasil data percobaan tabel 3 maka dapat digambarkan grafik hubungan tegangan
(V) dengan arus yang mengalir pada dioda (I) pada rangkaian forward bias dioda zener,
sebagai berikut:

Grafik 3. Dioda Zener Forward Bias

If (mA)

3,6

3,2

2,8

2,4

1,6

1,2

0,8

0,4

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,6 0,7 0,8 0,9 1

ZD 6,2 Vf (volt)
ZD 8,2

Pada grafik di atas, dapat dilihat bahwa hubungan atau watak V-I dalam dioda zener
ketika keadaan positif (forward bias) menunujukkan pertambahan arus If, tegangan Vf nya
hampir tetap pada satu titik.
 Pada hasil data percobaan tabel 4 maka dapat digambarkan grafik hubungan tegangan
(V) dengan arus yang mengalir pada dioda (I) pada rangkaian reverse bias dioda zener,
sebagai berikut:
Grafik 4 : Hubungan V-I Reverse Bias Dioda Zener
Ir (mA)

3,6

3,2

2,8

2,4

1,6

1,2

0,8

0,4

0
0 1 2,5 5 7,5 10 12,5 15 17,5 20

ZD 6,2 Vr (volt)
ZD 8,2

Pada percobaan ini, telah dilakukan percobaan mengenai dioda zener sebagai regulator
tegangan atau regulator penuh beban sesuai pada grafik, di mana dioda zener dirancang untuk
bisa melakukan arus balik (Reverse Bias) dengan tegangan 2-8,2 Volt. Pada posisi inilah,
dioda zener akan membatasi tegangan yang ada pada dioda zener. Dalam grafik tersebut dapat
dilihat, bahwa dioda zener pada keadaan negatif lebih cepat mencapai arus maksimumnya
dibandingkan bias majunya karena dioda zener memang dirancang khusus untuk
menghasilkan tegangan balik atau breakdown yang lebih rendah dan relatif konstan sehingga
sangat baik digunakan sebagai regulator tegangan pada arah reverse bias.
 Berdasarkan data pada tabel 6 maka dapat digambarkan melalui grafik stabilisasi
dengan dioda zener 6,2 dan 8,2. Artinya dapat dikatakan jika tegangan masuk (Vin) yang
diberikan berada di bawah tegangan dioda, maka tegangan keluar relatif atau bahkan sama
besar dengan tegangan masuk. Kemudian, apabila tegangan masuk lebih besar daripada
tegangan dioda, maka tegangan keluar (Vout) relatif atau bahkan sama besar dengan tegangan
dioda yang digunakan. Dan dinyatakan bahwa tegangan keluaran (Vout) sebagai fungsi beban
pada tegangan masukan (Vin) tetap menggunakan dioda zener 6,2, maka grafik dapat
digambarkan sebagai berikut:
Grafik 5 : Tegangan Keluaran (Vout)
Vout (Volt)

10

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
RL (k Ω)

