Bahan Ajar Teknik Elektronika

BAB III
PIRANTI SEMIKONDUKTOR
Kata “piranti” dapat diartikan sebagai alat atau perkakas
atau devais. Piranti semikonduktor dapat diartikan sebagai alat
atau komponen yang berbahan semikonduktor, yang banyak
digunakan dalam membangun suatu peralatan elektronik, seperti
dioda dan transistor. Pada bagian ini, akan dibahas tentang dioda
(termasuk dioda-dioda khusus), transistor bipolar (BJT), dan
transistor unipolar atau transistor efek medan (FET).

3.1 Dioda
Dioda adalah komponen zat padat (solid state) yang paling dasar. Ada
banyak tipe dioda menurut karakteristik operasi dan aplikasinya misalnya
dioda zener, dioda pemancar cahaya (light emitting diode, LED) dan lain-
lain. Dioda adalah devais dua elektroda yang berlaku sebagai konduktor
satu arah. Dioda tipe dasar adalah dioda sambungan pn, yang terdiri atas
bahan tipe p dan n yang dipisahkan oleh sambungan (junction).

Gambar 3.1. Dioda

3.1.1 Sambungan p-n

Bila dilakukan doping pada kristal tunggal semikonduktor dengan
impuritas (atom pengotor) akseptor di salah satu sisi dan impuritas donor di
sisi lain, maka terbentuklah sambungan pn seperti terlihat pada Gambar 3-1.
Bagian p konsentrasi lubangnya lebih besar dibandingkan konsentrasi lubang
bagian n, sebaliknva konsentrasi elektron di bagian n lebih besar
dibandingkan konsentrasi elektron di bagian p. Karena perbedaan konsentrasi
pembawa muatan tadi, mengakibatkan terjadi peristiwa difusi lubang dari
bagian p ke n dan elektron dari bagian n ke p.

3-1
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Segera setelah lubang masuk ke bagian n yang kaya akan elektron,

terjadi rekombinasi (penggabungan kembali) antar lubang dan elektron.
Demikian juga elektron yang masuk ke bagian p yang kaya akan lubang segera
bergabung dengan lubang. Akibat rekombinasi ini daerah di sekitar sambungan
menjadi kekurangan pembawa muatan dan disebut daerah deplesi
(kekurangan) atau daerah muatan ruang (space charge region) atau daerah
transisi.
Rapat muatan ruang  adalah nol pada sambungan, positif di sebelah
kanan dan negatif di sebelah kiri sambungan. Maka di daerah transisi
terdapat medan elektris dengan garis gaya dari kanan ke kiri. Medan
elektris ini sebanding dengan integral rapat muatan yang diturunkan dari
persamaan Poisson berikut:

d 2V  
  (3-1)
dx 2
 r o
dengan  = permitivitas, r = permitivitas relatif, dan o = permitivitas
ruang bebas.

Gambar 3-2. Diagram skematik sambungan p-n.

Dengan integrasi Persamaan (3-1) dan mengingat bahwa E = -dV/dt

maka:
x  (3-2)
E dx
xo 
Medan elektris ini menghalangi meningkatnya difusi lubang maupun
elektron.

3-2
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Perubahan potensial elektrostatis di daerah deplesi adalah integral

negatif dari fungsi medan elektris E.
(3-3)
V   Edx

Perubahan potensial ini membentuk tenaga potensial penghalang

(barrier) yang melewan difusi lubang lebih lanjut melewati sambungan.
Tenaga potensial ini adalah potensial x muatan, dengan muatan lubang
adalah positif. Tenaga potensial penghalang bagi elektron yang berdifusi
dari sisi n lewat sambungan adalah sama dengan untuk lubang, hannya
bentuk kurvanya terbalik, karena muatan elektron adalah negetif. Terlihat
pada potensial kontak Vo pada daerah deplesi yang besarnya tergantung
pada konsentrasi lubang dan elektron serta suhu.

3.1.2 Sambungan p-n Sebagai Penyearah

Sambungan p-n sebagai penyearah (rectifier) berarti hannya dapat
mengalirkan muatan ke satu arah dan menahan aliran ke arah sebaliknya.
Hal ini disebabkan adanya perubahan prasikap (bias) tegangan pada dioda.

Prasikap/Prategangan Balik (Reverse Bias)

Prasikap balik diperoleh dengan menghubungkan bagian p dengan
kutub negatif baterai dan bagian n dengan kutub positif baterai (Gambar
3-3).

p n

V V
(a) (b)

Gambar 3-3. (a). Sambungan p-n diberi prasikap balik

(b). Simbol dioda sambungan p-n yang mendapat prasikap
balik

3-3
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Lubang-lubang pada bagian p dan elektron-elektron pada bagian n akan

menjauhi sambungan. Akibatnya lubang-lubang pada bagian p akan
mengalir ke kiri sedangkan elekton-elektron pada bagian akan mengalir ke
kanan, sehingga daerah deplesi menjadi lebih lebar. Aliran pembawa
muatan ini tidak dapat berlangsung terus karena untuk menimbulkan aliran
lubang, lubang ini harus diberikan oleh bagian n lewat sambungan. Pada
hal lubang di bagian n sangat sedikit, maka tidak terjadi arus. Tetapi
sebenarnya terjadi arus yang sangat kecil akibat timbulnya pasangan
lubang-elektron pada kristal akibat tenaga termis. Lubang-lubang yang
dibangkitkan di bagian n akan mengalir ke bagian p, demikian juga
elektron-elektron yang dibangkitkan di bagian p akan mengalir ke bagian n.
Arus yang terjadi disebut arus balik jenuh (Io).
Mekanisme konduksi pada prasikap balik dapat diterangkan dengan
cara lain. Bila suatu tegangan V diberikan pada arah balik, maka tenaga
potensial penghalang akan bertambah sebesar qV. Hal ini akan mengurangi
aliran pembawa mayoritas (lubang pada n dan elektron di bagian n), tetapi
pembawa minoritas tidak terpengaruh.

Prasikap/Prategangan Maju (Forward Bias)

Prasikap maju pada dioda sambungan p-n diperoleh dengan
menghubungkan bagian p dengan kutub positif baterai sedangkan bagian n
dengan kutub negatif baterai (Gambar 3-4). Dengan prasikap maju, tenaga
potensial penghalang pada sambungan akan diperendah. Lubang-lubang
akan melewati sambungan dari bagian p ke bagian n dan membentuk arus
minoritas. Demikian juga elektron-elektron akan melewati sambungan dari
bagian n ke bagian p membentuk arus minoritas di bagian p. Arus total
yang melewati sambungan adalah jumlah arus minoritas elektron dan
lubang.

