BAB II

DIODA PERTEMUAN ANTAR SEMIKONDUKTOR

2.1. Sambungan PN .
Penyusun utama dari piranti semikonduktor adalah sambungan P-

N ( P – N Junction ), yaitu suatu sambungan yang terdiri dari

semikonduktor N dan P. Ada berbagai cara untuk membentuk

sambungan ini yang menghasilkan watak-watak khusus yang berbeda-

beda.

Untuk mengetahui sifat-sifat dan penggunaan sambungan P-N

ini, adabaiknya kita tinjau sambungan dalam kedaan terbuka dan tidak

dihubungkan dengan rangkaian luar. Sambungan P-N ini merupakan dua

bagian semikonduktor yang memiliki sifat dan keadaan yang berbeda.

Pada suatu sisi (P) memiliki banyak lubang (hole) dan pada bagian lain

(N) memiliki banyak elektron. Perbedaan ini akan mengakibatkan

pembauran (difusi) lobang pada bagian P ke N dan difusi elektron pada

bagian N ke P dapat dilihat pada gambar dibawah ini:

 Persambungan

Tipe-P Tipe-N
Mayoritas Mayoritas
Hole Elektron

Ion Akseptor Ion Donor

0,5 mikro meter

Daerah kosong (daerah transisi)

Gambar 2.1. Diagam skematik dari persambungan P-N.

Pada saat lubang masuk kebagian N yang kaya akan elektron maka

akan terjadi penggabungan, demikian juga elektron yang masuk

kebagian P yang kaya akan lubang segera bergabung. Akibat

penggabungan tadi maka daerah yang ada disekitar sambungan , yaitu

daerah transisi menjadi kosong. Olehkarena itu daerah transisi ini

dinamakan daerah kosong (kekurangan) (depletion region). Dengan

hilangnya lubang pada bagian P maka ion negatip atom donor jadi tidak

netral lagi. Demikian juga dengan lenyapnya elektron di bagian N, maka

ion positip atom akseptor di dekat sambungan menjadi tidak netral

lagi. Karena ion-ion tersebut tidak dapat bergerak., maka daerah

transisi dibagian P seolah-olah tertimbun muatan negatip, dan di

daerah transisi di bagian N seolah-olah tertimbun muatan positip.

Muatan yang tidak dapat bergerak dinamakan muatan ruang dengan

demikian daerah transisi juga dinamakan daerah muatan ruang .Dengan

adanya muatan ruang di daerah transisi terdapat medan listrik yang

arahnya dari P ke N, atau potensial dari P lebih tinggi dari pada bagian
N. Beda potensisl ini menghalangi meningkatnya difusi lubang maupun

elektron. Jadi beda potensil itu merupakan potensial sawar ( barier

potential) yang ditulis dengan VO. Dan sering disebut juga dengan
potensial kontak .
Disamping menghalangi difusi medan listrik atau potensial kontak

juga menghalangi pengaliran (drift) lubang dari bagian N ke P dan

elektron dari bagian P ke N, keduanya merupakan arus yang saling

menambah dari arah P ke N. Arus ini dikatakan sebagai arus maju I f (

f= forward) .

Sambungan P-N diberi Tegangan Prasikap Maju

Tipe-P Tipe-N

+ -

Gambar 2.2. Sambungan P-N diberi tegangan Maju.

Pada kondisi ini dioda diberi tegangan maju seperti terlihat pada

gambar diatas , pada sisi P dihubungkan dengan sisi positip dari sumber

tegangan, dan sisi N dihubungkan pada sisi negatif sumber. Pada

keadaan ini dikatakan bahwa sambunga P-N (dioda) diberi tegangan

prasikap maju ( Forward biased).

 Tegangan catu maju V mengakibatkan gaya pada lobang disisi P

dan elektron di sisi jenis N. Gaya ini mengakibatkan elektron akan

bergerak menuju sambungan , akibatnya lebar muatan yang tidak

tercakub akan berkurang dan halangan juga berkurang. Sehingga arus

akan mengalir terutama diakibatkan oleh pembawa mayoritas ke

minoritas yaitu lobang akan mengalir dari sisi P ke N begitu juga

sebaliknya elektron dari sisi N akan mengalir ke sisi P.

