DIODE

Konstruksi diode daya sama dengandiode sinyal PN- junction, tetapi mempunyai
kapasitas daya, tegangan dan menyalurkan arus yang besar dibandingkan dengan diode
sinyal. Tetapi mempunyai kemampuan frekwensi pensaklaran (switching) yang lebih
rendah dibandingkan dengan diode sinyal.

Gambar1. B). Diode Junction PN dibias maju

A). Simbol diode dibias maju.

Sambungan antara silikon tipe P dan Tipe N dalam sebuah kristal tunggal
merupakan dasar diode, dapat dianggap sebagai saklar elektronik dua kaki yang secara
automatis akan konduksi (on) bila anode bertegangan lebih positip dibanding katode. Dan
akan terbuka (off) bila tegangan anode lebih negatip dibandingtegangan katode.
Pada saat tegangan Va lebih besar dari Vk, maka diode disebut dibias maju, pada
keadaan tersebut diode akan konduksi, pada saat konduksi diode mempunyai jatuh
tegangan yang relatip kecil.
Pada keadaan tegangan katode (Vk) lebih besar dari pada tegangan anode (Va) maka
diode disebut dibias mundur, sehingga diode tersebut blok (tidak konduksi), pada saat ini
ada arus bocor yang yang besarnya berkisar dari mikro amper sampai mili amper. Arus
bocor besarnya akan bertambah bila tegangan balik bertambah besar.
Pada saat diode dibias maju, tegangan positip dari luar yang dikenakan pada
lapisan semikonduktor tipe P dan tegangan negatip dikenakan pada lapisan N, medan
listrik akibat tegangan tsb akan mempersempit daerah kosong dan menurunkan potensial
penghalang. Pembawa muatan mayoritas berdifusi menembus potensial penghalang
sehingga mengalirkan arus maju melewati sambungan (jonction). Arus maju ini akan
bertambah bila tegangan dari luar diperbesar sampai lapisan daerah kosong hilang dan
mengalirkan arus maju yang besar.
Bila diode dibias balik (mundur), tegangan positip dikenakan pada lapisan
semikonduktor tipe N, tegangan negatip dikenakan pada lapisan semikonduktor tipe P.
Maka elektron pada lapisan Ndan hole pada lapisan P ditarik menjauhi sambungan,
sehingga lapisan kosong menjadi lebar yang menyebabkan potensial penghalang
bertambah besar, ini menyebabkan difusi pembawa muatan mayoritas tidak dapat
melewati sambungan.
Pembawa muatan minoritas ( hole pada lapisan N dan elektron pada lapisan P), medan
listrik pada sambungan membantu aliran pembawa muatan minoritas ini melewati
sambungan membentuk arus bocor pada bias mundur.

(A)

(B)

Gambar 2. A). Karakteristik riel diode

B). Karakteristik ideal (diode berfungsi sebagai saklar).

Ada 2 rating yang penting untuk diode daya:

1. Tegangan balik puncak yang diderita diode harus lebih rendah dari
tegangan balik break-down.
2. Arus arah maju (forward) keadaan tunak maksimum harus sama atau
lebih kecil dari arus rating diode
 Diode dapat dioperasikan dekat dengan maksimum tegangan puncak balik dan arus
arah maju ratingnya, harga dari peralatan akan naik sebanding dengan kedua rating
diatas. Operasi dibawah density maksimum akan berakibat menaikkan jatuh tegangan
pada terminal-terminalnya. Jatuh tegangan arah maju besarnya bervariasi tergantung dari
besar arus yang dilewatkannya dan tidak dapat diabaikan pada arus yang besar. Oleh
karena itu lebih ekonomis bila dioperasikan pada rating arus maju maksimumnya.
Tegangan arah maju Vp adalah tegangan antara terminal-terminal diode pada saat
diberi tegangan maju (pada saat diode pada kondisi konduksi). Untuk diode silikon
besarnya berkisar antara 1 V sampai 1,5 V.
Maksimum yang diperbolehkan harga sesaat tegangan balik pada tiap-tiap cycle disebut
berulangnya puncak tegangan balik.
Diode biasanya dioperasikan pada tegangan terminal dengan harga puncak lebih rendah
dari berulangnya puncak tegangan balik dengan faktor keamanan 1,5 sampai 2 [1].
Untuk diode silikon, temperatur junction tertinggi yang diijinkan antara 150C dan 200C
[1].