Dari grafik tersebut, terlihat bahwa Vout relatif tetap walaupun nilai R diubah-ubah.
Hanya terdapat selisih beberapa angka di belakang koma yang dikarenakan kemungkinan
terdapat kebocoran dalam dioda atau resistornya. Oleh karena itu, dioda zener disebut sebagai
pengatur dan stabilisator tegangan yang bersifat reversibel serta memiliki kemampuan untuk
menjaga tegangan keluaran (Vout) agar tetap pada tegangan zenernya (dadal). Dengan kata
lain, hal ini serupa dengan dasar teori di mana dioda zener berfungsi sebagai pengatur
tegangan dan tegangan yang dikeluarkan tidak lebih dari 6,2 Volt.
 4.3 Pembahasan
Pada kegiatan praktikum karakteristik dioda ini, ada 3 jenis percobaan di antaranya:
a. Percobaan 1 : Karakteristik Dioda Sinyal
b. Percobaan 2 : Karakteristik Dioda Zener
c. Percobaan 3 : Stablisasi Tegangan dengan Dioda Zener.
Pada percobaan yang pertama, praktikan menentukan karakteristik dioda sinyal yang
berbahan dasar Germanium (Ge) dan Silikon (Si) dengan melihat bagaimana saat dioda sinyal
dirangkai dan diberi tegangan maju (forward) dan tegangan mundur (reverse). Berdasarkan
teori, dioda ketika belum diberikan tegangan bias, bernilai I dioda = 0 dan V dioda = 0.
Namun, pada saat nilai tegangan dari dioda diperbesar dan diberi tegangan bias maju (positif)
atau sumber dihubungkan dengan bagian P dan tegangan bias mundur (negatif) atau sumber
dihubungkan dengan bagian N maka tegangannya berkisar 0,3-1,1 Volt untuk dioda Ge dan
0,4-0,8 untuk dioda Si.
Dari data pada tabel 1dan grafik yang telah kami lukiskan dapat diketahui bahwa pada
dioda Germanium mengalami lonjakan arus forward (I f) pada tegangan (Vf) antara 0,3-0,4
Volt. Sedangkan pada dioda Silikon, lonjakan arus forward (I f) mengalami lonjakan saat
tegangan (Vf) 0,7-0,785 Volt. Keadaan tersebut disebut dengan tegangan ambang. Pada
rangkaian tahanan maju atau forward bias, tegangan ambang yang digambarkan dalam grafik
telah sesuai dengan dasar teori yang menyebutkan bahwa tegangan ambang untuk Germanium
sebesar ± 0,3 Volt dan untuk Silikon adalah sebesar ± 0,7 Volt. Dalam perhitungan tahanan
forward didapatkan hasil tahanan forward untuk dioda Germanium sebesar 7,8517 kΩ dan
untuk dioda Silikon sebesar 1,517 kΩ. Maka dari hasil tersebut dapat dikatakan tidak sesuai
dengan dasar teori, di mana pada tegangan maju dioda akan mengalirkan arus dengan
sempurna atau Rf = 0. Ketidaksesuaian tersebut terjadi karena dimungkinkan adanya
ketidaktepatan dan ketidaktelitian praktikan saat melaksanakan praktikum. Walaupun tahanan
tersebut dikatakan 0, namun pada nyatanya tidak terdapat dioda yang bersifat sempurna dalam
mengalirkan arus (Rf=0), dikarenakaan tidak ada dioda yang ideal.
Sedangkan pada data tabel 2 dan grafik yang telah digambar dapat dilihat bahwa tahanan
mundur atau reverse (Ir) yang mengalir sangat kecil dan grafik arus yang terbentuk sedikit
naik namun tidak beraturan. Hal ini disebabkan karena ketika dioda berada dalam posisi
tahanan mundur akan menahan arus yang mengalir. Sedangkan menurut hasil perhitungan
tahanan mundur didapatkan harga Tahanan Mundur (Rr) untuk dioda germanium sebesar
142,50 kΩ dan untuk dioda silikon sebesar 112,85 kΩ. Maka dari perolehan data tersebut,
dapat dikatakan telah mendekati dasar teoridikarenakan harga tahanan mundur yang terhitung
relatif besar dan dalam percobaan ini, arus masih mengalir kepada sumber yang nyata, bahwa
tidak ada dioda yang benar-benar ideal, karena arahnya yang berlawanan dengan tahanan
maju (forward resistance).
Pada percobaan 2, berdasarkan perolehan data pada tabel 3 dan tabel 4 serta grafik di atas,
dapat dilihat bahwa hubungan atau watak V-I dalam dioda zener ketika keadaan positif
(forward bias) menunujukkan pertambahan arus I f, tegangan Vf nya hampir tetap pada satu
titik. Grafik 3 merupakan grafik ZD 6,2 dan ZD 8,2 saat dalam forward resistance arus
mengalami kenaikan. Pada ZD 6,2 arus listrik paling kecil adalah 0,5 mA dengan tegangan
dioda sebesar 0,6 Volt. Namun ketika tegangan mulai naik menjadi 0,7 V dan tidak berubah
sampai percobaan terakhir, arus juga ikut naik. Sedangkan pada ZD 8,2 diketahui bahwa
tegangannya sama sampai percobaan terakhir yaitu 0,7 V namun arus tetap mengalami
peingkatan drastis higga arus yang terbesar yaitu 2,05 mA. Dari penjelasan tersebut, dapat
diketahui bahwa ZD 6,2 dan ZD 8,2 pada forward resistance akan mengalami pertambahan
atau peningkatan arus apabila Vf-nya hampir tetap pada satu titik.
Selain itu dalam percobaan ini dapat diketahui bahwa karakteristik dioda zener yang
mengalami forward resistance sebenarnya sama halnya seperti dioda biasa. Dioda zener ini
mampu mengalirkan arus sampai mencapai tegangan barier dioda zener yaitu sebesar 0,79 V,
dioda zener ini akan mengalami peningkatan arus liatrik namun pada tegangannya akan
cenderung konstan, seperti yang tertera pada grafik.Dioda zener dirancang untuk bisa
melakukan arus balik (Reverse Bias) dengan tegangan 2-8,2 Volt. Pada posisi inilah, dioda
zener akan membatasi tegangan yang ada pada dioda zener. Dioda zener pada keadaan negatif
lebih cepat mencapai arus maksimumnya dibandingkan bias majunya karena dioda zener
memang dirancang khusus untuk menghasilkan tegangan balik atau breakdown.
Pada percobaan 3 atau percobaan terakhir, didapatkan data bahwa tegangan keluaran
(Vout) sebagai fungsi bebn pada tegangan masukan (Vin) tetap menggunakan dioda zener.
Artinya, serupa dengan dasar teori yang telah dijelaskan di mana dioda zener berfungsi
sebagai pengatur tegangan dan tegangan yang dikeluarkan tidak lebih dari 6,2 Volt.
Sedangkan pada percobaan ini didapatkan hasil yang hampir mirip dengan tegangan dioda
zenernya, hanya terdapat selisih beberapa angka di belakang koma yang dikarenakan
kemungkinan terdapat kebocoran pada resistornya atau dioda itu sendiri.
 BAB V
KESIMPULAN DAN SARAN