 Sambungan PN diberi Tegangan Prasikap Mundur.

Tipe-P Tipe-N

- +

Gambar 2.3. Sambungan P-N diberi tegangan Mundur.

Suatu hubungan P-N yang diberi catu balik dapat dilihat

pada gambar diatas. Dalam hal ini dikatakan bahwa sambungan

mendapat tegangan prasikap mundur/balik ( reverse biased)

tegangan yang diberikan dapat mengakibatkan lobang pada

sisi P dan elektron pada sisi N bergerak menjauhi sambungan

dengan demikian akan mengakibatkan votensial kontak

menjadi tinggi .
 Dengan naiknya potensial kontak sehingga arus yang

berfungsi sebagai pembawa mayoritas menjadi tidak ada lagi,

yang ada sekarang hanya tinggal arus pengaliran lubang dari

N ke P dan elektron dari P ke N yang lebih dikenal dengan arus

balik (reverse) atau arus bocor. Arus ini besarnya hanya

bergantuang pada kecepatan pembentukan pasangan hole-

elektron dan diperkirakan memiliki nilai dalam orde A.

2.3. Karakteristik Volt Ampere dari Suatu Dioda

Pada pembaha san terdahulu telah dapat disimpulkan bahwa

pada persambungan P-N akan menghantarkan arus apabila pada sisi P

diberi tegangan maju sedangkan bila sambungan tersebut diberi

tegangan mundur maka akan ada sebagian kecil arus yang hanya bisa

dilewatkan dan lebih dikenal dengan istilah arus bocor. Dengan

demikian dari kedua sifat tersebut dapat pula digambarkan dengan

grafik sebagai karakteristik dioda ideal berikut :

 I

Io
V

Prasikap Maju

Gambar 2.4. Karakteristik dioda ideal

Arus total yang mengalir lewat hubungan P-N karena penggunaan

tegangan V lewat hubungan diberikan :

I = Io [ exp ( ( eV) / (kT) ) -1 ] (2 –1)

Dimana :
Io = Arus balik jenuh (arus bocor)
–19
e = Muatan satu elektron ( 1,6x 10 Coulomb)
–23
K = Konstanta Boltzmann ( 1,3x10 joule/ oK )

T = Temperatur dalam oK dan  angka konstanta

bahan.
 Bila V positip , hubungan tercatu maju dan kalau V negatip maka

hubungan tercatu mundur. Dari persamaan (2-1) didapatkan

persamaan untuk temperatur (T = 300 oK ) :

I = Io [ exp ( ( 39V) / (kT) ) -1 ] (2 – 2)

Tegangan V pada persamaan (2 – 2) mengacu ke penurunan tegangan

lewat sambungan. Gambaran persamaan tersebut dapat dilhat pada

gambar 2.4.

Perlu ditekankan bahwa batas arus yang biasanya berlaku untuk

dioda yang bekerja pada tegangan maju jauh lebih besar dari pada arus

jenuh balik. Misalnya bila arus maju berada pada kisaran mA maka arus

balik berada pada kisaran A bahkan bisa kurang. Dari gambar tesebut

pada tegangan balik yang ditunjukkan oleh titik B pada karakteristik

arus balik mendadak naik.untuk dioda PN bila bekerja di daerah ini

dinamakan dioda patah karena bekerja pada daerah patahnya .

Untuk resistansi statis dc ( r dc ) dari dioda dapat didefinisikan

sebagai:

r dc = V/I (2–3)

Resistansi dc dioda dapat berubah menurut V dan I. Resistansi

dinamis atau ac (r ac ) dari dioda dapat didefinisikan :

r ac = dV / dI ( 2- 4 )
 Ciri karakteristik dari suatu dioda yang perlu dicatat adalah

bahwa bila dicatu maju kurang dari harga V, arus akan sangat kecil.

