DIODE

Diode adalah suatu komponen elektronika yang paling sederhana (di = dua, ode
berasal dari kata elektrode). Diode merupakan pertemuan antara semikonduktor tipe P
dan semikonduktor konduktor tipe N. Bila bahan junction dari bahan Ge disebut diode
germanium dan bila bahan dari Si disebut diode silikon.
Simbol diode: A K

A K A K K A
Bentuk fisik :

Diode disebut juga unilateral conductor yang berarti diode hanya dapat mengalirkan arus
hanya satu arah saja (seperti prinsip kerja klep = valve), yang dapat melalukan zat cair
dalam satu arah saja.

P Q P Q
Arus mengalir Arus tidak mengalir

A K
A K

Air dapat mengalir bila tekanan di P lebih besar dari tekanan di Q, tetapi tidak dapat
mengalir bila tekanan di Q lebih besar dari Q. Pada diode dikatakan arus dapat mengalir
bila tegangan (potensial) Anoda lebih besar (lebih positip) dari tegangan (potensial) pada
katoda, yang disebut juga dalam keadaan forward bias (bias maju) dan tidak dapat
mengalirkan arus bila Katoda lebih positip dari Anoda yang disebut dalam keadaan
reverse bias (bias mundur = bias terbalik)
Penggunaan :
 Sebagai penyearah (rectifier)
 Pada rangkaian logika
 Mem”block” arus

Forward bias pada diode

Yang dimaksud dengan forward bias adalah bila potensial positip diberikan pada
semikonduktor P dan potensial negatip diberikan pada semikonduktor tipe N, atau pada
diode dikatakan bila Anoda lebih positip dari katoda.

P N
I

E E

8
Bila tegangan E lebih kecil dari tegangan barrier (antara anoda dan katoda), maka arus
tidak akan mengalir. Bila tegangan E lebih besar dari tegangan barrier, maka holes pada
semikonduktor P ditolak oleh potensial potensial positip dari batere dan elektron bebas
pada semikonduktor N akan ditolak olek kutub negatip batere. Kedua majority carries
mendekati junction dan sebagian akan berekombinasi. Kekurangan elektron bebas dan
holes disuplai oleh sumber tegangan E. Dengan demikian terjadi arus listrik dari positip
batare melewati diode dari anoda ke katoda menuju negatip batere. Tegangan antara
anoda dan katoda dimana diode mulai dapat melalukan arus disebut dengan cut-in voltage
V (knee voltage). Bila VAK  V , maka diode tidak dapat melalukan arus. Apabila
tegangan E diperbesar lagi maka suatu saat diode akan rusak. Hal ini terjadi akibat panas
yang terjadi dalam diode melebihi batas disipasi daya (power dissipation). Misalkan
maksimum disipasi daya ini 0,5 watt, maka bila hasil kali antara tegangan V AK dan arus
yang mengalir pada diode IAK melewati batas tersebut, maka diode akan rusak.
Syarat diode dapat melalukan arus:
 Tegangan A lebih positip dari katoda (dalam keadaan forward bias)
 Tegangan antara anoda dan katoda (VAK) lebih besar dari V
Besar tegangan cut-in untuk diode Ge adalah 0,3  0,4 volt sedangkan untuk diode Si
adalah 0,6  0,7 volt.Dapat diambil kesimpulan bahwa pada saat forward bias, diode
mempunyai tahanan yang sangat kecil sekali.
Diode dalam keadaan reverse bias
Yang dimaksud dengan reverse bias adalah bila potensial negatip diberikan pada
semikonduktor P dan potensial negatip diberikan pada semikonduktor N. Atau pada diode
dikatakan bila katoda lebih positip dari anoda.

N P
I =0

E E

Pada saat penyambungan antara semikonduktor dengan batere, mengalir arus sesaat,
karena elektron bebas dari kutub negatip E mengisi hole dari semikonduktor P,
sedangkan elektron bebas dari semikonduktor N ditarik oleh kutub positip batere, setelah
itu arus tidak mengalir, karena pada diode tidak terdapat lagi pembawa muatan yang
dapat bebas bergerak. Pada temperatur kamar (250C) terjadi pelepasan elektron dari
atomnya (minority carries) dan hal ini menyebabkan arus listrik mengalir pada saat
reverse bias. Arus ini sangat kecil (A), yang disebut dengan arus saturasi (arus jenuh).
Dapat diambil kesimpulan bahwa pada saat reverse bias, diode mempunyai tahanan yang
sangat besar sekali.