3-4
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

p n

V V
(a) (b)

Gambar 3-4. (a). Sambungan p-n diberi prasikap maju

(b). Simbol dioda sambungan p-n yang mendapat prasikap
maju

3.1.3 Karakteristik Sambungan p-n

Hubungan arus dan tegangan pada dioda sambungan p-n dinyatakan
dengan persamaan:

I = Io (eV/ VT -1) (3-4)

dengan Io = arus balik jenuh
 = 1 (untuk germanium), merupakan suatu faktor.
 2 (untuk silikon)

VT 
T
kesetaraan volt dari arus  (3-5)
11600
= 0,026 pada suhu kamar T = 300 K
Persamaan (3-5) adalah persamaan relasi Einstein (Widodo, 2002:11).
Bentuk grafik karakteristik volt-amper yang diberikan oleh
Persamaan (3-4) diperlihatkan pada Gambar 3-5a. Untuk V positif yang
besar (beberapa kali VT), angka 1 dalam kurung dapat diabaikan, sehingga
arus naik secara eksponensial terhadap tegangan, kecuali di suatu
lingkungan yang kecil di titik pangkal. Apabila dioda berprategangan
mundur dan V beberapa kali VT, I  -Io (arus balik tetap). Oleh karena itu
Io disebut arus balik jenuh. Bagian lengkungan yang terdiri dari garis patah-
patah pada prategangan balik Vz, karakteristik dioda memperlihatkan
adanya penyimpangan yang menyolok dan mendadak dari Persamaan (3-
4). Pada tegangan kritis ini arus balik yang besar mengalir dan dikatakan
bahwa dioda ini berada dalam daerah dadal (breakdown).

3-5
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Dioda silikon dan germanium mempunyai sejumlah perbedaan yang

penting untuk perencanaan rangkaian. Perbedaan karakteristik volt-amper
diperlihatkan pada Gambar 3-6 (dengan mengambil contoh dioda
germanium IN270 dan dioda silikon IN3605).

Gambar 3-5. (a). Karakteristik volt-amper dari sebuah dioda p-n ideal
(b). Karakteristik volt-amper dioda germanium, dengan skala
diperbesar pada arus balik

Gambar 3-6. Karakteristik volt-amper dari dioda germanium (IN270) dan

silikon (IN3605) pada suhu 25 oC

Suatu ciri yang perlu dicatat dari Gambar 3-5, adalah adanya suatu
tegangan potong-masuk (cut in), titik putus (break point) atau ambang

3-6
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

(threshold), V. Di bawah tegangan ini, arus sangat kecil. Di atas V arus
akan naik sangat cepat. Dari Gambar 3-5, terlihat bahwa V kira-kira sama
dengan 0,2 V untuk dioda germanium, dan 0,6 V untuk silikon. Referensi
lain menggunakan istilah tegangan offset atau tegangan lutut yang besarnya
sekitar 0,7 V untuk dioda silikon (Malvino, 1994:37).

Pendekatan dioda:
Tahanan biasanya mempunyai toleransi 5%, tegangan lutut dioda
dapat mempunyai toleransi sampai 10%. Yang mempunyai arti di dalam
dunia nyata elektronika sehari-hari adalah jawaban-jawaban pendekatan.

a. Dioda ideal
Suatu dioda ideal berlaku sebagai konduktor yang sempurna
(bertegangan nol) jika diberi forward bias, dan berlaku sebagai isolator
I jika diberi reverse bias, seperti pada Gambar 3-7.
sempurna (berarus nol)

Tegangan
Ideal Saklar
forward nol
tertutup
=
Arus
reverse nol
V Forward bias

(a) (b)

Gambar 3-7.(a) Karakteristik dioda ideal, (b).Saklar adalah ekivalen dengan

dioda ideal

Dioda ideal berlaku seperti saklar (switch). Bila dioda diberi forward bias, ia
bertindak sebagai saklar yang tertutup, dan jika diberi reverse bias,
bertindak sebagai saklar terbuka. Ada kondisi di mana pendekatan ideal
sangat tidak akurat, untuk itu diperlukan pendekatan yang lain.
b. Pendekatan kedua.
Jika memperhitungkan tegangan offset, maka dioda dianggap
sebagai sebuah saklar yang diseri dengan baterai dengan tegangan offset

3-7
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

(0,7 V untuk dioda silikon). Jika tegangan sumber lebih besar dari 0,7 V,
maka saklar menutup dan tegangan dioda adalah 0,7 V. Jika tegangan
sumber kurang dari 0,7 V atau jika tegangan sumber negatif, maka saklar
akan membuka (Gambar 3-8).

Pendekatan ke-2 0,7

+ -
=
0,7 V Forward bias

(a) (b)
Gambar 3-8. (a). Karakteristik pendekatan kedua,
(b). Rangkaian ekivalen terdiri atas saklar dan baterai
b. Pendekatan ketiga.
Pada pendekatan ketiga dari dioda, kita perhitungkan tahanan bulk rB.
Dioda konduk pada tegangan 0,7 V, kemudian tegangan selebihnya
nampak pada tahanan bulk, hingga tegangan dioda total lebih besar dari
0,7 V. Setelah dioda silikon konduk, arus menghasilkan tegangan pada rB.
Makin besar arus, makin besar tegangan tersebut. Karena rB linier maka
tegangan naik secara linier mengikuti kenaikan arus.

IF + VF

Pendekatan ke-3 0,7

rB
+ -
=
0,7 VF
V Forward bias

(a) (b)

Gambar 3-9. (a). Karakteristik pendekatan ketiga, (b). Rangkaian ekivalen

Rangkaian ekivalen untuk pendekatan ketiga adalah sebuah saklar

yang diseri dengan baterai 0,7 V dan tahanan bulk rB (Gambar 3-9b).
Setelah rangkaian luar melewati potensial barier, arus dioda menghasilkan

3-8
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

tegangan jatuh IR pada tahanan bulk. Jadi tegangan total pada dioda
silikon, adalah:
VF = 0,7 + IF rB (3-6)
Untuk kebanyakan hal praktis, pendekatan yang kedua adalah kompromi
yang terbaik.

Contoh:
Pakailah pendekatan kedua untuk memperoleh arus dioda pada Gambar
3-10a (Gambar 3-10b merupakan rangkaian skematis yang diringkas, dan
biasanya digunakan di industri). +10 V
5 k

5 k
+

10 V -

(a) (b)

Gambar 3-10.
Penyelesaian:
Dioda dalam keadaan forward bias maka tegangan jatuhnya adalah 0,7 V,
sehingga tegangan pada tahanan adalah: (10 – 0,7) V = 9,3 V.
Jadi, arus dioda adalah: ID = 9,3[V]/5[k] = 1,86 [mA].

3.1.4 Pengaruh Suhu

Pengaruh suhu terhadap perubahan Io adalah kira-kira 7%/oC.
Karena (1,07)10  2 maka Io berlipat dua kali untuk setiap kenaikan 10 oC.
Arus Io pada suhu T adalah:
Io (T) = Io1. 2(T-T1)/10 (3-7)
Dengan Io1 : arus Io pada suhu T1.
Untuk arus yang konstan dV/dT turun dengan naiknya suhu:
dV/dT  -2,5 mV/oC (3-8)

3-9
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

3.1.5 Rangkaian Dioda

a. Dioda Sebagai Elemen Rangkaian
Rangkaian dioda dasar diperlihatkan pada Gambar 3-11, yang terdiri
atas dioda yang seri dengan dengan tahanan beban RL dan suatu sumber
sinyal masuk vi.