Dan setelah dicatu melewati tegangan tersebut maka arus akan naik.

Tegangan ini dinamakan tegangan awal masuk atau tegangan offet atau

tegangan ambang ( Threshold) atau tegangan putong masuk ( cutin) ,

titik putus (break point) dari dioda . Untuk dioda yang terbuat dari
Silikon besarnya 0,6 V dan untuk Germanium besarnya 0,2 Volt.

2.4. Macam – Macam Diode

Seperti telah kita bahas sebelumnya bahwa diode

merupakan perpaduan dari dua jenis semikonduktor

eksterinsik/tak murni yang dibentuk dari semikonduktor

murni atau interinsik dengan bahan atom yang memiliki valensi

III atau V hingga membentuk semikonduktor tipe-p dan tipe

n. Kedua bahan ini bila disambunmgkan maka menjadi

komponen elektronik yang dinamakan diode.

Dari berbagai kombinasi dan campuran ternyata paduan

ini membentuk variasi karakteristik yang berbeda beda

hingga dikenal menjadi bermacam-macan diode yang memiliki

karakter tersendiri berbeda satu dengan yang lain. Berikut

akan kita bahas varians dari diode tersebut yang ada di

pasaran.
 Diode Dadal

Diode dadal (zener) atau avelans dioda memiliki karakteristik

yang bekerja pada tegangan balik ,seperti diperlihatkan pada gambar

2.5 berikut :

Io

Gambar 2.5. Karakteristik dioda dadal.

Dari gambar terlihat bahwa bila tegangan negatif terlalu besar maka

pada suatu tegangan tertentu Vz arus yang lewat dioda menjadi sangat

besar, walaupun tegangan tidak bertambah.

Tegangan yang menyebabkan arus yang besar ini dinamakan

tegangan dadal Vz. Arus yang disebabkannya sangat besar,

jauh lebih besar dari Io. Arus Io besarnya hanya beberapa A

sedangkan arus dadal (arus breakdouwn) dapat mencapai beberapa

puluh mA . Daerah dimana arus mulai naik dinamakan Iz(min) atau

tekuk (knee) .

Pada daerah tegangan dadal arus dapat berubah mulai dari

Iz(min) sampai suatu harga yang besar tanpa perubahan pada tegangan

dadal Iz(mak) yang sering diistilakan dengan Iz. Oleh karena itu maka

ada dioda-dioda yang kusus dipakai untuk bekerja pada tegangan ini.

(selalu dipasang dalam keadaan terbalik).

Dioda ini dipakai untuk mengatur tegangan dari suatu rangkaian

sehingga tegangan pada rangkaian tersebut tetap memiliki tegangan

sebesar Vz walaupun arus dalam rangkaian tersebut berubah. Dari

sifat ini lah seringkali dioda zener dikatakan sebagai diode yang dapat

menstabilkan tegangan.

Pada gambar 2.6. menunjukan suatu untai dengan menggunakan

dioda dadal yang berfungsi sebagai pengatur tegangan ( voltage

regulator ) . Harga V dan R dipilih sedemikian rupa hingga diode berada

di daerah tegangan dadal. Pada daerah kerja ini tegangan pada ujung-

ujung dioda sebesar Vz dan tegangan ini sama dengan tegangan pada

beban VRL sehingga Vz = VRL, demikian juga bila tegangan input

berubah, tegangan pada VRL akan tetap sama besarnya. Untuk

mempertahankan tegangan pada harga yang lain dipakai diode zener

yang berbeda . Dioda zener pada umumnya memiliki tegangan V z hingga

beberapa puluh volt saja dengan kemampuan daya hingga 50 Watt.

 I R Iz

Rl Vz
V

Gambar 2.6. Pengatur taganga , dimana tegangan pada ujung

diatur oleh dioda dadal.