9
Tegangan tembus (break down voltage)
Bila tegangan reverse diperbesar lagi melalui sumber tegangan E, arus ini tidak
mengalami perubahan, Tetapi bila pada suatu saat tegangan reverse ini mencapai batas
tertentu, maka arus tiba-tiba sangat besar sekali. Hal ini disebabkan karena kuat medan
listrik dari batere E cukup kuat untuk melepaskan elektron valensi menjadi elektron
bebas. Tegangan pada saat tersebut dinamakan tegangan tembus (breakdown voltage) atau
tegangan zener. Peristiwanya dinamakan zener effect. Elektron bebas yang terjadi karena
zener effect dalam gerakannya dapat berbenturan dengan atom lain dan mengeluarkan
elektron valensinya. Peristiwa ini disebut dengan avalanche effect. Pada saat tegangan
tembus akan terjadi zener effect maupun avalanche effect dan peritiwa ini dapat
menyebabkan kerusakan diode, kecuali pada diode zener diode yang bekerja pada daerah
tegangan tembusnya (breakdown voltage).
Karakteristik diode
Dari pembahasan forward dan reverse bias pada diode dapat digambarkan
karakteristik tegangan dan arus diode.
IF

Forward bias

-VAK +VAK

V
Reverse bias +VAK = Tegangan Forward
-VAK = Tegangan reverse
V = Tegangan cut in
VB VB = Tegangan tembus
IF = Arus Forward
IR = Arus reverse
IR

Tahanan diode
Tahanan diode dapat dibedakan atas
 Tahanan DC (tahanan statik)
 Tahanan Bulk (tahanan dinamis)
Tahanan DC
Tahanan DC pada diode definisikan sebagai perbandingan tegangan dan arus
diode. Pada forward bias tahanan ini disimbolkan sebagai R F dan RR untuk reverse bias.
Karena diode adalah komponen nonlinier, tahanan DC berubah sesuai dengan arus yang
melewatinya.
Sebagai contoh, berikut adalah hasil pengukuran arus dan tegangan (antara A–K) pada
diode yaitu: 10 mA pada 0,65 V ; 30 mA pada 0,75 volt dan 0,50 mA pada 0,85 V.
Pada pengukuran pertama:
V 0 , 65
R F = AK = =65 ohm
I F 10

10
Pada pengukuran kedua:
V AK 0 , 75
R F= = =25 ohm
I F 30
Pada pengukuran ketiga:
V 0 , 85
R F= AK = =17 ohm
I F 50
Tahanan DC berkurang dengan bertambahnya arus.
Tahanan bulk
Di atas tegangan cut-in, arus diode akan naik secara cepat. Hal ini menunjukkan
kenaikan tegangan yang kecil pada diode akan menyebabkan perubahan arus yang besar.
Setelah ”tegangan penghalang” (cut in voltage) terlampaui, yang menghalangi arus adalah
tahanan “ohmic” pada semikonduktor P dan N dari diode. Dengan kata lain, apabila
daerah P dan N merupakan 2 keping semikonduktor yang terpisah, masing-masing akan
memiliki tahanan yang dapat diukur dengan ohmmeter, sama halnya dengan tahanan
biasa. Jumlah tahanan ohmic ini disebut tahahan bulk diode, yang didefinisikan sebagai:
RB = RP + RN. Tahanan bulk ini tergantung pada ketebalan semikonduktor P dan N dan
kerapatan doping. Hambatan bulk ini lebih kecil dari 1 ohm. Hambatan bulk dapat
dihitung dengan rumus:
V 2 −V 1 ΔV
RB = =
I 2 −I 1 ΔI
dimana V1 dan I1 adalah tegangan dan arus pada titik tertentu di atas tegangan cut-in,
sedangkan V2 dan I2 adalah titik yang lebih tinggi dari V1 pada kurva karakteristik diode.

IF
V2  V1 0,90  0,75
R B    0,43 Ohm
I2

I1

I2  I1 1,2  0,85
V1 V2 +VAK

Tahanan DC diode berbeda dengan tahanan bulk. Tahahan DC suatu diode sama dengan
tahana bulk ditambah pengaruh tegangan penghalang. Dengan kata lain tahahan DC
adalah tahahan totalnya, dimana tahanan bulk adalah tahanan hanya pada daerah P dan N.
Oleh karena itu tahanan DC selalu lebih besar dari tahanan bulk.

11
Karakteristik pendekatan pada diode
Ada 3 karakteristik pendekatan diode:
1. Pendekatan pertama
Pada pendekatan pertama dalam keadaan forward bias mempunyai tahanan = 0,
tegangan pada diode (VAK) = 0 atau seperti saklar tertutup, dan pada kondisi reverse
bias tahanan diode = tak berhingga, arus = 0 dan diode seperti tahanan terbuka.
Karakteristik ini meruapakan karakteristik diode ideal

IF
VAK = V + - Saklar tertutup
=
Arus A-K = 0
VF
F

VR VF

- + Saklar terbuka
=

IR
VR

R
F

2. Pendekatan kedua
Pada pendekatan kedua dalam keadaan forward bias, tegangan pada diode (V AK) =
tegangan cut-in atau seperti saklar tertutup diserikan dengan batere, dan pada kondisi
reverse bias tahanan diode = tak berhingga, arus = 0 dan diode seperti tahanan terbuka.