Gambar 3-11. Rangkaian dioda dasar

Dari Gambar 3-11, hukum tegangan Kirchhoff menyatakan bahwa:

v = vi – i RL (3-9)
Satu persamaan ini tidak cukup untuk menentukan dua variabel (v dan i)
yang terdapat dalam persamaan tersebut. Akan tetapi hubungan yang
kedua antara kedua besaran ini diberikan oleh persamaan karakteristik
statik dari dioda (Gambar 3-6). Gambar 3-12a ditunjukkan penyelesaian
serempak dari Persamaan (3-10) dan karakteristik dioda. Garis lurus yang
digambarkan oleh Persamaan (3-9) disebut garis beban. Garis beban
memiliki titik-titik i = 0, v = vi dan i = vi/RL, v = 0. Perpotongan dengan
sumbu tegangan adalah vi dan sumbu arus vi/RL. Oleh karena itu
kemiringan garis ini ditentukan oeh RL, nilai negatif dari kemiringan sama
dengan 1/RL. Titik perpotongan A dari garis beban dengan lengkungan
statik memberikan iA yang akan mengalir dalam keadaan ini. Lukisan ini
menentukan arus mengalir dalam rangkaian apabila potensial sesaat vi.
Jika tegangan masuk berubah maka prosedur di atas harus diulang
untuk setiap nilai tegangan. Suatu grafik dari arus terhadap tegangan masuk
disebut karakteristik dinamik, dapat diperoleh dengan jalan berikut: arus iA

3-10
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

digambar vertikal di atas vi di titik B (Gambar 3-12b). Bila vi berubah,

kemiringan dari garis beban tak berubah karena RL tetap. Jadi apabila
potensial yang diterapkan mempunyai nilai vi’ maka arus yang bersesuaian
dengannya iA’. Arus ini digambarkan sebagai sebagai ntitik B’ di atas vi’.
Lengkungan yang diperoleh OBB’ dengan mengubah-ubah vi disebut
karakteristik dinamik.

Gambar 3-12. (a). Lengkungan statik dan garis beban,

(b). Metode melukis kurva dinamik dari lengkungan statik
dan garis beban.

Lengkungan yang menghubungkan tegangan keluaran vo dan

tegangan masuk vi, dari setiap rangkaian disebut karakteristik transfer (alih)
atau transmisi (penerusan). Oleh karena dalam Gambar 3-12, vo = i RL
maka lengkungan transfer mempunyai bentuk yang sama dengan
karakteristik dinamik.

b. Dioda Sebagai Pengaman Peralatan Elektronik

Oleh karena dioda hanya dapat menghantar arus dalam satu arah
maka dioda dapat digunakan untuk mencegah kerusakan peralatan
elektronik akibat tertukarnya polaritas + dan – sumber tegangan DC. Ada
dua rangkaian yang dapat digunakan (Gambar 3-13a & b).

3-11
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

F D F
+ +
Peralatan Peralata
Sumber Elektro- Sumber D n
DC nik DC Elektro-
- - nik

(a) (b)

Gambar 3-13. Rangkaian pengaman peralatan elektronik dengan

menggunakan dioda

Pada Gambar 3-13a, ada jatuh tegangan sebesar tegangan offset pada
dioda, sedangkan pada Gambar 3-13b, tidak ada jatuh tegangan pada
dioda, dan fuse (F) akan putus jika polaritas (+) dan (-) terbalik.

c. Dioda Sebagai Elemen Rangkaian Penyearah

Hampir semua rangkaian elektronik memerlukan suatu sumber daya
dc. Baterai dapat digunakan sebagai sistem daya rendah yang dapat
dibawa. Akan tetapi sering alat-alat elektronik diberi energi oleh catu daya
(power supply) suatu alat yang mengubah bentuk gelombang balik-balik
dari PLN menjadi tegangan yang searah. Suatu alat, seperti dioda
semikonduktor yang dapat mengubah suatu bentuk gelombang masukan
sinusoidal (yang nilai rata-ratanya sama dengan nol) menjadi gelombang
searah (walaupun tidak tetap) dengan komponen rata-rata taksama dengan
nol disebut suatu penyearah.
 Penyearah Setengah Gelombang
Rangkaian dasar dari penyearah setengah gelombang diperlihatkan
pada Gambar 3-14.

Gambar 3-14. Penyearah setengah

gelombang.

3-12
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Oleh karena masukan dalam rangkaian penyearah vi = Vm sin t,

mempunyai nilai puncak Vm yang sangat besar dibanding dengan tegangan
potong/offset V dari dioda, kita anggap dalam pembahasan berikut bahwa
V = 0. Dengan dioda dibayangkan sebagai tahanan Rf dalam keadaan ON
dan sebagai suatu hubungan terbuka dalam keadaan OFF, arus i dalam
dioda atau dalam beban RL adalah:
i = Im sin  bila 0    
i=0 bila     2 (3-10)
Vm
di mana  = t, dan I m  (3-11)
Rf  RL

Tegangan sekunder trasformator vi, diperlihatkan pada Gambar 3-13b, dan

arus yang disearahkan diperlihatkan pada Gambar 3-13c. Arus yang keluar
mempunyai satu arah, sehingga nilai rata-ratanya tidak sama dengan nol.
Menurut defenisi nilai rata-rata suatu fungsi periodik diberikan oleh suatu
luas dari kurva satu periode dibagi alas. Secara matematik:
2
1
2 0
I dc  i d (3-12)

Untuk rangkaian setengah gelombang:


1 I
I dc  
2 0
I m sin  d  m

(3-13)

Tegangan keluaran dc:

I m R L Vm
Vdc  I dc R L    I dc R f (3-14)
 
Tetapi dengan mengabaikan tahanan Rf (dianggap sama dengan 0) maka
tegangan keluaran dc dapat dituliskan:
T 
1
Vdc   Vm sin  d 
1
 Vm sin  d  0 
1
 Vm cos  0  Vm  0,45 Vef
T0 2 0 2 

(3-15)
di mana Vef adalah tegangan efektif (rms) = Vm/2.

3-13
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Contoh :
Suatu penyearah setengah gelombang dengan menggunakan transformator
220/12 V dihubungkan dengan sumber tegangan 220 V, maka tegangan DC
yang diperoleh :
Vdc = 0,45. 12 = 5,4 V. Jika jatuh tegangan pada dioda (=0,7 V)
diperhitungkan, maka tegangan output penyearah = 5,4 – 0,7 = 4,7 V.
Jika resistansi beban diketahui, maka arus beban rata-rata Idc dapat dihitung.
Karena penyearah setengah gelombang adalah rangkaian satu loop,
arus dioda dc sama dengan arus beban dc-nya. Pada siklus negatif sumber
ac, dioda mengalami prategangan-balik, sehingga tidak ada tegangan pada
beban. Maksimum tegangan balik ini disebut puncak tegangan balik (PIV :
peak inverse voltage). Agar dioda tidak tembus (breakdown), puncak
tegangan balik ini harus lebih rendah daripada batas kemampuan PIV
dioda.
Tegangan output penyearah masih mempunyai riak (ripple), pada
penyearah setengah gelombang, frekuensi riak sama dengan tegangan
input.

 Penyearah Gelombang Penuh

Rangkaian dari penyearah gelombang penuh diperlihatkan pada
Gambar 3-14.