3.1.3 Dioda Freewheeling (Dioda Dm, MUR 460)

Dioda ini digunakan pada rangkaian yang mempunyai beban induktif, karena bila
sumber dimatikan akan terjadi perubahan arus terhadap perubahan waktu bernilai besar
yang dapat merusak komponen rangkaian. Dengan adanya dioda ini, arus yang tersimpan
dalam beban induktor tetap tersalurkan melalui dioda dan penurunan arus tidak menurun
secara cepat. Dioda MUR 460 ini mempunyai kemampuan arus maksimal 40 A dan
kemampuan tegangan maksimal 600 V.

Gambar 3.4. Konstruksi Dioda Freewheeling (MUR 460)

2.1.1 Dioda

Dioda adalah komponen semikonduktor yang dibentuk melalui penggabungan bahan

semikonduktor jenis P (positif) dengan bahan semikonduktor jenis N (negatif) dan mempunyai sifat
 hanya dapat menghantarkan arus dalam satu arah saja. Dioda mempunyai dua buah kutub, yaitu

anoda (kutub positif) dan katoda (kutub negatif). Secara skematis, sambungan P-N dioda dan

simbolnya dapat dilihat pada gambar 2.2. [15, 25]

Anoda Katoda
P N

(a) (b)

Gambar 2.2 (a) Susunan Dioda Sambungan P-N

(b) Simbol Dioda

2.1.1.1 Karakteristik Bias Maju (Forward Biased Characteristic)

Apabila dioda diberi bias positif atau bias maju (forward bias), seperti

pada gambar 2.3, dengan arti kata memberi tegangan potensial sisi P lebih besar

dari sisi N, maka elektron dari sisi N dengan serta merta akan tergerak untuk

mengisi hole disisi P. Tentu saja, apabila elektron mengisi hole disisi P, maka akan

terbentuk hole disisi N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliran hole dari P

menuju N. Apabila menggunakan terminologi arus listrik, maka dikatakan terjadi

aliran listrik dari sisi P ke sisi N. [15,25]

Pada kondisi dioda dihubung bias maju (forward bias) ini, dapat juga

diartikan sebagai berikut [25] :

V F

IF
V A V K

+
R
V S

Gambar 2.3 Dioda Terhubung Bias Maju[25

 1. Tegangan anoda lebih besar dari tegangan katoda (VA VK),

2. Arus akan mengalir dari anoda ke katoda, dan disebut sebagai arus maju (I F = forward

current),

3. Resistansi dioda (RD) kecil sekali (idealnya 0), dan akan turun dengan naiknya

temperatur,

4. Tegangan anoda-katoda (VAK) sekitar 0,7 Volt.

2.1.1.2 Karakteristik Bias Balik (Reverse Biased Characteristic)

Apabila skema hubungan pada gambar 2.3 dibalik, yaitu dengan

memberikan bias balik (reverse bias) seperti terlihat pada gambar 2.4, dalam hal ini

sisi N mendapat polaritas tegangan lebih besar dari sisi P. Tentu saja tidak akan

terjadi perpindahan elektron atau aliran hole dari P ke N maupun sebaliknya, karena

baik hole maupun elektron masing-masing tertarik ke arah kutub yang saling

berlawanan. [15,25]

Pada kondisi dioda terhubung bias balik (reverse bias) ini, dapat juga

diartikan sebagai berikut [25]:

V R

IR
V K V A

+
R
V S

Gambar 2.4 Dioda Terhubung Bias Balik[25]

1. Tegangan anoda lebih kecil dari tegangan katoda (VA VK),

 2. Tidak ada aliran arus balik (IR = reverse current), idealnya nol, akan tetapi seandainya

ada arus tersebut merupakan arus bocor yang harganya kecil sekali (dalam orde

mikro-Ampere),

3. Resistansi dioda (RD) sangat besar (idealnya tak berhingga),

4. Tegangan baliknya (reverse voltage) = -VS.

V R

IR
V K V A

+
R
V S

Gambar 2.4 Dioda Terhubung Bias Balik[25]

Dari kedua karakteristik dioda diatas jelaslah bahwa ketika dioda

mendapat prategangan maju, maka dioda akan bersifat sebagai konduktor.