IF
+ - Saklar tertutup + batere
=
Arus A-K = 0
VF V
F

VR VF
VAK = V

- + Saklar terbuka
=

IR
VR

R
F

Pendekatan ketiga
Pada pendekatan ketiga dalam keadaan forward bias tegangan pada diode (VAK) =
tegangan cut-in dan tegangan jatuh pada tahanan bulk diode , dan pada kondisi reverse
bias arus diode = arus bocor yang konstan.

12
 IF

+ - RB
=
IR= arus bocor V
VF
F Is

VR VF
VAK = V

- + Saklar terbuka
= VF = V +IF RB
IR
VR
RF
R
Garis beban (load line)
F

Garis beban digunakan untuk menghitung arus dan tegangan secara tepat. Garis
beban sangat berguna pada rangkaian transistor untuk menentukan titik kerja (Q point).

Menggambarkan garis beban pada karakteristik diode.

VS  VD
RS

ID  VS
ID VD

RS
Garis beban Dari persamaan (*):
ID
Titik saturasi
(ID sat) Titik saturasi (ID sat) diperoleh untuk
VD = 0, sehingga
Ttitik kerja
VS
I D sat =
RS
VD Titik cut-off (VD cut-off) diperoleh
Titik cut-off untuk ID = 0, sehingga
(VD cut –off)
VD cut-off = VS
Contoh :
Bila VS = 2 volt dan RS = 100 ohm, skets garis bebannya

ID
VS 2
20 mA I D sat    0,02 A  20 mA
R S 100
VD cut off  VS  2 Volt

2 V VD

13
 Beberapa data pada diode
1. PIV = Peak Inverse Voltage
PRV = Peak Reverse Voltage
VRM = Voltage Reverse Maximum
Adalah batas maksimum tegangan diode pada saat reverse bias. Bila batas ini
dilewati maka diode akan rusak.
Sebagai contoh suatu diode mempunyai PIV sebesar 200 Volt, Apakah diode dapat
digunakan bila diberikan tegangan bolak balik (AC) sinusoidal VS = 180 Volt, lihat
gambar.

2 180  254,4 Volt

VS =180 V
(AC) R

Tegangan 254,4 Volt pada saat reverse lebih besar dari batas PIV diode sebesar 200
volt, sehingga diode tidak dapat bekerja untuk tegangan (efektif) sebesar 180 Volt.
D1 seri.
e yang mempunyai PIV lebih tinggi atau dengan menghubungkan beberapa diode secara D3
D2 Sehingga tegangan pada saat rever

VR1 VR2 VR3

VR

VR = VR1 + VR2 + VR3

2. Arus rata-rata Maksimum forward

Adalah maksimum arus yang dapat mengalir melalui diode tanpa menyebabkan
panas yang berlebihan.
I
100
60 ohm 100 V
ID   1,67 Amp.
60
iasanya digunakan diode dengan kemampuan arus yang lebih besar lagi, atau menggunakanI1diodeD1kapasitas arus yang lebih keci

I I2 D2

I3 D3

I = I1 + I2 + I3

14
3. Temperatur kerja (Temperatur range)
Adalah daerah (range) temperatur dimana diode dapat bekerja dengan baik. Pada
umumnya temperatur kerja berada di antara –250C s/d 850C. PIV, arus forward dan
data lainnya biasanya dinyatakan untuk temperatur kerja 250C (ambient temperatur)

4. Forward voltage drop

Adalah besar jatuh tegangan (voltage drop) pada diode (VAK) dalam keadaan
menghantarkan arus (konduksi). Pada umumnya pabrik pembuat menyatakan jatuh
tegangan ini dalam kondisi maksimum arus rata-rata. Sedangkan untuk mengetahui
tegangan jatuh pada berbagai macam besar arus, diambil berdasarkan karakteristik
forward diode.

5. Maximum reverse current

Adalah arus maksimum saat reverse sebelum terjadi breakdown pada diode.

Kerusakan pada diode

Ada dua macam kerusakan pada diode:
 Short Circuit (hubung singkat) terjadi bila tahanan reverse (RR) sangat kecil,
sehingga arus dapat mengalir dari dua arah
 Break down (tembus) terjadi bila forward (RF) sangat besar sekali, sehingga arus
tidak dapat mengalir dari kedua arah

Untuk mengetahui kerusakan pada diode ini dapat digunakan ohmmeter untuk mengukur
tahanan forward (RF) dan tahanan reverse (RR)

0 Diode
0 dalam keadaan baik bila:
Posisi 1 tahanannya kecil sekali
Posisi 2 tahanannya besar sekali
+ +
Diode dalam keadaan rusak bila:
Posisi 1 tahanannya besar sekali (diode tembus = breakdown)
Posisi 2 tahanannya kecil sekali (diode hubung singkat = short)
POSISI 1 POSISI 2

Catatan : Kebanyakan ohmmeter pada multi tester mempunyai polaritas kabel test (probe) yang
terbalik, sehingga dalam pengetesan terminal positip menjadi negatip dan terminal
negatip menjadi positip.

15