Gambar 3-14. Penyearah gelombang

penuh

3-14
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Rangkaian ini mengandung dua rangkaian penyearah setengah gelombang

yang dihubungkan sedemikian sehingga penghantaran terjadi melalui satu
dioda selama setengah periode dan melalui dioda yang lain selama
setengah periode yang kedua. Arus ke beban, yang merupakan jumlah dari
kedua arus ini mempunyai bentuk seperti yang ditunjukkan pada Gambar
3-14b.
Nilai dc dari arus dan tegangan dalam sistem tersebut adalah:
2I m 2I R 2Vm
I dc  ; Vdc  m L   I dc R f (3-16)
  
Dengan cara yang sama pada Persamaan (3-15) maka diperoleh tegangan
dc pada penyearah gelombang penuh (dengan mengabaikan tahanan dioda
Rf):
2Vm
Vdc   0,9 Vef (3-17)


Contoh :
Suatu penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator
220/12 V dihubungkan dengan sumber tegangan 220 V, maka tegangan DC
yang diperoleh :
Vdc = 0,9. 12 = 10,8 V. Jika jatuh tegangan pada dioda (=0,7 V)
diperhitungkan, maka tegangan output penyearah = 10,8 – 0,7 = 10,1 V.
Jika resistansi beban diketahui, maka arus beban rata-rata Idc dapat dihitung.
Pada penyearah gelombang penuh setiap dioda konduksi secara bergantian
(D1 konduksi untuk siklus positif dan D2 konduksi pada siklus negatif),
sehingga arus dc pada setiap dioda sama dengan ½ arus beban dc-nya. PIV
dioda sama dengan tegangan puncak/maksimum sisi sekunder
transformator. Frekuensi riak sama dengan dua kali frekuensi tegangan
input.

3-15
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

 Penyearah Jembatan

Sumber
AC
Trafo
RL

Gambar 3-15. Penyearah jembatan

Penyearah jembatan merupakan penyearah gelombang penuh yang

menggunakan 4 dioda dan setiap siklus tegangan input melewati 2 dioda.
Pada penyearah gelombang penuh biasa, hanya menggunakan 2 dioda,
tetapi transformator yang digunakan adalah trasformator yang mempunyai
tap di tengah (transformator CT/center tap).
Penyearah yang paling banyak digunakan adalah penyearah jembatan,
sehingga pabrik banyak yang membuat penyerah jembatan dalam satu
modul.

Penapis (Filter) Kapasitor

Karena output penyearah masih merupakan tegangan yang masih
berdenyut / beriak, maka untuk memperoleh tegangan DC yang rata (nilai
tetap) dibutuhkan sebuah penapis (filter). Filter yang banyak digunakan
adalah kapasitor yang dipasang paralel terhadap beban.
Gambar 3-16 menunjukkan pendekatan bentuk gelombang tegangan beban
vo dalam suatu penyearah gelombang penuh dengan tapis kapasitor.
Apabila total tegangan pengosongan muatan kapasitor (riak tegangan)
diberikan oleh Vr maka nilai rata-rata dari tegangan kira-kira:
Vdc = Vm – Vr/2 (3-18)
Akan tetapi Vr perlu dinyatakan sebagai fungsi dari arus dan tegangan
beban. Mengingat bahwa kapasitas kapasitor: C = Q/V atau V = Q/C, dan
Q = I.T, jika T2 menyatakan seluruh waktu tak menghantar, kapasitor akan
kehilangan muatan IdcT2 ketika pengosongan muatan dengan kecepatan

3-16
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

tetap Idc. Oleh karena itu perubahan dalam tegangan kapasitor adalah
IdcT2/C atau:
Vr = (IdcT2)/C (3-19)

Gambar 3-16. Bentuk gelombang tegangan output penyearah gelombang

penuh dengan tapis kapasitor

Semakin baik kerja penapisan, semakin kecil waktu penghantaran T1 dan T2

semakin mendekati setengah periode. Oleh karena itu kita anggap T2 =
T/2 = 1/2f di mana f adalah frekuensi dasar listrik PLN. Maka:
I dc
Vr  (3-20)
2fC
dan dari Persamaan (3-18), diperoleh:
I dc
Vdc  Vm  (3-21)
4f C

Persamaan (3-21) berlaku untuk penyearah gelombang penuh, sedangkan

I dc
untuk penyearah setengah gelombang: Vdc  Vm  .
2f C

d. Rangkaian Pelipat Tegangan (Voltage Multiplier)

Pelipat tegangan adalah dua atau lebih penyearah puncak yang
menghasilkan tegangan DC sama dengan perbanyakan puncak tegangan
input (2Vp, 3Vp, 4Vp, dan seterusnya). Catu daya ini digunakan untuk alat-
alat tegangan tinggi/arus rendah. Pelipat dua tegangan terdiri dari dua
macam, yaitu pelipat dua tegangan setengah gelombang dan pelipat dua
tegangan gelombang penuh. Gambar 3-17 memperlihatkan rangkaian

3-17
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

penyearah pelipat dua tegangan setengah gelombang dan Gambar 3-18

memperlihatkan rangkaian penyearah pelipat dua tegangan gelombang
penuh.

Pada penyearah pelipat dua tegangan setengah gelombang seperti

pada Gambar 3-17, pada puncak setengah siklus negatif, D1 berprategangan
maju dan D2 berprategangan balik. Idealnya, C1 dimuati sampai tegangan
puncak Vp. Pada puncak setengah siklus positif, D1 berprategangan balik dan
D2 berprategangan maju. Karena sumber dan C1 terhubung seri, C3 akan
berusaha mengisi lewatannya sampai 2Vp. Setelah beberapa siklus, tegangan
melintas C2 akan sama dengan 2Vp. Selama RL besar atau diberi beban yang
ringan, tegangan output idealnya akan sama dengan 2Vp. Karena kapasitor
output C2 hanya dimuati sekali setiap siklus, maka frekuensi riaknya sama
dengan frekuensi sumber.
C1 D2

Vp D1 +
C2 RL 2 Vp
-

Gambar 3-17. Rangkaian penyearah pelipat dua tegangan setengah

gelombang
Pada penyearah pelipat dua tegangan gelombang penuh seperti
pada Gambar 3-18, pada setengah siklus positif dari sumber, kapasitor C1
dimuati sampai tegangan puncak dengan polaritas seperti pada gambar.
Pada setengah siklus berikutnya, C2 dimuati sampai tegangan puncak Vp
seperti pada gambar. Untuk beban yang ringan, tegangan output
mendekati 2Vp. Rangkaian ini disebut pelipat dua tegangan gelombang
penuh karena salah satu kapasitor outputnya dimuati setiap setengah siklus.
Dengan pendekatan lain, riak outputnya sama dengan 2 kali frekuensi
input. Frekuensi riak ini menguntungkan sebab mudah difilter.

3-18
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

D1

+
C1 Vp
Vp
-
+
RL 2 Vp
-
+
C2 Vp
-
D2

Gambar 3-18. Rangkaian penyearah pelipat dua tegangan gelombang

penuh.

