Sifat Dielektrik Keramik

Pengenalan
Pengenalan
➢ Bahan dielektrik, walau memiliki resistivitas tinggi, namun dapat
menjadi pendukung efisien bidang elektrostatis.
➢ Dapat menyimpan energi/muatan
➢ Mampu menyokong bidang elektrotatis sembari meminimalisir
energi yang memanas
➢ Semakin rendah hilang nya dielektrik (proporsi energi yang hilang
sebagai panas), semakin efisien bahan dielektrik tersebut
➢ Pertimbangan lain adalah konstanta dielektrik, sejauh mana suatu
zat memusatkan garis fluks elektrostatis.

Konstanta dielektrik
Pengenalan
➢ Kapasitansi, C, dari kapasitor yang dibentuk oleh dua pelat sejajar
dengan luas A berjarak d terpisah dengan luas antara pelat yang diisi
bahan dielektrik dengan konstanta dielektrik relatif ε adalah:
 Kerugian dielektri
Pengenalan
➢ Untuk dielektrik lossy (tidak sempurna), konstanta dielektrik dapat
diwakili oleh konstanta dielektrik relatif yang kompleks

➢ Bagian imajiner dari konstanta dielektrik kompleks ini, ε pada

frekuensi, ω setara dengan konduktivitas yang bergantung pada
frekuensi, σ (ω), diberikan oleh:

➢ “ε "juga dikenal sebagai faktor kerugian.

➢ Perbedaan kecil fase dari perilaku ideal ditentukan oleh sudut δ,
yang ditentukan melalui persamaan.

➢ tan δ dikenal sebagai garis singgung kerugian atau faktor disipasi.

➢ Faktor kualitas, Q, untuk dielektrik diberikan oleh kebalikan dari tan
δ.

Diagram
rangkaian ekivalen: (a) sel kapasitif, (b) arus pengisian dan rugi, (c) tangen
rugi untuk dielektrik tipikal
➢ dari Q =  oAV/d = CV
➢ Jika V adalah sinusoidal, muatan total Q dapat ditulis sebagai:

Q = C Vo e it
➢ Aliran arus saat keluarnya sel kapasitif pada waktunya, t:
dQ
I= = iCV
dt
 ➢ For a real dielectric the current I has vector components IC and IR:
I = IC + IR

➢ Dari besarnya arus ini, kita juga dapat menentukan faktor disipasi,
tan δ, sebagai :

IR
tan  =
IC

➢ Faktor kualitas Q adalah :

1 average energy stored
Q= =
tan  energy dissipated per cycle

Teori arus bolak-balik

Pengenalan
➢ Impedansi suatu resistansi = R
➢ Impedansi sebuah kapasitansi = 1 / iωC
➢ Daya rata-rata, P, dihamburkan selama siklus dalam kapasitor lossy
dengan pelat luas A dipisahkan oleh jarak d:

Kekuatan dielektrik
Pengenalan
➢ Bahan dielektrik adalah isolator (konduksi umumnya tidak dapat
terjadi).
➢ Namun, dalam kondisi tertentu, bahan dielektrik dapat rusak dan
menghantarkan arus yang signifikan.
➢ Umumnya, kisi dielektrik memiliki kekuatan yang cukup untuk
menyerap energi dari elektron yang terkena dampak yang
dipercepat oleh medan listrik yang diterapkan.
➢ Namun, di bawah medan listrik yang cukup besar, beberapa elektron
yang ada di dielektrik akan memiliki energi kinetik yang cukup untuk
mengionisasi atom kisi yang menyebabkan efek longsoran.
➢ Akibatnya, dielektrik akan mulai menghantarkan sejumlah besar
arus.
➢ Fenomena ini disebut kerusakan dielektrik dan intensitas medan
yang sesuai disebut sebagai kekuatan rusak dielektrik(dielectric
breakdown strength).
➢ Kekuatan dielektrik dapat didefinisikan sebagai gradien potensial
maksimum dimana material dapat dikenakan tanpa kerusakan
isolasi, yaitu
 dV  V
DS =   = B
 dx  max d
dimana DS adalah kekuatan dielektrik dalam kV / mm,
VB tegangan tembus, dan d ketebalan.

Karakteristik tegangan arus hingga kerusakan untuk bahan dielektrik

yang khas.