 Dioda Varaktor

Dioda varaktor atau varicap terdiri dari kapasitansi sambungan p-n

berprategangan balik, yang berubah dengan tegangan,dioda ini akan

bersifat kapasitif bila diberi tegangan balik atau mundur sehingga

apabila diberi tegangan maju sifat kapasitifnya akan mengecil.

Olehkarena itu . Salah satu dari pemakaiannya adalah penalaan (tuning)

rangkaian resonansi LC dengan dengan mempergunakan tegangan . Pada

pemakaian lain adalah rangkaian jembatan yang dapat membuat

keseimbangan sendiri ( self balancing) dan penguat yang khusus yang

disebut sebagai penguat parameterik.

 -V

Gambar 2.7 Bentuk , simbol dan Karakteristik diode Varaktor

 Dioda Terowongan ( Tunel)

Bila konsentrasi atom asing ( atom donor/ akseptor) diperbanyak

maka elektron dan hole dapat memerobos potensial barier, ini

disebabkan pada daerah peralihantersebut sangatlah tipis. Dioda ini

ditemukan oleh Esaki pada tahun 1958.

Dalam keadaan tegangan balik dioda terowongan memiliki daya

hantaran yang besar. Untuk tegangan maju yang kecil antara 0 sampai

Vp arus dioda naik hingga Ip, tetapi bila tegangan tersebut melebihi

tegangan Vp arus Ip menurun sampai pada Iv hingga tegangan Vv yaitu

disebut lembah, kemudian bila tegangan naik lagi arus-pun akan ikut

naik. Pada kondisi ini disebut puncak tegangan maju Vf dan arus-pun

mencapai harga Ip lagi.

Untuk arus yang nilainya antara Iv dan Ip lengkungan akan

mempunyai 3 nilai , oleh karena itu masing-masing arus dapat diperoleh

pada tiga tegangan yang diterapkan sehingga pada kondisi ini

menjadikan dioda terowongan sangat cocok digunakan pada rangkaian

pulsa digital. Untuk lebih jelasnya dapat dilihat pada gambar 2.8

berikut:

Gambar 2.8. Karakteristik dioda terowongan

Simbol rangkaian standart dari dioda terowongan diberikan pada

gambar 2.8. Tahanan negatif Rn mempunyai nilai minimum pada titik

belok antara Ip dan Iv. Tahanan seri Rs adalah tahanan ohmik.

Induktansi seri Ls tergantung pada panjang saluran dan pengemasan

dwikutub.Kapasitor persambungan bergantung pada pra tegangan dan

biasanya diukur pada titik lembah. Harga –harga yang khas untuk dioda

terowongan dengan arus puncak Ip=10mA adalah –Rn= -30 ohm, Rs = 1

Ohm, Ls = 5nH dan C = 20 pF.

Penggunaan dioda ini sebagai saklar kecepatan tinggi oleh karena

penerowongan berlangsung dalam kecepatan cahaya. Waktu

pensaklaran dalam orde nanodeti sangat memungkinkan digunaka

sebagai osilator frekuensi tinggi ( gelombang mikro). Keuntungan lain

yang dimiliki adalah harganya yang murah, kecepatan tinggi kebal

terhadap lingkungan daya rendah, derau rendah,dan relatif sederhana.

Kerugiannya adalah ayunan tegangan keluaran yang rendah dan

merupaka alat yang memiliki dua terminal sehingga tidak dapat

dipisahkan antara masukan dan keluaran sehingga mengalami kesulitan

untuk mendisain suatu rangkaian..

 Foto Dioda.

Pada suatu fotodioda energi cahaya dipakai untuk menimbulkan

pasangan elektron-lobong didaereh dekat persambungan. Pada kondisi

bias mundur, pembawa minoritas yang terinjeksi cahaya melintasi

sambungan dan meningkatkan arus jenuh baliknya karena pembawa

yang ditimbulkan secara termal. Arus yang dihasilkan (dibawah 1 mA)

lebih kurang sebanding dengan aluminasi total,dan sebanding dengan

arus aluminasi gelap yang tinggi. Karakter seperti ini sering digunakan

sebagai fototranduser dan fotodioda untuk dipakai sebagai perubah

energi surya menjadi energi listrik.