3.2 Dioda-dioda untuk Tujuan Khusus

3.2.1 Dioda Zener
Dioda zener berbeda dengan dioda biasa yang tidak pernah dengan
sengaja dioperasikan pada daerah tembus (breakdown), dioda zener justru
bekerja paling baik pada daerah tembus. Dioda zener merupakan tulang-
punggung pengatu tegangan, yaitu rangkaian-rangkaian yang menjaga agar
tegangan beban hampir konstan/tetap, walaupun ada perubahan yang
besar pada tegangan sumber dan resistansi (tahanan) beban.
I

VZ
V
IZT

IZM

Gambar 3-19. Lambang dioda zener Gambar 3-20. Grafik I-V

dioda zener

Dioda zener dapat beroperasi di tiga daerah : maju, bocor (leakage) atau
tembus. Pada daerah maju, ia menghantar seperti pada dioda biasa. Pada
daerah bocor (antara nol dan tembus), ia hanya mempunyai arus bocor

3-19
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

yang sangat kecil. Pada dioda zener, lengkungan di sekitar titik tembusnya
berbentuk lutut yang sangat tajam, tegangannya hampir tetap (mendekati
VZ) pada hampir semua daerah tembus. Lembaran data biasanya
menetapkan nilai VZ pada arus pengesetan tertentu (IZT).

Batas Kemampuan Maksimum

Pembuangan daya pada dioda zener sama dengan hasil kali tegangan dan
arusnya.
PZ = VZ IZ (3-22)
Selama PZ lebih kecil daripada batas kemampuan daya, dioda zener dapat
beroperasi di daerah tembus tanpa mengalami kerusakan. Lembaran data
kadang-kadang mencantumkan arus maksimum yang dapat dilewatkan
dioda zener tanpa melebihi batas kemampuan dayanya. Arus maksimum ini
berhubungan dengan batas kemampuan daya sebagai berikut:
IZM = PZM/VZ (3-23)
di mana : IZM = batas kemampuan arus zener maksimum
PZM = batas kemampuan daya
VZ = tegangan zener

Pendekatan Dioda Zener

Gambar 3-21.
RZ
a. Lambang dioda zener
VZ
VZ b. Pendekatan ideal
c. Pendekatan yang memperhitungkan resistansi zener

(a) (b) (c)

Dioda zener kadang-kadang disebut dioda pengatur tegangan, karena ia

mempertahankan tegangan output yang tetap meskipun arus yang
melaluinya berubah. VZ = IZ. RZ (nilai RZ kecil).

3-20
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Rs

Vs Z VZ RL

Gambar 3-22. Pengatur zener

RL
VTH  VS
RS  RL

Supaya zener beropersi pada daerah breakdown : VTH  VZ

Arus seri  IS = (VS – VZ)/RS
Arus beban  VL  VZ  IL = VL/RL
Arus zener  IZ = IS – IL

Perbandingan riak output terhadap riak input sama dengan perbandingan

resistansi zener terhadap resisitansi seri.
VZ RZ
 (3-24)
VS RS

Supaya sebuah pengatur zener dapat menjaga agar tegangan outputnya

tetap, maka dioda zener harus tetap berada di daerah tembus dalam segala
keadaan operasi, ini berarti bahwa harus selalu ada arus zener untuk semua
tegangan sumber dan arus beban. Resistansi seri maksimum yang
diperbolehkan:
VS (min)  VZ
RS (max)  (3-25)
I L(max)

Contoh 1.
Rs Diketahui rangkaian dengan dioda zener
seperti pada Gambar 3-23.
RS = 820 , Tahanan zener = 7 , VZ =
Vs 10 V, hitunglah perubahan tegangan
VZ Vout
zener jika tegangan sumber VS berubah
dari 20 V ke 40 V !
Gambar 3-23.

3-21
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Penyelesaian :
Karena rangkaian tanpa beban (IL = 0), maka IZ = IS = (VS – VZ)/RS
Untuk Vs = 20 V  Is = (20 – 10)/820 = 12,2 mA. = IZ(min)
Untuk Vs = 40 V  Is = (40 – 10)/820 = 36,6 mA = IZ(max)
Sehingga VZ = IZ. RZ = (36,6 – 12,2) mA. 7  = 0,171 V.
Ini berarti bahwa tegangan zener yang biasanya 10 V, naik 0,171 V ketika
sumber berubah dari 20 V menjadi 40 V. Karena zener paralel dengan
beban, maka tegangan output sama dengan tegangan pada zener.

Contoh 2.
Diketahui rangkaian dengan dioda
Rs zener seperti pada Gambar 3-24.
RS = 1,5 k, Tahanan zener = 10 ,
VZ = 10 V, RL = 1 k
Vs Z VZ
RL

Gambar 3-24.

a. Berapa nilai pendekatan arus zener

b. Jika sumber mempunyai riak peak to peak = 4 V, hitung riak output
c. Berapa nilai kritis resistansi seri
d. Jika beban berubah, berapa nilai resistansi beban sehingga pengatur
zener tidak bekerja?
Penyelesaian :
a. IS = (VS – VZ)/RS = (40 – 10)V/1,5 k = 20 mA ; VL  VZ  IL =
VL/RL = 10V/1k = 10 mA; IZ = IS – IL = 20 – 10 = 10 mA.
VZ RZ R 10
b.   VZ  Z VS  4V  26,7 mV
VS RS RS 1500

VS (min)  VZ
c. RS (max)  = (40 – 10)V/10 mA = 3 k
I L(max)

RL
d. VTH  VS < VZ  {RL/(1,5+RL)}40 < 10.  RL < 0,5 k
RS  RL

RL < 500 

3-22
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

3.2.2 Alat-Alat Optoelektronika

Optoelektronika adalah teknologi yang menggabungkan optika dan
elektronika. Bidang yang menyajikan ini meliputi beberapa alat yang
didasarkan atas perilaku persambungan pn. Contoh alat optoelektronika
adalah LED, fotodioda dan optocoupler (penggabung optika).

a. Dioda Pemancar Cahaya (Light Emitting Diode : LED)

Pada dioda berprategangan maju, electron bebas melintasi
persambungan dan jatuh ke dalam lubang (hole). Pada saat electron ini
jatuh dari tingkat energi yang lebih tinggi ke tingkat energi yang lebih
rendah, ia memancarkan energi. Pada dioda-dioda biasa, energi ini dalam
bentuk panas, tetapi pada LED energi ini memancar sebagai cahaya. Dioda-
dioda biasa dibuat dari silicon, tetapi LED dibuat dari bahan gallium, arsen,
dan fosfor. LED ada yang memancarkan cahaya warna merah, hijau,
kuning, biru, jingga, atau infra merah (tak tampak). LED yang menghasilkan
pemancaran di daerah cahaya tampak amat berguna dalam instrumentasi,
alat hitung (kalkulator) dan sebagainya. LED inframerah, pemakaiannya
dijumpai dalam sistem bahaya pencuri dan bidang-bidang lain yang
memerlukan pemancaran cahaya tak tampak.
Kecemerlangan LED tergantung dari arusnya. Cara berikut merupakan cara
yang umum untuk merangkai LED yang dihubung seri dengan sebuah
tahanan.

+Vs
Arus pada LED:
Rs V  VLED
I S (3-26)
RS
LED

Gambar 3-25. Rangkaian LED

3-23
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Contoh aplikasi LED dalam suatu rangkaian catu daya:

Sumber
AC

Trafo R1 R2
1000 uF RL
LED
Z

Gambar 3-26. Rangkaian catu daya yang dilengkapi LED

Jika LED pada Gambar 3-26, mempunyai jatuh tegangan minimum = 1,5 V
dan maksimum = 2,3 V, tegangan beban = 10 V dan R1 = 470 ,
hitunglah nilai minimum dan maksimum dari arus dioda !
Arus LED maksimum pada saat jatuh tegangan min. :
Imax = (10-1,5)/470 = 0,018 A = 18 mA.
Arus LED minimum pada saat jatuh tegangan maks. :
Imin = (10-2,3)/470 = 0,016 A = 16 mA.