5.1 Kesimpulan
Dari hasil praktikum dengan 3 percobaan di atas, dapat diambil kesimpulan sebagai
berikut:
a. Dioda berbahan dasar semikonduktor, yaitu germanium dan silikon yang berfungsi
sebagai penyearah arus jika yang dihantarkan searah disebut forward, dan
berfungsisebagai penahan arus jika berada pada posisi reverse bias.
b. Tegangan ambang dioda Silikon berkisar antara 0,6-0,7 Volt sedangkan untuk dioda
Germanium berkisara antara 0,3-0,4 Volt.
c. Tahanan maju pada percobaan kali ini untuk dioda Silikon sebesar 1,517 kΩ dan
dioda Germanium sebesar 7,8517 k Ω.
d. Tahanan mundur pada percobaan kali ini untuk dioda Silikon sebesar 112,85 k Ω dan
untuk dioda Germanium sebesar 142,50 k Ω.
e. Dioda zener memiliki sifat reversible sehingga dapat berfungsi sebagai stabilisator
tegangan.
f. Nilai tegangan zener pada percobaan menggunakan ZD 6,2 adalah sebesar 6,2 Volt
dan ZD 8,2 sebesar 8,2 Volt.
g. Adanya resistor atau pengubahan nilai resitor dalam rangkaian dioda zener tidak
berpengaruh pada tegangan keluaran (Vout) apabila diberi tegangan masukan (Vin)
tetap.
h. Kesalahan data yang diperoleh ketika praktikum, bisa dikarenakan ketidaktelitian
praktikan dalam membaca skala multimeter yang relatif kecil, dan faktor peralatan
yang kurang stabil.

5.2 Saran
a. Sebelum melaksanakan praktikum, praktikan sebaiknya mengetahui materi apa saja
yang akan dilakukan eksperimen atau percobaan.
b. Praktikan diharapkan lebih teliti dalam membaca skala.
c. Perlunya ketelitian dalam proses merangkai sesuai dengan rangkaian yang telah
ditentukan.
 DAFTAR PUSTAKA

[1] Sunardi, Jokodkk. 2019. Petunjuk Praktikum Elektronika Dasar. Yogyakarta

[2] Tidak Diketahui. 2020. Materi IV Dioda : Pengertian dan Karakteristik. Dari
staffnew.uny.ac.id, diakses pada 20 November 2020

[3] RnF channel. 2019. Elektronika 1 : Dioda Zener Sebagai Regulator Tegangan. Telkom
University. Dari https://youtu.be/6HYVVk9Na1U, diakses pada 21 November 2020

Yogyakarta, 29 November 2020

Praktikan

Ira Palupi
NIM : 022000021
 LAMPIRAN

Lampiran berisi perolahan data hasil praktikum, berupa laporan sementara.