Foto persentase tanggapan relatif (%) yang dapat ditangkap oleh

photodiode terhadap panjang gelombang (λ) cahaya yang mampu

dideteksi berdasarkan bahan pembentuknya diperlihatkan pada

gambar 10.
 Gambar 2.10. Karakteristik fotodioda dengan berbagai bahan

Dari gambar tersebut dapat dilihat bahwa paduan bahan

pembentuknya sangat mempengaruhi kemampuan dari suatu komponen

foto diode yang terbuat dari bahan germanium memiliki kemampuan

mendeteksi cahaya hampir mencakup bidang panjang gelombang yang

merata berkisar 2200 – 14.000 λ (lamda) namun respon relatif pada

cahaya tampak hanya berkisar 35-50 %. Sedangkan untuk foto diode

berbahan silikon mampu memiliki persentase respon yang baik pada

gelombang inframerah yang hampir mendekati 100%. Begitujuga

dengan bahan lainnya yang memiliki kemampuan berbeda satu dengan

yang lain.

Arus dalam suatu fotodioda semikonduktor berprategangan

terbalik bergantung pada difusi pembawa minoritas ke persambungan.

Apabila penyinaran difokuskan pada suatu titik yang jauh dari

persambungan , pembawa minoritas yang diinjeksikan dapat

berekombinasi sebelum membaur ke persambungan. Karena itu arus

dihasilkan akan lebih kecil bila pembawa minoritas diinjeksikan dekat

pada persambungan.

Fotodioda p-n sekarang ini bayak mengalami perkembangan

sehingga dibuatlah dioda n-p-n atau sering disebut sebagai

fototransistor yang banyak digunakan sebagai pembacaan kartu

komputer dan pita kertas yang berlubang, sistem deteksi cahaya,

pencacah barang produksi dan lain sebagainya . Frekuensi cahaya yang

dapat diterimapun berbeda –beda sesuai dengan besuai dengan

kebutuhan yang kita perlukan dan pada masa bsekarang ini foto dioda

bayak sekali digunakan baik pada pembacaan CD hingga komunikasi

data dengan memanfaatkan serat optik.

Gambar 2.11. Simbol dari fotodioda

 Dioda Pemancar Cahaya (LED)

Karena energi yang dibutuhkan untuk membentuk pasangan

lubang-elektron, maka energi akan lepas pada waktu elektron

bergabung dengan lubang. Dalam silikon dan Germanium rekombinasi ini

terjadi melalui proses rekombinasi dan energi yang dilepaskan pindah

ke kristal dalam bentuk panas. Akan tetapi ada sebagian pada

semikonduktor yang lain seperti arsenida galium , banyak rekombinasi

langsung terjadi tanpa bantuan perangkap . Dalam hal ini energi yang
dilepaskan , waktu elektron jatuh dari pita konduksi ke pita valensi,

muncul dalam bentuk radiasi. Dioda yang demikian disebut LED ( light

emitting diode) .
Efisiensi proses pembentukan cahaya bertambah dengan

pertambahan arus yang diberikan dengan penurunan

temperatur.Cahaya yang terbentuk akan terpusat dekat

persambungan oleh karena sebagian besar dari pembawa berada dalam

jarak panjang difusi dari persambungan. Dalam kondisi tertentu ,

cahaya yang dipancarkan koheren (sesungguhnya monokromatik) dioda

ini sering disebut laser persambungan terinjeksi ( injection junction

laser).

Gambar 2.10. Simbol, Bentuk dan Karakteristik LED

Tugas :
Buatlah Power Point untuk menjelaskan materi ini dengan kisaran 5-8 slide
Tips:
Dalam Presentasi Kurangi tulisan Perbanyak lah data dan gambar sehingga
jangan terkesan seperti belajar membaca,tunjukkan bahwa anda menguasai
materi tersebut.