+V
A
F B
G
E C

A B C D E F G

(a) (b)
Gambar 3-27. Penunjuk tujuh-segmen

Gambar 3-27a memperlihatkan penunjuk tujuh-segmen, yang terdiri

dari 7 LED segi-empat (A sampai G). Setiap LED disebut segmen karena ia
membentuk bagian dari karakter yang sedang ditampilkan. Gambar 3-27b
adalah diagram skematik dari penampilan tujuh-segmen. Dengan
menghubungkan satu atau lebih tahanan dengan bumi, kita dapat
membentuk semua bilangan dari 0 sampai dengan 9.

3-24
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

b. Fotodioda
Fotodioda adalah satu alat yang dibuat berfungsi paling baik
berdasarkan kepekaanya terhadap cahaya. Pada dioda ini, sebuah jendela
memungkinkan cahaya untuk masuk melalui pembungkus dan mengenai
persambungan. Cahaya yang datang menghasilkan electron bebas dan
lubang. Makin kuat cahayanya makin banyak jumlah pembawa minoritas
dan makin besar arus baliknya. Gambar 3-28 memperlihatkan lambang
skematis fotodioda.
R

Vs

Gambar 3-28. Fotodioda

Fotodioda merupakan salah satu contoh fotodetektor, yaitu alat opto-
elektronika yang dapat mengubah cahaya datang menjadi besaran listrik.

c. Optocoupler
Optocoupler (disebut juga optoisolator atau isolator yang
tergandeng optik) menggabungkan LED dan fotodioda dalam satu
kemasan. Gambar 29 menunjukkan salah satu contoh dari optocoupler,
yang mempunyai LED pada sisi input dan fotodioda pada sisi output.
R1 R2

I2
+ +
V1 V2
Vin Vout
- -

Gambar 3-29. Optocoupler

Tegangan sumber V1 dan tahanan seri R1 menghasilkan arus melalui LED.

Cahaya dari LED mengenai fotodioda menyebabkan timbulnya arus balik I2.
Vout = V2 – I2 R2. (3-27)

3-25
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Tegangan output tergantung pada arus balik I2. Bila tegangan input V1
berubah, jumlah cahayanya juga berubah. Ini berarti bahwa tegangan
output berubah sejalan dengan tegangan input. Itulah sebabnya mengapa
gabungan LED dan fotodioda disebut optocoupler. Keuntungan utama dari
optocoupler ialah adanya pemisahan secara listrik antara rangkaian input
dengan rangkaian output (hanya hubungan secara optik). Pemisahan secara
ini dibutuhkan dalam pemakaian-pemakaian bertegangan tinggi, yang
potensial di antara dua rangkaian itu dapat berbeda sampai beberapa ribu
volt.

3.3. Transistor
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi
semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Transistor
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus
yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang
melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat
penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog,
transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog
melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio.

3-26
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar

berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian
rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-
komponen lainnya.

Junction-Transistor

Transistor Open-Circuit

3-27
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Transistor terbias pada daerah aktif (active region)

Komponen-Komponen Arus Transistor

3-28
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

- Arus I terdiri atas arus hole I (arus hole dari emitor ke basis) dan arus
E pE
elektron I (arus elektron dari basis ke emitor).
nE
I =I +I
E pE nE

Untuk pnp, seluruh nilai arus di atas bernilai positif. Untuk npn,
berlaku sebaliknya.
- Rasio arus hole terhadap arus elektron, I /I , proporsional terhadap
pE nE

rasio konduktivitas materi p terhadap materi n.

- Pada transistor komersial, doping emitor lebih besar dari doping basis,
untuk memastikan bahwa arus emitor didominasi oleh arus hole. Hal ini
dilakukan karena arus elektron tidak memberikan kontribusi terhadap
fungsi utama transistor, yaitu menyalurkan carrier ke kolektor.
- Sebagian dari arus hole yang melintasi junction emitor akan
menyeberang hingga junction kolektor (I ), sebagian lagi akan
pC1

melakukan rekombinasi di basis sebesar (I -I ).

E pC1

3.4 Transistor Efek Medan (FET)

MOSFET, singkatan dari Metal Oxyde Semi Conductor atau Transistor efek
medan (FET), adalah jenis transistor yang bekerja dengan adanya modulasi
dari medan listrik. di dalam bahan semikonduktor. Antara FET dan
MOSFET tidak ada perbedaan, hanya yang membedakan:
 Adanya lapisan S1O2 yang mambatasi gate dan channel.
 Arus listrik yang masuk sangat kecil sekali.

IGBT
IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) adalah piranti semikonduktor yang
setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar (BJT) dan sebuah

3-29
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

transistor efek medan MOSFET.

Input dari IGBT adalah terminal Gate dari MOSFET, sedang terminal Source
dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian, arus
drain keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena
besarnya tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya
akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain sebagai
arus keluaran dari MOSFET akan cukuo besar untuk membuat BJT
mencapai keadaan saturasi. Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut,
IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah sakelar
elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak
lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang
dikendalikannya.
Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya (power electronics)
dewasa ini adalah sakelar zat padat (solid-state switches) yang diwujudkan
dengan peralatan semikonduktor seperti transistor bipolar (BJT),transistor
efek medan (MOSFET), maupun Thyristor. Sebuah sakelar ideal di dalam
aplikasi elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
 pada saat keadaan tidak menghantar (OFF), sakelar mempunyai
tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan
kata lain, nilai arus bocor struktur sakelar sangat kecil
 Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (ON), sakelar
mempunyai tahanan menghantar (R_on) yang sekecil mungkin. Ini
akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan
menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya

3-30
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

daya lesapan (power dissipation) yang terjadi, dan (kecepatan

pensakelaran (switching speed) yang tinggi.
1. Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua
jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena
peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai
arus bocor yang sangat kecil.
2. Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena
tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitter, VCE pada keadaan
menghantar (ON) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat
transitor BJT berada dalam keadaan jenuh (saturasi).
3. Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan
switching, MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai divais yang
bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas (majority
carrier), pada MOSFET tidak dijumpai aruh penyimpanan pembawa
muatan minoritas pada saat proses pensakelaran, yang cenderung
memperlamnat proses pensakelaran tersebut.
Sejak tahun 1980-an telah muncul jenis divais baru sebagai komponen
sakelar untuk aplikasi elektronika daya yang disebut sebagai Insulated Gate
Bipolar Transistor (IGBT).
Sesuai dengan yang tercermin dari namanya, divais baru ini merupakan
divais yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis
transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT
mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua
jenis transistor tersebut. Terminal gate dari IGBT, sebagai terminal kendali
juga mempunyai struktur bahan penyekat (insulator) sebagaimana pada
MOSFET.
Dengan demikian, terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi
yang sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya
yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan
rancangan rangkaian pengendali (controller) dan penggerak (driver) dari

3-31
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

IGBT.
Di samping itu, kecepatan pensakelaran IGBT juga lebih tinggi
dibandingkan divais BJT, meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang
setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang
menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitter) BJT. Dengan kata lain,
pada saat keadaan menghantar, nilai tahanan menghantar (R_on) dari IGBT
sangat kecil, menyerupai R_on pada BJT.
Dengan demikian bilai tegangan jatuh serta lesapan dayanya pada saat
keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan
sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan amper,
tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi
pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive).