➢ Kekuatan dielektrik tergantung pada:

o homogenitas material,
o geometri spesimen,
o bentuk dan disposisi elektroda,
o mode tegangan (ac, dc atau pulsa) dan
o kondisi ambien.
kapasitor
Pengenalan

➢ Rumus dasar untuk kapasitansi kapasitor pelat paralel adalah:

➢ Untuk meningkatkan C, seseorang harus meningkatkan antara , A,

atau menurunkan d.
➢ Kapasitor awal terdiri dari lembaran logam yang dipisahkan oleh lilin
( ~ 2,5), mika ( ~ 3 - 6), steatite ( ~ 5,5 - 7,5), atau kaca ( ~ 5 - 10).
➢ Penggunaan titania memberikan peningkatan yang signifikan ( ~
170), diikuti oleh berbasis perovskit, seperti BaTiO3 ( ~ 1000).
 ➢ Chip DRAM saat ini menggunakan kapasitor dengan Si3N4 atau SiO2
sebagai bahan dielektrik
➢ Elektroda terbuat dari Si (telah di doping) atau poli-Si.
➢ Kapasitor dapat dibuat ke chip IC.
➢ Mereka biasanya digunakan bersama dengan transistor di DRAM.
➢ Kapasitor membantu menjaga isi memori.
➢ Karena ukuran fisiknya yang kecil, komponen ini memiliki kapasitansi
yang rendah.
➢ Mereka harus diisi ulang ribuan kali setiap detiknya atau DRAM akan
kehilangan datanya.

C =  r o
A
Q =  r o
AV Q = CV
d d
Q: charge (Coulomb)

C: capacitance (Farad)

V: potential difference (Volt)

d: separation/thickness (meter)

 : permitivity of vacuum =
o

-12 2 2
8.854x10 C /m or F/m

 : dielectric constant
r
Kapasitor Keramik Multilayer
Pengenalan
➢ The multilayer ceramic capacitor (MLCC):

A( N − 1)
C =  r o
d

➢ dengan N adalah jumlah pelat yang ditumpuk.

➢ Idealnya, dielektrik harus memiliki konduktivitas listrik yang rendah
agar arus bocor tidak terlalu besar.

Ceramic surface-mount capacitors.

Cut-away view of multilayer ceramic

capacitor.

High-K Dielectric
Pengenalan
➢ Jumlah bit perangkat MOS DRAM terus meningkat. Namun, seiring
bertambahnya jumlah bit, luas sel kapasitor turun.
➢ Kapasitansi per sel harus tetap dalam kisaran 25-30 fF, yang berarti
kepadatan kapasitansi harus meningkat.
➢ Salah satu pendekatan untuk manufaktur DRAM adalah mengganti silikon
nitrida + silikon oksida tradisional dengan konstanta dielektrik yang lebih
tinggi (k) seperti tantalum pentoksida (Ta2O5), Hf-oksida (HfO2) dan Zr-
oksida (ZrO2).

The roadmap of
capacitor with
DRAM technology.
➢ Film dielektrik high-k diantisipasi akan dibutuhkan untuk aplikasi tertentu
dengan daya rendah dan spesifikasi arus bocor
➢ Bahan high-k harus kompatibel dengan aliran proses MOSFET standar
industri konvensional menggunakan elektroda gerbang poli-Si
➢ HfO2, ZrO2, dan Ta2O5 sebagai gerbang-dielektrik high-k.

HfO /Poly-Si high-k transistor

2

ZrO /Poly-Si high-k transistors

2

Typical material stack used

in aTa O DRAM capacitor
2 5
A Review of High-K Dielectric
Pengenalan
➢ Material dielektrik gerbang yang memiliki konstanta dielektrik tinggi, celah
pita besar dengan penyelarasan pita yang menguntungkan, kepadatan
keadaan antarmuka rendah, dan stabilitas termal yang baik diperlukan
untuk aplikasi dielektrik gerbang di masa mendatang.
➢ Material ultra high-k seperti STO (SrTiO3) atau BST (BaSrTiO3) dapat
menyebabkan efek penurunan penghalang yang diinduksi medan fringing.
➢ Dielektrik gerbang high-k memiliki sejumlah kesulitan:
o kristalisasi saat pemanasan,
o penetrasi dopan
o muatan tetap
o mobilitas saluran rendah
o pembentukan oksida tak terkendali pada antarmuka Si / high-k.

Kekurangannya high K
Pengenalan

Phonon
High-K and PolySi Scattering in
are Incompatible High-K

The Gate Stack


Schematic illustration of
important regions in a CMOS FET
gate stack
Expected performance trends for
complementary metal
oxidesemiconductor (CMOS) transistor
technologies. The unrelenting reduction in
transistor size and the associated
decrease in gate delay for (a) an NMOS
transistor and (b) a PMOS FET are evident.

Schematic image of MOS transistors in the year 2003 and 2013.

Physical and electrical

thickness of high-k gate
dielectric (ideal).
SiO equivalent
2
thickness EOT is smaller
than high-k physical
thickness.
The depletion region of
thickness W forms adjacent
d
to the poly-Si/oxide interface.

◼ For example, if the capacitor

dielectric is SiO , t = 3.90 (A/C),
2 eq 
-3

 = 8.85x10 fF/m, thus a


capacitance density of C/A=34.5


fFm corresponds to t =10 Å.

eq
◼ A dielectric with a relative
permittivity of 16 results in a physical
thickness of ~40 Å, to obtain t =10
eq
Å.

Comparison of (a) stacked and (b) single-layer gate dielectrics in a

hypothetical transistor gate stack.
Either structure results in the same overall gate stack capacitance
or equivalent oxide thickness, teq =10 Å.