Sebaliknya, ketika dioda mendapat prategangan mundur, maka dioda akan bersifat

sebagai isolator. Tegangan bias maju yang kecil sudah mampu membuat dioda

untuk konduksi. Tidak serta merta diatas 0 Volt, tetapi tegangan diatas 0 Volt baru

bisa terjadi konduksi. Ini disebabkan karena adanya dinding deplesi (depletion

layer). Pada suhu 250C, untuk dioda silikon tegangan konduksinya diatas 0,7 Volt,

sedangkan untuk dioda germanium tegangan konduksinya berkisar sekitar 0,3 Volt.
[10]

Namun dalam arah sebaliknya, tegangan yang terlalu tinggi akan

menimbulkan tegangan tembus (breakdown) pada dioda, dimana nilai tegangan

tembus ditentukan berdasarkan karakteristik spesifikasi dioda yang dibuat. Bila hal
ini terjadi, dioda tidak lagi dapat menahan aliran elektron yang terbentuk di lapisan

deplesi, sehingga arus akan mengalir secara cepat dan besar dan dapat dipastikan

dioda akan mengalami kerusakan akibat suhu pada dioda menjadi sangat tinggi.

bias maju

V b
I I V
V k

bias balik

Gambar 2.5 Karakteristik Dioda[25]

2.1.1 Dioda Daya

Dioda daya adalah komponen semi konduktor yang terdiri dari 2 lapisan P dan N
sama seperti dioda biasa, tetapi mempunyai kemampuan daya, tegangan dan arus yang
lebih besar[2]. Dioda daya juga akan mengalirkan arus ke satu arah saja dan mampu
bertahan terhadap tegangan balik sampai mencapai harga ratingnya tanpa mengalirkan
arus.
A

P
N

(a) Struktur (b) Simbol

Gambar 2.1 Dioda

Dua karakteristik yang harus diperhatikan dalam pengoperasian sebuah dioda,

adalah karakteristik bias maju dan bias balik:

Pada karakteristik bias maju (gambar 2.2a) berlaku :

1. Tegangan anoda lebih besar dari tegangan katoda (VA > VK)

2. Arus akan mengalir dari anoda ke katoda, yang disebut sebagai arus maju (IF =

forward current)

3. Resistensi dioda (RD) kecil sekali (idealnya nol) dan akan turun dengan naiknya

temperatur

4. Tegangan anoda-katoda (VAK) sekitar 0,7 volt

Pada karakteristik bias balik (gambar 2.,2b) berlaku :

1. Tegangan anoda lebih kecil dari tegangan katoda (VA < VK)

2. Tidak ada aliran arus balik (IR = reverse current), idealnya nol, apabila arus tersebut

ada maka arus tersebut merupakan arus bocor yang harganya kecil
3. Resistensi dioda (RD) besar sekali (idealnya tak terhingga)

V F
V R
IF IR

V V V A
A K
+ +
V S
V S
R R
- -

(a) Bias maju (b) Bias Balik

Gambar 2.2 Rangkaian bias pada dioda

Apabila harga VS (tegangan sumber) dinaikkan hingga melebihi rating dari tegangan

balik atau PIV (Peak Inverse Voltage) dioda tersebut akan rusak dan IR tidak lagi nol.

Grafik karakteristik dioda dapat dilihat pada gambar 2.3.

IF

ON

V R
V F

OFF

IR

Gambar 2.3 Karakteristik Dioda