Prategangan Sumber Arus

Prategangan sumber arus memberikan stabilitas titik Q yang tinggi, karena
menghasilkan nilai ID yang tidak tergantung pada JFET. Salah satu contoh
prategangan sumber arus diperlihatkan pada Gambar 3-61.

Gambar 3-61. Rangkaian prategangan sumber arus

Arus drain JFET adalah sama dengan arus kolektor BJT: ID = IC.

3-32
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Karena nilai IC tidak tergantung pada variasi parameter JFET maka demikian
juga ID. Supaya ID tidak tergantung pada JFET maka disyaratkan: ID < IDSS min.
Meskipun prategangan sumber arus memberikan nilai titik Q yang paling
stabil untuk ID, tetapi karena komplesitas rangkaiannya sehingga
menyebabkan tidak banyak diminati.

3.4.2 MOSFET
Teknologi MOS (Metal Oxide Semiconductor) telah memberikan
solusi terhadap masalah yang terdapat pada pengembangan rangkaian
terpadu (Integrated Circuit). Masalah yang dimaksud adalah disipasi panas
yang dengan untai MOS menjadi sangat berkurang. Di samping itu
rangkaian MOSFET (Mental Oxide Semiconductor FET) dapat dibuat lebih
kecil dibandingkan dengan untai BJT.
Jika MOSFET dibandingkan dengan JFET, operasi JEFT mensyaratkan
gate berprategangan balik agar devais dapat bekerja dengan baik. Prasikap
balik digunakan untuk melakukan pengecilan (depletion) ukuran kanal.
Operasi tipe ini digunakan mode deplesi. MOSFET adalah devais yang
dapat dioperasikan dalam mode peningkatan (enhancement) ukuran kanal.
Ini berarti bahwa devais ini tidak dapat dibatasi untuk bekerja dengan gate
berprategangan balik.
Ada dua tipe MOSFET yaitu MOSFET tipe deplesi (D-MOSFET) dan
MOSFET tipe enhancement (E-MOSFET). D-MOSFET dapat beroperasi
pada mode deplesi dan enhancement, sedangkan E-MOSFET hanya pada
mode enhancement. Perbedan kontruksi antara D-MOSFET dan E-MOSFET
terlihat pada Gambar 3-62. Dalam gambar itu D-MOSFET mempunyai
kanal fisik antara terminal source dan drain. Adapun E-MOSFET tidak
memiliki kanal, karena kanal terbentuk bergantung pada tegangan gate.
Lapisan isolasi antara gate dan bagian lain dari komponen terbuat dari
silicon dioxide (SiO2). Terminal gate trbuat dari konduktor logam.
Fondasi MOSFET disebut substrat yang disimbolkan dengan garis pusat

3-33
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

yang terhubung secara internal dangan terminal source. Pada gambar

terlihat bahwa MOSFET kanal n mempunyai substrate bahan p, sedangkan
MOSFET kanal p mempunyai substrate bahan n. Pada simbol MOSFET,
panah diletakan pada substrate. Panah yang menunjuk ke dalam,
menyatakan devais kanal n, sedang panah yang menunjuk ke luar
menyatakan devais kanal p. Substrate tidak harus dihubngkan ke source,
tetapi dapat juga dihubungkan ke catu tegangan yang lain.

Gambar 3-62. Konstruksi dan simbol MOSFET.

3.4.2.1 D-MOSFET
D-MOSFET dapat bekerja dalam metode deplesi dan metode enhancement.
Jika bekerja pada mode deplesi, karakteristik D-MOSFET sama dengan
JFET. Gambar 3-63 menunjukan operasi D-MOSFET dengan konstruksi D-
MOSFET yang disederhanakan
Gambar 3-63a menunjukan operasi D-MOSFET, jika VGS = 0 V (gate
source dihubung singkat), maka nilai ID = IDSS. Jika VGS negatif (Gambar 3-
63b), maka diinduksikan muatan positif kedalam kanal tipe n melewati
SiO2 dari kapasitor gate. Karena arus yang melewati kanal adalah pembawa
mayoritas (elektron untuk bahan tipe n), muatan positif induksi ini akan
berkombinasi dengan pembawa mayoritas berkurang. Hal ini menyebebkan
lebar kanal berkurang dan resistans kanal bertambah. Hal itu

3-34
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

memperlihatkan keadaan operasi mode deplesi dari JFET. Daerah deplesi

terletak di tepi kanal dekat dengan lapisan isolasi SiO2. karena itu nilai ID
akan lebih kecil dari pada IDSS.

Gambar 3-63. Operasi D-MOSFET

Jika VGS positif (Gambar 3-63c) maka akan diinduksikan muatan negatif.
Karena itu konduktifitas kanal bertambah (resistansi kanal berkurang) dan
nilai ID lebih besar dari pada IDSS. Mode operasi ini disebut mode
enhancement (peningkatan) yang tidak terdapat pada JFET. Jika VGS positif
lubang-lubang pada substrate tipe p ditolak; sementara itu, elektron-
elektron bidang konduksi sebagai pembawa minoritas disubstrate ditarik ke
kanal sehingga lebar kanal menjadi besar dan ID>> IDSS.

3-35
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Kurva transkonduktans D-MOSFET terlihat pada gambar 5.13d. pada

gambar ini terlihat jika VGS negatif maka ID<IDSS. Jika VGS = 0, maka ID = IDSS,
dan jika VGS positif maka ID>IDSS. Persamaan transkonduktans D-MOSFET
adalah sama dengan JFET yaitu:

VGS 2
I D  I DSS (1  )
VGS( off ) (3-72)

Kurva drain suatu MOSFET pada Gambar 3-64a. pada kurva tersebut dapat
dibuat garis beban dc. Persamaan garis beban untuk untai drain yang
terdapat resistans drain RD adalah:
(3-73)
VDS  VDD  I D R D

Nilai arus drain saturasi (jenuh) yang ideal diperoleh jika VDS = 0, yaitu:
ID(sat) = VDD/RD (3-74)
Nilai tegangan drain-source off ideal adalah jika ID = 0, yaitu:
VDS(off) = VDD (3-75)
Gambar 3-64b menunjukkan perbedaan antara nilai aktual dan ideal dari
ID(sat) dan VDS(off).

Gambar 3-64. Nilai aktual dan ideal dari ID(sat) dan VDS(off).

3-36
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Rangkaian Prategangan Untuk D-MOSFET

Rangkaian prategangan untuk D-MOSFET sama seperti JFET yaitu
prategangan gate, prategangan diri, dan prategangan pembagi tegangan.
Karena D-MOSFET tidak memerlukan VGS negatif maka metode umum
untuk memberi prategangan D-MOSFET adalah dengan membuat VGS = 0.
Konfigurasi rangkaian prategangan seperti ini disebut prategangan zero
(nol), seperti terlihat pada Gambar 3-65.

Gambar 3-65. Rangkaian prategangan (untai prasikap) zero

Nilai RD dipilih agar VDS = 0,5 VDD maka:

VDD  VDS 0,5 VDD

RD  
I DQ I DQ (3-76)
dengan IDQ = IDSS.
Keuntungan D-MOSFET dibanding JFET adalah bahwa D-MOSFET
dapat beroperasi pada mode deplesi dan enhancement, sedangkan JFET
hanya mode deplesi saja. Impedansi masukan D-MOSFET lebih tinggi
dibandingkan JFET. Namun kekurangan D-MOSFET adalah lebih peka
terhadap suhu dan perlu kecermatan dalam menanganinya.

3-37
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

3.4.2.2 E-MOSFET
E-MOSFET hanya dapat beroperasi dalam mode enhancement maka
tegangan gate harus positif terhadap source, seperti terlihat pada Gambar
3-66.

Gambar 3-66. Operasi dan kurva transkonduktans E-MOSFET

Pada saat VGS = 0 maka tidak ada kanal yang menghubungkan source
dan drain. Ketika VGS positi maka lubang-lubang bidang valensi pada subtrat
ditolak. Adapun elektron-elektron pembawa minoritas pada subtrat tipe-p
ditarik ke arah gate dan kanal-n antara source dan drain. Jika nilai VGS
diperbesar maka kanal menjadi lebih besar dan ID bertambah. Sebaliknya
jika VGS diperkecil maka kanal menjadi sempit dan arus drain berkurang

3-38
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

(lihat kurva transkonduktans pada Gambar 3-66c). Tegangan VGS pada saat
E-MOSFET menghantar disebut tegangan ambang (threshold) VGS(th). Nilai
IDSS untuk E-MOSFET adalah mendekati 0 A. Karena nilai IDSS mendekati nol
maka nilai ID pada VGS yang ditentukan diberikan oleh persamaan:
ID = k [VGS – VGS(th)]2 (3-77)
dengan k: konstanta untuk E-MOSFET.

Rangkaian Prategangan E-MOSFET

Untuk E-MOSFET kanan n, VGS harus positif. Karena itu digunakan
prategangan umpan balik drain (Gambar 3-67).
+VDD

ID RD
RG

VGS

Gambar 3-67. Rangkaian prategangan umpan-balik drain

Karena impedansi gate sangat tinggi maka tidak ada arus dalam rangkaian
gate. Karena itu tidak ada penurunan tegangan pada resistor RG, sehingga
gate mempunyai potensial yang sama dengan drain: VGS = VDS.
Nilai VDS dapat diperoelh dari persamaan:
VDS = VDD – RD ID(on) (3-78)
Karena nilai ID(on), VDS, dan VGS dapat diperoleh dari karakteristik “ON”
pada lembaran spesifikasi (spec. Sheet) maka nilai RD dapat dihitung. Nilai
RG biasanya diambil dalam orde M.

3-39
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Contoh:
Suatu E-MOSFET mempunyai nilai ID(on) = 10 mA pada VGS = 10 V dan
VGS(th) = 1,5 V.
a. Tentuksn nilai ID jika VGS = 5 V.
b. Jika E-MOSFET tersebut digunakan dalam rangkaian prategangan
umpan-balik drain (Gambar 5-17) dengan VDD = 10 V dan RD = 300
, tentukan nilai ID dan VDS.
Penyelesaian:
a. Dengan menggunakan nilai minimum dari ID dan VGS ditentukan nilai k:

I D( on) 10 mA
k   138.10 6 2
(VGS( on)  VGS( th ) ) 2
(10  1,5) 2
V

ID = k [VGS – VGS(th)]2 = 138.10-6 (5 – 1,5)2 = 1,69 mA.

b. Karena VGS = VDS maka ID = ID(on) = 10 mA

VD = VDD – ID RD = 10 – 0,01.300 = 7 V.
Penguat FET
Operasi penguat FET (JFET dan MOSFET) menyerupai penguat JFET.
Perbedaan antara keduanya adalah BJT merupakan komponen terkendali
arus, sedangkan FET adalah komponen terkendali tegangan. Adapun
impedansi masukan penguat FET jauh lebih tinggi dibanding dengan
penguat BJT.
Seperti pada penguat BJT yang dibedakan dalam tiga konfigurasi (CE,
CC, dan CB), penguat FET juga dibedakan dalam tiga konfigurasi, yaitu
penguat source bersama (Common Source/CS), penguat drain bersama
(Common Drain/CD), dan penguat gate bersama (Common Gate/CG).

3-40
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Soal Latihan

1. Sebuah rangkaian catu daya yang terdiri dari transformator step-down

dengan tegangan primer 220 V dan tegangan sekunder 12 V ac,
penyearah jembatan dan filter kapasitor 470 µF. Jika tahanan beban =
1000 , dan rangkaian dihubungkan dengan sumber tegangan 220 V,
50 Hz,
a. Gambarkan rangkaiannya,
b. Tentukan tegangan dan arus dc pada beban!

2. Sebuah zener mempunyai VZ = 12 V. Tegangan sumber (VS) = 24 V.

Tahanan depan/seri (RS) = 1,2 k. Tahanan beban (RL) berubah-ubah
dari 2 k sampai 4 k. Hitunglah nilai pendekatan arus zener, arus
beban dan resistansi seri maksimum!

3. Sebuah LED hijau mempunyai jatuh tegangan minimum 1,8 V dan

maksimum 3 V. Jika LED dihubungkan dengan sumber 20 V dan
tahanan seri 750 , berapakah nilai minimum dan maksimum dari arus
LED?

4. Jelaskan secara singkat perbedaan dari titik kerja transistor yang bekerja
sebagai saklar dan titik kerja transistor yang bekerja sebagai penguat !
5. +VCC

RC
Diketahui rangkaian transistor sebagai
saklar, seperti pada gambar di samping :
RB = 2,2 K ; RC = 680 
RB VCC = 15 V; VBB = 5 V, VBE = 0,7 V
+VBB
Jika tegangan jatuh pada LED = 1,5 V ,
hitunglah :
Arus basis dan arus kolektor !

3-41
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

6. Diketahui rangkaian penguat CE seperti pada gambar berikut:

+Vcc
+Vcc
RC R1 = 15 K ; R2 = 3,3 K
R!
RC = 4,7 K ; RE = 1,5 K
RS = 1 K ; RL = 2,2 K
VCC = 15 V ; VBE = 0,7 V
 = 200
RL
Rs
R2
RE
Vs = 1 mV
Vs Batas kemampuan maksimum
transistor : IC = 200 mA dan
VCEQ = 40 V

a. Tentukan model ac penguat CE tersebut.

b. Hitung :
-. Penguatan tegangan (Av)
-. Penguatan arus (Ai)
-. Penguatan daya (Ap)
-. Disipasi daya transistor (PDQ)
-. Daya dc total yang diberikan ke penguat (PS)
-. Kepatuhan output ac (PP)
-. Daya beban ac maksimum (PL(max))
-. Efisiensi tahapan ()
-. Tegangan output (Vout)
c. Tentukan garis beban dc dan ac
d. Apakah batas kemampuan transistor tidak dilewati selama satu siklus
ac?

3-42